JPH0471202A - 厚膜抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、厚膜抵抗素子に保り、特にそれを用いた回
路に関するものである。

〔従来の技術〕

第７図に従来の厚膜抵抗素子を用いた回路を示す。図に
おいて、二つの厚膜抵抗素子（ｌａ）。

（ｌｂ）Ｈ直列に接続されている。一方の厚膜抵抗素子
（ｌａ）は、電極（２１を介して電圧固定直流電源６１
１Ｃ接続され、電圧が印加されている。他方の厚膜抵抗
素子（ｘｂ）は、電極（４（ヲ介して接地されている。

−ｆた。二つの厚膜抵抗素子臼ａ）、（ｌｂ）間の電極
１３には端子（６）が設けられている。

４８図は、第７図に示す厚膜抵抗素子を用いた回路の等
価回路図である。

ここで、厚膜抵抗素子（ｉａ）、（ｌｂ）それぞれの抵
抗噴をＲｌａ（ｏ）ｕｌｂ（：ｎ）　、電圧固定直流電
源（６）の起電力をに５（ｖ）端子１６）に取り出され
る電圧をｖ６（Ｖ）とすると、 なる関係式が成立する。

い１、第９図のようｖｃＩ！Ｘ膜抵抗素子ｆｌａ）に切
り込み（７ａ）ｉいれることで、厚膜抵抗素子（ｌａ）
の抵抗値は大きく出来るが信頼性上の問題から、切り込
み（７ａ）のない場合の抵抗値Ｒ１ａ（Ω〕のε倍程度
箇でであることが望ましい。そこで厚膜抵抗素子（ｌａ
）の抵抗（ａ　ｆ：　２　Ｒ１ａ（ｎ　〕とすれば、端
子＋６１　Ｋ取り出される電圧ｖａ（Ｖ）は に示され、■式の唾より小さく出来る◎同様に第１θ図
のように厚膜抵抗素子（１１）；Ｉに切り込み（Ｗｂ）
１ｋｚれることで抵抗値２　ｇＲ１ｂｃΩ〕とすれば、
端子（６）に取り出される電圧Ｖ６（ｖ）はに示され、
■式の須より大きく出来る。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来の技術によれば、端子＋６１の電圧ｖ６（Ｖ）
は、厚膜抵抗素子（ｌａ）、（Ｉｂ）に切り込み（７ａ
）。

ゴ（７ｂＪ　ｋ 入れることで可変出来るが、信頼性上の問題から切り込
み（７ａ）、（７ｂ）を大きくするには限界があり、■
式、■式よりＶａ（ｖ）の可変範囲はに制限される。

また、厚膜抵抗素子（ｌａ）、４１ｂ）への切り込み（
７ａ）、（Ｗｂ）が大きくなると、切り込み量が少し変
わるだけでも抵抗値は大きく変化するためＶａ（Ｖ）を
目的の値に正確に合わせることが困難になるなどの問題
点があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、端子（６）に取り出される電圧Ｖ６（Ｖ）
の可変範囲を大きくすると共に、電圧を正確に設定出来
るようにすることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために、この発明による厚膜抵抗
素子は、三つの厚膜抵抗素子を直列に接続し、全体に電
圧を印加しておきあらかじめ、中央の厚膜抵抗素子の両
電極を導体で結び短絡しておく。

そして、その導体に設ける切断部の位１ｆを変えること
で、中央の厚膜抵抗素子の両電極にいずれに電圧取り出
し用の端子分接続するかを変える。

〔作用〕

この発明の厚膜抵抗素子は、中央の厚膜抵抗素子の両電
極のいずれに電圧取り出し用端子を接続するかにより、
端子の電圧が可変できる。

さらに厚膜抵抗素子に切り込みを入れ、端子の電圧を可
変する。

これにより、可変範囲を広げられる。

〔実ｉ例〕

この発明の実施−」を図面全参照して説明する。

第１図において、（ｌａ）、（ｌｂ）、（ｌｃ）は厚膜
抵抗素子で、各抵抗１ｔＲ１ａ（Ω）、Ｒｌｂ（Ω）、
Ｒｌｃ［”ｏ）とし、それぞれ直列接゛続されている。

上部の厚膜抵抗素子（ｌａ）Ｈ′ｔＭ極（２１に−介し
起電力がＰ５（Ｖ）の電圧固定直流電（［ｕ５１に接続
され、電圧が印加されている。下部の厚膜抵抗素子（１
に＋）は電極（４１？介し接地されている。中央部の厚
膜抵抗素子（ｌｃ）ｌｄ電極（３）で短絡されている。

