JPH046101A - 窒化アルミニウムの製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウムの製造方法

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JPH046101A
JPH046101A JP10776090A JP10776090A JPH046101A JP H046101 A JPH046101 A JP H046101A JP 10776090 A JP10776090 A JP 10776090A JP 10776090 A JP10776090 A JP 10776090A JP H046101 A JPH046101 A JP H046101A
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JP
Japan
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aluminum
gas
halogen
react
aluminum nitride
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JP10776090A
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English (en)
Inventor
Akio Fuwa
不破 章雄
Kazuhiro Sakai
一弘 堺
Katsumi Ogi
勝実 小木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は窒化アルミニウム粉末の製造方法に関する。
窒化アルミニウムセラミックスは、理論的には酸化ベリ
リウムに匹敵する高い熱伝導性を有し、高熱伝導絶縁材
料として、特に近年集積回路の緻密化の故に起こる温度
上昇を解消するための基板材料として注目されている。
〔従来技術とその問題点〕
窒化アルミニウムの合成法としては、1)アルミナと炭
素の混合物を窒素またはアンモニア雰囲気中で焼成する
還元窒化法、2)金属アルミニウムを窒素またはアンモ
ニアで窒化する直接窒化法、3)三塩化アルミニウム、
三臭化アルミニウムまたは両者の混合物をアンモニアガ
スを反応させる気相反応法、が提案され、比較的最近、
4)三塩化アルミニウムと金属アルミニウムの反応によ
って窒化されやすい一塩化アルミニウムを生成させ、こ
れを窒素またはアンモニアと反応させる方法(特開平1
−157410)が提案された。
還元窒化法は、還元と炭素の除去を完全に行うことが困
難であり、また1600℃以上の温度を必要であり、最
終的に1%程度のアルミナと炭素を含むものしか得られ
ない。
直接窒化法では、アルミニウムの表面に一旦窒化物層が
形成されると1反応は進行せず、未反応のアルミニウム
が残る、等の不利がある。
気相反応法は、比較的純粋な窒化アルミニウムが得られ
るが、吸湿性の固体である三塩化アルミニウムまたは三
臭化アルミニウムを原料とするためそれらを装置の装入
ホッパーに供給する際に空気中の水分と反応し、取扱が
難しいという問題がある。
第4の方法においても、未反応の三塩化アルミニウムが
残存し、これの回収に問題がある。
〔問題の解決に係る知見〕
本発明者等は、金属アルミニウムとハロゲンガスが反応
させる場合に、低級ハロゲン化物(サブハライド)が優
先的に生成する条件があることを見出し、該条件下に生
成した気相ハロゲン化アルミニウム混合物を窒素または
アンモニアガスと反応させることにより、また乾燥、脱
水の容易な金属アルミニウム、ハロゲンガスを原料とす
ることにより、不純物としてアルミナや炭素を含まない
高純度の窒化アルミニウムを高収率で得られることを見
出した。
〔発明の構成〕
本発明は、低級ハロゲン化物を含むハロゲン化アルミニ
ウム蒸気と窒素またはアンモニアガスとを気相で反応さ
せて窒化アルミニウムを得る方法において、ハロゲンと
金属アルミニウムを2.3:5.1未満のモル比で反応
させることによって得られるアルミニウムハロゲン化物
混合物を出発物質として使用することを特徴とする方法
を提供する。
本発明の方法において、低級ハロゲン化物とは一ハロゲ
ン化アルミニウムおよびニハロゲン化アルミニウムであ
る。
本発明の方法において、ハロゲンとアルミニウムは2.
