JPH0456978B2 - - Google Patents
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- JPH0456978B2 JPH0456978B2 JP60022142A JP2214285A JPH0456978B2 JP H0456978 B2 JPH0456978 B2 JP H0456978B2 JP 60022142 A JP60022142 A JP 60022142A JP 2214285 A JP2214285 A JP 2214285A JP H0456978 B2 JPH0456978 B2 JP H0456978B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
-
- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放射感応性を有し、酸素プラズマに
より現象可能なレジストを得る方法に関するもの
で、この方法により、溶剤による現像の必要がな
くなり、高解像度の、１ミクロンより小さい陰画
像を得ることができる。
より現象可能なレジストを得る方法に関するもの
で、この方法により、溶剤による現像の必要がな
くなり、高解像度の、１ミクロンより小さい陰画
像を得ることができる。
(1)遮蔽（マスキング）された官能基を有する重
合体の皮膜により基板を被覆し、(2)上記皮膜を放
射線に露出して、露光部分の遮蔽された官能基を
解放し、(3)露光した皮膜を反応性有機金属試薬で
処理し、(4)酸素プラズマ・エツチングによりレリ
ーフ像を現像することによつて高解像度の陰画レ
ジスト像を形成する。
合体の皮膜により基板を被覆し、(2)上記皮膜を放
射線に露出して、露光部分の遮蔽された官能基を
解放し、(3)露光した皮膜を反応性有機金属試薬で
処理し、(4)酸素プラズマ・エツチングによりレリ
ーフ像を現像することによつて高解像度の陰画レ
ジスト像を形成する。
特開昭59−45439号明細書には、本発明の方法
に特に有用な重合体および増感剤が記載されてい
る。
に特に有用な重合体および増感剤が記載されてい
る。
米国特許第4307178号、第4389482号、および第
4396704号明細書には、陰画レジスト像の現像に
酸素プラズマを使用する方法が開示されている。
しかしながら、使用する原材料は明らかに本発明
に使用するものとは異なり、工程も異なつてい
る。
4396704号明細書には、陰画レジスト像の現像に
酸素プラズマを使用する方法が開示されている。
しかしながら、使用する原材料は明らかに本発明
に使用するものとは異なり、工程も異なつてい
る。
米国特許第4307177号明細書には、増感剤とし
てオニウム塩を使用することが記載されている
が、同特許には、本発明の工程については全く教
示していない。
てオニウム塩を使用することが記載されている
が、同特許には、本発明の工程については全く教
示していない。
従来の方法では、溶剤による現像を用いずに、
サブミクロンのレベルの高解像度の陰画像を達成
できなかつた。これを解決するのが本発明の目的
である。
サブミクロンのレベルの高解像度の陰画像を達成
できなかつた。これを解決するのが本発明の目的
である。
本発明によれば、下記の工程を行うことによ
り、陰画レジスト像が生成される。
り、陰画レジスト像が生成される。
(1) 基板に遮蔽された官能基を有する重合体の皮
膜をコーテイングする。
膜をコーテイングする。
(2) 上記の皮膜を像放射線に露出した後、露光部
分の遮蔽基が除去されて、反応性の官能基を解
放するように処理する。
分の遮蔽基が除去されて、反応性の官能基を解
放するように処理する。
(3) 次に皮膜を適当な有機金属試薬に接触させ
る。この試薬は、遮蔽されていない重合体の官
能基と反応するよう選択したもので、不揮発性
酸化物を生成するシリコンまたはすず等の元素
を含有するものである。
る。この試薬は、遮蔽されていない重合体の官
能基と反応するよう選択したもので、不揮発性
酸化物を生成するシリコンまたはすず等の元素
を含有するものである。
(4) 次に皮膜を酸素プラズマ雰囲気中に置く。皮
膜の露光しない部分は、この酸素プラズマ処理
によりエツチングされるが、露光した部分はエ
ツチングされない。この結果、高解像度の陰画
レリーフ像が得られる。
膜の露光しない部分は、この酸素プラズマ処理
によりエツチングされるが、露光した部分はエ
ツチングされない。この結果、高解像度の陰画
レリーフ像が得られる。
本発明に用いた方法は、従来技術による陰画レ
ジスト法と比べて、いくつかの明白な予測しない
利点を有する。第一に、この方法は、溶剤による
現像工程を必要とせず、したがつて簡単であり、
使用に際し、環境保全上の問題がないという利点
がある。本法は、極めて低い照射量で、かつ広範
囲の波長のものを使用することができることが示
されている。これらの波長には、Ｘ線、電子線、
220−450nmの紫外線が含まれるが、これらに限
定するものではない。本法により得られた像は、
断面が垂直の壁となり、規定の方法で処理した場
合、露光部分の厚みの損失が極めて少い。
ジスト法と比べて、いくつかの明白な予測しない
利点を有する。第一に、この方法は、溶剤による
現像工程を必要とせず、したがつて簡単であり、
使用に際し、環境保全上の問題がないという利点
がある。本法は、極めて低い照射量で、かつ広範
囲の波長のものを使用することができることが示
されている。これらの波長には、Ｘ線、電子線、
220−450nmの紫外線が含まれるが、これらに限
定するものではない。本法により得られた像は、
断面が垂直の壁となり、規定の方法で処理した場
合、露光部分の厚みの損失が極めて少い。
本発明に用いる組成は、数種類の形態を有す
る。一実施例では、遮蔽基は照射により直接除去
される。このようにして遮蔽を解除された官能基
は、数種の有機金属試薬に対して反応性を有する
が、遮蔽された重合体は反応性がない。かかる材
料には、たとえば、ポリ（ｐ−フオルミルオキシ
スチレン）、およびｐ−フオルミルオキシスチレ
ンから製した共重合体があるが、これらに限定す
るものではない。第二の実施例では、処方は、酸
と反応し易い保護基により遮蔽された反応性の官
能基を含有する重合体と、照射により酸を生成す
る物質とからなる。かかる系では、露光、または
露光後加熱することにより、反応性の官能基の遮
蔽を解除する。このような重合体には、ポリ（ｔ
−ブチルメタクリレート）、ポリ（ｔ−ブチルオ
キシカルボニルオキシスチレン）、およびｔ−ブ
チルメタクリレートまたはｔ−ブチルオキシカル
ボニルオキシスチレンの共重合体があるが、これ
らに限定するものではない。露光により酸を生成
する材料の例は周知のものであり、各種のオニウ
ム塩およびハロアルカンがある。
る。一実施例では、遮蔽基は照射により直接除去
される。このようにして遮蔽を解除された官能基
は、数種の有機金属試薬に対して反応性を有する
が、遮蔽された重合体は反応性がない。かかる材
料には、たとえば、ポリ（ｐ−フオルミルオキシ
スチレン）、およびｐ−フオルミルオキシスチレ
ンから製した共重合体があるが、これらに限定す
るものではない。第二の実施例では、処方は、酸
と反応し易い保護基により遮蔽された反応性の官
能基を含有する重合体と、照射により酸を生成す
る物質とからなる。かかる系では、露光、または
露光後加熱することにより、反応性の官能基の遮
蔽を解除する。このような重合体には、ポリ（ｔ
−ブチルメタクリレート）、ポリ（ｔ−ブチルオ
