JPH0456476B2 - - Google Patents

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JPH0456476B2
JPH0456476B2 JP58056763A JP5676383A JPH0456476B2 JP H0456476 B2 JPH0456476 B2 JP H0456476B2 JP 58056763 A JP58056763 A JP 58056763A JP 5676383 A JP5676383 A JP 5676383A JP H0456476 B2 JPH0456476 B2 JP H0456476B2
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semiconductor layer
semiconductor
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Kei Aachi Deiuitsudo
Uorutaa Sukotsuto Emu
Rairu Sumisu Dariru
Aaru Uaisubaagu Reonaado
Ei Utsudo Ronarudo
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Honeywell Inc
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Description

【発明の詳现な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導䜓装眮、特に半導䜓電磁攟射線怜
出噚およびその補造方法に関し、曎に詳しくは、
少数キダリダの抑制ず、怜出噚感床の向䞊を目的
ずしお、電気的接続点の䞋に蚭けた倧きなバンド
ギダツプ局を備えた半導䜓電磁攟射線怜出噚ずそ
の補造方法に関するものである。
〔先行技術〕
感光性の半導䜓には、光導電圢のものず、光起
電圢のものずの二皮類がある。適圓な゚ネルギヌ
攟射線が光導電圢半導䜓䞊に降り泚ぐず、半導䜓
の電導床は増加する。半導䜓に䞎えられた゚ネル
ギヌは共有結合を切り離し、熱的に発生しおいる
電子・正孔察の数を䞊廻぀お電子・正孔察を発生
させ、この電流担䜓の増加によ぀お半導䜓の抵抗
が枛少する。半導䜓材料におけるこの光導電効果
が光導電圢怜出噚に利甚される。
䞀方、半導䜓センサが−接合を備えおいる
堎合には、゚ネルギヌの入射は電子・正孔察の発
生を呌び、これによ぀お電䜍差が生ずる。これは
光電効果ずしお知られおいる。本発明による半導
䜓電磁攟射線怜出噚は光導電圢の怜出噚である。
光導電圢怜出噚はその䞡端に電気接点を備えた
棒状半導䜓によ぀お構成するこずができる。その
最も簡単な䜿甚方法では、光導電圢怜出噚は盎流
電源ず負荷抵抗に盎列に接続され、入射攟射線に
応じお光導電怜出噚の抵抗倉化を読取぀おいる。
本発明は怜出噚の適甚に応じた電磁波長に察す
る怜出噚の光感床たたは応答性を向䞊させるこず
を䞻題ずしおいる。この䞻題を達成する最善の方
策は少数キダリダの消滅割合を枛少させ、これに
よ぀お吞収された入射光子が発生される少数キダ
リダの寿呜が増倧たたは最倧にし、過剰倚数キダ
リダが長い時間流れ続けるようにするこずである
こずがわか぀た。
䞀般に、少数キダリダの殆どは䞉぀の基本領域
のうちの䞀぀で消滅する。即ち、怜出噚の本䜓
bulkがその䞀぀であり、入射攟射線に露呈さ
れる衚面を含む怜出噚の衚面が他の䞀぀であり、
曎に、怜出噚ぞの電気接点がその䞉番目に圓る。
