JPH0462980A - 半導体受光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要］ 光通信、或いは、光情報処理などの分野に於いて、光信
号を電気信号に変換する働きをする半導体受光装置の改
良に関し、 著しく小型化することで超高速化した受光素子をサージ
電圧などの影響から完全に保護し、破壊されることがな
いようにすることを目的とし、同一基板上に少なくとも
接合面積が小さいもの一つ及びそれより大きいもの二つ
が組み合わされて形成され且つｎ側が共通に接続されて
なる複数のｐｉｎ接合と、前記接合面積が最も小さいｐ
ｉｎ接合に逆バイアス電圧を印加し本来のｐｉｎフォト
・ダイオードとして動作させる為の電源ラインとを備え
てなるよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、光通信、或いは、光情報処理などの分野に於
いて、光信号を電気信号に変換する働きをする半導体受
光装置の改良に関する。

現在、前記のような光技術分野に於いては、例えば、２
０（ＧＨｚ）以上の超高速光信号を電気信号に光電変換
することについて研究・開発が行われている。

その光電変換を行う受光素子は、素子容量を充分に小さ
くすることが必要であり、例えば、接合径が１５〔μｍ
〕φで、且つ、光吸収層の厚さが１．４〔μｍ〕である
ｐｉｎフォト・ダイオードに於いて、１０〜４０　（ｆ
Ｆ）、又は、０．０１〜０．０４　（ｐＦ）を達成でき
る。

ところが、このような超小型の受光素子は、サージ電圧
などの影響を受けて簡単に破壊され易くなる。

従って、この問題を解決して、使用し易く、且つ、信頼
性が高い超高速受光素子を実現させる必要がある。

〔従来の技術〕

前記問題に対処する為、受光素子チップの極近傍にチッ
プ・コンデンサを設置し、サージ電圧を側路させる側路
コンデンサとして使用することが行われている。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記したように、受光素子チップの近傍にチップ・コン
デンサを別設してサージ電圧の側路を行う構成では、チ
ップ・コンデンサを如何に受光素子チップに近接させた
場合であっても、その近接の度合いにはチップ・コンデ
ンサなどの大きさに由来する限界があり、その限界は前
記した問題を解消するには大き過ぎる。従って、インパ
ルス的外来雑音に対しても素早く応答して受光素子の破
壊を完全に防止することは困難である。

本発明は、著しく小型化することで超高速化した受光素
子をサージ電圧などの影響から完全に保護し、破壊され
ることがないようにする。

〔課題を解決するための手段］ 第１図は本発明の詳細な説明する為の半導体受光装置の
要部切断側面図を表している。

図に於いて、１はＩｎＰ或いはＧａＡｓなどからなる半
絶縁性或いは導電性（ここではｎ゛型）半導体基板、２
はｎ゛型１ｎＰ或いはｎ・型ＡｆｆｉＧａＡｓなどから
なるｎ゛型半導体層、３はアン・ドープＩ　ｎＧａＡｓ
或いはアン・ドープＧａＡｓなどからなる光吸収層、４
はｎ−型１ｎＰ或いはｎ−型ＡｎＧａＡｓなどからなる
ｎ−型窓層、５はｐ型態領域、６は接続用電極、Ａ、Ｂ
、Ｃはｐｉｎフォト・ダイオード部分をそれぞれ示して
いる。

図から判るように、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａ及
びＣはｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｂに比較して大型
化、即ち、ｐｉｎ接合面積は広くなっている。

第２図は第１図に見られる半導体受光装置を動作させる
場合の結線関係を説明する為の等価回路図を表し、第１
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。

図に於いて、ｐｓは電源、Ｒは負荷抵抗、Ｔｏｔは出力
端子をそれぞれ示している。

図から判るように、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａは
電源ＰＳに対して順方向に接続され、電源供給の役割を
果たし、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｂには逆バイア
ス電圧が印加されてｐｉｎフォト・ダイオードそのもの
として動作し、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｃは電源
ＰＳに対して逆方向に接続されてはいるが、そのｐｉｎ
接合面積が大きい為、側路コンデンサとして作用し、著
しく小型化されているｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｂ
にサージ電圧が加わった場合、それを側路する働きをす
る。