キシカルボニルオキシスチレン）、およびｔ−ブ
チルメタクリレートまたはｔ−ブチルオキシカル
ボニルオキシスチレンの共重合体があるが、これ
らに限定するものではない。露光により酸を生成
する材料の例は周知のものであり、各種のオニウ
ム塩およびハロアルカンがある。
遮蔽されていない側鎖の官能基と選択的に反応
する有機金属試薬は周知のもので、広範囲の容易
に得られる有機金属試薬を本法に使用することが
できる。これらには、たとえばトリメチルスタニ
ル・クロライド、ヘキサメチルジシラザン、トリ
メチルシリル・クロライド等があるが、これらに
限定するものではない。これらの試薬は、適当な
溶剤に溶解し、または気相で使用することがで
き、−COOH、−OH、−NH2等の遮蔽されない官
能基と反応する。
する有機金属試薬は周知のもので、広範囲の容易
に得られる有機金属試薬を本法に使用することが
できる。これらには、たとえばトリメチルスタニ
ル・クロライド、ヘキサメチルジシラザン、トリ
メチルシリル・クロライド等があるが、これらに
限定するものではない。これらの試薬は、適当な
溶剤に溶解し、または気相で使用することがで
き、−COOH、−OH、−NH2等の遮蔽されない官
能基と反応する。
レリーフ像の現像には、従来の方法で行われる
酸素プラズマ、またはイオンエツチング技術を用
いる。
酸素プラズマ、またはイオンエツチング技術を用
いる。
本発明に使用するのに好ましい重合体は、重合
体の主鎖につながつた酸と反応し易い基を有する
ものであり、特にこの基がカルボン酸または炭酸
のエステルであることが好ましい。この種の重合
体は、上記の特開昭59−45439号明細書に記載さ
れている。同明細書にはまた、本発明で使用する
のに最も好ましいオニウム増感剤も記載されてい
る。これらの増感剤には、ジアリールヨードニウ
ム塩、トリアリールスルホニウム塩、および置換
アリールジアゾニウム塩が含まれる。最も好まし
い塩の対陰イオンは、テトラフルオロホウ酸塩、
ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ヘキサフルオロ
ヒ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩等の、ハロゲン
化金属の錯体である。一般に、増感剤のオニウム
塩は、重合体中に約１ないし100重量％含まれる。
体の主鎖につながつた酸と反応し易い基を有する
ものであり、特にこの基がカルボン酸または炭酸
のエステルであることが好ましい。この種の重合
体は、上記の特開昭59−45439号明細書に記載さ
れている。同明細書にはまた、本発明で使用する
のに最も好ましいオニウム増感剤も記載されてい
る。これらの増感剤には、ジアリールヨードニウ
ム塩、トリアリールスルホニウム塩、および置換
アリールジアゾニウム塩が含まれる。最も好まし
い塩の対陰イオンは、テトラフルオロホウ酸塩、
ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ヘキサフルオロ
ヒ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩等の、ハロゲン
化金属の錯体である。一般に、増感剤のオニウム
塩は、重合体中に約１ないし100重量％含まれる。
本発明に使用する好ましい有機金属化合物は、
遮蔽されていない側鎖の官能基と反応するもので
ある。特に好ましいものとして、周知のシリル化
試薬があり、適当なものを使用することができ
る。好ましい試薬として、ヘキサメチルジシリザ
ン（HMDS）があげられる。
遮蔽されていない側鎖の官能基と反応するもので
ある。特に好ましいものとして、周知のシリル化
試薬があり、適当なものを使用することができ
る。好ましい試薬として、ヘキサメチルジシリザ
ン（HMDS）があげられる。
本発明の一実施例では、オニウム塩を添加して
増感した重合体の薄膜を、増感する必要のない有
機重合体の厚い膜の上塗りとして使用する。（厚
い膜はシリコン等の基板上に設ける。）一般に、
増感した上塗り用の薄膜の厚みは約１ミクロン、
下地の膜の厚みは約４−６ミクロンである。この
ようにして、アスペクト比の高いレリーフ像が、
通常の有機皮膜中に生成する。
増感した重合体の薄膜を、増感する必要のない有
機重合体の厚い膜の上塗りとして使用する。（厚
い膜はシリコン等の基板上に設ける。）一般に、
増感した上塗り用の薄膜の厚みは約１ミクロン、
下地の膜の厚みは約４−６ミクロンである。この
ようにして、アスペクト比の高いレリーフ像が、
通常の有機皮膜中に生成する。
本発明の他の実施例では、薄膜組成中に染料を
添加する。この目的に有用な染料には、たとえば
多環式芳香族化合物およびその誘導体がある。パ
ーリエンは特に有用な染料である。
添加する。この目的に有用な染料には、たとえば
多環式芳香族化合物およびその誘導体がある。パ
ーリエンは特に有用な染料である。
酸素反応イオン・エツチングを用いた現像工程
を、従来の方法により行う。
を、従来の方法により行う。
好ましい実施例
酢酸メチル・セロソルブに溶解したトリフエニ
ルスルホニウムのヘキサフルオロヒ酸塩（全固形
分の18.5％）を含むパラ−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシスチレン（PBOCS）の厚み１ミクロン
の皮膜をシリコンウエーハ上にスピン・コート
し、100℃で30分間予備焼付けを行つた。この皮
膜を、マスクを通して254nmの放射（照射量
14.4mj／cm2または5.0mj／cm2）に露光し、100℃で
30分間焼付けた後、真空オーブン中で85℃
（0.2mmHｇ）で１時間乾燥した。窒素中でオー
ブンを開き、10mlのヘキサメチルジシラザン
（HMDS）を入れた50mlビーカをオーブン中に置
いた。オーブンから空気を除去し、窒素を満たし
た後、減圧にしてHMDSを蒸発させた。ウエー
ハを85℃でHMDS蒸気中に１時間放置した後、
Tegalの平行板エツチング装置中に移した。これ
をO2−RIE（100ワツト高周波、50mTorr、
10sccmO2）で80分間乾式現像して、レリーフ像
を得た。RIE現像後、処理したウエーハは、緩衝
HF希薄溶液に浸漬し、次に水で洗滌した。この
方法により生成したレリーフ像は、断面が垂直の
壁を有し、高解像度を示した。
ルスルホニウムのヘキサフルオロヒ酸塩（全固形
分の18.5％）を含むパラ−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシスチレン（PBOCS）の厚み１ミクロン
の皮膜をシリコンウエーハ上にスピン・コート
し、100℃で30分間予備焼付けを行つた。この皮
膜を、マスクを通して254nmの放射（照射量
14.4mj／cm2または5.0mj／cm2）に露光し、100℃で
30分間焼付けた後、真空オーブン中で85℃
（0.2mmHｇ）で１時間乾燥した。窒素中でオー
ブンを開き、10mlのヘキサメチルジシラザン
（HMDS）を入れた50mlビーカをオーブン中に置
いた。オーブンから空気を除去し、窒素を満たし
た後、減圧にしてHMDSを蒸発させた。ウエー
ハを85℃でHMDS蒸気中に１時間放置した後、
Tegalの平行板エツチング装置中に移した。これ
をO2−RIE（100ワツト高周波、50mTorr、
10sccmO2）で80分間乾式現像して、レリーフ像
を得た。RIE現像後、処理したウエーハは、緩衝
HF希薄溶液に浸漬し、次に水で洗滌した。この
方法により生成したレリーフ像は、断面が垂直の
壁を有し、高解像度を示した。
