JPH046528A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツター等で用い
る液晶素子、特に強誘電性液晶素子に関し、更に詳しく
は液晶分子の配向状態を改善することにより、表示特性
を改善した液晶素子に関するものである。

〔従来技術〕

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子と
の組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子が
クラーク（Ｃ１ａｒｋ）及びラガーウオル（Ｌａｇｅｒ
ｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７
２１６号公報、米国特許箱４，３６７．９２４号明細書
等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域におい
て、非らせん構造のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
＊）又はＨ相（Ｓ　ｍ　Ｈ＊）を有し、この状態におい
て、加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態と
第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印
加のないときはその状態を維持する性質、すなわち双安
定性を有し、また電界の変化に対する応答も速やかであ
り、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い利用が
期待され、特にその機能から大画面で、高精細なデイス
プレーとしての応用が期待されている。

この双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所定
の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に配
置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記２
つの安定状態の間での変換が効果的に起るような分子配
列状態にあることが必要である。

又、液晶の複屈折を利用した液晶素子の場合、直交ニコ
ル下での透過率は、 〔式中：ＩＯ：入射光強度、　Ｉ：透過光強度、θ：チ
ルト角、　　Δｎ：屈折率異方性、ｄ：液晶層の膜厚、
　　λ　：入射光の波長である。〕 て表わされる、前述の非らせん構造におけるチルトθは
第１と第２の配向状態でのねじれ配列した液晶分子の平
均分子軸方向の角度として現われることになる。上式に
よれば、かかるチルトθが２２．５°の角度の時最大の
透過率となり、双安定性を実現する非らせん構造でのチ
ルト角θが２２．５゜にできる限り近いことが必要であ
る。

ところで、強誘電性液晶の配向方法としては、大きな面
積に亘って、スメクチック液晶を形成する複数の分子で
組織された分子層をその法線に沿って一軸に配向させる
ことができ、しかも製造プロセス工程も簡便なラビング
処理により実現できるものが望ましい。

強誘電性液晶、特に非らせん構造のカイラルスメクチッ
ク液晶のための配向方法としては、例えば、米国特許箱
４，５６１．７２６号公報などが知られている。

しかしながら、これまで用いられてきた配向方法、特に
ラビング処理したポリイミド膜による配向方法を、前述
のクラークとラガウオールによって発表された双安定性
を示す非らせん構造の強誘電性液晶に対して適用した場
合には、上述の如き問題点を有していた。

すなわち、本発明者らの実験によれば、従来のラビング
処理したポリイミド膜によって配向させて得られた非ら
せん構造の強誘電性液晶でのチルト角（後述の第３図に
示す角度）がらせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト
角（後述の第２図に示す三角錐の頂角の形の角度■）と
較べて小さくなっていることが判明した。（特に、従来
のラビング処理したポリイミド膜によって配向させて得
た非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般
に３°〜８°程度で、その時の透過率はせいぜい３〜５
％程度であった。） この様に、クラークとラガウオールによれば双安定性を
実現する非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角がら
せん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と同一の角度
をもつはずであるが、実際には非らせん構造でのチルト
角θの方がらせん構造でのチルト角■より小さ（なって
いる。しかも、この非らせん構造でのチルト角θがらせ
ん構造でのチルト角■より小さくなる原因が非らせん構
造での液晶分子のねじれ配列に帰因していることが判明
した。つまり、非らせん構造をもつ強誘電性液晶では、
液晶分子が第４図に示す様に基板の法線に対して上基板
に隣接する液晶分子の軸４２より下基板に隣接する液晶
分子の軸４３（ねじれ配列の方向４４）へ連続的にねじ
れ角δでねじれて配列しており、このことが非らせん構
造でのチルト角θがらせん構造でのチルト角■より小さ
（なる原因となっている。

又、従来のラビング処理したポリイミド配向膜によって
生じたカイラルスメクチック液晶の配向状態は、電極と
液晶層の間に絶縁体層としてのポリイミド配向膜の存在
によって、第１の光学的安定状態（例えば、白の表示状
態）から第２の光学的安定状態（例えば、黒の表示状態
）にスイッチングするための一方極性電圧を印加した場
合、この−刃径性電圧の印加解除後、強誘電性液晶層に
は他方極性の逆電界ｖｒｅｖが生じ、この逆電界Ｖ　ｒ
ｅｖがデイスプレィの際の残像を惹き起していた。上述
の逆電界発生現象は、例えば吉田明雄著、昭和６２年１
０月「液晶討論会予稿集Ｊ　Ｐ、１４２〜１４３のｒＳ
ＳＦＬＣのスイッチング特性」で明らかにされている。

〔発明の概要〕

従って、本発明の目的は、前述の問題点を解決した強誘
電性液晶素子を提供すること、特にカイラルスメクチッ
ク液晶の非らせん構造での大きなチルトθを生じ、高コ
ントラストな画像がデイスプレィされ、且つ残像を生じ
ないデイスプレィを達成できる強誘電性液晶素子を提供
することにある。

本発明は、一方向の配向処理を施したポリイミド被膜を
有する一対の基板及び該一対の基板間に配置したカイラ
ルスメクチック液晶を有する液晶素子において、前記ポ
リイミドを構成するジアミン成分が含フッ素残基を結合
しており、前記一対のポリイミド被膜に施した一方向の
配向処理方向が互いに交差している液晶素子に特徴を有
している。特に、本発明はジアミン成分として下記一般
式（Ｉ）又は（ＩＩ）で示される構造式の成分を分子内
にもつポリイミドを用いる点に特徴がある。