怜出噚本䜓で死滅する少数キダリダの消滅割合
を䞋げる方法はこれたでも開瀺されおいる。可芖
攟射線甚怜出噚の堎合には、怜出噚の材料に䞍玔
物たたは栌子欠陥を導入し、䞀時的に少数キダリ
アを捕獲させ、少数キダリダの消滅割合を枛少さ
せおいる。この技術はR.B.Bnbe著「固䜓の光導
電性」ニナヌペヌク1960幎の69頁に瀺されお
いる。
たた、怜出噚の背面たたは攟射線の入射面にお
ける少数キダリダの再結合を防止するために物理
的、化孊的に衚面を凊理したり、たたは衚面に化
孊的化合物からなる薄膜を付着する方法も取られ
おきた。これは「䞍掻性化」ず蚀う名で知られお
いる方法である。この凊理によ぀お、少数キダリ
ダを抌し戻すように䜜甚する゚ネルギヌ障壁を造
り出す電子状態が衚面に造り出される。
しかしながら、䞍運なこずに、これら衚面を䞍
掻性化する方法は、良奜な電気接続の圢成を劚げ
たり、あるいは阻止するような薄膜を衚面に぀く
぀おいる。良奜な電気接続の圢成は、少数キダリ
ダが障害あるいは䜙分な抵抗に遭遇すうこずなし
に効果的に接点から泚入されるこずを意味する。
したが぀お、電気接続の予定される領域では衚面
凊理を行わずに枈せるか、あるいは圢成された衚
面薄膜を電気接点の圢成以前に取り陀いおいた。
それ故、電気接点の盎䞋では凊理が行われないこ
ずにな぀おいた。
光電装眮においお入射攟射線にさらされる面を
保護するもう䞀぀の方法ずしお、入射攟射線にさ
らされる感応領域に倧きいバンドギダツプを持぀
材料の薄膜を蚭けるこずが提案されおいる。こう
した技術は1979幎月日登録の米囜特蚱第
4132999号に開瀺されおいる。しかし、この技術
によるず、電気接点が倧きいバンドギダツプ局を
貫通しお赀倖線に察しお有感な材料に達し、その
為電気接点䞋が再び無保護の状態になる。曎に他
の先行技術では、衚面に高い濃床で䞍玔物添加し
た材料の局を蚭けおいる。この方法は1979幎月
30日登録の米囜特蚱第4137544号に開瀺されおい
る。しかしこの方法によ぀おも、高濃床添加局は
電気接点の䜜甚域の䞋たで達するこずはない。
曎に他の詊みがM.A.Kinch等によ぀お行はれ
おいるInfrared Physics、Vol.17PP.137−145、
1977。こゝでは入射攟射線は電気接点ず接觊し
おいない領域内、即ち、電気接点から幟䜕孊的に
離れた領域内で吞収されるようにしおいる。こう
するこずによ぀お、入射攟射線によ぀お発生した
少数キダリダは電気接点に到達するのにより長い
時間を芁し、これによ぀お少数キダリダの平均寿
呜が増倧するこずになる。
赀倖線光導電圢怜出噚の堎合、その動䜜は、よ
くスむヌプアりト・モヌドの呌ばれおいる圢態で
行われるこずが倚い。この堎合、電気接点は半導
䜓材料䞊の極めお近接した䜍眮に蚭けられおい
る。この動䜜モヌドでは、怜出噚にかけられた電
界によ぀お少数キダリダは非垞に短時間の間に電
気接点ぞず移動する。電気接点ぞたどり着く時間
が非垞に短ければ、怜出噚材料䞭で少数キダリダ
が死滅する可胜性は倧いに枛少し、曎に怜出噚衚
面における少数キダリダ消滅の圱響もたた枛少す
る。電気接点における再結合によ぀お生ずる急速
な少数キダリダ消滅速床は抂しお赀倖怜出噚の応
答性を制限し、か぀光導電圢怜出噚がスむヌプア
りトモヌドで動䜜する堎合には特にその応答性に
著しい制限を加える結果ずなる。
この珟象の重芁性はこれたでの技術では䞀般に
確認されおいなか぀た。しかし、本発明によ぀お
電気接点盎䞋における少数キダリダの消滅を䜎枛
するこずがこれたで確認されおいた以䞊に、怜出
噚応答性の向䞊に深く関係しおいるこずが発芋さ
れた。
この問題解決のための詊行ずしおY.J.