本発明の方法は、従来のような溶剤による現像
工程を必要せず、且つ高解像度の陰画像を得るこ
とができる。
工程を必要せず、且つ高解像度の陰画像を得るこ
とができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機金属試薬と反応して不揮発性酸化物を生
成する官能基を有する重合体であつて、未露光で
は上記官能基を遮蔽し露光されると遊離して該遮
蔽を解除する遮蔽基を有する重合体の皮膜により
基板を被覆し、 ２ 上記被覆された基板を選択的に露光して露光
部分の上記官能基の遮蔽を解除し、 ３ 上記遮蔽の解除された官能基と上記有機金属
試薬を反応させるべく、上記露光された基板を上
記有機金属試薬で処理し、上記不揮発性酸化物を
生成し、 ４ 酸素プラズマにより現像することを含む、陰
画レジスト像を生成する方法。
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|---|---|---|---|
| US609690 | 1984-05-14 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60241225A JPS60241225A (ja) | 1985-11-30 |
| JPH0456978B2 true JPH0456978B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=24441898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60022142A Granted JPS60241225A (ja) | 1984-05-14 | 1985-02-08 | 陰画レジスト像を生成する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4552833A (ja) |
| EP (1) | EP0161476B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60241225A (ja) |
| DE (1) | DE3584305D1 (ja) |
Families Citing this family (106)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215867A (en) * | 1983-09-16 | 1993-06-01 | At&T Bell Laboratories | Method with gas functionalized plasma developed layer |
| GB8427149D0 (en) * | 1984-10-26 | 1984-12-05 | Ucb Sa | Resist materials |
| US4810601A (en) * | 1984-12-07 | 1989-03-07 | International Business Machines Corporation | Top imaged resists |
| CA1267378A (en) * | 1984-12-07 | 1990-04-03 | Jer-Ming Yang | Top imaged and organosilicon treated polymer layer developable with plasma |
| GB2170015A (en) * | 1985-01-11 | 1986-07-23 | Philips Electronic Associated | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US4551418A (en) * | 1985-02-19 | 1985-11-05 | International Business Machines Corporation | Process for preparing negative relief images with cationic photopolymerization |
| US4981909A (en) * | 1985-03-19 | 1991-01-01 | International Business Machines Corporation | Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof |
| CA1282273C (en) * | 1985-03-19 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems |
| US4908298A (en) * | 1985-03-19 | 1990-03-13 | International Business Machines Corporation | Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems |
| US4782008A (en) * | 1985-03-19 | 1988-11-01 | International Business Machines Corporation | Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof |
| JPS61268028A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-11-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ホトレジスト中にマスク像を現像する方法 |
| US4613398A (en) | 1985-06-06 | 1986-09-23 | International Business Machines Corporation | Formation of etch-resistant resists through preferential permeation |
| JPS62273528A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリマ膜表面のシリル化方法およびこれを用いたパタ−ン形成方法 |
| US4751170A (en) * | 1985-07-26 | 1988-06-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Silylation method onto surface of polymer membrane and pattern formation process by the utilization of silylation method |
| US4663269A (en) * | 1985-08-07 | 1987-05-05 | Polytechnic Institute Of New York | Method of forming highly sensitive photoresist film in the absence of water |
| US4702792A (en) * | 1985-10-28 | 1987-10-27 | International Business Machines Corporation | Method of forming fine conductive lines, patterns and connectors |