一般式（Ｉ） Ｒ１１は置換基（例えばメチル、エチル、プロピルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシなどの
アルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子
）を有してもよいアリーレン基（例えばフェニレン、ナ
フチレン、ビフェニレンなど）である。

一般式（ＩＩ） ＣＨ３ （式中、Ｒ２１は−Ｃ−又は−８Ｏ□−である。Ｒ２２
゜ＣＨ３ Ｒ２３及びＲ２４は−ＣＦ３、−ＣＨ３又は−Ｈである
。但し、Ｒ２１〜Ｒ２４のうち少なくとも１つは含フッ
素残基である。） ・（） 〔発明の態様の詳細な説明〕 第１図（Ａ）は本発明の強誘電性液晶セルの一例を模式
的に描いたものである。

１１ａとｌｌｂはそれぞれＩｎ　２０３やＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍＴｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の透明電極１２ａと
１２ｂで被覆された基板（ガラス板）であり、その上に
２００人〜１ＯＯＯ人厚の絶縁膜１３ａと１３ｂ　（Ｓ
ｉＯ２膜、ＴｉＯ２膜、Ｔａ　２０５膜など）と前記一
般式に示すポリイミドで形成した５０人〜１０００人厚
の配向制御膜１４ａと１４ｂとがそれぞれ積層されてい
る。

この際、平行かつ同−向き（第１図（Ａ）でいえばＡ方
向）になるようラビング処理（矢印方向）した配向制御
膜１４ａと１４ｂが配置されている。基板１１ａとｌｌ
ｂとの間には、強誘電性スメクチック液晶１５が配置さ
れ、基板１１ａとｌｌｂとの間隔の距離は、強誘電性ス
メクチック液晶１５のらせん配列構造の形成を抑制する
のに十分に小さい距離（例えば０．１μｍ〜３μｍ）に
設定され、強誘電性スメクチック液晶１５は双安定性配
向状態を生じている。上述の十分に小さい距離は、基板
１１ａとｌｌｂとの間に配置したビーズスペーサ１６（
シリカビーズ、アルミナビーズ）によって保持される。

本発明者らの実験によれば、下達の実施例で明らかにす
るラビング処理した特定のポリイミド配向膜による配向
方法を用いることによって、明状態と暗状態での大きな
光学的コントラストを示し、特に、米国特許第４．’６
５５，５６１号などに開示のマルチプレクシフグ駆動時
の非選択画素に対して大きなコントラストを生じ、さら
にデイスプレィ時の残像の原因となるスイッチング時（
マルチブレクシフグ駆動時）の光学応答おくれを生じな
い配向状態が達成された。

本発明で用いるポリイミド膜は、カルボン酸無水物とジ
アミンとを縮合反応させることによって合成されるポリ
アミド酸を加熱閉環することによって得られる。

本発明で用いるジアミンとしては、例えばｐ−ビス（４
−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼ
ン ４．４′　−ビス（４ アミノ−２ トリフルオロメ チルフェノキシ） ビフェニル ４．４′−ビス（４−アミノ−３−トリフルオロメチル
フェノキシ）ビフェニル ２．７−ビス（４−アミノ トリフルオロメチ ルフエノキシ）ナフタレン １．５−ビス（４−アミノ ルフェノキシ）ナフタレン トリフルオロメチ ２．２−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フェニル
〕ヘキサフルオロプロパン。

