JPH0469129A - 円板のセンタリング装置 - Google Patents

円板のセンタリング装置

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JPH0469129A
JPH0469129A JP2182164A JP18216490A JPH0469129A JP H0469129 A JPH0469129 A JP H0469129A JP 2182164 A JP2182164 A JP 2182164A JP 18216490 A JP18216490 A JP 18216490A JP H0469129 A JPH0469129 A JP H0469129A
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wafer
radius
centering
circular arc
curvature
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JP2182164A
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Takaharu Saeki
敬治 佐伯
Tsuneaki Komazawa
駒沢 恒明
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明のセンタリング装置は、半導体ウェハにテープを
貼り付けるテープマウンタ、そのテープをウェハの外周
に倣って切断するテープラミネータ、同テープを剥すテ
ープリムーバ等に使用されるものである。
(従来の技術) 従来の半導体ウェハのセンタリング装置は、第6図aの
ような半径rIのウェハA1の外周面に、その両側から
第7図のように二つのセンタリングガイドB1、B2の
湾曲面Gをあてがって、同ウェハA、の芯出しくセンタ
リング)を行なうようにしである。このセンタリングガ
イドB。
B2の湾曲面Gは、ウェハA1の弧状の外周面に密に接
触するように同ウェハA1の外周面の曲率半径と同じ曲
率半径に形成されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら従来のセンタリング装置では湾曲面Gの曲
率半径が定まっているため、その曲率半径より半導体ウ
ェハA1の外周面の曲率半径が大きい場合は第8図のよ
うに、小さい場合は第9図のようになり、いずれの場合
も湾曲面GがウェハA、の外周面に密に接触しない、こ
のため半導体ウェハA、のセンタが出にくい。
そこで従来は第6図a、bのように半径rI。
r2の異なるウェハA1、A2をセンタリングする場合
は、夫々のウェハA+、Azの外周面の曲十半径にあっ
た湾曲面GのセンタリングガイドB1、B2に交換しな
ければならなかった。そのため、交換作業が面倒であり
、しかもセンタリングガイドB1、B2を交換する度に
、ガイド自身の芯出し調整を行なわなければならず、手
間がかかっていた。
この交換作業をなくすためには、一種類のセンタリング
ガイドB1、B2を半径の異なる全てのウェハに共用す
ることが考えられる。しかし1例えば第8図のように湾
曲面Gの曲率半径がウェハA、の外周面の曲率半径より
小さい場合は、湾曲面Gの端部がウェハA、のオリジナ
ルフラット部0に当接すると、ウェハA、はセンタリン
グガイドB1、B2の三点で支持されるので、その支持
がより不安定になる。
一方、第9図のように湾曲面Gの曲率半径がウェハA2
の外周面の曲率半径より大きい場合は、夫々の湾曲面G
とウェハA2の外周面との接触長が短くなるので、同ウ
ェハA2の支持が非常に不安定になる。
(発明の目的) 本発明の目的はセンタリングガイドを交換することなく
、半径の異なる二種以上のウェハを確実に芯出しでき、
しかもそれを安定して支持することのできるセンタリン
グ装置を提供することにある。
(課題を解決するた″めの手段) 本発明のセンタリング装置は第1図、第2図のように、
半導体ウェハA5、A2の外周面に、その両性側から二
つのセンタリングガイドB1、B2の湾曲面Gをあてが
って、同ウェハA3、A2の芯出しを行なうようにした
センタリング装置において、前記センタリングガイドB
1、B2の一つの湾曲面Gに、曲率半径の異なる二以上
の円弧部C+ 、 Ctが形成されてなることを特徴と
するものである。
(作用) 本発明のセンタリング装置では、例えば第1図、第2図
のようにセンタリングガイドB1、B2の湾曲面Gの内
側に曲率半径の小さい円弧部c2が形成され、その両性
側に曲率半径の大きい円弧部c1が形成されているので
、第6図aの大きい半径r1のウェハA、の外周面には
第3図のように前記外側の円弧部CIが四箇所で富に接
触し、第6図すのように小さい半径r2のウェハA2の
外周面には第4図のように内側の円弧部c2が密に接触
する。また、第5図のように前記ウェハA1のオリジナ
ルフラット部Oが前記外側の円弧部c1の一つに当接し
ても、残りの三つの円弧部CIが同ウェハA、の外周面
に密に接触するので同ウェハA、の芯出しが確実に行な
われ、しかも安定して支持される。
(実施例) 本発明のセンタリング装置の一実施例である第1図に示
すB、、B、はセンタリングガイドであり、これは二つ
対向して配置されている。
第1図のGは湾曲面であり、これは夫々のセンタリング
ガイドB1.Bzの内側に形成されている。そして本発
明では夫々の湾曲面Gに曲率半径の異なる円弧部が形成
されて、夫々の円弧部が半径の異なる半導体ウェハの外
周面に当接して同ウェハの芯出しができるようにしであ
る。この実施例では夫々の湾曲面Gの内側に、小さい半
径r2のウェハA2の外周面の曲率半径と同じ曲率半径
の円弧部c2が、その両性側に大きい半径r、のウェハ
A1の外周面の曲率半径と同じ曲率半径の円弧部CIが
形成されている。なお、前記内側の円弧部c2の輻e6
は少なくとも前記大きい半径r1のウェハAlのオリジ
ナルフラット部Oの輻ρ0(第6図a)より広くする必
要がある。
第1図の1は同湾曲面Gの下方に、内側に向けて突設さ
れている受面である。
第1図の2は同図の右側のセンタリングガイドB1、B
2の底面に、下方に向けて突出された押当片である。
第1図の3はガイドレールであり、これは二本横向きに