| US4665006A (en) * | 1985-12-09 | 1987-05-12 | International Business Machines Corporation | Positive resist system having high resistance to oxygen reactive ion etching |
| US4657845A (en) * | 1986-01-14 | 1987-04-14 | International Business Machines Corporation | Positive tone oxygen plasma developable photoresist |
| DE3682395D1 (de) * | 1986-03-27 | 1991-12-12 | Ibm | Verfahren zur herstellung von seitenstrukturen. |
| EP0244572B1 (en) * | 1986-04-24 | 1990-09-05 | International Business Machines Corporation | Capped two-layer resist process |
| GB8611229D0 (en) * | 1986-05-08 | 1986-06-18 | Ucb Sa | Forming positive pattern |
| US4737425A (en) * | 1986-06-10 | 1988-04-12 | International Business Machines Corporation | Patterned resist and process |
| EP0249457B1 (en) * | 1986-06-12 | 1991-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for formation of patterns |
| EP0250762B1 (en) * | 1986-06-23 | 1995-03-08 | International Business Machines Corporation | Formation of permeable polymeric films or layers via leaching techniques |
| US4721970A (en) * | 1986-07-01 | 1988-01-26 | American Electronics, Inc. | End of film detection device |
| US4690838A (en) * | 1986-08-25 | 1987-09-01 | International Business Machines Corporation | Process for enhancing the resistance of a resist image to reactive ion etching and to thermal flow |
| US4816112A (en) * | 1986-10-27 | 1989-03-28 | International Business Machines Corporation | Planarization process through silylation |
| US4867838A (en) * | 1986-10-27 | 1989-09-19 | International Business Machines Corporation | Planarization through silylation |
| JPS63165845A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS63184332A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シリル化処理装置 |
| NL8700421A (nl) * | 1987-02-20 | 1988-09-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| US4808511A (en) * | 1987-05-19 | 1989-02-28 | International Business Machines Corporation | Vapor phase photoresist silylation process |
| JPH07120048B2 (ja) * | 1987-10-13 | 1995-12-20 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2506133B2 (ja) * | 1987-11-18 | 1996-06-12 | 日本電信電話株式会社 | パタ―ン形成方法 |
| US4996136A (en) * | 1988-02-25 | 1991-02-26 | At&T Bell Laboratories | Radiation sensitive materials and devices made therewith |
| JP2521329B2 (ja) * | 1988-07-04 | 1996-08-07 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US4921778A (en) * | 1988-07-29 | 1990-05-01 | Shipley Company Inc. | Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material |
| US5108875A (en) * | 1988-07-29 | 1992-04-28 | Shipley Company Inc. | Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material |
| JPH0269746A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-03-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ホトレジストの形成方法、ポリマー構造体、ホトレジスト |
| US5079131A (en) * | 1988-08-29 | 1992-01-07 | Shipley Company Inc. | Method of forming positive images through organometallic treatment of negative acid hardening cross-linked photoresist formulations |
| US5094936A (en) * | 1988-09-16 | 1992-03-10 | Texas Instruments Incorporated | High pressure photoresist silylation process and apparatus |
| US4978594A (en) * | 1988-10-17 | 1990-12-18 | International Business Machines Corporation | Fluorine-containing base layer for multi-layer resist processes |