２．２−ビス（４（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
ヘキサフルオロプロパン。

２．２−ビス［４−（２−アミノフェノキシ）−３，５
ジメチルフエニル］ヘキサフルオロプロパン。

２．２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
〕ヘキサフルオロプロパン。

４．４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチル
フェノキシ）ジフェニルスルホン。

４．４′−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチル
フェノキシ）ジフェニルスルホン。

２．２−ビス（４−（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン。

などが挙げられる。

本発明で用いるテトラカルボン酸無水物としてはピロメ
リット酸無水物、２．３．６．７−ナフタレンテトラカ
ルボン酸無水物、３．　３′、　　４．　４’ジフエニ
ルテトラカルボン酸無水物、１．　２．　５゜６−ナフ
タレンテトラカルボン酸無水物、２，２′３．３′−ジ
フェニルテトラカルボン酸無水物、チオフェン−２，３
，４，５−テトラカルホン酸無水物、２，２−ビス（３
，４−ビスカルホキジフェニル）プロパン無水物、３，
４−ジカルホキシフェニルスルホン無水物、ペリレン−
３，４，９，１０−テトラカルボン酸無水物、ビス（３
，４−ジカルボキシフェニル）エーテル無水物、３．　
３′、　　４．　４’−ベンゾフェノンテトラカルポン
酸無水物などが挙げられ、これらのテトラカルボン酸の
他に例えば２．２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシ
フェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２゜
２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、４．４’−ビス（４−（３，
４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオ
ロプロパン、（トリフルオロメチル）ピロメリト酸、ビ
ス（トリフルオロメチル）ピロメリト酸、５，５′−ビ
ス（トリフルオロメチル）　−３，３’　、　４．４’
−テトラカルボキシビフェニル、２．２’　、　５．５
’−テトラキス（トリフルオロメチル）　−３，３’　
、　４．４’−テトラカルボキシビフェニル、５．５′
−ビス（トリフルオロメチル）３、３’　、　　４．４
’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、５．５’−
ビス（トリフルオロメチル）３、　３’　、　　４．４
’−テトラカルボキシベンゾフェノン、ビス〔（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ〕ベンゼン、ビ
ス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシフ
ビフェニル、ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキ
シフェノキシ〕（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス
〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシラビ
ス（トリフルオロメチル）ビフェニル、ビス〔（トリフ
ルオロメチル）ジカルボキシフェノキシラジフェニルエ
ーテル、ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオ
ロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）
ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ヒス（ジカルボ
キシフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフ
ルオロメチル）ビフェニル、ビス（ジカルボキシフェノ
キシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ビスフェニル
、２゜２−ビス（４−（２，３−ジカルボキシベンゾイ
ルオキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２゜２
−ビス（４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ
）−３−ブロモフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２
，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオ
キシ）−３，５−ジブロモフェニル］ヘキサフルオロプ
ロパン、２．２−ビス［４−（３゜４−ジカルボキシベ
ンゾイルオキシ）−３，５−ジメチルフェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン、２，２ビス（４−（３，４−ジカル
ボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕オクタフルオロブ
タン、２，２ビス［４−（２−トリフルオロメチル−３
，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕ヘキ
サフルオロプロパン、１，３−ビス［４−（３，４−ジ
カルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕ヘキサフルオ
ロプロパン、１．５−ビス（４−（３，４−ジカルボキ
シベンゾイルオキシ）フェニル〕デカフルオロペンタン
、１．６−ビス（４−（３，４−ジカルボキシベンゾイ
ルオキシ）フェニル〕　トデカフルオロヘキサン、１．
７−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキ
シ）フェニルコテトラデカフルオロヘプタン、１．　５
−ビス［４−（３，４ジカルボキシベンゾイルオキシ）
−３，５−ジブロモフェニル〕デカフルオロペンタン、
１，５−ビス（４−（３，４−ジカルボキシベンゾイル
オキシ）−３゜５−ビストリフルオロメチルフェニル〕
デカフルオロペンタン、１，５−ビス［４−（２−トリ
フルオロメチル−３，５−ジカルボキシベンゾイルオキ
シ）フェニル〕デカフルオロペンタン、２，２−ビス〔
４（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（２゜３−ジ
カルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェ
ノキシ）−３−ブロモフェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス［４−（３，４ジカルボキシフエノキ
シ）　−３，５−ジブロモフェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス〔４（３，４−ジカルボキシフェ
ノキシ）−３，５ジメチルフエニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、２゜２−ビスＣ４−（３，４−シカルボキンフ
エノキノ）フェニル］オクタフルオロブタン、２，２−
ビス〔４（３，４−シカ用ホキシー２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
１，３−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ
）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ｌ。

５−ビスｌ：４−　（３，４−ジカルボキシフェノキシ
）フェニル〕デカフルオロペンタン、１，６−ビス〔４
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ドデカ
フルオロヘキサン、１．７−ヒス（４−（３゜４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル〕テトラデカフルオロペ
ンタン、１，５−ヒス［４−（３，４ジカルボキシフエ
ノキシ）　−３，５−ジブロモフェニル〕デカフルオロ
ペンタン、■、５−ビス〔４（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシ）−３，５−ビストリフルオロメチルフェニル
〕デカフルオロペンタン、１，５−ビス（４−（３，４
−ジカルボキシ−２トリフルオロメチルフエノキシ）フ
ェニル〕デカフルオロペンタンなどのフッ素系テトラカ
ルボン酸無水物を用いることができる。

又、２種類以上のテトラカルボン酸とシアミンの組合わ
せ、２種類以上のジアミンとテトラカルボン酸の組合わ
せおよび２種類以上のテトラカルボン酸と２種類以上の
ジアミンとの組合わせも可能である。

また、本発明の別の好ましい具体例では、配向制御膜１
４ａと１４ｂとに下記構造式（ｍ）〜（Ｖｌ）のうち少
なくとも１つの単位と下記構造式（ＶＩＩ）の単位とを
含有するポリイミド被膜を用いることができる。

上述のポリイミド膜は、カルボン酸無水物とジアミンと
を縮合反応させることによって合成されるポリアミド酸
を加熱閉環することによって得られる。

具体的には、例えば、 のうち少なくとも１つのテトラカルボン酸無水物と下記
のシアンの反応により合成されるポリアミド酸を塗布、
焼成することによりポリイミド膜を形成することができ
る。

本発明で用いるポリアミド酸を作成する際の式■〜■に
示す化合物は、式■に示す化合物の１重量部に対して０
．０１〜１００重量部、好ましくは０．１〜ｌＯ重量部
の割合で用いられる。又、前記式■〜［株］に示す化合
物は、各々単独で、又は２種以上組合わせて用いること
ができる。特に、本発明では式■で示す化合物によって
作成したポリイミド膜が好適である。式■〜■の化合物
を組合わせて用いる場合には、それぞれ同一重量部で用
いるのが好ましい。