第３図も本発明の詳細な説明する為の半導体受光装置の
要部切断側面図を表し、第１図及び第２図に於いて用い
た記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。

図に於いて、５′はｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａに
於けるｐ型態領域を示している。尚、この窓領域５′は
導電型をｎ型にしても良い。

本発明に於ける半導体受光装置に於いて、ｐｉｎフォト
・ダイオード部分Ａは電源供給用としてのみ作用するも
のであり、その為にはｉ層である光吸収層３は不要であ
って、寧ろ、その存在で順方向電圧降下が発生すること
になる。

そこで、図示のようにｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａ
に於けるｐ型態領域５′はｉ層である光吸収層３を越え
てｎ゛型型半体体層２まで到達するように深く形成した
ものである。

第４図は第３図に見られる半導体受光装置を動作させる
場合の結線関係を説明する為の等価回路図を表し、第１
図乃至第３図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。

第４図の等価回路と第２図の等価回路とが相違する点は
、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａに代わってｐｎ接合
ダイオード部分Ａ′が設置されていること、若し、ｐ型
態領域５′の導電型をｎ型とした場合には、破線で示す
ように、ダイオード部分は完全に短絡状態になってしま
うこと、である。

第５図も本発明の詳細な説明する為の半導体受光装置の
要部切断側面図を表し、第１図乃至第４図に於いて用い
た記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。

図に於いて、５″はｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｃに
於けるｐ型態領域を示している。

図示された半導体受光装置が第１図乃至第４図について
説明した半導体受光素子と相違するところは、云うまで
もなく、側路コンデンサとして用いるｐｉｎフォト・ダ
イオード部分Ｃに於けるｐ型態領域５″が他のｐｉｎフ
ォト・ダイオード部分Ａ或いはＢに於けるｐ型態領域５
と比較して深く形成されていることである。

第６図は第５図に見られる半導体受光装置に於けるｐｉ
ｎフォト・ダイオード部分Ｂ及びＣに関する逆方向耐圧
を説明する為の線図であり、縦軸に電流を、また、横軸
に電圧をそれぞれ採っである。

図から明らかなように、側路コンデンサであるｐｉｎフ
ォト・ダイオード部分Ｃのｐｉｎ接合に於ける逆方向耐
圧はｐｉｎフォト・ダイオードとして動作するｐｉｎフ
ォト・ダイオード部分Ｂのｐｉｎ接合に於ける逆方向耐
圧と比較して低くなり、サージ電圧などからｐｉｎフォ
ト・ダイオード部分Ｂを保護する効果は更に向上する。

このように、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｃの逆方向
耐圧が低下する理由は、ｐ型態領域５″の界面がエネル
ギ・ハンド・ギャップが狭いノン・Ｆ−プＩ　ｎＧａＡ
ｓ光吸収層３内に存在することに由来する。

当然のことながら、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｂの
逆方向耐圧が高い理由は、ｐ型態領域５の界面がｎ−型
窓層１４とノン・ドープＩ　ｎＧａＡｓ光吸収層１３と
の界面に存在することに起因している。

