JPH04701A - Ｎｔｃサーミスタの製造方法 - Google Patents
Ｎｔｃサーミスタの製造方法Info
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- JPH04701A JPH04701A JP10233390A JP10233390A JPH04701A JP H04701 A JPH04701 A JP H04701A JP 10233390 A JP10233390 A JP 10233390A JP 10233390 A JP10233390 A JP 10233390A JP H04701 A JPH04701 A JP H04701A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＮ Ｔ Ｃ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒ
ａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ）サーミスタ
に係り１％に高温使用下の抵抗変化率が小さいＮＴＣサ
ーミスタの製造方法に関するものである。
ａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ）サーミスタ
に係り１％に高温使用下の抵抗変化率が小さいＮＴＣサ
ーミスタの製造方法に関するものである。
ＮＴＣサーミスタは温度上昇に伴ってその抵抗値が減少
するため２例えば感温素子等に使用されている。
するため２例えば感温素子等に使用されている。
一般にＮＴＣサーミスタ組成物に２例えばＡｇ。
Ａｇ −Ｐｄなどの貴金属電極を形成し、大気中又は酸
化性雰囲気で焼付けを行ってＮＴＣサーミスタ素子を製
造している。
化性雰囲気で焼付けを行ってＮＴＣサーミスタ素子を製
造している。
ところで、前記のようなＮＴＣサーミスタ組成物にＡｇ
なとの貴金属電極を形成して酸化性雰囲気中で焼付けを
行うと、得られたＮＴＣサーミスタ素子は１２０℃以上
の高温使用下における抵抗変化率が大きいという問題が
あった。
なとの貴金属電極を形成して酸化性雰囲気中で焼付けを
行うと、得られたＮＴＣサーミスタ素子は１２０℃以上
の高温使用下における抵抗変化率が大きいという問題が
あった。
特にＣｕＯを含有したＮＴＣサーミスタ組成物はこの抵
抗変化率が非常（二大きく、８０℃以上での使用は不可
能であった。
抗変化率が非常（二大きく、８０℃以上での使用は不可
能であった。
従つて本発明の目的は前記の問題点を解決した。
高温の使用下における抵抗変化率の小さなＮＴＣサーミ
スタを提供することである。
スタを提供することである。
〔課題を解決するための手段及びその作用〕このために
本発明者等は鋭意研究の結果２Ｍｎ。
本発明者等は鋭意研究の結果２Ｍｎ。
Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｆｅ、 Ｃｕ、 Ｃｒ といつた
遷移金属ｉ１ 化物あるいはこれらにＡｌ，Ｚｒなどの
金属酸化物を加えたものを主成分とするＮＴＣサーミス
タ組成物（：貴金属電極を形成し、酸化性雰囲気中で焼
付けた後、還元または中性雰囲気中で熱処理を行ってＮ
ＴＣサーミスタを製造することにより、前記目的を達成
したＮＴＣサーミスタを提供できることを見出した。
遷移金属ｉ１ 化物あるいはこれらにＡｌ，Ｚｒなどの
金属酸化物を加えたものを主成分とするＮＴＣサーミス
タ組成物（：貴金属電極を形成し、酸化性雰囲気中で焼
付けた後、還元または中性雰囲気中で熱処理を行ってＮ
ＴＣサーミスタを製造することにより、前記目的を達成
したＮＴＣサーミスタを提供できることを見出した。
これにより１２０℃においても抵抗変化率が１％以下と
非常に低いものを得る。しかもＣｕＯを含有するＮＴＣ
サーミスタについても１２０℃における抵抗変化率を同
様に非常に低いものとすることができる。
非常に低いものを得る。しかもＣｕＯを含有するＮＴＣ
サーミスタについても１２０℃における抵抗変化率を同
様に非常に低いものとすることができる。
本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
出発材料、！： Ｌ テＭｎＣＯ３、ＮｉＯ、Ｃｏ２Ｏ
３、ＣｕＯ。
３、ＣｕＯ。
Ｆｅ２Ｏ３１ＣｒＯｒ Ｚ’０２ ｒ ”’−７！ｚ
Ｏｓ ”） ヨウニ焼成後ニ各金属の酸化物になるも
のを、その焼成後に第１表の組成比になるように化学天
秤で選択的に秤量配合し、メディアとともにボットミル
中に入れて純水を加えて１６時時間式混合する。その後
脱水。
Ｏｓ ”） ヨウニ焼成後ニ各金属の酸化物になるも
のを、その焼成後に第１表の組成比になるように化学天
秤で選択的に秤量配合し、メディアとともにボットミル
中に入れて純水を加えて１６時時間式混合する。その後
脱水。
乾燥し、乳鉢、乳棒で粉体にする。
それからＡｌ１０３匣鉢にこの原料を入れて８００〜１
０００℃で２時間仮焼きする。次いでこれを粉砕し、ボ
ールミルで微粉砕後、脱水、乾燥し、この材料にバイン
ダーとしてポリビニールアルコール（ＰＶＡ）を加え、
乳鉢、乳棒で顆粒に造粒した後、直径１６薗、厚さ２．
５−の円板状に加圧成型する。この加圧成型に際し、２
トン／−の圧力を加える。
０００℃で２時間仮焼きする。次いでこれを粉砕し、ボ
ールミルで微粉砕後、脱水、乾燥し、この材料にバイン
ダーとしてポリビニールアルコール（ＰＶＡ）を加え、
乳鉢、乳棒で顆粒に造粒した後、直径１６薗、厚さ２．
５−の円板状に加圧成型する。この加圧成型に際し、２
トン／−の圧力を加える。
そして大気中で６００℃で２時間加熱してバインダーを
除脱した後に、大気中で１０００〜１４００℃の範囲で
２時間本焼成する。
除脱した後に、大気中で１０００〜１４００℃の範囲で
２時間本焼成する。
このようにして得られた試料に、第１表に示す如＜、
Ａｇのペーストをスクリーン印刷で塗布して電極を形
成し、８００℃前後の酸化性雰囲気で焼付けた後、
