JPH0464004A - 撮像素子 - Google Patents
撮像素子Info
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- JPH0464004A JPH0464004A JP2175071A JP17507190A JPH0464004A JP H0464004 A JPH0464004 A JP H0464004A JP 2175071 A JP2175071 A JP 2175071A JP 17507190 A JP17507190 A JP 17507190A JP H0464004 A JPH0464004 A JP H0464004A
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- Japan
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- pixel
- pixels
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 11
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/024—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by means of diode-array scanning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は撮像素子に係わり、特に寸法測定用に好適なも
のに関する。
のに関する。
(従来の技術)
従来の撮像素子として、CCDラインイメージセンサに
おける画素配列を第4図に示す。画素42がピッチPで
一列に配列されて、画素配列42を構成している。そし
て、画素列41の並び上に被測定物を結像させ、光電変
換を行って画像情報を得ている。
おける画素配列を第4図に示す。画素42がピッチPで
一列に配列されて、画素配列42を構成している。そし
て、画素列41の並び上に被測定物を結像させ、光電変
換を行って画像情報を得ている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしこのような撮像素子41は、分解能は画素43の
ピッチPにより決定され、測定精度はピッチPの大きさ
の制約を受けていた。このピッチPを小さくすれば分解
能は高くなるが、製造上限界がある。一般に、実用化さ
れている画素43の最小ピッチPは7μmであり、これ
以上の分解能を得ることはできなかった。
ピッチPにより決定され、測定精度はピッチPの大きさ
の制約を受けていた。このピッチPを小さくすれば分解
能は高くなるが、製造上限界がある。一般に、実用化さ
れている画素43の最小ピッチPは7μmであり、これ
以上の分解能を得ることはできなかった。
また画素43の大きさが小さくなると、蓄積できる電荷
のチャージ量が減少してS/N比の低下を招くことにな
る。従って、撮像素子41の分解能を上げて測定精度を
向上させることは極めて困難であった。
のチャージ量が減少してS/N比の低下を招くことにな
る。従って、撮像素子41の分解能を上げて測定精度を
向上させることは極めて困難であった。
本発明は上記事情に鑑み、画素のピッチよりも細かい物
の寸法を、S/N比の低下を招くことなく測定すること
ができる撮像素子を提供することを目的とする。
の寸法を、S/N比の低下を招くことなく測定すること
ができる撮像素子を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明の撮像素子は、ピッチP++で画素が配列された
主尺となるべき第1の画素列と、ピ・ンチPIと異なる
ピッチPsて画素が配列され、第1の画素列と平行に配
置された副尺となるべき少なくとも一本の第2の画素列
とを備えたことを特徴としている。
主尺となるべき第1の画素列と、ピ・ンチPIと異なる
ピッチPsて画素が配列され、第1の画素列と平行に配
置された副尺となるべき少なくとも一本の第2の画素列
とを備えたことを特徴としている。
ここで第2の画素列を少なくとも二本以上備え、各々画
素の位相がずれて配置されていてもよい。
素の位相がずれて配置されていてもよい。
さらに第2の画素列として、(N−1)Pi/N(Nは
3以上の整数)のピッチPsで画素が配列されたものを
N本備え、一方向に順にPm/Nずつ位相をずらせて配
置しているものが好ましい。
3以上の整数)のピッチPsで画素が配列されたものを
N本備え、一方向に順にPm/Nずつ位相をずらせて配
置しているものが好ましい。
