JPH0471183A - パネルヒーターの製造方法 - Google Patents
パネルヒーターの製造方法Info
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- JPH0471183A JPH0471183A JP18284490A JP18284490A JPH0471183A JP H0471183 A JPH0471183 A JP H0471183A JP 18284490 A JP18284490 A JP 18284490A JP 18284490 A JP18284490 A JP 18284490A JP H0471183 A JPH0471183 A JP H0471183A
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はパネルヒーターの製造方法に関し、特に液晶表
示素子の温度制御などに使用される薄型パネルヒーター
の製造方法に関する。
示素子の温度制御などに使用される薄型パネルヒーター
の製造方法に関する。
［従来技術］
パネルヒーターは、その用途によって、種々のものが用
いられている。例えば、液晶表示装置の液晶表示セルの
温度制御などに使用されるものとして、ガラスなどの基
板上に基板表面を一様に覆う導電性薄膜を成膜し、これ
に通電して発熱させるという簡単な方式のものがある。
いられている。例えば、液晶表示装置の液晶表示セルの
温度制御などに使用されるものとして、ガラスなどの基
板上に基板表面を一様に覆う導電性薄膜を成膜し、これ
に通電して発熱させるという簡単な方式のものがある。
またその他に、温度分布をさらに向上させるために、導
電性薄膜の特定領域（通常は中心部）の膜厚を相対的に
薄くする方式が用いられている。
電性薄膜の特定領域（通常は中心部）の膜厚を相対的に
薄くする方式が用いられている。
このような導電性薄膜の特定領域（通常は中心部）の膜
厚を相対的に薄くしたパネルヒーターの製造方法として
は、基板上に−様な導電性薄膜を成膜した後、該導電性
ｆｆ膜の前記特定領域をハードマスクなどで完全に覆い
、再度、導電性薄膜を成膜する方法がある。これにより
、ハードマスクに覆われている部分と、そうでない部分
との膜厚差を形成する。
厚を相対的に薄くしたパネルヒーターの製造方法として
は、基板上に−様な導電性薄膜を成膜した後、該導電性
ｆｆ膜の前記特定領域をハードマスクなどで完全に覆い
、再度、導電性薄膜を成膜する方法がある。これにより
、ハードマスクに覆われている部分と、そうでない部分
との膜厚差を形成する。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、前記従来技術の製造方法では、導電性薄
膜の膜厚差を形成するためには、複数回薄膜形成装置を
使用する必要がある。したがって、−枚のパネルヒータ
ーを形成するのに、非常に時間がかかるという問題があ
った。
膜の膜厚差を形成するためには、複数回薄膜形成装置を
使用する必要がある。したがって、−枚のパネルヒータ
ーを形成するのに、非常に時間がかかるという問題があ
った。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、温度
分布の均一なパネルヒーターを簡単に製造できるパネル
ヒーターの製造方法を提供することにある。
分布の均一なパネルヒーターを簡単に製造できるパネル
ヒーターの製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段および作用コ上記の目的を
達成するため、本発明は、導電性薄膜の成膜工程におい
て成膜すべき基板の薄膜形成面の前面に複数の開口を有
するマスクを接近させて配置し、薄膜形成装置内で該マ
スクを介して前屈基板上に導電性薄膜を成膜するように
している。
達成するため、本発明は、導電性薄膜の成膜工程におい
て成膜すべき基板の薄膜形成面の前面に複数の開口を有
するマスクを接近させて配置し、薄膜形成装置内で該マ
スクを介して前屈基板上に導電性薄膜を成膜するように
している。
これにより、マスクの開口部分とそうでない部分との成
膜効率の差を形成する。さらに、少なくとも一部の領域
の開口率を他の領域と変化させることによって、−度の
成膜で複数の膜厚を具備する導電性薄膜を形成すること
を可能にするものである。
膜効率の差を形成する。さらに、少なくとも一部の領域
の開口率を他の領域と変化させることによって、−度の
成膜で複数の膜厚を具備する導電性薄膜を形成すること
を可能にするものである。
なお、複数の開口を有するマスクとしては、メツシュ状
のハードマスクなどを用いればよい。
のハードマスクなどを用いればよい。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の実施例を具体的に説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例に係るパネルヒーターの製
