JPH0461285A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0461285A JPH0461285A JP2171525A JP17152590A JPH0461285A JP H0461285 A JPH0461285 A JP H0461285A JP 2171525 A JP2171525 A JP 2171525A JP 17152590 A JP17152590 A JP 17152590A JP H0461285 A JPH0461285 A JP H0461285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode film
- substrate
- order
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、光電変換素子の製造ノ）沫に関し、詳細には
、テクスチャー構造を備えた光主変換素ｆの製造方法に
係る。
、テクスチャー構造を備えた光主変換素ｆの製造方法に
係る。
口）従来の技術
光起電力装置、光センサ等の光電変換素子において、そ
の光電変換効率を向」ニさせるために、半導体膜中・＼
の入射光を散乱させる方法が取られている。具体的には
、透明幕机上に、透明電極膜上、゛を導体膜及び金属電
極膜をこの順に形成した構造の光＠変換素子にあっては
、特開昭５９−１２３２８３号トに形成される透明電極
表面を、工／チング等の手法を施すことによ−）て、テ
クスチャー構造（凹凸状）と−でいる。
の光電変換効率を向」ニさせるために、半導体膜中・＼
の入射光を散乱させる方法が取られている。具体的には
、透明幕机上に、透明電極膜上、゛を導体膜及び金属電
極膜をこの順に形成した構造の光＠変換素子にあっては
、特開昭５９−１２３２８３号トに形成される透明電極
表面を、工／チング等の手法を施すことによ−）て、テ
クスチャー構造（凹凸状）と−でいる。
一方、可撓性を有する光電変換素子〜を形成すべく、表
面に絶縁膜を形成したステンしス等の可撓性基板を用い
たしのが、特開昭５９−１．２４１．７５号公報等に記
載されている。このような光電変換素子においては、基
机の絶縁膜上に、金属電極膜上、半導体膜及び透明電極
膜上をこの順に形成するために、基机側と反り側から光
入射が行ｈｈる構成となる。２この場合、１述の如く、
半導体膜・＼の入射光の散乱を行わし、ぬるには、最後
に形成さｔする透明電極膜の表面をテクスチャー構造と
する必要がある。
面に絶縁膜を形成したステンしス等の可撓性基板を用い
たしのが、特開昭５９−１．２４１．７５号公報等に記
載されている。このような光電変換素子においては、基
机の絶縁膜上に、金属電極膜上、半導体膜及び透明電極
膜上をこの順に形成するために、基机側と反り側から光
入射が行ｈｈる構成となる。２この場合、１述の如く、
半導体膜・＼の入射光の散乱を行わし、ぬるには、最後
に形成さｔする透明電極膜の表面をテクスチャー構造と
する必要がある。
（ハ）発明が解決しようとする課趙
基板の反対側から光入射が行わｔしる構造の光電変換素
子においては、透明電極膜の表面をテクスチャー構造と
するに当って、既に形成されている金属電極膜や半導体
膜にダメージをり−える可能性があり、促−１・て、透
明電極膜り面を７クス（ヤー購造とするのは好ましくな
い。、 また、透明基板側から光入射をｉ″ｒ’ｒ ｌｌ１ｊ造
の光電変換素子にあっても、この表面に形成びれる透明
電極膜の表面をテクスチャー構造とするには、従来、基
板表面または透明電極膜表面をエンチング処理しており
、作業的に繁雑である。
子においては、透明電極膜の表面をテクスチャー構造と
するに当って、既に形成されている金属電極膜や半導体
膜にダメージをり−える可能性があり、促−１・て、透
明電極膜り面を７クス（ヤー購造とするのは好ましくな
い。、 また、透明基板側から光入射をｉ″ｒ’ｒ ｌｌ１ｊ造
の光電変換素子にあっても、この表面に形成びれる透明
電極膜の表面をテクスチャー構造とするには、従来、基
板表面または透明電極膜表面をエンチング処理しており
、作業的に繁雑である。
そこで、本発明の］］的は、光電変換素子の構造に関係
なく、簡単に透明電極膜表面をテクスチャー構造とする
ことにある。
なく、簡単に透明電極膜表面をテクスチャー構造とする
ことにある。
（＝）課題を解決するための１段
本発明の光を変換素子の製造力Ｊムは、基根十に、ポリ
イミド膜及び第１電極膜をこの順に積層形成して低１−
ｎ状態で加熱処理した後、上記、第１電極膜上１：、に
半導体膜及び第２電極膜上を積層形成することを特徴と