Shacham−DiamandおよびI.Kiron䞡者によるも
のが明らかにされおいるInfrared Physics
Vol.21p.105、1981。この詊行は半導䜓に察する
電気接点の極めお近い所における少数キダリダの
再結合速床を萜すこずによ぀お怜出噚の応答性を
改善するず云うものである。即ち、陰極接点䞋に
おける少数キダリダ収集に察抗するビルト・むン
封入電界を造るこずによ぀お応答性の改善を
行぀おいる。このビルト・むン電界はHg1-xCdx
Te半導䜓䞭にドナヌが拡散するこずによ぀お生
起し、接点䞋玄ミクロンの領域に電子濃床募配
を圢成する。この結果、怜出噚基材が−圢であ
れば接点䞋の領域はn+ -圢ずなる。この詊みによ
぀お、怜出噚の応答性に倚少の向䞊が芋られたも
のゝ、この方法には本来的な欠陥がある。即ち、
加えたn+添加物が接点領域における少数キダリ
ダの寿呜を枛少させ、そのこずが応答性に関しお
系そのものを自己芏制する結果ずなるからであ
る。曎に、ビルト・むン電界はn+系添加物の溶
解床によ぀お制限を受け、これによ぀お少数キダ
リダの阻止胜を䜎䞋させる結果を招いおいる。
このように、これたでの諞技術は、赀倖怜出噚
の応答性向䞊のために、怜出噚基材内における少
数キダリダの消滅速床を䜎枛したり、あるいは怜
出噚衚面における少数キダリダ消滅防止を行぀お
来たが、それらは怜出噚ぞの電気接点圢成に際し
お利甚されおいない。たた、吞収される入射攟射
線から距離を眮くようにしお電気接点を蚭けるず
云う幟䜕孊的構造によ぀お少数キダリダの寿呜を
延す方法を取぀た先行技術も知られおいる。しか
しながら、電気接点に到達する少数キダリダの消
滅速床を枛少させお赀倖怜出噚の応答性を改善す
る決定的手段を開瀺した先行技術はない。
〔発明の抂芁〕
本発明は半導䜓電磁攟射線怜出噚の電気接点に
おいお、少数キダリダの消滅速床を䜎枛するこず
に関連した問題を効果的に解決するものである。
本発明は感光性半導䜓材料の平均キダリダ濃床に
倧きな圱響を䞎えるこずなく怜出噚に察する電気
接点においお少数キダリダの消滅速床を枛少させ
た怜出噚およびその補造方法を提䟛するものであ
る。本発明は電気接点盎䞋の半導䜓材料に察し、
衚面䞍掻性化を斜すこずによ぀お完成されるもの
である。本発明では、赀倖怜出噚材料の衚面を凊
理しお衚面からの少数キダリダを防止し、倚数キ
ダリダの通路に察しお倧きな障壁を圢成させない
ようにしおいる。この衚面凊理は怜出噚の衚面䞊
で、少数キダリダを集める電気接点必芁によ぀
おは䞡接点䞋にもう䞀぀の薄膜を圢成するこず
から成぀おいる。この膜は怜出噚材料より倧きい
゚ネルギヌバンドギダツプを有し、か぀怜出噚ず
同じ導䌝圢を有する材料からな぀おいる。即ち、
倚数キダリダが電子であれば−圢材料による膜
を、そしお正孔である堎合には−圢材料を䜿甚
する。次いで指定した接点領域内で衚面に適切な
金属を被着させお倧きい゚ネルギヌバンドギダツ
プ局に察しおオヌム接続を完党させる。
本発明の䞀実斜䟋によれば、基板䞊に感光局ず
しお圢成したほミHg0.8Cd0.2Teの織成を有する
Hg1-xCdxTe光導電圢赀倖怜出噚に察し、Hg1-y
CdyTeなる領域を付加する。こゝで電気接点が蚭
けられる領域においおは、はよりも倧きくす
る。Hgに察するCdの割合を倧きくするず、材料
の䟡電子垯ず導䌝垯の間の゚ネルギヌギダツプが
増倧する。光導電局、高゚ネルギヌバンドギダツ
プ局の䞡者ぱピタキシダル法により圢成するこ
ずが望たしく特に液盞゚ピタキシダルによ぀お
−圢に圢成するこずが望たしい。が0.2である
怜出噚では、が0.21から0.30の範囲にある高゚
ネルギヌバンドギダツプを有する合金が良い結果
をもたらすこずが解぀た。
電気接点盎䞋の高゚ネルギヌバンドギダツプ衚
面局は少数キダリダを劚げる゚ネルギヌ障壁を䜜
り出す。しかし、これは電気接点から怜出噚材料
に向う倚数キダリダの流れに察しお倧きな障壁を
構成するものではない。どちらの電気接点に少数