またピッチP■で画素が配列され、第1の画素列に平行
にかつ同位相で配置された主尺となるべき画素列をさら
に備えたものであってもよい。
にかつ同位相で配置された主尺となるべき画素列をさら
に備えたものであってもよい。
第1の画素列と第2の画素列とて一つの画素列群とした
場合に、これと垂直な方向に同様な画素列群をさらに備
えたものでもよい。
場合に、これと垂直な方向に同様な画素列群をさらに備
えたものでもよい。
(作 用)
主尺としての第1の画素列のみを備えている場合は、被
測定物を投影させたときに画素上に形成される境界線は
一つの画素上を通過するため、画素ピッチPmの大きさ
よりも測定精度を高めることはできないが、第2の画素
列を副尺として備えることにより、位相のずれた異なる
画素上にも境界線が通過する。境界線を境に思出力から
白出力に入れ替る画素が主尺と副尺とでそれぞれ存在し
、これらの位相のずれから画素ピッチPIよりも細かい
物の測定が可能となり精度が向上する。
測定物を投影させたときに画素上に形成される境界線は
一つの画素上を通過するため、画素ピッチPmの大きさ
よりも測定精度を高めることはできないが、第2の画素
列を副尺として備えることにより、位相のずれた異なる
画素上にも境界線が通過する。境界線を境に思出力から
白出力に入れ替る画素が主尺と副尺とでそれぞれ存在し
、これらの位相のずれから画素ピッチPIよりも細かい
物の測定が可能となり精度が向上する。
副尺として第2の画素列を少なくとも二本以上備え、各
々の画素の位相がずれて配置されている場合には、投影
像の境界線が主尺の画素と副尺の相互に位相のずれた二
つ以上の画素上を通過するため、境界線を境に思出力か
ら白出力に入れ替る画素間の位相のずれからより細かい
物の測定が可能となる。
々の画素の位相がずれて配置されている場合には、投影
像の境界線が主尺の画素と副尺の相互に位相のずれた二
つ以上の画素上を通過するため、境界線を境に思出力か
ら白出力に入れ替る画素間の位相のずれからより細かい
物の測定が可能となる。
また第2の画素列として、(N−1)Pm/Nのピッチ
Psで画素が配列されたものをN本備え、一方向に順に
Pm/Nずつ位相をずらせて配置している場合は、投影
像の境界線上を境界線に沿って見ていくと、思出力から
白出力へ急に変わっている画素が存在する。従ってこの
画素では、出力が変化する閾値に相当する面積を投影像
が覆っているとすると、この画素と主尺との位相のずれ
から、主尺において境界線が通過している位置を求める
ことができる。この場合には、各画素列はPi/Nずつ
位相がずれているため、Pm/Nの精度て寸法を求める
ことができる。
Psで画素が配列されたものをN本備え、一方向に順に
Pm/Nずつ位相をずらせて配置している場合は、投影
像の境界線上を境界線に沿って見ていくと、思出力から
白出力へ急に変わっている画素が存在する。従ってこの
画素では、出力が変化する閾値に相当する面積を投影像
が覆っているとすると、この画素と主尺との位相のずれ
から、主尺において境界線が通過している位置を求める
ことができる。この場合には、各画素列はPi/Nずつ
位相がずれているため、Pm/Nの精度て寸法を求める
ことができる。
主尺をさらに一本備える場合には、二つの主尺の出力が
一致するように被測定物を投影する角度を調節すること
によって、境界線が各画素列を垂直に通過するようにな
り、測定精度が向上する。
一致するように被測定物を投影する角度を調節すること
によって、境界線が各画素列を垂直に通過するようにな
り、測定精度が向上する。
第1の画素列と第2の画素列とで一つの画素列群とし、
これと垂直な方向に同様な画素列群をさらに備えた場合
には、被測定物の二方向の寸法を同時に測定することが
できる。
これと垂直な方向に同様な画素列群をさらに備えた場合
には、被測定物の二方向の寸法を同時に測定することが
できる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第1図に本実施例による撮像素子の画素配列を示す
。第4図に示された従来の撮像素子と同様に、画素2が
ピッチpHで配列された画素列11を有している。この
画素列11を主尺とする。そして本実施例は、さらに副
尺として10本の画素列12〜21を備えている。この
画素列12〜21は、主尺と異なるピッチPs(−9P
I11/10)で画素51が配列されている。そして、
各々の画素列12〜21は主尺の画素列11と平行に、
Pm/10ずつ右方向へ位相がずれて配置されている。
る。第1図に本実施例による撮像素子の画素配列を示す
。第4図に示された従来の撮像素子と同様に、画素2が
ピッチpHで配列された画素列11を有している。この