する。
イミド膜及び第１電極膜をこの順に積層形成して低１−
ｎ状態で加熱処理した後、上記、第１電極膜上１：、に
半導体膜及び第２電極膜上を積層形成することを特徴と
する。
（ホ）作用
本発明によれば、基板■、に、ポリイミド膜及び第１電
極膜をこの順に積層形成して低［ｆ状態で加熱処理する
ことにより、ポリイミド膜中かろ水素、酸素等の脱ガス
が生し、そトご、この脱力スは、ポリイミド膜内に閉（
Ｃ込められたままｌ−ｆ、″る２、よって、第１”［極
膜の表面がテクスチャー状態となり、その後、ｌ−２第
１屯極膜トに形成さｔｌ−る半導体膜及び第２電極膜の
表面もテクスチャー状態となる。
極膜をこの順に積層形成して低［ｆ状態で加熱処理する
ことにより、ポリイミド膜中かろ水素、酸素等の脱ガス
が生し、そトご、この脱力スは、ポリイミド膜内に閉（
Ｃ込められたままｌ−ｆ、″る２、よって、第１”［極
膜の表面がテクスチャー状態となり、その後、ｌ−２第
１屯極膜トに形成さｔｌ−る半導体膜及び第２電極膜の
表面もテクスチャー状態となる。
（へ）実施例
第１図（Ａ）乃〒第１図（１））は本発明の光電変換素
子の製造力Ｊ去を１稈順に・コクす断面図である。
子の製造力Ｊ去を１稈順に・コクす断面図である。
同図（Ａ、 ）の上程において、ステンレス等の可撓性
塞栓ＩＩに、スヒンニー ト法等により、寸（リイミド
膜２が形成され、更に、第１電極膜３どして、Ａ１．Ｔ
’ｉ等の金属膜が積層形成される、同図（Ｂ）の工程に
おいて、子連のようにしてボッイミド膜２及び第１電極
膜３が積層形成された基板１を、１． Ｘ １０−’丁
ａｒｒ以卜゛の圧力のチャンバー内に導入し、ランプヒ
ータ等を用いて基［１を；３００〜・３５０ ”Ｃに加
熱する。このような、所謂真空アニールを行うことによ
り、ポリイミド膜２中から水素、酸素等の脱ガスが生じ
るが、この脱ガスは、第１＠極膜３の存在によ−って外
部に逃げろｔｌオ、ポリイミド膜２内に閉し込められた
ままとなる。よ−っで、第１９極膜：３の表面は、同図
（Ｈ）Ｍ示すように、テクスチャー状態となる。
塞栓ＩＩに、スヒンニー ト法等により、寸（リイミド
膜２が形成され、更に、第１電極膜３どして、Ａ１．Ｔ
’ｉ等の金属膜が積層形成される、同図（Ｂ）の工程に
おいて、子連のようにしてボッイミド膜２及び第１電極
膜３が積層形成された基板１を、１． Ｘ １０−’丁
ａｒｒ以卜゛の圧力のチャンバー内に導入し、ランプヒ
ータ等を用いて基［１を；３００〜・３５０ ”Ｃに加
熱する。このような、所謂真空アニールを行うことによ
り、ポリイミド膜２中から水素、酸素等の脱ガスが生じ
るが、この脱ガスは、第１＠極膜３の存在によ−って外
部に逃げろｔｌオ、ポリイミド膜２内に閉し込められた
ままとなる。よ−っで、第１９極膜：３の表面は、同図
（Ｈ）Ｍ示すように、テクスチャー状態となる。
尚、基板１の温度が３００ ”Ｃより低い場合には、ポ
リイミド膜２からの脱ガス量が少なく、第１電極膜３の
表面はテクスチャー構造どならず、また、逆に３５０℃
より高い場合には、ボッイミド膜２からの脱ガス量が多
すぎて、適切なテクスチャー構造とならない。従って、
真空アニールにおける基板１の温度は、上述のように、
３０（）〜３５０℃の範囲とする。
リイミド膜２からの脱ガス量が少なく、第１電極膜３の
表面はテクスチャー構造どならず、また、逆に３５０℃
より高い場合には、ボッイミド膜２からの脱ガス量が多
すぎて、適切なテクスチャー構造とならない。従って、
真空アニールにおける基板１の温度は、上述のように、
３０（）〜３５０℃の範囲とする。
次に、同図（Ｃ）の工程において、第１電極膜上３１−
に、半導体膜４を形成する。この半導体膜・１は、原料
ガスとして５＋Ｈｉ、ＳｉＦ、等のシリコン化合物ガス
を用いたプラズマＣＶ Ｄ法や光ＣＶ Ｄ法等により形
成されるアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）、アモルフ
ァスシリコンカーバイド（ａ−５ｉＣ）等のアモルファ
ス半導体からなり、光電変換動作を行°）べく、膜面と
）１′行にｐｎ、ｐｉｎ等の半導体接合を看する。
に、半導体膜４を形成する。この半導体膜・１は、原料
ガスとして５＋Ｈｉ、ＳｉＦ、等のシリコン化合物ガス
を用いたプラズマＣＶ Ｄ法や光ＣＶ Ｄ法等により形
成されるアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）、アモルフ
ァスシリコンカーバイド（ａ−５ｉＣ）等のアモルファ
ス半導体からなり、光電変換動作を行°）べく、膜面と
）１′行にｐｎ、ｐｉｎ等の半導体接合を看する。
最後に、同図（Ｉ））のＬ稈において、半導体膜）上に