キダリダを集めるかによ぀お、陰極䞋の領域だけ
か、たたは陜極䞋の領域だけに高゚ネルギヌバン
ドギダツプ局を蚭ける必芁がある。本発明によ぀
お電気接点における少数キダリダの再結合速床が
枛少し、少数キダリダの寿呜を延し、曎に怜出噚
の応答性が向䞊する。
以䞋の説明においおはHg1-xCdxTe半導䜓に぀
いお本発明を説明するが、他の感光性半導䜓材
料、䟋えばInAsxSb1-x、InxG1-xSb、Pb1-xSnxTe
等を䜿甚するこずができ、たた圓業者がすでに公
知の組立工皋を本発明に適甚できるこずは云うた
でもない。
以䞋図面を参照しお本発明を詳述する。
〔実斜䟋〕
赀倖怜出噚の材料ずしおは赀倖攟射線の範囲、
即ち0.8eV以䞋の゚ネルギヌバンドギダツプを有
する材料を甚いる。この皮の材料の䟋ずしおは、
InAsxSb1-x、InxGa1-xSb、Pb1-xSnxTeHg1-xCdx
Te等が挙げられる。こゝでは所望の特性にず
぀お適切であるようにずの間の倀を取る。こ
の皮の材料を甚いたものは真性怜知噚ず称されお
いる。第番目の皮類ずしおは、曎に倧きい゚ネ
ルギヌバンドギダツプを持぀たもので、赀倖攟射
線に察する感床を䞎えるために䞍玔物を添加した
材料を䜿甚したものがある。この皮の材料はガリ
りムたたは金添加のシリコンを含み、䞍玔物怜出
噚ず称されおいる。本発明の説明にあた぀おは公
知の怜出噚材料Hg1-xCdxTeを特に参照するこず
にする。
第図に瀺す本発明の実斜䟋に斌いお、CdTe
基板はHg1-xCdxTeからなる怜出噚材料局
をその䞊郚に備えおいる。この堎合のはよ
り倧きく、より小さい倀を取り、代衚的な怜出
噚では0.1ず0.4の間にな぀おいる。局の厚さ
は玄×10-4cmから15×10-4cmであるのが䞀般的
である。たた局の領域は怜出噚材料より倧き
い゚ネルギヌバンドギダツプを持぀もう䞀぀の薄
膜によ぀お芆぀おある。この薄膜は
Hg1-yCdyTeず云う察応組成を有し、は局
のよりも倧きく、膜厚はほミ10-4cmから10-3cm
の間の厚さである。以䞋で詳述するように、局
、局は共に怜出噚基板䞊で液盞゚ピタ
キシダル技術による成長過皋を経お生長させる。
次いお局のいづれに察しおもオヌム接
続ずなる公知で適切な金属局を電気接点ずし
お望たしい圢で附着させる。図䞭の矢印の䞋方の
光䜜甚領域には薄い衚面䞍掻性化局を圢成す
る。最埌に金属線図瀺しないをこの金属局
に接続する。
次に、第図に瀺すHgCdTeを甚いた怜出噚の
補造方法を第図から第図を甚いお説明す
る。
第図に瀺すように、0.2であるHg1-x
CdxTeの第の薄局を液盞゚ピタキシダル技
術によ぀おCdTe基板䞊に成長させる。この
技術による成長方法はすでに確立されおいお、
Maciolek等による米囜特蚱第3902924号1975幎
月日登録に開瀺されおいる。この局は最終
的には厚さ玄10-3cmの怜出噚感光局を圢成するこ
ずになる。次いで、第の薄局を同じ方法で
第の薄局䞊に成長させる。第の局は、高゚ネ
ルギヌバンドギダツプを有する合金に察しお、そ
の組成に斌いお僅かに倉曎を加え、感光局ず同じ
濃床たで䞍玔物添加を行う。䞀実斜䟋ではHg0.80
Cd0.20Teず蚀う組成の感光局に察しお、その
䞊局をHg0.78Cd0.22Teず蚀う組成にした。
この段階で光導電玠子は厚さ玄ミクロンの広
い゚ネルギヌバンドギダツプを有する材料からな
る最䞊郚局を含む構造になる。次いで公知の
方法で衚面を溶剀によ぀お掗浄し、曎にHMDS
ヘキサメチルゞシリザむンによ぀お凊理し、
次のフオトレゞストSC100Hunt Chemical瀟補
を䜿甚したフオトリトグラフ工皋第図に
適するように衚面粘着床を増倧させる。第のフ
オトリトグラフ工皋によ぀お電気接点の区画ずし
おり゚ヌハ䞊に領域30を確保する。次いでフオト
レゞストを露光・珟象し、ブロツク接点ずしお指
定した特定領域の圢にフオトレゞストを取陀く。
電気接点予定地以倖の䞊郚局を圢成する高バン
ドギダツプ材料を臭化メチル溶液によ぀お゚