本発明で用いるポリイミド膜を基板上に設ける際には、
ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸をジメチルフォ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフオ
キシド、Ｎ−メチルピロリドンなどの溶剤に溶解して０
．Ｏ１〜４０（重量）％溶液として、該溶液をスピンナ
ー塗布法、スプレィ塗布法、ロール塗布法などにより基
板上に塗布した後、１００〜３５０℃、好ましくは２０
０〜３００℃の温度で加熱して脱水閉環させてポリイミ
ド膜を形成することができる。このポリイミド膜は、し
かる後に布などでラビング処理される。又、本発明で用
いるポリイミド膜は３０人〜１μ程度、好ましくは２０
０人〜２０００人の膜厚に設定される。この際には、第
１図に示す絶縁膜１３ａと１３ｂの使用を省略すること
ができる。又、本発明では、絶縁膜１３ａと１３ｂの上
にポリイミド膜を設ける際には、このポリイミド膜の膜
厚は２００Å以下、好ましくは１００Å以下に設定され
ることができる。

本発明で用いる液晶物質としては、降温過程で等吉相、
コレステリック相、スメクチックＡ相を通してカイラル
スメクチックＣ相を生じる液晶が好ましい。特に、コレ
ステリック相の時のピッチが０．８μｍ以上のものが好
ましい（コレステリック相でのピッチは、コレステリッ
ク相の温度範囲における中央点で測定したもの）。具体
的な液晶としては、下記液晶物質ｒＬＣ−ＩＪ、ｒ８０
ＢＪ及びｒ８０ｓＩ＊Ｊを下記比率で含有させた液晶組
成物が好ましく用いられる。

ＬＣ−１ ０Ｂ ８０ＳＩ　＊ （１）　　　（ＬＣ１）１０／ （２）　　（ＬＣ−１）ｓ。／ （３）　　　（ＬＣ−１）ｙ。／ （４）　　（ＬＣ１）ａｏ／ （５）　　　８０ＳＩ＊ （表中の添字は、 それぞれ重量比を表わしている。） （８０Ｂ）＋。

（８０Ｂ）２０ （８０Ｂ）３０ （８０Ｂ）４゜ 第１図（Ｂ）は、本発明の別の好ましい具体例を示す平
面図である。図中、ｌは重なり合った一対の基板で、２
Ａは観察位置（紙面上側）に近い基板に対して施した一
方向（矢標方向）のラビング処理軸で、２Ｂは観察位置
から遠い位置の基板に対して施した一方のラビング処理
軸である。θＸはラビング処理軸２Ａと２Ｂとの交差角
である。本発明では、この交差角θＸは２°〜１５°、
好ましくは３°〜１２°の範囲で設定される。特に、本
発明の好ましい態様では、ラビング処理軸２Ａは、ラビ
ング処理軸２Ｂを基準にして反時計回り方向に交差角θ
Ｘ（−〇Ｘ）でラビング処理軸２Ｂと交差させるのが良
い。

第２図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂは、Ｉｎ
２０２．５ｎ０２あるいはＩＴＯ等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍ
Ｃ＊（カイラルスメクチックＣ）相又はＳｍＨ＊（カイ
ラルスメクチックＨ）相の液晶が封入されている。太線
で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分
子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（
Ｐ±）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極
間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３
のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）２４
がすべて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向方向
を変えることができる。液晶分子２３は、細長い形状を
有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばカラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。

本発明の液晶素子で用いる双安定性配向状態の表面安定
型強誘電性液晶セルは、その厚さを充分に薄く（例えば
０．１μｍ〜３μｍ）することができる。このように液
晶層が薄（なるにしたがい、第３図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほどけ
、非らせん構造となり、その双極子モーメントＰまたは
Ｐ′　は上向き（３４ａ）、又は下向き（３４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅａ又はＥｂを
電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子
モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応
して上向き３４ａ１又は下向き３４ｂと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａあるいは
第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

この強誘電性液晶セルによって得られる効果は、その第
１に、応答速度が極めて速いことであり、第２に液晶分
子の配向が双安定性を有することである。

第２の点を、例えば第３図によって更に説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える
電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向
状態にやはり維持されている。

第４図（Ａ）は、本発明の配向方向に生じた液晶分子の
配向状態を模式的に明らかにした断面図で、第４図はそ
のＣ−ダイレクタを示す図である。

第４図（Ａ）に示す６１ａ及び６１ｂは、それぞれ上基
板及び下基板を表わしている。６０は液晶分子６２で組
織された分子層で、液晶分子６２が円錐６３の底面６４
（円形）に沿った位置を変化させて配列している。

第４図（Ｂ）は、Ｃ−ダイレクタを示す図である。

第４図（Ｂ）のＵｌは一方の安定配向状態でのＣダイレ
クタ８１で、Ｕ２は他方の安定配向状態でのＣ−ダイレ
クタ８１である。Ｃ−ダイレクタ８１は、第４図（Ａ）
に示す分子層６０の法線に対して垂直な仮想面への分子
長軸の写影である。

一方、従来のラビング処理したポリイミド膜によって生
じた配向状態は、第４図（Ｃ）のＣ−ダイレクタ図によ
って示される。第４図（Ｃ）に示す配向状態は、上基板
６１ａから下基板６１ｂに向けて分子軸のねじれが大き
いため、チルト角θは小さくなっている。