また、電極（３１には端子（６）が設けられていて、を
圧Ｖ６（Ｖ）がとり出される。第２図は第１図に示す厚
膜抵抗素子を用いた回路の等価回路図である。この時、
厚膜抵抗素子ｒ１ａ）、ｒｉｂ）　Ｋ切り込みを入れる
ことで、端子（６）に取り出される電圧Ｖａ（ｖ〕の可
変範囲は、従来技術と同一で となる。

第８図は、第１図で電極＋ＢＩ　Ｋ切断部（８ａ）を設
け、厚膜抵抗素子（ｌａ）ＩＣ切り込みを入れ、抵抗値
を２Ｒ１ａ（Ω〕にした場合である。第４図は第８図の
等価回路図である。この時端子（６）に取り出される電
圧ｖ６（ｖ）は となり、従来技術の場合の最小端子電圧より小である。

第５図は、第１図で電極＋３１４Ｃ切断部（８ｂ）を設
け、厚膜抵抗素子（ｌｂ）に切り込み？入れ、抵抗値を
２Ｒ１ｂ（Ω〕にした場合である。第８図は、第５図の
等価回路図である。この時、端子（６）に取り出される
電圧Ｖ５（ｖ）は と摩り、従来技術の場合の最大端子電圧より大である。

ここで、端子（６）に取り出される電圧Ｖ６（Ｖ：ｌの
可変範囲は■、■式より となる。

なお、上記実施列では、上下二つの厚膜抵抗素子（ｌａ
）、（ｌｂ）の中央部に厚膜抵抗素子（１ｃ　）、を一
つ直列に挿入した場合？示したが、二つ以上の厚膜抵抗
素子を直列あるいは並列に挿入することもできる。

また、上記実施列では、中央部の厚膜抵抗素子（ｌｃ）
Ｋは切り込みｔ入れなかったが、これにも切り込みを入
れることでＶａ（４）の可変範囲はさらに広く出来る。

さらに、上記実施列では電圧固定直流電源（６１に対し
て説明したが、電圧ｉ丁変直流電源、！圧固定町変交流
電流に対しても応用できる。

〔発明の効果〕

この発明は以上のように構成されているので、端子に取
り出される電圧の可変範囲を広くできる。

捷た、同一の端子電圧を取り出す場合、従来の技術に比
べ厚膜抵抗素子への切り込み蓋を小さく出来るため、信
頼性が向上出来る。さらに、１ＬＦＥの設定が行い易く
なり正確になる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による厚膜抵抗素子の一実施例の構造
を示す平面図、第２図は第１図の厚膜抵抗素子の電気的
等価回路図、第８図、第５図に第１図のｖ１４！Ｉ−後
実廊例の構造を示す平面図、第４図、第６図は第８図、
第５図の電気的等価回路図、第７図は従来技術による厚
膜抵抗素子の構造を示す平面図、第８図は第７図の電気
的等価回路図、第９図、第１θ図は第７図の調整後の構
造を示す平面図である。 （ｌａ）、（ｌｂ）、（ｌｃ）ｉ厚膜抵抗素子、　１２
１　、　Ｉｌｌ　、　＋４１は電極、１５）は電圧固定
直流電源、（６）は端子、（７ａ）（７ｂ）は切り込み
、（８ａ）、（８Ｑｎ切断部である。 なお、図中、同一符号は１目ｊ−または相当部分？示す
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　三つ以上の厚膜抵抗素子を直列に接続し、全体に電圧
   を印加しておき中央部の厚膜抵抗素子は導体で接続して
   短絡しておく。そして、その導体に電圧とり出し用端子
   を設け、導体に設ける切断部の位置を変えることで端子
   の電圧を可変できるようにしたことを特徴とする厚膜抵
   抗素子。