JPH0458547A - 半導体ウエハーのダイシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハーのダイシング方法、特にフルカ
ントダイシング方法に関する。

半導体デバイスを製造する際、異物の付着や汚染のない
ことが重要であり、本発明は異物の付着のないダイシン
グ方法に関している。

３、発明の詳細な説明 〔概　要］ フルカットダイシング方法に関し、 ウェハー背面の破砕片を除去することを目的とし、 ウェハー背面を第１テープに接着させてウェハ〔従来の
技術〕 周知のように、半導体デバイスは半導体ウェハー（以下
、ウェハーと呼ぶ）に多数のＩＣ素子を形成し、それを
分割して半導体チップを作成している。このように、ウ
ェハーを半導体チップに分割する方法をダイシング（Ｄ
ｉｃｉｎｇ）方法と称しており、初期にはダイヤモンド
ポイントによって傷を入れて破断するスクライビング法
が用いられたが、現在は回転ブレード（ｂｌａｄｅ）に
よるフルカットダイシングが主流になっている。回転ブ
レードは刃先にダイヤモンド粉を埋め込んだ回転刃で、
フルカットダイシングはウェハーの厚さ方向に完全に分
断することであり、このようなダイシング法は結晶方位
に依存しない、歪みが少ない１厚みに限定されない等の
利点がある。

第２図はウェハーのダイシングラインを示す図で、記号
１はウェハー　２はダイシングラインを示し、通常、図
示のように基盤目状にダイシングして、ダイス状の半導
体チップを得ている。

第３図は従来のダイシング方法を示す図であり、本図は
断面図で、記号１はウェハー、２はダイシングライン、
３はＵＶテープ、４はテーブル、５はフレーム（テープ
保持枠）、６は回転ブレードを示している。フレーム５
に保持されたＵＶテープ３にウェハー１のウェハー背面
ＩＢを接着して、このＵＶテープ３をテーブル４に真空
チャッキングする。そして、回転ブレード６を所定のダ
イシングライン２に合わせて、ウェハー主面ＩＳから力
・ンティングするが、そのとき、Ｕ■テープ３０半分程
度まで切断するようにして、ウェハー１を完全に切断す
る。

しかる後、ＵＶテープ３にウェハー背面ＩＢ　（第３図
の下部）からｔＪＶ光（遠紫外光）を照射する。

そうすると、テープの粘着力が低下して、ＵＶテープ３
から半導体チップが剥がれ易くなり、その後、半導体チ
ップをピックアップして次工程（検査やダイス付けの工
程うに移動させる。この時、テープの粘着力はＵＶ光照
射によって約１７５０に低下する。

以上が従来のダイシング法の概要である。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記した従来のダイシング方法において、回
転ブレード６によってウェハー１をフルカットダイシン
グ（完全に切断するダイシング）した際、ＵＶテープ３
に接着しているウェハー背面ＩＢでは、その先端乙こ細
かい破砕片（チッピング；　ｃｈｉｐｉｎｇ）が生じる
。これは回転ブレードの振動によって先端で破砕片が発
生すると考えられるが、一方、このウェハー背面ＩＢに
は金蒸着などのメタル処理がおこなわれており、そのメ
タルは柔軟性があるために破砕片がメタルに保持、また
は付着して不安定な保持状態になっている。次に、その
破砕片が組立工程で脱落して主面ＩＳに付着したり、ま
た、既に脱落してウェハー主面１５４こ付着していた破
砕片が半導体デバイスの完成品となった後に、配線をシ
ョートさせるなどの障害を惹き起こすようになる。

そのために、その破砕片（背面パリともいう）を目視し
て除去する検査作業がおこなわれているが、目視検査は
多大の工数を要し、また、検査ミスによる障害を皆無に
することも困難である。

本発明はこのような問題点をなくするために、ウェハー
背面の破砕片（チッピング）を除去することを目的とし
たダイシング方法を提案するものである。

〔課題を解決するための手段〕

その課題は、ウェハー背面を第１テープに接着させてウ
ェハーを保持し、回転ブレードによってウェハー主面よ
りフルカットダイシングする工程と、 次いで、逆にウェハー主面に第２テープを接着させてウ
ェハーを保持し、刃の厚い第２回転ブレードによって前
記ウェハー背面の表面を削り取る工程が含まれるダイシ
ング方法によって解決される。