第５図（Ａ）は、Ｃ−ダイレクタ８１が第４図（Ｂ）の
状態（ユニフォーム配向状態という）でのチルト角θを
示すための平面図で、第５図（Ｂ）はＣ−ダイレクタ８
１が第４図（Ｃ）の状態（スプレィ配向状態という）で
のチルト角θを示すための平面図である。図中、５０は
前述した本発明の特定ポリイミド膜に施したラビング処
理軸を示し、５１ａは配向状態Ｕ１での平均分子軸、５
１ｂは配向状態Ｕ２での平均分子軸、５２ａは配向状態
Ｓ１での平均分子軸、５２ｂは配向状態Ｓ２での平均分
子軸を示す。

平均分子軸５１ａと５１ｂとは、互いに閾値電圧を超え
た逆極性電圧の印加によって変換することができる。同
様のことは平均分子軸５２ａと５２ｂとの間でも生じる
。

次に、逆電界Ｖ　ｒｅｖによる光学応答のおくれ（残像
）に対するユニフォーム配向状態の有用性について説明
する。

液晶セルの絶縁層（配向制御膜）の容量Ｃ１、液晶層の
容量をＣＬＣ及び液晶の自発分極をＰｓとすると、残像
の原因となるＶ　ｒｅｖは、下式で表わされる。

第６図は、液晶セル内の電荷の分布、Ｐｓの方向及び逆
電界の方向を模式的に示した断面図である。

第６図（Ａ）は、パルス電界印加前のメモリー状態下に
おける■及びθ電荷の分布状態を示し、この時の自発分
極Ｐｓの向きは■電荷から○電荷の方向である。第６図
（Ｂ）は、パルス電界解除直後の自発分極Ｐｓの向きが
第６図（Ａ）の時の向きに対して逆向き（従って、液晶
分子は一方の安定配向状態から他方の安定配向状態に反
転を生じている）であるが、■及びｅ電荷の分布状態は
第６図（Ａ）の時と同様であるため、液晶内に逆電界Ｖ
　ｒｅｖが矢標方向に生じている。この逆電界ｖ　ｒｅ
ｖは、しばらくした後、第６図（Ｃ）に示す様に消滅し
、■及びＯ電荷の分布状態が変化する。

第７図は従来のポリイミド配向膜によって生じたスプレ
ィ配向状態の光学応答の変化をチルト角θの変化に換え
て示したものである。第７図によれば、パルス電界印加
時、印標ｘ１の方向に沿ってスプレィ配向状態下の平均
分子軸Ｓ　（Ａ）から最大チルト角■付近のユニフォー
ム配向状態下の平均分子軸Ｕ２までオーバーシュートシ
、パルス電界解除直後においては、第６図（Ｂ）に示す
逆電界ｖ　ｒｅｖの作用が働いて、矢標Ｘ２の方向に沿
ってスプレィ配向状態下の平均分子軸Ｓ　（Ｂ）までチ
ルト角θが減少し、そして第６図（Ｃ）に示す逆電界Ｖ
　ｒｅｖの減衰の作用により、矢標Ｘ３の方向に沿って
スプレィ配向状態下の平均分子軸Ｓ　（Ｃ）までチルト
角θが若干増大した安定配向状態が得られる。この時の
光学応答は第８図で明らかにされている。

本発明によれば、前述したフッ素原子含有のポリイミド
膜を用いた配向方法によって得た配向状態では、第７図
に示したスプレィ状態下の平均分子軸Ｓ　（Ａ）、　Ｓ
　（Ｂ）及びＳ　（Ｃ）を生じることがなく、従って最
大チルト角■に近いチルト角θを生じる平均分子軸に配
列させることができる。この時の本発明の光学応答を第
９図に示す。第９図によれば、残像に原因する光学応答
のお（れを生じないことと、メモリー状態下での高いコ
ントラストを惹き起していることが判る。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

実施例１ １０００人厚のＩＴＯ膜が設けられている１、１ｍｍ厚
のガラス板を２枚用意し、それぞれのガラス板上に下式
で示すポリアミド酸のＮ−メチルピロリドン／ｎ−ブチ
ルセロソルブ＝５／ｌの３．０重量％溶液を回転数３０
０Ｏｒｐｍのスピナで３０秒間塗布した。

成膜後約１時間、２５０℃で加熱焼成処理を施した。

この時の膜厚は４５０人であった。この塗布膜にナイロ
ン触毛布による一方向のラビング処理を行った。

その後、平均粒径約１．５μｍのアルミナビーズを一方
のガラス板上に散布した後、第１図（Ｂ）に示す様にラ
ビング処理軸２Ａがラビング処理軸２Ｂに対して反時計
回り方向に６°回転した位置に設定される様に、ラビン
グ軸２Ａと２Ｂとを交差させて、２枚のガラス板を重ね
合せてセルを作製した。

このセル内にチッソ（株）社製の強誘電性スメクチック
液晶であるｒｃｓ−１０１４Ｊ商品名を等吉相下で真空
注入してから、等吉相から０．５°Ｃ／ｈて３０℃まで
徐冷することによって配向させることができた。このｒ
Ｃ５−１０１４Ｊを用いた本実施例のセルでの相変化は
下記のとおりてあった。