画素列11を主尺とする。そして本実施例は、さらに副
尺として10本の画素列12〜21を備えている。この
画素列12〜21は、主尺と異なるピッチPs(−9P
I11/10)で画素51が配列されている。そして、
各々の画素列12〜21は主尺の画素列11と平行に、
Pm/10ずつ右方向へ位相がずれて配置されている。
このような本実施例による撮像素子を、CCDラインイ
メージセンサとして使用し寸法測定を行う場合の作用に
ついて説明する。第2図に、撮像素子1上に被測定物を
投影した様子を示す。ここで測定精度を高めるべく、各
画素列11〜21上には被測定物の投影像30が垂直に
投影されているものとする。また各画素2の出力は二値
より成り、投影面積が画素上の50%となるところに白
黒判定の閾値が存在する。さらに副尺の画素列12〜2
1のなかで、主尺の画素列11と位相か一致する画素に
は「◎」を付している。
メージセンサとして使用し寸法測定を行う場合の作用に
ついて説明する。第2図に、撮像素子1上に被測定物を
投影した様子を示す。ここで測定精度を高めるべく、各
画素列11〜21上には被測定物の投影像30が垂直に
投影されているものとする。また各画素2の出力は二値
より成り、投影面積が画素上の50%となるところに白
黒判定の閾値が存在する。さらに副尺の画素列12〜2
1のなかで、主尺の画素列11と位相か一致する画素に
は「◎」を付している。
被測定物の投影像30が各画素上に投影され、右上りの
ハツチングを施された思出力の領域31と口出力の領域
32とが形成される。画素列12〜21は、上述したよ
うにP■/10ずっ位相がずれて配置されている。この
ため、副尺の画素列12〜21を縦方向に見ていくと、
口出力と思出力とか急に入れ替る画素61が存在する。
ハツチングを施された思出力の領域31と口出力の領域
32とが形成される。画素列12〜21は、上述したよ
うにP■/10ずっ位相がずれて配置されている。この
ため、副尺の画素列12〜21を縦方向に見ていくと、
口出力と思出力とか急に入れ替る画素61が存在する。
この画素61は、投影像30の境界線30aが中央を通
過しているものである。
過しているものである。
このような画素61の位置は、各画素列11〜21の出
力から容易に見つけ出すことができる。
力から容易に見つけ出すことができる。
そして画素61と、主尺において境界線30aが通過し
ている画素71と位相がどれだけずれているか、即ち画
素71上のどの位置を境界線30aが通過しているかを
知ることによって、寸法を求めることができる。
ている画素71と位相がどれだけずれているか、即ち画
素71上のどの位置を境界線30aが通過しているかを
知ることによって、寸法を求めることができる。
画素61が存在する画素列14において、画素61から
「◎」が付されている画素62までの画素数を数え、こ
れにPi/10を乗算した値か位相のずれに対応してい
る。ここで、画素61は当影像30の境界線30aが中
央を通過しているため、画素61を「5」として右方向
に「6」。
「◎」が付されている画素62までの画素数を数え、こ
れにPi/10を乗算した値か位相のずれに対応してい
る。ここで、画素61は当影像30の境界線30aが中
央を通過しているため、画素61を「5」として右方向
に「6」。
「7」、・・・、と数えて行くと、画素62は「3」と
なる。これより、画素71の左端からの境界線30aま
で距離Xは3P+g/10であり、画素71は左端から
3P■/10だけ投影像30に覆われていることがわか
る。
なる。これより、画素71の左端からの境界線30aま
で距離Xは3P+g/10であり、画素71は左端から
3P■/10だけ投影像30に覆われていることがわか
る。
この測定原理はノギスを応用したものである。
但し、ノギスでは被測定物に対応して一本の副尺を移動
することができるのに対し、CCDラインイメージセン
サでは副尺を移動することができない。このため、代わ
りに位相を少しずつずらせた副尺を複数本備えることで
対応している。
することができるのに対し、CCDラインイメージセン
サでは副尺を移動することができない。このため、代わ
りに位相を少しずつずらせた副尺を複数本備えることで
対応している。
このように、投影像30の境界線30aが中央を通過す
る画素の位置を知ることにより、主尺の画素のピッチP
−の1/10の精度で測定することが可能である。また
、画素ピッチを必要以上に小さくしなくとも高い測定精
度が得られるため、電荷のチャージ量を減少させずに高
いS/N比を同時に得ることができる。
る画素の位置を知ることにより、主尺の画素のピッチP
−の1/10の精度で測定することが可能である。また