前記したところから、本発明に依る半導体受光装置に於
いては、 （１）同一基板（例えばＩｎＰ或いはＧａＡｓなどから
なる半絶縁性或いは導電性半導体基板１）上に少なくと
も接合面積が小さいもの一つ（例えばｐｉｎフォト・ダ
イオード部分Ｂ）及びそれより大きいもの二つ（例えば
ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａ及びＣ）が組み合わさ
れて形成され且つｎ側（例えばｎ゛型１ｎＰ或いはｎ゛
型Ａ／２ＧａＡｓなどからなるｎ゛型半導体層）が共通
に接続されてなる複数のｐｉｎ接合と、前記接合面積が
最も小さいｐｉｎ接合に逆バイアス電圧を印加し本来の
ｐｉｎフォト・ダイオードとして動作させる為の電源ラ
インとを備えてなるか、或いは、 （２）前記（１）に於いて、複数のｐｉｎ接合に於ける
大きいもの二つのうち一方のｎ側（例えばｐｉｎフォト
・ダイオード部分Ａに於けるｐ型態領域５）はｐｉｎフ
ォト・ダイオードとして動作するｐｉｎ接合に逆バイア
ス電圧を供給する電源ラインとして作用させる為に電源
（例えば電源ＰＳ）の正側に且つ他方のｎ側（例えばｐ
ｉｎフォト・ダイオード部分Ｃに於けるＰ型態領域５）
はｐｉｎフォト・ダイオードとして動作するｐｉｎ接合
を保護する側路コンデンサとして作用させる為に電源の
負側にそれぞれ接続されてなること を特徴とするか、或いは、 （３）前記（２）に於いて、ｐｉｎフォト・ダイオード
として動作するｐｉｎ接合へ逆バイアス電圧を印加する
電源ラインとして作用するｐｉｎ接合に於けるｎ型不純
物拡散領域（例えば第３図に見られるｐ型窓領域５′）
がｉ層を越えてｎ側に達していること を特徴とするか、或いは、 （４）前記（２）に於いて、ｐｉｎフォト・ダイオード
として動作するｐｉｎ接合へ逆バイアス電圧を印加する
電源ラインとして作用するｐｉｎ接合に於けるｎ型不純
物拡散領域（例えば第１０図に見られるｐ型態領域２５
）をｎ側に到達させるため基板表面に凹所（例えば第１
０図に見られる凹所１４Ａ）が形成されてなることを特
徴とする請求項２記載の半導体受光装置。

（５）前記（２）に於いて、ｐｉｎフォト・ダイオード
として動作するｐｉｎ接合へ逆バイアス電圧を印加する
電源ラインとして作用するｐｉｎ接合に於けるｎ型不純
物拡散領域がｎ型不純物拡散領域に代替されていること を特徴とするか、或いは、 （６）前記（２）に於いて、側路コンデンサとして作用
するｐｉｎ接合に於ける逆方向耐圧はｐｉｎフォト・ダ
イオードとして動作するｐｉｎ接合に於ける逆方向耐圧
に比較して低いものであること を特徴とするか、或いは、 （７）　　前記（２）に於いて、側路コンデンサとして
作用するｐｉｎ接合に於ける逆方向耐圧を低下させる為
そのｎ型不純物拡散領域（例えば第５図に見られるｐｉ
ｎフォト・ダイオード部分Ｃに於けるｐ型態領域５″）
を少なくともｐｉｎフォト・ダイオードとして動作する
ｐｉｎ接合に於けるｎ型不純物拡散領域に比較してｎ側
に近接するよう深く形成してなること を特徴とするか、或いは、 （８）側路コンデンサとして作用するｐｉｎ接合に於け
る逆方向耐圧を少なくともｐｉｎフォト・ダイオードと
して動作するｐｉｎ接合に於ける逆方向耐圧に比較して
低くするため基板表面にｎ型不純物拡散領域をｎ側に近
接させる為の凹所（例えば第１４図に見られる凹所１４
Ｂ）が形成されてなること を特徴とする。

〔作用〕

前記手段を採った半導体受光装置では、本来のｐｉｎフ
ォト・ダイオードとして動作するｐｉｎフォト・ダイオ
ード部分Ｂに於けるｐ側電極である接続電極６には、当
然のことながら、光電流を電圧に変換する為の負荷抵抗
Ｒが接続されているので、ｐｉｎフォト・ダイオード部
分Ｃに比較すると、その逆バイアス電圧は常に小さい値
になっている。従って、ｐｉｎフォト・ダイオード部分
Ｂ及びＣに電源ラインを介してサージ電圧が印加された
としても、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｃの方に早く
逆電流が流れるようになり、ｐｉｎフォト・ダイオード
部分Ｂが破壊されるのを防止することができ、そしてま
た、パルス的なサージ電圧であっても、Ｐｉｎフォト・
ダイオード部分Ｃの接合容量を大きくしておくことで充
分に吸収され、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ｂは保護
される。