造方法で用いた成膜装置の一例であり、直流二極スパッ
タリング装置の成膜室の断面図で＾る。
造方法で用いた成膜装置の一例であり、直流二極スパッ
タリング装置の成膜室の断面図で＾る。
第２図は、本実施例において使用したメツシュ状のハー
ドマスクの一例である。
ドマスクの一例である。
第１図および第２図において、１は基板、２はメツシュ
状のハードマスク、３は基板を支持する基板ホルダー
４は基板とメツシュ状ハードマスクとの間隔を保つスペ
ーサー ５はターゲット電極である。
状のハードマスク、３は基板を支持する基板ホルダー
４は基板とメツシュ状ハードマスクとの間隔を保つスペ
ーサー ５はターゲット電極である。
第１図において、基板１の薄膜形成面の前方（図におい
て下側）にスペーサー４の厚みだけ離れてメツシュ状ハ
ードマスク２が配されている。
て下側）にスペーサー４の厚みだけ離れてメツシュ状ハ
ードマスク２が配されている。
ハードマスク２などは、基板ホルダー３によって支持さ
れ、さらにその前方（図において下側）に成膜すべきタ
ーゲット電極５が配されている。
れ、さらにその前方（図において下側）に成膜すべきタ
ーゲット電極５が配されている。
％２図において、メツシュ状ハードマスク２は矩形状の
開口２１．２２を有する。２３は開口２１．２２を形作
る格子状の枠部分である。領域２Ａの開口２１は、領域
２Ｂの開口２２よりも開口部の面積が小さい。枠部分２
３の幅はハードマスク２の全体でほぼ一定であるから、
領域２Ａは、領域２Ｂよりも開口率が小さく形成されて
いる。
開口２１．２２を有する。２３は開口２１．２２を形作
る格子状の枠部分である。領域２Ａの開口２１は、領域
２Ｂの開口２２よりも開口部の面積が小さい。枠部分２
３の幅はハードマスク２の全体でほぼ一定であるから、
領域２Ａは、領域２Ｂよりも開口率が小さく形成されて
いる。
第３図は、第１図の基板１とメツシュ状ハートマスク２
の関係をさらに詳細に表わした拡大断面図である。第３
図（ａ）は成膜前、第３図（ｂ）は成膜後を示す。ガラ
ス基板１上（図において下面）にメツシュ状ハードマス
ク２を介して、導電性薄膜６が成膜される。上述したよ
うにメツシュ状ハードマスク２の領域２Ａは領域２Ｂよ
りも開口率が小さいから、導電性薄＠６の領域２Ａに対
応する一部分の膜厚６ａは、領域２Ｂに対応する部分の
膜厚６ｂよりも相対的に薄くなる。
の関係をさらに詳細に表わした拡大断面図である。第３
図（ａ）は成膜前、第３図（ｂ）は成膜後を示す。ガラ
ス基板１上（図において下面）にメツシュ状ハードマス
ク２を介して、導電性薄膜６が成膜される。上述したよ
うにメツシュ状ハードマスク２の領域２Ａは領域２Ｂよ
りも開口率が小さいから、導電性薄＠６の領域２Ａに対
応する一部分の膜厚６ａは、領域２Ｂに対応する部分の
膜厚６ｂよりも相対的に薄くなる。
ここで、メツシュ状ハードマスク２の厚みおよび基板１
との距離は、基板１のサイズなどによって変動する。厚
みは０．０５ｍｍ〜２、Ｏｍｍ、距離は０．５ｍｍ〜５
．０ｍｍ程度が好ましい。
との距離は、基板１のサイズなどによって変動する。厚
みは０．０５ｍｍ〜２、Ｏｍｍ、距離は０．５ｍｍ〜５
．０ｍｍ程度が好ましい。
次に、実際に上述の成膜装置を用いてをパネルヒーター
を製造した実施例について具体的に説明する。
を製造した実施例について具体的に説明する。
大】Ｃ１１
３００ｘ３００ｘｔ１．０１１１０１のガラス基板１を
、第１図に示す構成の直流二極スパッタリング装置内に
配置し、ターゲット電極５としてＩＴＯ（インジウム−
チン−オキサイド）を用いて、該基板上にＩＴＯ薄膜６
を形成した。このとき、スペーサー４としては厚さ１
ｍｍのガラスを使用した。また、メツシュ状ハードマス
ク２の厚みは０．３ｍｍ、第２図に示す領域２Ａの開口
部２１はロ５．４ｍｍ、領域２Ｂの開領域２２はロ１，
８Ｉｎｍ、格子状の枠２３の巾は０．２ｍｍとした。こ
の場合の領域２Ａの開口率は約９３％、領域２Ｂの開口
率は約８１％である。
、第１図に示す構成の直流二極スパッタリング装置内に
配置し、ターゲット電極５としてＩＴＯ（インジウム−
チン−オキサイド）を用いて、該基板上にＩＴＯ薄膜６
を形成した。このとき、スペーサー４としては厚さ１
ｍｍのガラスを使用した。また、メツシュ状ハードマス
ク２の厚みは０．３ｍｍ、第２図に示す領域２Ａの開口
部２１はロ５．４ｍｍ、領域２Ｂの開領域２２はロ１，
８Ｉｎｍ、格子状の枠２３の巾は０．２ｍｍとした。こ
の場合の領域２Ａの開口率は約９３％、領域２Ｂの開口
率は約８１％である。
なお、開口率の定義は、以下に示す。
このＩＴＯ薄膜６を形成した基板１の両端に、電圧印加
用電極として幅５ｍｍのＡＪ２電極を形成し、パネルヒ
ーターを作成した。
用電極として幅５ｍｍのＡＪ２電極を形成し、パネルヒ