、画素ピッチを必要以上に小さくしなくとも高い測定精
度が得られるため、電荷のチャージ量を減少させずに高
いS/N比を同時に得ることができる。
また各画素列11〜21からの出力を処理する際には、
以上のような処理の手順をマイクロプロセッサに記憶さ
せておくことにより、自動的に測定することが可能とな
る。
以上のような処理の手順をマイクロプロセッサに記憶さ
せておくことにより、自動的に測定することが可能とな
る。
上述した実施例は一例であって、本発明を限定するもの
ではない。例えば本実施例では、第1図のように各画素
列を密接して配置しているが、平行であれば離れて配置
してもよい。同様に画素列方向(図中、左右方向)につ
いても、各画素を一定の間隔を開けて配置してもよい。
ではない。例えば本実施例では、第1図のように各画素
列を密接して配置しているが、平行であれば離れて配置
してもよい。同様に画素列方向(図中、左右方向)につ
いても、各画素を一定の間隔を開けて配置してもよい。
また、副尺のピッチPsを主尺のピッチPtsの9/1
0としたがこれに限られず、7/8あるいは19/20
等任意に設定することができる。但しその場合には、そ
れぞれ副尺の画素列は8本あるいは20本設けるのが好
ましい。
0としたがこれに限られず、7/8あるいは19/20
等任意に設定することができる。但しその場合には、そ
れぞれ副尺の画素列は8本あるいは20本設けるのが好
ましい。
各画素列11〜21に対し、投影像30が垂直になるよ
うにするのが困難な場合がある。このような場合には、
第3図に示されるように主尺の画素列81を副尺の反対
側に主尺11と同移相で一本追加すると効果的である。
うにするのが困難な場合がある。このような場合には、
第3図に示されるように主尺の画素列81を副尺の反対
側に主尺11と同移相で一本追加すると効果的である。
二つの主尺を成す画素列11と画素列
81の出力値が一致するように角度を調節し、各画素列
11〜21及び81に対する投影像の角度を変えること
で垂直にすることができる。
11〜21及び81に対する投影像の角度を変えること
で垂直にすることができる。
また本実施例では、各画素の口出力と思出力とが入れ替
る閾値を、画素が50%覆われている場合に設定してい
るが、この値と異なっていてもよい。閾値に応じて画素
の数を数えていく方法を変えることで、同様に寸法の測
定が可能である。
る閾値を、画素が50%覆われている場合に設定してい
るが、この値と異なっていてもよい。閾値に応じて画素
の数を数えていく方法を変えることで、同様に寸法の測
定が可能である。
さらに、第1図あるいは第3図に示されるような画素列
11〜21あるいは81群に加えて、同様な画素列群を
垂直方向に配置することで、被測定物の寸法測定を同時
に二方向に渡って行うことが可能となる。
11〜21あるいは81群に加えて、同様な画素列群を
垂直方向に配置することで、被測定物の寸法測定を同時
に二方向に渡って行うことが可能となる。
以上説明したように本発明の撮像素子によれば、主尺と
しての画素列の他に副尺としてさらに画素列を備え、被
測定物の投影像の境界線が通過する複数の画素間の位相
のずれから寸法を測定するため、一画素のピッチよりも
細かいものの寸法を測定することができ、高い測定精度
か得られる。
しての画素列の他に副尺としてさらに画素列を備え、被
測定物の投影像の境界線が通過する複数の画素間の位相
のずれから寸法を測定するため、一画素のピッチよりも
細かいものの寸法を測定することができ、高い測定精度
か得られる。
特に副尺として、(N−1)PrA/Nのピッチで画素
が配列されたものをN本備え、位相を一方向に順にPI
I/Nずつずらせて配置している場合には、投影像の境
界線に沿って見ていくと出力が急に入れ替っている画素
が存在し、この画素の位置を知ることによってPtx/
Nの精度で寸法を求めることができる。
が配列されたものをN本備え、位相を一方向に順にPI
I/Nずつずらせて配置している場合には、投影像の境
界線に沿って見ていくと出力が急に入れ替っている画素
が存在し、この画素の位置を知ることによってPtx/
Nの精度で寸法を求めることができる。
第1図は本発明の一実施例による撮像素子の画素配列を
示した構成図、第2図は同素子の各画素列に被測定物を
投影した様子を示した説明図、第3図は本発明の他の実
施例による撮像素子の画素配列を示した構成図、第4図
は従来の撮像素子の画素配列を示した構成図である。 1・・・撮像素子、2,51,61,62.71・・・
画素、11〜21.81・・・画素列、30・・・投影
像、30a・・・境界線。
示した構成図、第2図は同素子の各画素列に被測定物を