並べて設けられている。このガイドレール3には、一方
のセンタリングガイドB1が同図の左側に固定され、他
方のセンタリングガイドB2が同図の右側に同ガイドレ
ール3に沿ってスライド可能なるよう取付けられている
第1図の4はスプリングであり、その一端が左側のセン
タリングガイドB1に接続され、他端が右側のセンタリ
ングガイドB2に接続されており、これにより二つのセ
ンタリングガイドB1、B2が内側に引き寄せられてい
る。
第1図の5は移動用シリンダであり、前記右側のセンタ
リングガイドB2をガイドレール3に沿って移動させる
ためのものである。この移動用シリンダ5は、同シリン
ダ5のロッドが延びると前記右側のセンタリングガイド
B2の押当片2に押当する位置に取付けられている。
第1図の6はウェハA1、A2を吸着する吸着治具であ
る。この吸着治具6はウェハ状の吸着体7と、その下方
に延設された支持棹8とが備えられている。そして吸着
体7の上面7aには十字溝9が形成され、同情9の交点
に同吸着体7から支持棹8に向けて貫通する吸引穴lO
が形成され。
同吸引穴10が図示されていない吸引装置に接続されて
いる。
第1図の11は前記吸着治具6を昇降させる昇降装置で
ある。この昇降装置IIは前記吸着治具6の支持棹8が
取付けられた基板12と、同基板12を上下方向に移動
させる昇降用シリンダ13と、基板12の移動をガイド
するアーム14と力≦備えられている。
このセンタリング装置により、例If小さl/)半径r
2のウェハA2をセンタリングするには以下のようにす
る。
先ず、昇降装置11の昇降用シリンダ13のロッドを伸
ばして吸着治具6を上昇させると共9こ、移動用シリン
ダ5のロッドを伸ばして右側のセンタリングガイドB2
を左側のセンタリングガイドB1から遠ざけ、両ガイド
B1、B2の湾曲面G間の距離をウェハA2の外径より
も広げておく。
この状態で吸着治具6の吸着体7の上面7aGこ同ウェ
ハA2をのせ、前記吸着治具6に接続されている吸引装
置を起動すると、前記吸引穴lO及び十字溝9内の空気
が吸引されて、同ウニAA2が同吸着体7の上面7aに
吸着される。
そして前記昇降用シリンダ13のロッドを収縮して第1
図すの実線の位置から仮想線の位置まで吸着治具6を降
下させ、然る後、前記吸引装置の吸引を停止するとウェ
ハA2が両センタリングガイドB1、B2の受面l上に
のせられる。
次いで前記移動用シリンダ5のロッドを収縮させればス
プリング4の復元力により右側のセンタリングガイドB
2が左側のセンタリングガイドB1に近づいて、両セン
タリングガイドBB2の湾曲面Gに形成されている内側
の円弧部c2が同ウェハA2の外周面に当接して、第4
図のように同ウェハA、が芯出しされる。
なお、この実施例では前記湾曲面Gに曲率半径の異なる
円弧部C1、C2が二つだけが形成されたものについて
詳述したが、本発明のセンタリング装置では曲率半径の
異なる円弧部を三点上形成しても差し支えない。
また、本発明のセンタリング装置は半導体ウェハ以外の
円板のセンタリングに使用してもよい。
(発明の効果) 本発明のセンタリング装置は以下のような効果がある。
■ センタリングガイドB1.B2の湾曲面Gに形成さ
れている曲率半径の異なるの円弧部C3、C2・・・に
より、異なる半径r1.r2・・・のウェハA、、A2
・・・が芯出しされるので、従来のようにセンタリング
ガイドBB2を交換したり、同ガイドB1、B2自身の
芯出しを行なう面倒がなく1作業性や生産性が向上する
■、既存のセンタリングガイドB、、B2に追加工を施
すだけでよいので、格別に高価になることもな(、実用
化し易い。
【図面の簡単な説明】
第1図aは本発明のセンタリング装置の一実施例を示す
平面図、同図すは同装置の正面図、第2図は同装置のセ
ンタリングガイドの説明図、第3図〜第5図は同ガイド
の使用説明図、第6図a、bは半導体ウェハの説明図、
第7図は従来のセンタリング装置におけるセンタリング
ガイドの説明図、第8図、第9図は同ガイドの異なる使
用説明図である。 A3、A2・・・は半導体ウエノλ等の円板B、、B2
はセンタリングガイド Gは湾曲面 cl、c2・・・は円弧部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体ウェハ等の円板A_1、A_2・・・の外周面
    に、その両外側から二つのセンタリングガイドB_1、
    B_2の湾曲面Gをあてがって、同円板A_1、A_2
    ・・・の芯出しを行なうようにしたセンタリング装置に
    おいて、前記センタリングガイドB_1、B_2の一つ
    の湾曲面Gに、曲率半径の異なる二以上の円弧部C_1
    、C_2・・・が形成されてなることを特徴とする円板
    のセンタリング装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1544897A2 (en) * 2003-12-16 2005-06-22 Kabushiki Kaisha Topcon Surface inspection apparatus
JP2018199166A (ja) * 2014-04-14 2018-12-20 寛治 泉 クランプ具。

Cited By (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1544897A2 (en) * 2003-12-16 2005-06-22 Kabushiki Kaisha Topcon Surface inspection apparatus
EP1544897A3 (en) * 2003-12-16 2006-02-15 Kabushiki Kaisha Topcon Surface inspection apparatus
US7432700B2 (en) 2003-12-16 2008-10-07 Kabushiki Kaisha Topcon Surface inspection apparatus
JP2018199166A (ja) * 2014-04-14 2018-12-20 寛治 泉 クランプ具。

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