| US6051659A (en) * | 1992-08-20 | 2000-04-18 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive positive photoresist composition |
| US4999280A (en) * | 1989-03-17 | 1991-03-12 | International Business Machines Corporation | Spray silylation of photoresist images |
| US5041358A (en) * | 1989-04-17 | 1991-08-20 | International Business Machines Corporation | Negative photoresist and use thereof |
| JP3001607B2 (ja) * | 1989-04-24 | 2000-01-24 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 二層法における寸法安定な構造転写方法 |
| JP2930971B2 (ja) * | 1989-06-22 | 1999-08-09 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
| US5217851A (en) * | 1989-09-05 | 1993-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pattern forming method capable of providing an excellent pattern of high resolution power and high sensitivity |
| US5139925A (en) * | 1989-10-18 | 1992-08-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Surface barrier silylation of novolak film without photoactive additive patterned with 193 nm excimer laser |
| US5023164A (en) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive dry developable deep UV photoresist |
| US5120629A (en) * | 1990-04-10 | 1992-06-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive-working photosensitive electrostatic master |
| DE59010396D1 (de) * | 1990-04-27 | 1996-08-01 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur |
| US5275913A (en) * | 1990-05-08 | 1994-01-04 | Industrial Technology Research Institute | Method for preparing resist patterns utilizing solvent development with subsequent resist pattern transfer, via a photo-hardening liquid adhesive, to a receiver substrate and oxygen reactive ion etching |
| JPH04149441A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| DE4040117C2 (de) * | 1990-12-13 | 1994-02-17 | Fotochem Werke Gmbh | Stahlenempfindliches Material für die Elektronenstrahl- und Röntgenstrahllithographie und Verfahren zur Trockenentwicklung des Materials |
| EP0492256B1 (de) * | 1990-12-20 | 1996-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Photolithographische Strukturerzeugung |
| JPH05150459A (ja) * | 1991-05-24 | 1993-06-18 | Nippon Paint Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| US5304453A (en) * | 1991-07-11 | 1994-04-19 | Industrial Technology Research Institute | Method for preparing resist patterns through image layer transfer to a receiver substrate, via a photo-hardening organic liquid adhesive, with subsequent oxygen reactive ion etching |
| US5250395A (en) * | 1991-07-25 | 1993-10-05 | International Business Machines Corporation | Process for imaging of photoresist including treatment of the photoresist with an organometallic compound |
| US5229256A (en) * | 1991-12-06 | 1993-07-20 | International Business Machines Corporation | Process for generating positive-tone photoresist image |
| JP2559192B2 (ja) * | 1992-04-07 | 1996-12-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | ヒドロキシ芳香族化合物の炭酸化物を生成させるための改良された方法 |
| US5366852A (en) * | 1992-09-21 | 1994-11-22 | Shipley Company, Inc. | Methods for treating photoresists |
| US5312717A (en) * | 1992-09-24 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | Residue free vertical pattern transfer with top surface imaging resists |