ーターを作成した。
第４図は、ここで得られたパネルヒーターの平面図であ
る。第５図は、第４図のｘ−ｘ’断面図である。
る。第５図は、第４図のｘ−ｘ’断面図である。
第４図および第５図において、１はガラス基板、６Ａは
第２図におけるメツシュ状ハードマスクの領域２Ａに対
応する部分の導電性薄膜、６Ｂは同じく領域２Ｂに対応
する部分の導電性薄膜、７は電圧印加用電極である。
第２図におけるメツシュ状ハードマスクの領域２Ａに対
応する部分の導電性薄膜、６Ｂは同じく領域２Ｂに対応
する部分の導電性薄膜、７は電圧印加用電極である。
このようにして得られたパネルヒーターのＩＴＯ膜（導
電性薄＠）の膜厚は、領域６Ａで８００±５０人、領域
６Ｂで６００±５０人であった。
電性薄＠）の膜厚は、領域６Ａで８００±５０人、領域
６Ｂで６００±５０人であった。
このパネルヒーターにＡＣ３０Ｈｚ、７０Ｖで１０分間
通電したところ、全面で均一な温度分布が得られた。
通電したところ、全面で均一な温度分布が得られた。
東ｉ■ユ
実施例１と同様に３５０ｘ３５０ｘｔ１．Ｏｍｍのガラ
ス基板１に、本発明における製造方法を用いてＣＶＤ法
でＳ。０２膜を成膜した。
ス基板１に、本発明における製造方法を用いてＣＶＤ法
でＳ。０２膜を成膜した。
第６図は、このときに用いたメツシュ状ハードマスク２
の平面図である。なお、開口は不図示とする。第６図に
おいて、領域２Ｃの関口部は口３．４５１０ｆｆｌ、領
域２Ｄの開口部は口１．９５ｍｍ。
の平面図である。なお、開口は不図示とする。第６図に
おいて、領域２Ｃの関口部は口３．４５１０ｆｆｌ、領
域２Ｄの開口部は口１．９５ｍｍ。
領域２Ｅの開口部はロア、１５ｍｍとし、格子状の枠の
巾は０．１５ｍｍとした。この場合の領域２Ｃ，２Ｄ、
２Ｅの開口率は、それぞれ、およそ９２％、８６％、９
６％である。
巾は０．１５ｍｍとした。この場合の領域２Ｃ，２Ｄ、
２Ｅの開口率は、それぞれ、およそ９２％、８６％、９
６％である。
この第６図に示すメツシュ状ハードマスク２を用いてガ
ラス基板１上にＣＶＤ法でＳ。０２膜を成膜した。成膜
されたＳ。０゜膜の膜厚を測定したところ、領域２Ｃに
対応する領域で１０００±５０人、成＠２０に対応する
領域で８２０±３０人、成膜２Ｅに対応する領域で１２
００±５０人であった。
ラス基板１上にＣＶＤ法でＳ。０２膜を成膜した。成膜
されたＳ。０゜膜の膜厚を測定したところ、領域２Ｃに
対応する領域で１０００±５０人、成＠２０に対応する
領域で８２０±３０人、成膜２Ｅに対応する領域で１２
００±５０人であった。
このパネルヒーターに通電したところ、実施例１のもの
と同様に全面で均一な温度分布が得られた。
と同様に全面で均一な温度分布が得られた。
なお、上記の実施例ではメツシュ状（格子状または網目
状）のハードマスクを用いたが、これに限らず、開口の
大きさや形状は適宜変更しても良い。
状）のハードマスクを用いたが、これに限らず、開口の
大きさや形状は適宜変更しても良い。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に係るパネルヒーターの製
造方法によれば、特定領域で開口率の異なるマスクを介
して導電性薄膜を成膜するため、−度の成膜で複数の膜
厚を持つ導電性薄膜を形成することが可能である。−度
の成膜で済むため、工程が短縮され、製造能力が向上し
、結果としてコストダウンが可能となる。
造方法によれば、特定領域で開口率の異なるマスクを介
して導電性薄膜を成膜するため、−度の成膜で複数の膜
厚を持つ導電性薄膜を形成することが可能である。−度
の成膜で済むため、工程が短縮され、製造能力が向上し
、結果としてコストダウンが可能となる。
第１図は、本発明の一実施例に係るパネルヒーターの製
造方法における成膜室の断面図、第２図は、本発明の実
施例において用いたメツシュ状のハードマスクの一例を
示す平面図、第３図は、第１図の基板とハードマスクの
詳細図で、′！Ｊ３図（ａ）は成膜前の状態、第３図（
Ｂ）は成膜後の状態、 第４図は、本発明の第一の実施例で得られたパネルヒー
ターの平面図、 第５図は、第４図のｘ−ｘ’断面図、 第６図は、本発明の第２の実施例で使用したメツシュ状
ハードマスクの平面図である。 コガラスなどの基板、 ：メッシュ状ハードマスク、 ：基板ホルダー ：スペーサー ：ターゲット電極、 ：成膜された導電性薄膜、 ：電圧印加用電極。
造方法における成膜室の断面図、第２図は、本発明の実
施例において用いたメツシュ状のハードマスクの一例を
示す平面図、第３図は、第１図の基板とハードマスクの
詳細図で、′！Ｊ３図（ａ）は成膜前の状態、第３図（
Ｂ）は成膜後の状態、 第４図は、本発明の第一の実施例で得られたパネルヒー
ターの平面図、 第５図は、第４図のｘ−ｘ’断面図、 第６図は、本発明の第２の実施例で使用したメツシュ状