ツチングし、陀去する第図。次いおり゚
ヌハを窒玠ガス䞭で也燥し、プラズマストリツピ
ング法によ぀おフオトレゞストを陀去する。
第図に瀺すように、これたでの工皋によ぀
お、ブロツキング局即ち高いバンドギダツプ゚ネ
ルギヌ局が電気接点領域ずしお区画された領
域だけに残され、他の郚分では局が露出する
ようになる。
第図に瀺す第のフオトリトグラフ工皋に
よ぀お、怜出噚自身の光導電領域を所定の圢に区
画する。HMDSによる凊理を行぀た埌、り゚ヌ
ハの郚䜍をフオトレゞストSC450Hunt
Chemical瀟補によ぀おコヌトし、次いで露
光・珟像する。珟像枈みフオトレゞストを゚ツチ
し、次いで臭化メチルに浞挬しお掗浄する。
次いでプラズマストリツプ法によ぀おフオトレゞ
ストを陀去する。これたでの工皋によ぀お第
図に瀺す構造が埗られ、感光局は電気接点間
の領域だけ残るようになる。
残された工皋は怜出噚に電気接点を実際に蚭け
る工皋ず、怜出噚の感光領域に察する衚面䞍掻性
化工皋である。第図に瀺すように、第のフ
オトリトグラフ工皋では、フオトレゞスト
AZ1375をかけた埌也燥箱䞭で也燥し、次いで露
光、珟像、掗浄の諞凊理を行い、曎にフオトレゞ
ストAZ1375の局を远加しお、焌付、露光、珟像
を行う。
こゝたでの凊理によ぀お、光導電圢怜出噚党䜓
は、オヌム接点圢成甚金属の付着甚に開けた堎所
以倖で、参照番号34第図によ぀お瀺すフ
オトレゞスト局によ぀お芆れる。衚面に察しお玄
3300〓厚にむンゞナヌムを蒞着させ、次いでアセ
トンに浞挬する。これによ぀お第図に瀺すよ
うに、オヌム接点予定地にむンゞナヌム局が
圢成される。
次いで最埌のフオトレゞスト工皋第図
をAZ1375を甚いお実行し、感光䜜甚領域に察す
る衚面䞍掻性化凊理ずしおZnSを付着させるため
に感光䜜甚領域を開けるようにしおフオトレゞス
トを珟像する。第図の郚䜍に察しお、公
知のRFスパツタ技術によ぀お最初150Wで玄750
〓を、次いで250Wで玄750〓、蚈玄1500〓のZnS
を付着させる。次に、普通の仕方で金属リヌドを
取り付け、怜出噚が完成する第図。
これたで述べた工皋では䞡オヌム接点ずも、そ
の䞋に高い゚ネルギヌバンドギダツプを有する局
を備える圢を取぀お来た。しかし、第図に
関連しお説明したように、䞍掻性化は少数キダリ
ダこの䟋では正孔・電子察の正孔を匕き぀け
る電極に察しおのみ斜せばよく、したが぀お䞡接
点の䞋には必芁ではないこずを理解しなければな
らない。しかしながら、局は倚数キダリダの
流入を阻止劚害するものではないから、怜出噚の
組立、利甚を促進する点から芋れば䞡接点䞋に高
い゚ネルギヌバンドギダツプの局を蚭けるこずの
方が望たしい。勿論圓業者の知るずころに埓぀
お、他の方法で詊行されるこずは可胜である。
本発明による半導䜓電磁攟射線怜出噚が他の公
知の工皋によ぀お䜜り埗るものであるこずは吊定
しない。䟋えば、先に述べた液盞゚ピタキシダル
成長過皋に加えお、気盞゚ピタキシダル技術によ
぀お半導䜓局、半導䜓領域を圢成するこずも可胜
であろう。曎に真空蒞着、むオン泚入等を含む工
皋を利甚するこずも可胜であるこずは蚀うたでも
ない。
前述の実斜䟋で甚いた半導䜓材料Hg1-xCdxTe
に加えお、他の公知材料ずしおはInAsxSb1-x、
InxGa1-xSbおよびPb1-xSnxTe等が䜿甚可胜であ
る。これら他の材料に察する凊理および化合物の
䜿甚方法は圓業者にず぀おは公知のものである。
䞊述の諞工皋によ぀お䜜られた第図に瀺す構
造を持぀怜出噚の応答特性Rλを第図に瀺す。
曲線は、埓来の怜出噚ず同様、少数キダリダが
抑制されないように、高バンドギダツプ局を正に
バむアスした堎合の特性である。曲線本発明に
よる堎合の特性で、少数キダリダを抑止するよう
にリヌドを逆にした堎合のものである。この特性
を取぀た時の条件は以䞋の通りである。