| JP2654339B2 (ja) * | 1992-11-24 | 1997-09-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 感光性レジスト組成物及び基板上にレジスト像を形成する方法 |
| US5550007A (en) * | 1993-05-28 | 1996-08-27 | Lucent Technologies Inc. | Surface-imaging technique for lithographic processes for device fabrication |
| KR100382253B1 (ko) * | 1994-05-25 | 2003-08-21 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 건식현상가능한포지티브레지스트 |
| JP3277114B2 (ja) * | 1995-02-17 | 2002-04-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 陰画調レジスト像の作製方法 |
| US5707783A (en) * | 1995-12-04 | 1998-01-13 | Complex Fluid Systems, Inc. | Mixtures of mono- and DI- or polyfunctional silanes as silylating agents for top surface imaging |
| EP1228528B1 (en) | 1999-09-10 | 2014-08-13 | Oerlikon USA Inc. | Magnetic pole fabrication process and device |
| US6873087B1 (en) * | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| US6547975B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-04-15 | Unaxis Usa Inc. | Magnetic pole fabrication process and device |
| EP2264524A3 (en) * | 2000-07-16 | 2011-11-30 | The Board of Regents of The University of Texas System | High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography |
| CN1262883C (zh) | 2000-07-17 | 2006-07-05 | 得克萨斯州大学系统董事会 | 影印用于平版印刷工艺中的自动化液体分配的方法和系统 |
| KR20030040378A (ko) | 2000-08-01 | 2003-05-22 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법 |
| AU2001297642A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-09-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
| US6964793B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
| US7037639B2 (en) | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
| US6926929B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-08-09 | Molecular Imprints, Inc. | System and method for dispensing liquids |
| US6908861B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
| US7019819B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
| US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US6900881B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US7070405B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
| US7027156B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
| US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| US7071088B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
| US6737283B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Method to isolate device layer edges through mechanical spacing |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US6980282B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-12-27 | Molecular Imprints, Inc. | Method for modulating shapes of substrates |
| US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6871558B2 (en) | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US7452574B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
| US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7179396B2 (en) | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
| US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
| US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US7307118B2 (en) | 2004-11-24 | 2007-12-11 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
| US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US7090716B2 (en) | 2003-10-02 | 2006-08-15 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