８０．５℃　　　　　６９．１℃　　　　　　５０℃Ｉ
ｓｏ　−−−一−→Ｃｈ−一一一−→ＳｍＡ　−−−ｍ
−→ＳｍＣ’（Ｉｓｏ＝等方相　　　ｃｈ＝コレステリ
ック相Ｓ　ｍ　Ａ　−スメクチックＡ相 ＳｍＣ＊＝カイラルスメクチックＣ相）上述の液晶セル
を一対の９０６クロスニコル偏光子の間に挟み込んでか
ら、５０μｓｅｃの３０Ｖパルスを印加してから９０°
クロスニコルを消光位（最暗状態）にセットし、この時
の透過率をホトマルチブレターにより測定し、続いて５
０μｓｅｃの一３０Ｖパルスを印加し、この時の透過率
（明状態）を同様の方法で測定したところ、チルト角θ
は１５°であり、最暗状態時の透過率は４２％で、明状
態時の透過率は１．０％であり、従ってコントラスト比
は４３：ｌであった。

残像の原因となる光学応答のおくれは０．２秒以下であ
った。

この液晶セルを第１Ｏ図に示す駆動波形を用いたマルチ
プレクシング駆動による表示を行ったところ、高コント
ラストな高品位表示が得られ、又所定の文字入力による
画像表示の後に全画面を白の状態に消去したところ、残
像の発生は判読できなかった、尚、第１Ｏ図のＳＮ、Ｓ
Ｎ＋１．ＳＮ＋２は走査線に印加した電圧波形を表わし
ており、■は代表的な情報線に印加した電圧波形を表わ
している。

（ｒ　　ＳＮ）は情報線Ｉと走査線ＳＮとの交差部に印
加された合成波形である。又、本実施例では、■。

５ｖ〜８ｖ、ΔＴ−２０μｓｅｃ〜７０μｓｅｃで行っ
た。

実施例２〜２０ 表１に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実施
例１と同様にしてセルを得た。

それぞれに対して実施例１と同様の試験を行った。

コントラスト比及び光学応答のおくれ時間の結果を表２
に示す 又、実施例１と同様のマルチプレクシング駆動による表
示を行ったところ、コントラスト及び残像については実
施例と同様の結果が得られた。

表 ＪＪＬＬ　　　：’：’上ｊムＨし　　′　自’ｇ（Ｑ
ｂ　　ｈ　　５ｅｃ４６　：　１ ４５　：　１ ５６　、１ ４７　：　１ ４８　・　１ ５０　：　１ ４６　：　１ ４１　＝　１ ５０　：　１ ４５　：　１ ４４　：　１ ５２　：　１ ４２　：　１ ３７　：　１ ４５　＝　１ ３５　＝　１ ４１　：　１ ３８　：　１ ０．２ ０．１ ０．２ ０．２ ０．１ ０．２ ０．２ ０．１ ０．１ ０．１ ０．２ ０．１ ０．２ ０．２ ０．２ ０．２ ０．１ ０．１ 比較例１〜４ 表３に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実施
例１と全く同様にしてセルを作成した（表中のポリアミ
ド酸ワニスの重合度は、いずれも７００〜２０００であ
る）。それぞれのセルに対してコントラスト比および光
学応答のおくれを表４に示した。