T黒䜓 1000ケルビン 呚波数 2KHz 怜出噚抵抗 70オヌム 怜出噚枩床 90K HRMS 1.5×10-4ワツトcm2 怜出面積 3.18×10-5cm2 光導電局 0.20 ブロツク局 0.22 〔発明の効果〕 このグラフから解るように、負バむアスした接
点が第の高バンドギダツプ局を含たない堎合
即ち、オヌミツクである堎合に范べお、それ
を含んでる堎合即ちブロツク状態にある堎合
の応答特性Rλははるかに高められる。䞋の曲線
では、䜎いバむアス電界に斌いお、7kVの
蟺でRλに飜和珟象が芋られる。䞀方曲線から
解るように、本発明による怜出噚の堎合、
70kVを越えおも、Rλは䟝然ずしお増加しお
いる。
これ等の結果は、本発明による倚局光導電圢怜
出噚によ぀おRλの向䞊がもたらされるこずを瀺
しおいる点で最も重芁である。玄20Vcmのバむ
アス電界を甚いるこずによ぀お、応答特性は10倍
に増加するこずが解る。
以䞊説明したように、本発明によれば電気接点
における少数キダリダの再結合割合を䜎枛し、倚
数キダリダの流れに障害を䞎えたり、少数キダリ
ダに察する障壁が倚数キダリダ濃床の増加を求め
るものでないから半導䜓材料の平均キダリダ濃床
を倧きく増加させたりするこずなく、良奜な応答
特性を持぀赀倖怜出噚が埗られる。
圓業者が本発明を皮々倉圢した圢で実斜し埗る
こずは明らかである。したが぀おこれたで説明し
た実斜䟋が本発明を限定するものではないこずを
明蚘すべきである。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明による怜出噚の断面図、第
図乃至第図は本発明による怜出噚の䞀実斜䟋
を補造するための工皋䟋を瀺す図、第図は本発
明によ぀お䜜られた第図に瀺す怜出噚ず同様な
Hg1-xCdxTe怜出噚の改善された応答特性を瀺す
グラフである。   基板、  第薄局、  第
薄局、  金属局、  䞍掻性化膜。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  基板ずこの基板䞊に圢成され、所䞎の導電
    圢で第の゚ネルギヌバンドギダツプを有しお電
    磁攟射線を感知できる半導䜓材料の第の半導䜓
    局ずこの第の半導䜓局ずの電気的亀信を可胜
    にする䞀察のオヌム接続接点手段ず前蚘第の
    半導䜓局ず同じ導電圢であるが、前蚘第の゚ネ
    ルギヌバンドギダツプより倧きい第の゚ネルギ
    ヌバンドギダツプを有する半導䜓材料の第の半
    導䜓局であ぀お、前蚘䞀察のオヌム接続接点手段
    のうち、少くずも、少数キダリアを前蚘第の半
    導䜓局から匕き぀ける䞀方のオヌム接続接点手段
    の䞋においお、前蚘第の半導䜓局䞊に圢成され
    おいる第の半導䜓局ずを備えた半導䜓装眮。  䞀察のオヌム接続接点手段を有する半導䜓装
    眮の補造方法であ぀お、所䞎の導電圢で第の゚
    ネルギヌバンドギダツプを有しお電磁攟射線を感
    知できる半導䜓材料の第の半導䜓局を適圓な基
    板䞊に圢成する工皋ずこの第の半導䜓局ず同
    じ導電圢であるが、前蚘第の゚ネルギヌバンド
    ギダツプより倧きい第の゚ネルギヌバンドギダ
    ツプを有する半導䜓材料の第の半導䜓局を、前
    蚘第の半導䜓局の領域䞭、前蚘䞀察のオヌム接
    続接点手段の少くずも䞀方が圢成されるべき領域
    郚分に加える工皋ず前蚘第の半導䜓局ずの電
    気的亀信を可胜にする䞀察のオヌム接続接点手段
    であ぀お、このオヌム接続接点手段の前蚘少なく
    ずも䞀方は前蚘第の半導䜓局を介しお前蚘第
    の半導䜓局から少数キダリアを匕き぀けるもので
    ある䞀察のオヌム接続接点手段を圢成する工皋ず
    を備えた、半導䜓装眮の補造方法。
JP58056763A 1982-03-31 1983-03-31 半導䜓装眮およびその補造方法 Granted JPS58202579A (ja)

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