ハードマスクの平面図である。 コガラスなどの基板、 ：メッシュ状ハードマスク、 ：基板ホルダー ：スペーサー ：ターゲット電極、 ：成膜された導電性薄膜、 ：電圧印加用電極。
Claims (6)
- （１）絶縁性透明基板の前面に、複数の開口を有するマ
スクを接近させて配置し、薄膜形成装置内で、このマス
クを介して、該絶縁性透明基板上に導電性薄膜を成膜す
ることを特徴とするパネルヒーターの製造方法。 - （２）前記マスクの少なくとも一部の領域の開口率が他
の領域と異なることを特徴とする請求項１に記載のパネ
ルヒーターの製造方法。 - （３）前記マスクが、メッシュ状のハードマスクである
請求項１または２に記載のパネルヒーターの製造方法。 - （４）前記薄膜形成装置が、スパッタ法、プラズマＣＶ
Ｄ法、または熱ＣＶＤ法を用いた薄膜形成装置である請
求項１、２または３に記載のパネルヒーターの製造方法
。 - （５）前記導電性薄膜が、ＩＴＯまたは Ｓ＿ｎＯ＿２などの透明導電膜である請求項１、２、３
または４に記載のパネルヒーターの製造方法。 - （６）強誘電性液晶などを用いた液晶表示素子に適用さ
れる請求項１、２、３、４または５に記載のパネルヒー
ターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18284490A JPH0471183A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | パネルヒーターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18284490A JPH0471183A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | パネルヒーターの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0471183A true JPH0471183A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16125447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18284490A Pending JPH0471183A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | パネルヒーターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0471183A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532794A (ja) * | 2000-05-08 | 2003-11-05 | インテマティックス コーポレーション | 材料チップのコンビナトリアル合成 |
| KR100437768B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2004-06-30 | 엘지전자 주식회사 | 박막증착장치 |
| JP2014205919A (ja) * | 2007-03-22 | 2014-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
| WO2016093139A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 株式会社ブイ・テクノロジー | メタルマスク、タッチパネル及びタッチパネルの製造方法 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP18284490A patent/JPH0471183A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532794A (ja) * | 2000-05-08 | 2003-11-05 | インテマティックス コーポレーション | 材料チップのコンビナトリアル合成 |
| KR100437768B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2004-06-30 | 엘지전자 주식회사 | 박막증착장치 |
| JP2014205919A (ja) * | 2007-03-22 | 2014-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
| WO2016093139A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 株式会社ブイ・テクノロジー | メタルマスク、タッチパネル及びタッチパネルの製造方法 |
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