又、実施例１と同様のマルチプレクノング駆動による表
示を行ったところ、コントラストが本実施例のものと比
較して小さく、しかも残像が生じた。

表 比較例 ０１′　　ポリアミド　ワニス 液Ｉｄ本料 ５Ｐ−７１０（商品名） 東し社製芳香族系ポリイミドワニス ｒｃｓ１０１４Ｊ チッソ社製ＦＬＣ− 同 上 前記液晶 ＬＱ−５２００（商品名） 日立化成社製ポリアミドフエス ｒｃｓ１０１４Ｊ チッソ社製ＦＬＣ 同 上 前記液晶（３） 表 ≦１２斗５．（上上２ ９：１ ７＝１ １１：１ ７：１ ′、笈のお　　　５ｅｃ １．５ ２．５ １．２ ２．２ 〔発明の効果〕 以上の実施例及び比較例で明らかにした様に、本発明に
よれば明状態と暗状態でのコントラストが高く、特にマ
ルチブレクシフグ駆動時の表示コントラストが非常に大
きく高品位の表示が得られ、しかも目ざわりな残像現象
が生じない効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は、本発明の液晶素子の断面図である。第
１図（Ｂ）は、本発明で用いた液晶素子の平面図である
。第２図はらせん構造をもつカイラルスメクチック液晶
の配向状態を示した斜視図で、第３図は非らせん構造の
分子配列をもつカイラルスメクチック液晶の配向状態を
示した斜視図である。第４図（Ａ）は本発明の配向方法
で配向したカイラルスメクチック液晶の配向状態を示す
断面図で、第４図（Ｂ）はそのユニフォーム配向状態に
おけるＣダイレクタ図で、第４図（Ｃ）はスプレィ配向
状態におけるＣ−ダイレクタ図である。第５図（Ａ）は
ユニフォーム配向状態におけるチルト角θを示す平面図
で、第５図（Ｂ）はスプレィ配向状態におけるチルト角
θを示す平面図である。第６図は強誘電性液晶内の電荷
分布、自発分極Ｐｓの向き及び逆電界Ｖ　ｒｅｖの向き
を示す断面図である。第７図は電界印加時及び後のチル
ト角θの変化を示す平面図である。第８図は従来例にお
ける光学応答特性を示し、第９図は本発明例における光
学応答特性を示す。 第１０図は本実施例で用いた駆動電圧の波形図である。 １ワｂ 謳 ケ 図（Ｂ） （Ａ） （Ｆ３） （Ｑ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一方向の配向処理を施したポリイミド被膜を有す
   る一対の基板及び該一対の基板間に配置したカイラルス
   メクチツク液晶を有する液晶素子において、 前記ポリイミドを構成するジアミン成分が含フッ素残基
   を結合しており、前記一対のポリイミド被膜に施した一
   方向の配向処理方向が互いに交差していることを特徴と
   する液晶素子。 （２）前記含フッ素残基がフルオロアルキル基である請
   求項（１）の液晶素子。 （３）前記配向処理がラビング処理である請求項（１）
   の液晶素子。 （４）前記一方向に配向処理されたポリイミドの被膜が
   絶縁膜を介して基板上に形成してある電極の上に設けら
   れている請求項（１）の液晶素子。 （５）前記ポリイミドの被膜の膜厚が５０オングストロ
   ーム〜１０００オングストロームで、前記絶縁膜の膜厚
   が２００オングストローム〜１０００オングストローム
   である請求項（４）の液晶素子。 （６）前記ポリイミドの被膜の膜厚が１００オングスト
   ローム以下である請求項（４）の液晶素子。 （７）前記一方向に配向処理されたポリイミドの被膜が
   絶縁膜を介してそれぞれ一対の基板上に形成してある電
   極の上に設けられ、それぞれの配向処理の方向を互いに
   ２度〜１５度の角度で交差させた請求項（１）の液晶素
   子。 （８）前記交差角が３度〜１２度である請求項（７）の
   液晶素子。 （９）観察位置から遠い位置にある基板上のポリイミド
   被膜に施した一方向の配向処理軸が、観察位置から近い
   位置にある基板上のポリイミド被膜に施した一方向の軸
   処理軸から反時計回りに２度〜１５度回転した位置に設
   定されている請求項（１）の液晶素子。 （１０）観察位置から遠い位置にある基板上のポリイミ
   ド被膜に施した一方向の配向処理軸が、観察位置から近
   い位置にある基板上のポリイミド被膜に施した一方向の
   軸処理軸から反時計回りに３度〜１２度回転した位置に
   設定されている請求項（１）の液晶素子。 （１１）前記一対の基板がカイラルスメクチツク液晶の
   らせん配列構造の形成を抑制するのに十分に薄い間隔に
   設定されている請求項（１）の液晶素子。 （１２）前記カイラルスメクチツク液晶がスメクチツク
   Ａ相より高い温度からの冷却によって少なくとも２つの
   異なる安定配向状態を生じている請求項（１０）の液晶
   素子。 （１３）前記ジアミン成分が下記一般式（ I ）によっ
   て示される構造式である請求項（１）の液晶素子。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１＿１は置換基を有してもよいアリーレン
   基である。） （１４）前記ジアミン成分が下記一般式（II）によって
   示される構造式である請求項（１）の液晶素子。 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿２＿１は▲数式、化学式、表等があります
   ▼又は−ＳＯ＿２−である。Ｒ＿２＿２、Ｒ＿２＿３及
   びＲ＿２＿４は−ＣＦ＿３、−ＣＨ＿３又は−Ｈである
   。但し、Ｒ＿２＿１〜Ｒ＿２＿４のうち少なくとも１つ
   は含フッ素残基である。） （１５）前記ポリイミドが下記構造式（III）〜（VI）
   のうち少なくとも１つの単位と、構造式（VII）の単位
   とを含有する請求項（１）の液晶素子。 （III）▲数式、化学式、表等があります▼ （IV）▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｖ）▲数式、化学式、表等があります▼ （VI）▲数式、化学式、表等があります▼ （VII）▲数式、化学式、表等があります▼ （１６）一方向の配向処理を施したポリイミド被膜を有
   する一対の基板及び該一対の基板間に配置したカイラル
   スメクチツク液晶を有する液晶素子において、 前記ポリイミドを構成するジアミン成分及びカルボン酸
   成分がともに含フッ素残基又はフッ素原子を結合してお
   り、前記一対のポリイミド被膜に施した一方向の配向処
   理方向が互いに交差していることを特徴とする液晶素子
   。 （１７）前記含フッ素残基がフルオロアルキル基である
   請求項（１６）の液晶素子。 （１８）前記カルボン酸成分が含フッ素テトラカルボン
   酸無水物から誘導された成分である請求項（１６）の液
   晶素子。 （１９）前記含フッ素テトラカルボン酸が２，２−ビス
   〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕
   ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３，４−ジカ
   ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３
   ，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン
   、４，４′−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノ
   キシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、（トリフル
   オロメチル）ピロメリト酸、ビス（トリフルオロメチル
   ）ピロメリト酸、５，５′−ビス（トリフルオロメチル
   ）−３，３′、４，４′−テトラカルボキシビフェニル
   、２，２′、５，５′−テトラキス（トリフルオロメチ
   ル）−３，３′、４，４′−テトラカルボキシビフェニ
   ル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，３′
   、４，４′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、５
   ，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，３′、４，
   ４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、−ビス〔（ト
   リフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ〕ベンゼン
   、ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキ
   シ〕ビフェニル、ビス〔（トリフルオロメチル）ジカル
   ボキシフェノキシ〕（トリフルオロメチル）ベンゼン、
   ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ
   〕）ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、ビス〔（
   トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ〕ジフェ
   ニルエーテル、ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリ
   フルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノ
   キシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジ
   カルボキシフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチ
   ル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（
   トリフルオロメチル）ビフェニル、ビス（ジカルボキシ
   フェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ビスフ
   ェニル、２，２−ビス〔４−（２，３−ジカルボキシベ
   ンゾイルオキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、
   ２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイル
   オキシ）−３−ブロモフェニル〕ヘキサフルオロプロパ
   ン、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾ
   イルオキシ）−３，５−ジブロモフェニル〕ヘキサフル
   オロプロパン、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボ
   キシベンゾイルオキシ）−３，５−ジメチルフェニル〕
   ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（３，４
   −ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕オクタフ
   ルオロブタン、２，２−ビス〔４−（２−トリフルオロ
   メチル−３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェ
   ニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス〔４−（
   ３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕ヘ
   キサフルオロプロパン、１，５−ビス〔４−（３，４−
   ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕デカフルオ
   ロペンタン、１，６−ビス〔４−（３，４−ジカルボキ
   シベンゾイルオキシ）フェニル〕ドデカフルオロヘキサ
   ン、１，７−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾ
   イルオキシ）フェニル〕テトラデカフルオロヘプタン、
   １，５−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベンゾイル
   オキシ）−３，５−ジブロモフェニル〕デカフルオロペ
   ンタン、１，５−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシベ
   ンゾイルオキシ）−３，５−ビストリフルオロメチルフ
   ェニル〕デカフルオロペンタン、１，５−ビス〔４−（
   ２−トリフルオロメチル−３，５−ジカルボキシベンゾ
   イルオキシ）フェニル〕デカフルオロペンタン、２，２
   −ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
   ニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（
   ２，３−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフ
   ルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカル
   ボキシフェノキシ）−３−ブロモフェニル〕ヘキサフル
   オロプロパン、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボ
   キシフェノキシ）−３，５−ジブロモフェニル〕ヘキサ
   フルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカ
   ルボキシフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル〕ヘ
   キサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（３，４−
   ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕オクタフルオロブ
   タン、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシ−２
   −トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕ヘキサフ
   ルオロプロパン、１，３−ビス〔４−（３，４−ジカル
   ボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン
   、１，５−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
   シ）フェニル〕デカフルオロペンタン、１，６−ビス〔
   ４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ド
   デカフルオロヘキサン、１，７−ビス〔４−（３，４−
   ジカルボキシフエノキシ）フェニル〕テトラデカフルオ
   ロペンタン、１，５−ビス〔４−（３，４−ジカルボキ
   シフェノキシ）−３，５−ジブロモフェニル１デカフル
   オロペンタン、１，５−ビス〔４−（３，４−ジカルボ
   キシフェノキシ）−３，５−ビス−トリフルオロメチル
   フェニル〕デカフルオロペンタン及び１，５−ビス（４
   −（３，４−ジカルボキシ−２−トリフルオロメチルフ
   ェノキシ）フェニル〕デカフルオロペンタンからなる群
   から選択された少なくとも１種の化合物である請求項（
   １８）の液晶素子。 （２０）前記カルボン酸成分が２種以上の異なるカルボ
   ン酸成分を含有している請求項（１６）の液晶素子。 （２１）前記ジアミン成分が２種以上の異なるジアミン
   成分を含有している請求項（１６）の液晶素子。 （２２）前記一方向に配向処理されたポリイミドの被膜
   が絶縁膜を介して基板上に形成してある電極の上に設け
   られている請求項（１６）の液晶素子。 （２３）前記ポリイミドの被膜の膜厚が５０オングスト
   ローム〜１０００オングストロームで、前記絶縁膜の膜
   厚が２００オングストローム〜１０００オングストロー
   ムである請求項（２２）の液晶素子。 （２４）前記ポリイミドの被膜の膜厚が１００オングス
   トローム以下である請求項（２２）の液晶素子。 （２５）前記一方向に配向処理されたポリイミドの被膜
   が絶縁膜を介してそれぞれ一対の基板上に形成してある
   電極の上に設けられ、それぞれの配向処理の方向を互い
   に２度〜１５度の角度で交差させた請求項（１６）の液
   晶素子。 （２６）前記交差角が３度〜１２度である請求項（２５
   ）の液晶素子。 （２７）観察位置から遠い位置にある基板上のポリイミ
   ド被膜に施した一方向の配向処理軸が、観察位置から近
   い位置にある基板上のポリイミド被膜に施した一方向の
   軸処理軸から反時計回りに２度〜１５度回転した位置に
   設定されている請求項（１６）の液晶素子。（２８）観
   察位置から遠い位置にある基板上のポリイミド被膜に施
   した一方向の配向処理軸が、観察位置から近い位置にあ
   る基板上のポリイミド被膜に施した一方向の軸処理軸か
   ら反時計回りに３度〜１２度回転した位置に設定されて
   いる請求項（１６）の液晶素子。（２９）前記一対の基
   板がカイラルスメクチツク液晶のらせん配列構造の形成
   を抑制するのに十分に薄い間隔に設定されている請求項
   （１６）の液晶素子。 （３０）前記カイラルスメクチツク液晶がスメクチツク
   Ａ相より高い温度からの冷却によって少なくとも２つの
   異なる安定配向状態を生じている請求項（２９）の液晶
   素子。