〔作　用〕

即ち、本発明はフルカットダイシングした後、不安定に
保持されている破砕片を完全に取り除くために刃の厚い
第２回転ブレードによってウェハー背面を表面のみ僅か
に切削する。

そうすれば、破砕片の付着による製造歩留の低下や完成
品の障害をなくすることができる。

〔実　施　例〕

以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明にかかるダイシング方法
の工程順断面図を示しており、順を追って説明すると、 第１図（ａ）参照；従来法と同様に、フレーム５に保持
したＵＶテープ３にウェハー１のウェハー背面ＩＢを接
着し、これをテーブル（図示せず）にチャッキングする
。そして、回転ブレード６をダイシングライン２に合わ
せで、ウェハー主面ＩＳからフルカットダイシングする
。そのとき、ＵＶテープ３０半分程度まで切断する。例
えば、ウェハー１はロ径５インチφ、厚み６００μｍ程
度の大きさのもので、回転ブレード６の刃の厚みは６０
μｍ程度のものである。

しかる後、ＵＶテープ３にウェハー背面ＩＢからＵＶ光
（遠紫外光）を照射して、テープの粘着力を低下させる
。

第１図（ｂ）参照；次いで、第２フレーム１５に保持し
た第２ＵＶテープ１３をＬＩＶテープ３に接着させてい
るウェハー１の上に下向きにして載せ、ウェハー主面Ｉ
Ｓを第２ＵＶテープ１３に接着させる。

第１図（Ｃ）参照；次いで、ウェハー背面ＩＢから粘着
力の落ちたＵＶテープ３を剥がして、第２フレーム１５
に保持した第２ＵＶテープ１３にウェハー主面ＩＳを接
着させてウェハー１を支持する。

第１図（ｄ）参照−次いで、図のように、ウェハーを支
持した第２ＵＶテープ１３を上向きに裏返し、ウェハー
１の露出したウェハー背面ＩＢをダイシングライン２に
沿って刃の厚い第２回転ブレード１６によってウェハー
背面ＩＢの表面を削る。図中の１２が切削部を示してお
り、第２回転ブレード１６の刃厚は３００　ｕ　ｍ程度
のもの、削る深さは２０〜３０μｍ程度にする。

以鋒は図示していないが、要するならば再び第２ｔＪＶ
テープ１３にＵＶ光を照射して、テープの粘着力を低下
させておき、第１図（ｂ）に説明したように、フレーム
５に保持したＵ　Ｖチー１３にウェハー背面ＩＢを接着
させて、ウェハー１のウェハー主面ＩＳを表出させる。

上記のようにして、ウェハー背面１Ｂのダイシングライ
ンの表面を薄く削り取れば、破砕片をほぼ皆無にするこ
とができる。且つ、このように、２回に亙るダイシング
処理をおこなっても、目視検査に比較すると作業工数は
低減され、しかも、半導体デバイスの完成品（製品）を
高信顛化させることができ、その高僧転化の効果は大き
いものである。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明によるダイシン
グ方法によれば破砕片をほぼ完全に除去することができ
て、従来の破砕片付着による製造歩留の低下や完成品の
障害を減少させ、半導体デバイスのコストダウン、信頼
性向上に大きく寄与するものである。

第２図はウェハーのダイシングラインを示す図、第３図
は従来のダイシング方法を示す図である。

図において、 １はウェハー ３はＵ■テープ、 ５はフレーム、 １２は切削部、 １３は第２ＵＶテープ、 １６は第２回転ブレード、 ＩＳはウェハー主面、 を示している。

２はダイシングライン、 ４はチーフル、 ６は回転ブレード、 １５は第２フレーム、 １Ｂはウェハー背面

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明にかかるダイシング方法
の工程順断面図、 浸卒明１：Ｄ＃−）り４シ）７幻しぼ科傾新面図ウェハ
ー／１７゛°イＥ−＞　、；’−ライシモネ７ｆｆｉ＠
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　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　ウエハー背面を第１テープに接着させてウエハーを保
   持し、回転ブレードによってウエハー主面よりフルカッ
   トダイシングする工程と、 次いで、逆にウエハー主面に第２テープを接着させてウ
   エハーを保持し、刃の厚い第２回転ブレードによって前
   記ウエハー背面の表面を削り取る工程が含まれてなるこ
   とを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。