| US8211214B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US20060062922A1 (en) | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Molecular Imprints, Inc. | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor |
| US8557351B2 (en) | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
| US7759407B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202533A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Fujitsu Ltd | Formation of pattern |
| JPS57202535A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Fujitsu Ltd | Formation of negative resist pattern |
| JPS57205736A (en) * | 1981-04-22 | 1982-12-16 | Western Electric Co | Solid state device produced by plasm development of resist |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4307177A (en) * | 1975-12-09 | 1981-12-22 | General Electric Company | Method of using polymerizable compositions containing onium salts |
| US4307178A (en) * | 1980-04-30 | 1981-12-22 | International Business Machines Corporation | Plasma develoment of resists |
| JPS5723937A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photographic etching method |
| JPS57202534A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Fujitsu Ltd | Negative type resist composition |
| JPS57202537A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Fujitsu Ltd | Resist composition for dry development |
| US4389482A (en) * | 1981-12-14 | 1983-06-21 | International Business Machines Corporation | Process for forming photoresists with strong resistance to reactive ion etching and high sensitivity to mid- and deep UV-light |
| DE3377597D1 (en) * | 1982-04-12 | 1988-09-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Method for forming micropattern |
| JPS58194336A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ン形成装置 |
| JPS5961928A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| US4517276A (en) * | 1982-11-29 | 1985-05-14 | Varian Associates, Inc. | Metal-containing organic photoresists |
| CA1248402A (en) * | 1983-09-16 | 1989-01-10 | Larry E. Stillwagon | Method of making articles using gas functionalized plasma developed layer |
| JPS60501777A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-10-17 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 二酸化ケイ素系グラフト重合リソグラフマスク |
| US4481049A (en) * | 1984-03-02 | 1984-11-06 | At&T Bell Laboratories | Bilevel resist |
-
1984
- 1984-05-14 US US06/609,690 patent/US4552833A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60022142A patent/JPS60241225A/ja active Granted
- 1985-04-11 DE DE8585104228T patent/DE3584305D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-11 EP EP85104228A patent/EP0161476B1/en not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57205736A (en) * | 1981-04-22 | 1982-12-16 | Western Electric Co | Solid state device produced by plasm development of resist |
| JPS57202533A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Fujitsu Ltd | Formation of pattern |
| JPS57202535A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Fujitsu Ltd | Formation of negative resist pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4552833A (en) | 1985-11-12 |
| JPS60241225A (ja) | 1985-11-30 |
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| DE3584305D1 (de) | 1991-11-14 |
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| EP0161476B1 (en) | 1991-10-09 |
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