〔実施例〕

第７図は第１図及び第２図について説明した原理に対応
する実施例の要部平面説明図、第８図は第７図に見られ
る線Ｘ１〜Ｘ１に沿う要部切断側面図、第９図は第７図
に見られる線Ｘ２−Ｘ２に沿う要部切断側面図をそれぞ
れ表し、第１図乃至第６図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。

図に於いて、 １１はｎ゛型１ｎＰ基板、 １２はｎ＋型ＩｎＰ層、 １３はノン・ドープＩ　ｎＧａＡｓ光吸収層、１４はｎ
−型１ｎＰ窓層、 １５はｐ型態領域、１６は接続電極をそれぞれ示してい
る。

本実施例に於ける各部分に関する主要なデータを例示す
ると次の通りである。

（ａ）　　基板１１について 不純物：Ｓ 不純物濃度：　２　Ｘ　１０　′８（ｃｍ−３）（ｂ）
ＩｎＰ層１２について 厚さ：　１．０［μｍ］ 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：　５　Ｘ　１０１７（ｃｎｒ’）（Ｃ）　
　光吸収層１３について 厚さ：１．４Ｃμｍ〕 （ｄ）　　窓層１４について 厚さ：１　〔μｍ］ 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：　Ｉ　Ｘ　１０　”　（ｃｍ−３３（ｅ）
　　窓領域１５について 不純物：Ｚｎ 不純物濃度＝１×１０゛８〔ｃｍ−３］（ｆ）　　接続
電極１６について 材料 コンタクト・メタル：　Ａ　ｕ　／　Ｚ　ｎ　／　Ａ　
ｕバリヤ・メタル：　Ｔ　ｉ　／　Ｐ　を電極引き出し
メタル：Ａｕ フリップ・チップ接続用融着材：ＡｕＳｎ厚さ コンタクト・メタル ４００〔入）／８０（人）／１２０．Ｃ人〕バリヤ・メ
タル ５００〔入）／１０００（人］ 電極引き出しメタル １０００　（人］ フリップ・チップ接続用融着材 ３（μｍ］ 第１０図は本発明に於ける他の実施例の要部切断側面図
を表し、第１図乃至第９図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。

図に於いて、１４Ａはｎ−型１ｎＰ窓層１４に形成した
凹所をそれぞれ示している。

図示されているように、本実施例では、ｎ−型ＩｎＰ窓
層１４の表面をエツチングして凹所１４Ａを形成してか
ら、ｐｉｎフォト・ダイオード′部分Ｂ及びＣに於ける
ｐ型態領域１５を形成する為の不純物拡散と同時に不純
物拡散することで深いｐ型態領域２５が一回の拡散で実
現される。

第１１図は第３図及び第４図について説明した原理に対
応する実施例を表す要部平面説明図、第１２図は第１１
図に見られる線Ｘ１−ＸＩに沿う要部切断側面図、第１
３図は第１１図に見られる線Ｘ２−Ｘ２に沿う要部切断
側面図であり、第１図乃至第１０図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものと
する。

この実施例が第７図乃至第９図について説明した実施例
と相違するところは、ｎ−型１ｎＰ窓層１４及びＩ　ｎ
ＧａＡｓ光吸収層１２がメサになっていること、及び、
ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａに於けるＰ型態領域１
５がｐ型不純物拡散領域１７に依ってｎ゛型１ｎＰＩｉ
ｉ１２と接続されていることである。

第１２図乃至第１４図について説明した実施例に於いて
、Ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａに於けるｐ型窩領域
１５の導電型をｎ型にすることもできるが、その場合に
は、メサの側面にＡｕＣ；ｅ／　Ａ　ｕ膜を形成し、そ
のｐ型窩領域１５とｎ゛型ＩｎＰ層とを結合すると良い
。

第１４図は本発明に於ける他の実施例の要部切断側面図
を表し、第１図乃至第１３図に於いて用いた記号と同記
号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。

尚、この図は、第７図乃至第１３図について説明した実
施例とは異なり、例えば第７図に見られる方形のチップ
に於ける対角線で切断して表したものであり、従って、
ｐｉｎフォト・ダイオードＡ、Ｂ、Ｃなど全ての接続電
極１６が現れている。