投影した様子を示した説明図、第3図は本発明の他の実
施例による撮像素子の画素配列を示した構成図、第4図
は従来の撮像素子の画素配列を示した構成図である。 1・・・撮像素子、2,51,61,62.71・・・
画素、11〜21.81・・・画素列、30・・・投影
像、30a・・・境界線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ピッチPmで画素が配列された主尺となるべき第1
の画素列と、 前記ピッチPmと異なるピッチPsで画素が配列され、
前記第1の画素列と平行に配置された副尺となるべき少
なくとも一本の第2の画素列とを備えたことを特徴とす
る撮像素子。 2、前記第2の画素列を少なくとも二本以上備え、各々
画素の位相がずれて配置されていることを特徴とする請
求項1記載の撮像素子。 3、前記第2の画素列として、(N−1) Pm/N(Nは3以上の整数)のピッチPsで画素が配
列されたものをN本備え、位相を一方向に順にPm/N
ずつずらせて配置していることを特徴とする請求項1又
は2記載の撮像素子。 4、前記ピッチPmで画素が配列され、前記第1の画素
列に平行にかつ同位相で配置された主尺となるべき画素
列をさらに備えたことを特徴とする請求項1ないし3記
載の撮像素子。 5、前記第1の画素列と前記第2の画素列とで一つの画
素列群とした場合に、これと垂直な方向に同様な画素列
群をさらに備えたことを特徴とする請求項1ないし4記
載の撮像素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2175071A JPH0739935B2 (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 撮像素子 |
US07/721,301 US5229597A (en) | 1990-07-02 | 1991-06-26 | Image pickup device suitable for dimensional measurement image pickup equipment including a vernier pixel array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2175071A JPH0739935B2 (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0464004A true JPH0464004A (ja) | 1992-02-28 |
JPH0739935B2 JPH0739935B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=15989725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2175071A Expired - Fee Related JPH0739935B2 (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 撮像素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5229597A (ja) |
JP (1) | JPH0739935B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109029203A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-12-18 | 昆明理工大学 | 一种基于数字图像处理的半自动测量物体尺寸装置 |
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US5815274A (en) * | 1996-12-31 | 1998-09-29 | Pitney Bowes Inc. | Method for dimensional weighing by spaced line projection |
US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
US6767751B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
US6728023B1 (en) * | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
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