JPH0465189A - セラミック多層基板の短絡修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、セラミック多層基板の内層部で回路と構成す
る内層導体間に発生した短絡部を修正するセラミック多
層基板の短絡修正方法に関する。

従来の技術 近年、電子機器は軽薄短小化．高機能化の要求によシミ
子部品等の高密度実装化が進み、回路を構成する導体間
も小さくなり、高度な回路形成技術が要求されている。

以下に従来のセラミック多層基板について説明する。第
３図は従来のセラミック多層基板の断面図を示すもので
あり、図において、１は表面導体、２はセラミック絶縁
体，３は内層導体、４は層間導体である。第４図は内層
導体によ多形成された回路の部分平面図であり，図にお
いて、６は内層導体３間に生じた短絡部である。

以上のように構成され几セラミック多層基板について，
以下その動作を説明する。

まず、第３図ておいて、セラミック絶縁体２に層間導体
４を形成するために孔（図示せず）１−あけ、導体イン
キを刷り込んで層間導体４と形成し、さらにセラミック
絶縁体２の上面に内層導体インキで内層導体３を印刷し
て回路を形成する。同じようにしてセラミック絶縁体２
の池の層にも必要な層間導体４、内層導体３で回路を形
成する。これらｔ必要数積層したのち焼成し、さらに表
面導体１を印刷、焼成してセラミック多層基板ができる
。この過程において内層導体３を印刷するときに第４図
に示す短絡部５が生じ、そのまま積層、焼成をすると、
回路が短絡して不良品となる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の構成では、微小な短絡部６や精
細な回路に生じた短絡部５を発見するのは非常に困難で
あり、そのまま積層、焼成し、セラミック多層基板とし
て完成した後で、短絡不良が発見され、したがって不良
品として廃棄しなければならないという課題を有してい
た。本発明は上記従来の課題を解決するもので、セラミ
ック多層基板の完成後に発見された短絡部５による不良
を修正し、再び正常なセラミック多層基板として使用す
ることができるセラミック多層基板の短絡修正方法を提
供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は上記目的と達成するために、電磁波のエネルギ
ーを短絡部に集中して加熱し、内層導体の上面および下
面に接しているセラミック絶縁体に含まれるガラス成分
を溶融して短絡部の導体を形成する金属粒子と融合させ
ることにより金属粒子を溶融したガラス成分内に分散さ
せ、短絡部の導通抵抗を大きくし、短絡部による不良を
修正するという構成よりなるものである。

作　　　用 したがって本発明によれば、積層されたセラミック多層
基板のどの層に短絡部が生じていても電磁波のエネルギ
ーの集中を精度よく行うことによって短絡部の修正がで
き、製品の歩留まりの向上を図ることができる。

実施例 以下本発明の一実施例について、第１図、第２図ととも
に第３図、第４図と同一部分については同一番号を付し
て詳しい説明を省略し、要点について説明する。

第１図は本発明の一実施例におけるセラミック多層基板
の内部構造を示す部分断面図であシ、図において、３ａ
、３ｂはそれぞれ隣シ合う内層導体、５は隣υ合う内層
導体３ａおよび３りの間に生じた短絡部、６は電磁波、
７は電磁波６のエネルギーによって溶融し几加熱部であ
る。第２図は短絡部５を修正しｔ後のセラミック多層基
板の一部を拡大し之断面図であり、図において８はセラ
ミック絶縁体中のガラス成分が溶融して導通抵抗が大き
くなった絶縁部、９は短絡部６内に存在していた金属粒
子である。

以上のように構成されたセラミック多層基板の短絡修正
方法について、以下その動作を説明する。

第１図に示すように２板のセラミック絶縁体２゜２の間
に隣り合って形成され几内層導体３ａ、３ｂの間に生じ
た短絡部６に電磁波６をエネルギーと集中させて矢印方
向に照射し、短絡部５およびその上面と下面に接するセ
ラミック絶縁体２の一部をともに加熱する。加熱部７は
内層導体３ａおよび３ｂを溶かさないように短絡部５の
範囲内にとどまるように電磁波６のエネルギーを調節す
る。

加熱部７が十分溶融されると第２図に示すように短絡部
５を形成していた内層導体中の金属粒子９が図に示すよ
うに溶融し几ガラス成分内に分散し、電気的導通を遮断
した絶縁部８と形成する。なお、電磁波は一般に用いら
れているレーザーなど、エネルギーと精密に制御でき、
照射対象物と加熱できるものであれば何を用いてもよい
。

このように上記実施例によれば、電磁波６を短絡部６に
照射して短絡部５とこれに接する周囲Ｄセラミック絶縁
体２中のガラス成分を加熱溶融させると、短絡部５内の
金属粒子９が溶融し几ガラス成分中に分散する几め、溶
融した部分が絶縁部８を形成し、隣り合う内層導体３ａ
および３ｂの間に生じた短絡が修正されるのである。

発明の効果 以上の実施例から明らかなように本発明は、電磁波のエ
ネルギーを精密に制御し、微小局部を加熱することによ
り短絡部と周辺のガラス成分を溶融し、溶融したガラス
成分の内部に短絡部の金属粒子を分散させて導通を遮断
することによって短絡を解消し、回路を修復することが
できるすぐれた短絡修正方法であって、セラミック多層
基板の歩留まシ向上に役立つものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の短絡修正方法と施こす前のセラミック
多層基波の内部構造を示す要部断面図、第２図は同短絡
修正方法を施した後のセラミック多層基板の要部拡大断
面図、第３図は従来のセラミック多層基板の内部構造を
示す部分断面図、第４図は短絡部が生じ友内層導体によ
る回路の構成を示す部分平面図である。 ２・・・・・・セラミック絶縁体、３ａ、３ｂ・・・・
・・内層導体、６・・・・・・短絡部、６・・・・・・
電磁波、８・・・・・・絶縁部、９・・・・・・金属粒
子。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１多筒　
１ 図 第 図 ２−ｔうミ〜７矛吐倉龜４賢 に、３４−一一内七鶴（振 ５−呻蜂舒 ５−−−ｆ）ｋｎ ９−奮り眩）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. セラミック多層基板の内層部で回路を構成する内層導体
   間に生じた短絡部を局所的に電磁波のエネルギーを用い
   て加熱し、周辺のセラミック絶縁体に含まれるガラス成
   分を溶解し、短絡部の導体を形成する金属粒子と融合さ
   せて絶縁部として形成することを特徴とするセラミック
   多層基板の短絡修正方法。