図に於いて、１４Ｂはｎ−型１ｎＰ窓層１４に形成した
凹所、１８はｎ側電極、１８Ａは光入射用開口をそれぞ
れ示している。

図示されているように、本実施例では、ｎ−型ＩｎＰ窓
層１４の表面をエツチングして凹所１４Ｂを形成してか
ら、ｐｉｎフォト・ダイオード部分Ａ及びＢに於けるｐ
型窩領域１５を形成する為の不純物拡散と同時に不純物
拡散することで深いｐ型態領域３５が一回の拡散で実現
される。尚、この実施例では、裏面のｎ側電極１８に光
入射用開口１８Ａを形成し、そこから光を入射させるよ
うにしているが、勿論、表面側から光を入射させること
もできる。この点については他の実施例に於いても全く
同じである。

前記説明した第７図乃至第９図、第１０図、第１１図乃
至第１３図、第１４図に見られる何れの実施例に於いて
も、方形をなしているチップの寸法は２００〔μｍ）Ｘ
２００［μｍ］、また、ｐｉｎフォト・ダイオード部分
Ｂに於けるｐ型窩領域１５の径は１５〜２０〔μｍ］φ
であり、また、これ等の半導体受光装置を用いる場合、
第２図或いは第４図について説明した等価回路と全く同
じ結線を行って動作させれば良い。

ところで、前記何れの半導体受光装置も、従来から多用
されている半導体技術を適用することで容易に製造する
ことができる。

例えば、第７図乃至第９図について説明した実施例を製
造するには、次に見られるような工程を採る。

（１）例えば有機金属化学気相堆積（ＭＯＶＰＥ）法を
適用することに依って、ｎ゛型１ｎＰ基板１１上に ｎ＋型１ｎＰ層１２、 ノン・ドープＩ　ｎＧａＡｓ光吸収層１３、ｎ−型１ｎ
Ｐ窓層１４ を成長させる。

（２）熱ＣＶＤ法、或いは、プラズマＣＶＤ法などを適
用することに依り、Ｓｉｎ、膜、或いは、ＳｉＮ膜など
のマスク膜を全面に形成する。

（３）　　フォト・リソグラフィ技術を適用することに
依り、マスク膜のエツチングを行って不純物導入用の開
口を形成する。

（４）熱拡散法を適用することに依り、マスク膜の開口
からＺｎを導入してｐ型窩領域１５を形成する。尚、こ
の場合の温度は５００（’Ｃ）、時間は３０〔分〕程度
である。

（５）　　フォト・リソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を適用するこ
とに依り、接続電極１６を形成する。

〔発明の効果〕

本発明に依る半導体受光装置に於いては、同一基板上に
接合面積が小さいものと大きいものとが組み合わせて形
成され且つｎ側が共通に接続されてなるｐｉｎ接合と、
前記接合面積が最も小さいｐｉｎ接合に逆バイアス電圧
を印加する為の電源ラインとを備えている。

前記構成を採ることに依り、接合面積が大きいｐｉｎ接
合をｐｉｎフォト・ダイオードの側路コンデンサとして
使用することができ、その側路コンデンサはｐｉｎフォ
ト・ダイオードの極近傍に作り込まれているものである
から、サージ電圧を素早く吸収して微細なｐｉｎフォト
・ダイオードを破壊から保護することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明する為の半導体受光装置の
要部切断側面図、第２図は第１図に見られる半導体受光
装置を動作させる場合の結線関係を説明する為の等価回
路図、第３図も本発明の詳細な説明する為の半導体受光
装置の要部切断側面図、第４図は第３図に見られる半導
体受光装置を動作させる場合の結線関係を説明する為の
等価回路図、第５図も本発明の詳細な説明する為の半導
体受光装置の要部切断側面図、第６図は第５図に見られ
る半導体受光装置に於けるｐｉｎフォト・ダイオード部
分Ｂ及びＣに関する逆方向耐圧を説明する為の線図、第
７図は第１図及び第２図について説明した原理に対応す
る実施例の要部平面説明図、第８図は第７図に見られる
線Ｘ　１−Ｘ　１に沿う要部切断側面図、第９図は第７
図に見られる線Ｘ２−Ｘ２に沿う要部切断側面図、第１
θ図は本発明に於ける他の実施例の要部切断側面図、第
１１図は第３図及び第４図について説明した原理に対応
する実施例の要部平面説明図、第１２図は第１１図に見
られる線Ｘ１−ＸＩに沿う要部切断側面図、第１３図は
第１１図に見られる線Ｘ２Ｘ２に沿う要部切断側面図、
第１４図は本発明に於ける他の実施例の要部切断側面図
をそれぞれ表している。 図に於いて、 １１はｎ゛型ＩｎＰ基板、 １２はｎ゛型１ｎＰ層、 １３はノン・ドープＩ　ｎＧａＡｓ光吸収層、１４はｎ
−型１ｎＰ窓層、 １５はｐ型態領域、１６は接続電極をそれぞれ示してい
る。 特許出願人　　　富士通株式会社 代理人弁理士　　相　谷　昭　司

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）同一基板上に少なくとも接合面積が小さいもの一
   つ及びそれより大きいもの二つが組み合わされて形成さ
   れ且つｎ側が共通に接続されてなる複数のｐｉｎ接合と
   、 前記接合面積が最も小さいｐｉｎ接合に逆バイアス電圧
   を印加し本来のｐｉｎフォト・ダイオードとして動作さ
   せる為の電源ラインと を備えてなることを特徴とする半導体受光装置。
2. （２）複数のｐｉｎ接合に於ける大きいもの二つのうち
   一方のｐ側はｐｉｎフォト・ダイオードとして動作する
   ｐｉｎ接合に逆バイアス電圧を供給する電源ラインとし
   て作用させる為に電源の正側に且つ他方のｐ側はｐｉｎ
   フォト・ダイオードとして動作するｐｉｎ接合を保護す
   る側路コンデンサとして作用させる為に電源の負側にそ
   れぞれ接続されてなること を特徴とする請求項１記載の半導体受光装置。
3. （３）ｐｉｎフォト・ダイオードとして動作するｐｉｎ
   接合へ逆バイアス電圧を印加する電源ラインとして作用
   するｐｉｎ接合に於けるｐ型不純物拡散領域がｉ層を越
   えてｎ側に達していること を特徴とする請求項２記載の半導体受光装置。
4. （４）ｐｉｎフォト・ダイオードとして動作するｐｉｎ
   接合へ逆バイアス電圧を印加する電源ラインとして作用
   するｐｉｎ接合に於けるｐ型不純物拡散領域をｎ側に到
   達させるため基板表面に凹所が形成されてなること を特徴とする請求項２記載の半導体受光装置。
5. （５）ｐｉｎフォト・ダイオードとして動作するｐｉｎ
   接合へ逆バイアス電圧を印加する電源ラインとして作用
   するｐｉｎ接合に於けるｐ型不純物拡散領域がｎ型不純
   物拡散領域に代替されていること を特徴とする請求項２記載の半導体受光装置。
6. （６）側路コンデンサとして作用するｐｉｎ接合に於け
   る逆方向耐圧はｐｉｎフォト・ダイオードとして動作す
   るｐｉｎ接合に於ける逆方向耐圧に比較して低いもので
   あること を特徴とする請求項２記載の半導体受光装置。
7. （７）側路コンデンサとして作用するｐｉｎ接合に於け
   る逆方向耐圧を低下させる為そのｐ型不純物拡散領域を
   少なくともｐｉｎフォト・ダイオードとして動作するｐ
   ｉｎ接合に於けるｐ型不純物拡散領域に比較してｎ側に
   近接するよう深く形成してなること を特徴とする請求項２記載の半導体受光装置。
8. （８）側路コンデンサとして作用するｐｉｎ接合に於け
   る逆方向耐圧を少なくともｐｉｎフォト・ダイオードと
   して動作するｐｉｎ接合に於ける逆方向耐圧に比較して
   低くするため基板表面にｐ型不純物拡散領域をｎ側に近
   接させる為の凹所が形成されてなること を特徴とする請求項２記載の半導体受光装置。