Ｎ２雰囲気または中性雰囲気にて５００℃以上の所定温
度条件で熱処理を行った。
Ａｇのペーストをスクリーン印刷で塗布して電極を形
成し、８００℃前後の酸化性雰囲気で焼付けた後、
Ｎ２雰囲気または中性雰囲気にて５００℃以上の所定温
度条件で熱処理を行った。
こうして得られたＮＴＣサーミスタの各試料を直流４端
子法を用いて、ヒユーレット・パラカード社製のＨＰ３
４５６Ａという型番の測定器を使用して抵抗値を測定し
た結果、第１表に示す通りのものが得られた。
子法を用いて、ヒユーレット・パラカード社製のＨＰ３
４５６Ａという型番の測定器を使用して抵抗値を測定し
た結果、第１表に示す通りのものが得られた。
以下余白
なお、各試料をそれぞれ１２５℃で １００時間。
５００時間、１０００時間の高温保管試験後（＝抵抗値
を測定して２５℃での抵抗値との抵抗変化率（％）を測
定した結果、第１表に示すものが得られた。
を測定して２５℃での抵抗値との抵抗変化率（％）を測
定した結果、第１表に示すものが得られた。
また２５℃での比抵抗換算は、２５℃での抵抗値をＲ２
５とした時２次式で算出する。
５とした時２次式で算出する。
Ｒ２５−’ ・Ｒ２５（Ω・、ｍ）
ρ２５：２５℃での比抵抗（Ω・３）
Ｓ：電極面積（−）
を二素子の厚み（国）
Ｂ定数は、２５℃及び８５℃の抵抗値をそれぞれＲ２５
，Ｒ８５とする時２次式により換算算出する。
，Ｒ８５とする時２次式により換算算出する。
第１表において○印が本発明によるものであり。
Ｘ印は本発明によらないものである。第１表の試料部１
，２，６，７，１１，１２，１６，１７゜２１．２３，
２５．２７に示すよう（二２本発明によらないものは、
１２５℃において１０００時間保持後の抵抗変化率がい
ずれも１％を大きくあるいは相当越えているが２本発明
（二よるものは１％以下と小さいものであることがわか
る。
，２，６，７，１１，１２，１６，１７゜２１．２３，
２５．２７に示すよう（二２本発明によらないものは、
１２５℃において１０００時間保持後の抵抗変化率がい
ずれも１％を大きくあるいは相当越えているが２本発明
（二よるものは１％以下と小さいものであることがわか
る。
しかも試料Ｎ１８〜１０．１８〜２０に示す如く。
比抵抗の低いＣｕの酸化物を含有する場合も１０００時
間保管後の抵抗変化率が１％以下となり。
間保管後の抵抗変化率が１％以下となり。
１２０℃以上での使用が十分可能である。
もちろん２本発明のＮＴＣサーミスタ素子の製造（＝際
しては、 Ｍｎ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｆｅ、 Ｃｕ、
Ｏｒといった遷移金属酸化物あるいはこれらにＡｌ、
Ｚｒなどの金属酸化物のうち、必要な特性を満たすよう
に２〜４成分を主成分となるよう（二選択配合されるも
のであり、仮焼、粉砕して得られた粉末を加圧成型して
本焼成した後、貴金属電極を形成し。
しては、 Ｍｎ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｆｅ、 Ｃｕ、
Ｏｒといった遷移金属酸化物あるいはこれらにＡｌ、
Ｚｒなどの金属酸化物のうち、必要な特性を満たすよう
に２〜４成分を主成分となるよう（二選択配合されるも
のであり、仮焼、粉砕して得られた粉末を加圧成型して
本焼成した後、貴金属電極を形成し。
酸化性雰囲気で焼付けした後、５００℃以上の所定温度
条件における還元性または中性雰囲気中で熱処理するも
のである。
条件における還元性または中性雰囲気中で熱処理するも
のである。
第１表のデータは、これらの一部を示すものにすぎない
。
。
本発明によれば１２０℃以上の・高温下で使用しても、
その抵抗変化率の非常に小さいＮＴＣサーミスタ素子を
提供することができる。
その抵抗変化率の非常に小さいＮＴＣサーミスタ素子を
提供することができる。
しかもこのような高温で使用可能な、 ＣｕＯを含有す
るＮＴＣサーミスタ素子を提供することができる。
るＮＴＣサーミスタ素子を提供することができる。
特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人弁理士
山谷晧榮（外１名）
山谷晧榮（外１名）
Claims (1)
- Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒといった遷移金
属酸化物あるいはこれらにＡｌ，Ｚｒなどの金属酸化物
を加えたものを主成分とするＮＴＣサーミスタ組成物に
貴金属電極を形成し，酸化性雰囲気で焼付けした後，還
元または中性雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とする
ＮＴＣサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233390A JPH04701A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233390A JPH04701A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04701A true JPH04701A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14324592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10233390A Pending JPH04701A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04701A (ja) |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10233390A patent/JPH04701A/ja active Pending
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