JPH0471367A - 自励式スイッチング電源 - Google Patents

自励式スイッチング電源

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Publication number
JPH0471367A
JPH0471367A JP18348490A JP18348490A JPH0471367A JP H0471367 A JPH0471367 A JP H0471367A JP 18348490 A JP18348490 A JP 18348490A JP 18348490 A JP18348490 A JP 18348490A JP H0471367 A JPH0471367 A JP H0471367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
channel power
power mosfet
fet
power supply
self
Prior art date
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Pending
Application number
JP18348490A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuji Yamawaki
山脇　達司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は自励式のスイッチング電源に関し、特に効率の
向上を目的としたパワーＭＯＳＦＥＴにより構成された
自励方式スイッチング電源に関する。
［従来の技術〕 従来の自励式スイッチング電源はパワートランジスタに
よる構成が主流を占め、パワーＭＯＳＦＥＴによる構成
例はなかった。
［発明が解決しようとする課題］ 上述した従来のパワートランジスタによる自励式スイッ
チング電源は、パワートランジスタの駆動電流が必要な
点及びスイッチング速度が遅い点により、電源効率が劣
るという欠点がある。
本発明の目的は電源効率を向上させた自励式スイッチン
グ電源を提供することにある。
〔課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため、本発明に係る自励式スイッチ
ング電源においては、スイッチング素子を有する自励式
スイッチング電源であって、スイッチング素子として、
ｒくチャネルパワーＭＯＳＦＥＴとＰチャネルパワーＭ
ＯＳＦＥＴとの組を用いたものであり、 Ｎチャネルパワー間０３ＦＥＴは、電力制御用のもので
あり、 ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴは、ＮチャネルパワーＭ
ＯＳＦＥＴのスイッチング動作を制御するものである。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１） 第１図は本発明の実施例１を示す回路図である。
図において、Ｎチャネルパワ・−ＭＯＳＦＥＴ　１とＰ
チャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　２との組を有している。
ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　２は補助トランス４に
より駆動される。また、ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ
　２は、出ツクパルス幅設定用抵抗６．出力パルス幅設
定用容量７．ターンオフ時間設定用抵抗９を備えている
。８は定電圧ダイオード、３は起動抵抗である。
ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　１は主トランス５に接
続しである。１３は二次側整流回路である。
パワー制御はＮチャネルパワーＭＯ５ＦＥＴ　１により
、またＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　ｌのオン・オフ
の制御はＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　２によりそれ
ぞれ行われる。
ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　１のスイッチング動作
を説明すると、以下のようになる。
ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　１の起動は、起動抵抗
３とＦＥＴ　１の入ノＪ容量により行われる。従って、
ＦＥＴＩのターンオン時間は、起動抵抗３とＦＥＴ　１
の入力容量とスレッショルド電圧により決まる。
次にＦＥＴ　１のオン時間即ちスイッチング出力のパル
ス幅は、出力パルス幅設定用抵抗６及び容量７とＰチャ
ネルパワーＭＯＳＦＥＴ　２のスレッショルド電圧によ
り決まる。
最後にＦＥＴ　　１のターンオフ時間はターンオフ時間
設定用抵抗９とＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　２のオ
ン抵抗により決まる。
以上の一連の動作により一定の周期で、ＦＥＴはスイッ
チング動作を行う。
定電圧ダイオード８はＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ２
のゲート電圧を安定化させる目的で用いている。
以上が本発明による自励式スイッチング電源のスイッチ
ング動作の説明である。
また、主トランス５の２次巻線の極性を反転させ、チョ
ークコイルとフライホイールダイオードを付加したフォ
ワード回路においても、本発明である自励式スイッチン
グ電源を構成できることは言うまでもない。
（実施例２） 第２図は本発明の実施例２を示す回路図である。
実施例１では出力電圧の安定化が対策されていないが、
実施例２では、ホトカプラ受光部＋１．ホトカプラ発光
部１２．定電圧ダイオード１０を付与し、周波数制御に
よる出力電圧の安定化を図ることが可能である。
即ち、出力電圧が上昇した際、起動抵抗３を通して流入
する電流の一部をホトカプラ受光部１１により吸収する
ため、ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ　ｌの起動タイミ
ングが遅れる。これにより、ＦＥＴ　　ｌのスイッチン
グ周波数が低下し、出力電圧が低下することにより、安
定化が図られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はパワーＭＯＳＦＥＴを自励
方式化することにより、効率の向上及び高周波化に伴う
セットの小型化が実現できる。
また従来より制御用のＩＣを用いた他励式スイッチング
電源があるが、これに比べて本発明は回路構成が簡略化
でき、ロウコスト化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１を示す回路図、第２図は本発
明の実施例２を示す回路図である。 １・・・ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ２・・・Ｐチャ
ネルパワーＭＯＳＦＥＴ　　３・・・起動抵抗４・・・
補助トランス　　　　　　５・・・主トランス６・・・
出力パルス幅設定用抵抗 ７・・・出力パルス幅設定用容量 ８・・・定電圧ダイオード ９・・・ターンオフ時間設定用抵抗 １０・・・定電圧ダイオード　　１１・・・ホトカプラ
受光部１２・・・ホトカプラ発光部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）スイッチング素子を有する自励式スイッチング電
    源であって、 スイッチング素子として、ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥ
    ＴとＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴとの組を用いたもの
    であり、 ＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴは、電力制御用のもので
    あり、 ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴは、ＮチャネルパワーＭ
    ＯＳＦＥＴのスイッチング動作を制御するものであるこ
    とを特徴とする自励式スイッチング電源。
JP18348490A 1990-07-11 1990-07-11 自励式スイッチング電源 Pending JPH0471367A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002369511A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Sanyo Electric Co Ltd スイッチング電源用集積回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002369511A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Sanyo Electric Co Ltd スイッチング電源用集積回路
JP4733860B2 (ja) * 2001-06-08 2011-07-27 三洋電機株式会社 スイッチング電源用集積回路

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