35 : 1未満のモル比で使用される。本発明の方法
において、使用されるハロゲンは実質的には臭素と塩素
およびフッ素であるが、実用上は塩素が好適である。
発明の方法は好適には、第1反応帯域において溶融金属
アルミニウムとハロゲン蒸気を反応させ。
このようにして生成した低級ハロゲン化物を含むハロゲ
ン化物混合物を第2反応帯域において窒素ガスまたはア
ンモニアガスを接触させる。
溶融金属アルミニウムとハロゲン蒸気を接触させる温度
は好ましくは、730℃以上である。これ以下の温度で
は、生成物中の三ハロゲン化アルミニウムの割合が高く
なって、窒化アルミニウムの収率が低下する。
本発明の方法の窒化反応において、N:AQ比は1以上
であることが好ましい。1未満では、窒化反応が不完全
で未反応のハロゲン化物が残存する。
本発明の方法によれば、不純物としてのアルミナや炭素
の少ない高純度の半導体基板に適する焼結体製造用の窒
化アルミニウムを製造することができる。
〔発明の具体的開示〕
以下本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例1 第1図に示すように、長さ1000mm、直径50ny
nの管状電気炉のアルミナ製炉心管を、第1、第2の2
帯域に温度制御できるようにし、ガス導入側を第1反応
帯域として直径25anのアルミナ製の小径管を第1帯
域に挿入して二重構造とし、残りのガス排出側を第2反
応帯域とした。この炉の第1反応帯域の入り口において
、小径管に塩素導入口を、炉心管の小径管の外側位置に
アンモニアガスの導入口を設けた。他端は統一排出口と
して集塵器に連結し、排気はガス捕集装置に連結した。
金属アルミニウム30gをアルミナ製ボートに入れて小
径管に装入し、小径管内に塩素ガスを100m12/m
inで流し、外側炉心管内にアンモニアガスを200m
Ω/filinで流した。第1.第1反応帯域とも83
0℃に加熱した。
アンモニアガスを流す前に、炉心管の排出ガス(第1反
応帯域の生成物)を液体窒素トラップで捕集して分析し
たが、塩素とアルミニウムの成分比は2.07であった
アンモニアガスを流すと粉末物質を生成し、それは集塵
器に捕集されたが、これには塩化アンモニウムと未反応
塩化アルミニウムが混入していると考えられるので、空
気中で500℃に加熱してこれを除去した。
残った粉末は白色であり、X線回折分析により、Afl
N単相であることが確認された。
さらに、アンモニウムガスを流した後の金属アルミニウ
ムの重量減少と、得られたiN中のAQ量より収率を求
めたところ、50%であった。
実施例2〜5 実施例1に記した装置を用いて、第1表に示す条件で実
験を行った。結果を第2表に示す。
表 ポリオキシエチレンソ 4 ルビタンモノラウレート 90.8 比較例1 実施例1における金属アルミニウムと塩素ガスの替わり
に、耐熱ガラス容器で150℃に加熱した三塩化アルミ
ニウムにキャリアーガスとしてArを100mg/mi
nで通気して得られる混合ガスを第1反応帯域に導入し
、その他の条件は実施例1と同様に実験を行った。第1
反応帯域におけるCQlAQ比は3.0であり、X線回
折分析の結果はAQNであったが、収率は20%であっ
た。
比較例2 第1反応帯域の小径管内に実施例1と同じように金属ア
ルミニウムを装入した以外は比較例1と同様に反応させ
た。第1反応帯域におけるCQlAQ比は2.57であ
り、X線回折分析の結果はAQNであったが収率は38
%であった。
【図面の簡単な説明】
添付第1図は本発明の方法を実施する装置の一−例の構
造を示す概念図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、低級ハロゲン化物を含むハロゲン化アルミニウム蒸
    気と窒素またはアンモニアガスとを気相で反応させて窒
    化アルミニウムを得る方法において、ハロゲンと金属ア
    ルミニウムを2.35:1未満のモル比で反応させるこ
    とによって得られるアルミニウムハロゲン化物混合物を
    出発物質として使用することを特徴とする方法。 2、請求項1に記載の方法であって、ハロゲンが臭素、
    塩素またはフッ素である方法。 3、請求項2に記載の方法であって、ハロゲンが塩素で
    ある方法。 4、請求項1に記載の方法であって、その窒化反応をN
    :Alモル比1以上で行うことを特徴とする方法。
JP10776090A 1990-04-24 1990-04-24 窒化アルミニウムの製造方法 Pending JPH046101A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005022960A (ja) * 2003-06-09 2005-01-27 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 非酸化物系粒子の製造方法

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