、第２電極膜５として、ＩＴＯ５ＳｎＯ、等の透光性導
電酸化物（ＴＣＯ）からなる透明電極膜が形成される。
、第２電極膜５として、ＩＴＯ５ＳｎＯ、等の透光性導
電酸化物（ＴＣＯ）からなる透明電極膜が形成される。
以−Ｌの方、去により製造さｔｌた光電変換素子は。
第１電極咬３の表面がテクスチャー構造となっているた
め、この影響を受けて、この第１電極膜上；３上に順に
積層形成される半導体膜４及び第２電極摸５の表面もテ
クスチャー構造となる。よ−ンて、第２＠極膜５側から
照射される光は、第２電極膜上５にて散乱されて半導体
膜４中に入射される。
め、この影響を受けて、この第１電極膜上；３上に順に
積層形成される半導体膜４及び第２電極摸５の表面もテ
クスチャー構造となる。よ−ンて、第２＠極膜５側から
照射される光は、第２電極膜上５にて散乱されて半導体
膜４中に入射される。
（トヘ発明の効果
本発明によれば、基板上に、ボッイミド膜及び第１電極
膜をこの順に積層形成した後、低１１（状態で加熱処理
することによって、第１電極膜上表面がテクスチャー構
造となり、よ−）て、その後に十記第１電極膜Ｆに積層
形成される半導体膜及び第２＠、極膜の表面を、容易に
テクスチャー構造とすることができる。従って、半導体
膜中に光が散乱して入射ト、て尤の口及収２ＩＪ）！＋
が増大：、出力特性が向 干する。。
膜をこの順に積層形成した後、低１１（状態で加熱処理
することによって、第１電極膜上表面がテクスチャー構
造となり、よ−）て、その後に十記第１電極膜Ｆに積層
形成される半導体膜及び第２＠、極膜の表面を、容易に
テクスチャー構造とすることができる。従って、半導体
膜中に光が散乱して入射ト、て尤の口及収２ＩＪ）！＋
が増大：、出力特性が向 干する。。
第１図
第１図＜Ａ、）乃至（Ｄ Ｇよ、
本発明の製造力１人を１゛
稈、順に７１にす断面図である４、
出ｉ１オへ
−）Ｖ電機株式会社
Claims (1)
- （１）基板上に、ポリイミド膜及び第１電極膜をこの順
に積層形成して低圧状態で加熱処理した後、上記第１電
極膜上に半導体膜及び第２電極膜を積層形成することを
特徴とする光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171525A JPH0750794B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171525A JPH0750794B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461285A true JPH0461285A (ja) | 1992-02-27 |
| JPH0750794B2 JPH0750794B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=15924737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2171525A Expired - Fee Related JPH0750794B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750794B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367281A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Sharp Corp | 光起電力装置 |
| WO2010038482A1 (ja) | 2008-10-03 | 2010-04-08 | 凸版印刷株式会社 | 太陽電池モジュール |
| CN102272944A (zh) * | 2009-05-06 | 2011-12-07 | 薄膜硅公司 | 光伏电池和提高半导体层堆叠中的光俘获的方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101681940B (zh) | 2007-05-23 | 2011-05-04 | 帝人杜邦薄膜日本有限公司 | 太阳能电池基材用多层膜 |
| AU2009209886B2 (en) | 2008-01-31 | 2014-03-20 | Teijin Dupont Films Japan Limited | Solar battery base |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP2171525A patent/JPH0750794B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367281A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Sharp Corp | 光起電力装置 |
| WO2010038482A1 (ja) | 2008-10-03 | 2010-04-08 | 凸版印刷株式会社 | 太陽電池モジュール |
| CN102272944A (zh) * | 2009-05-06 | 2011-12-07 | 薄膜硅公司 | 光伏电池和提高半导体层堆叠中的光俘获的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750794B2 (ja) | 1995-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59201471A (ja) | 光電変換半導体装置 | |
| KR20120080583A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조방법 | |
| JP2011091100A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| RU2456709C2 (ru) | Солнечный элемент и способ и аппарат для его изготовления | |
| JP2012253356A (ja) | ブリスターを伴わずにシリコン表面をパッシベーションする方法 | |
| CN107408600A (zh) | 用于太阳能电池的发射极层的沉积方法 | |
| JPH04355973A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0461285A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPS60186066A (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法 | |
| TW201818560A (zh) | 矽材料之加工方法 | |
| EP0361481A2 (en) | Method of stabilizing amorphous semiconductors | |
| JP2014075418A (ja) | 太陽電池用シリコン基板及びその製造方法、並びに太陽電池 | |
| JPS6231834B2 (ja) | ||
| KR20140021959A (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| KR100552957B1 (ko) | 효율이 개선된 태양전지 및 메탈입자를 이용한 그의제조방법 | |
| TW201027768A (en) | Manufacturing method of solar battery, etching device and CVD device | |
| Li et al. | Facile fabrication of Si nanowire arrays for solar cell application | |
| JPS6193672A (ja) | 光起電力装置 | |
| WO2009131115A1 (ja) | 太陽電池の製造方法，太陽電池の製造装置，及び太陽電池 | |
| JP2001223379A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2010140935A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPH0294631A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| Rohatgi et al. | Implementation of rapid thermal processing to achieve greater than 15% efficient screen-printed ribbon silicon solar cells | |
| JPH06120534A (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| TW202220229A (zh) | 太陽能電池之鈍化層的退火方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |