JPH0456294A - 超電導配線用基板 - Google Patents
超電導配線用基板Info
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- JPH0456294A JPH0456294A JP2165633A JP16563390A JPH0456294A JP H0456294 A JPH0456294 A JP H0456294A JP 2165633 A JP2165633 A JP 2165633A JP 16563390 A JP16563390 A JP 16563390A JP H0456294 A JPH0456294 A JP H0456294A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 14
- 230000005606 hygroscopic expansion Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- WRDNCFQZLUCIRH-UHFFFAOYSA-N 4-(7-azabicyclo[2.2.1]hepta-1,3,5-triene-7-carbonyl)benzamide Chemical compound C1=CC(C(=O)N)=CC=C1C(=O)N1C2=CC=C1C=C2 WRDNCFQZLUCIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- -1 3,4'-biphenyl ether Chemical compound 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCILODAAHLISPY-UHFFFAOYSA-N biphenyl ether Natural products C1=C(CC=C)C(O)=CC(OC=2C(=CC(CC=C)=CC=2)O)=C1 ZCILODAAHLISPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- MHSKRLJMQQNJNC-UHFFFAOYSA-N terephthalamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=C(C(N)=O)C=C1 MHSKRLJMQQNJNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Laminated Bodies (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超電導配線用基板に関するものであり、更に
詳しくは、寸法安定性に優れた高分子フィルムの上に高
温超電導材料を積層してなる配線用基板に関するもので
ある。
詳しくは、寸法安定性に優れた高分子フィルムの上に高
温超電導材料を積層してなる配線用基板に関するもので
ある。
従来、謂ゆる超電導状態は、絶対零度に極めて近い温度
でしか実現できていなかったが、最近の数年間のセラミ
ックス系材料の開発により、液体窒素での冷却で対応可
能な謂ゆる高温超電導体が発見されてきた。そして、常
温超電導の可能性すら展望されはじめている。このよう
な、高温超電導体の存在は、エネルキーロスが極めて少
なく、しかも「高温」で利用できるため、その経済的価
値ははかりきれない。
でしか実現できていなかったが、最近の数年間のセラミ
ックス系材料の開発により、液体窒素での冷却で対応可
能な謂ゆる高温超電導体が発見されてきた。そして、常
温超電導の可能性すら展望されはじめている。このよう
な、高温超電導体の存在は、エネルキーロスが極めて少
なく、しかも「高温」で利用できるため、その経済的価
値ははかりきれない。
しかし、超電導性セラミックスの加工は困難で有用な形
、例えば線材に加工することは、いくつかの提案がされ
ているものの、実用化のメトが得られていない。
、例えば線材に加工することは、いくつかの提案がされ
ているものの、実用化のメトが得られていない。
一方、通常の導電材、例えば銅を用いて、いわゆる電線
として利用する以外に、プリント配線板が高効率・低コ
スト・高密度配線等の特徴を生かして電子機器を中心に
急速に需要を拡大しており、なかでもフレキシブルプリ
ント配線板は電子機器の軽薄短小化に貢献する技術とし
て大きな市場の伸びを示している。
として利用する以外に、プリント配線板が高効率・低コ
スト・高密度配線等の特徴を生かして電子機器を中心に
急速に需要を拡大しており、なかでもフレキシブルプリ
ント配線板は電子機器の軽薄短小化に貢献する技術とし
て大きな市場の伸びを示している。
超電導セラミックス材料を用いてフレキシブルプリント
配線板をつくろうとするとき、基板に関する２つの問題
点に直面する。１つは、製造時の高熱に耐えうる可撓性
の基板か殆んど見当らないことであり、もう１つは熱膨
張係数の小さいセラミックス材料を積層して、温度変化
をうけたときに、セラミックスのはく離、割れ、ヒビ入
すなどのトラブルのおこらない基板が見当らないことで
ある。
配線板をつくろうとするとき、基板に関する２つの問題
点に直面する。１つは、製造時の高熱に耐えうる可撓性
の基板か殆んど見当らないことであり、もう１つは熱膨
張係数の小さいセラミックス材料を積層して、温度変化
をうけたときに、セラミックスのはく離、割れ、ヒビ入
すなどのトラブルのおこらない基板が見当らないことで
ある。
本発明の目的は、超電導材料を積層したプリント配線用
基板において、上記の問題点を克服した超電導配線用基
板を提供するものである。
基板において、上記の問題点を克服した超電導配線用基
板を提供するものである。
本発明者は、上記目的に沿った超電導配線用基板を得る
べ（鋭意研究を重ねた結果、課題の達成は特定の耐熱性
芳香族重合体が高度に面配向したフィルムを用いれば可
能であることを見出し、更に研究を重ねて本発明に到達
したものである。
べ（鋭意研究を重ねた結果、課題の達成は特定の耐熱性
芳香族重合体が高度に面配向したフィルムを用いれば可
能であることを見出し、更に研究を重ねて本発明に到達
したものである。
即ち、本発明は、
（５±１０） Ｘｌ０−６ｍｍ／ｎ＋ｍ／’Ｃ（基準値
を５とし、（基準値−１０）よりも大きく、（基準値＋
１０）よりも小さい範囲）の熱膨張係数をもち、２５０
０Ｃにおける熱収縮率が０．３％以下、２５℃における
吸湿膨張係数が３０ Ｘ １０−６ｍｍ ／ ｍｍ ／
％ＲＨ以下である耐熱性高分子フィルムの少くとも片面
に高温超電導材料を積層してなることを特徴とする超電
導配線用基板、である。
を５とし、（基準値−１０）よりも大きく、（基準値＋
１０）よりも小さい範囲）の熱膨張係数をもち、２５０
０Ｃにおける熱収縮率が０．３％以下、２５℃における
吸湿膨張係数が３０ Ｘ １０−６ｍｍ ／ ｍｍ ／
％ＲＨ以下である耐熱性高分子フィルムの少くとも片面
に高温超電導材料を積層してなることを特徴とする超電
導配線用基板、である。
本発明の基板材料として用いられる耐熱性高分子フィル
ムとしては、例えば芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミ
ド、芳香族ポリベンゾチアゾール等のフィルムである。
ムとしては、例えば芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミ
ド、芳香族ポリベンゾチアゾール等のフィルムである。
これらは、耐熱性が非常に高（、融点をもたず、また、
急激な分解のおこる温度が約５００℃以上を示す。この
ような耐熱性高分子の具体例としては、 千ＮＨ−Ａｒ、−ＮＨＣＯ−Ａｒ２−ＣＯ−＋十ＮＨＡ
ｒ５ｃｏ＋ などを挙げることができる。ここで、Ａ ｒ １〜Ａｒ
、、Ａｒ、、Ａｒ８、は２価の芳香族基で、パラフェニ
レン、１，４−ナフタレン、１．５−ナフタレン、２，
６ナフタレン、４，４′−ビフェニレン、４，４′ ビ
フェニルエーテル、３．４’−ビフェニルエーテル、４
．４′−ビフェニルケトン、４，４′−ビフェニルスル
ホン、およびこれらのアルキル、）１０ゲン、アリル、
ニトロ、アルコキシなどで置換された２価の芳香族基を
示し、Ａｒｓ、Ａｒ６、Ａｒ、 は４価の芳香族基で
、 およびこれらのアルキル、ハロゲン、アリル、ニトロ、
アルコキシなどでの置換体を示す。
急激な分解のおこる温度が約５００℃以上を示す。この
ような耐熱性高分子の具体例としては、 千ＮＨ−Ａｒ、−ＮＨＣＯ−Ａｒ２−ＣＯ−＋十ＮＨＡ
ｒ５ｃｏ＋ などを挙げることができる。ここで、Ａ ｒ １〜Ａｒ
、、Ａｒ、、Ａｒ８、は２価の芳香族基で、パラフェニ
レン、１，４−ナフタレン、１．５−ナフタレン、２，
６ナフタレン、４，４′−ビフェニレン、４，４′ ビ
フェニルエーテル、３．４’−ビフェニルエーテル、４
．４′−ビフェニルケトン、４，４′−ビフェニルスル
ホン、およびこれらのアルキル、）１０ゲン、アリル、
ニトロ、アルコキシなどで置換された２価の芳香族基を
示し、Ａｒｓ、Ａｒ６、Ａｒ、 は４価の芳香族基で
、 およびこれらのアルキル、ハロゲン、アリル、ニトロ、
アルコキシなどでの置換体を示す。
本発明に用いられる耐熱性高分子フィルムは、熱膨張係
数が（５±１０） Ｘｌ０−６ｍｍ／ｍｍ／’Ｃ（以下
単位を省略する）をもっている必要がある。熱膨張係数
の測定は、２５℃〜３００℃の範囲で測定する。上記の
熱膨張係数の値は、有機高分子材料としては異常に小さ
い。このような値は、前記した耐熱性高分子フィルムに
おいて、高分子を高度にフィルム面内に配向させたとき
にのみ達成させられることがわかった。高度に分子配向
させる手段は、延伸倍率を極限的に大きくする方法、剛
直高分子の自己配向性（液晶形成能）を利用する方法な
どから選ばれる。いずれにせよ、有機高分子材料として
異常に小さい熱膨張係数をもつようなフィルムを選択し
ないかぎり、高温超電導材料を該フィルムに積層したと
き、超電導材料層とフィルムとの間で、はがれ、ヒビ割
れ、などの現象がおこり、プリント配線基板としての信
頼性が保てなくなる。フィルムの熱膨張係数は、好まし
くは、（５±５） Ｘｌ０−’である。
数が（５±１０） Ｘｌ０−６ｍｍ／ｍｍ／’Ｃ（以下
単位を省略する）をもっている必要がある。熱膨張係数
の測定は、２５℃〜３００℃の範囲で測定する。上記の
熱膨張係数の値は、有機高分子材料としては異常に小さ
い。このような値は、前記した耐熱性高分子フィルムに
おいて、高分子を高度にフィルム面内に配向させたとき
にのみ達成させられることがわかった。高度に分子配向
させる手段は、延伸倍率を極限的に大きくする方法、剛
直高分子の自己配向性（液晶形成能）を利用する方法な
どから選ばれる。いずれにせよ、有機高分子材料として
異常に小さい熱膨張係数をもつようなフィルムを選択し
ないかぎり、高温超電導材料を該フィルムに積層したと
き、超電導材料層とフィルムとの間で、はがれ、ヒビ割
れ、などの現象がおこり、プリント配線基板としての信
頼性が保てなくなる。フィルムの熱膨張係数は、好まし
くは、（５±５） Ｘｌ０−’である。
本発明に用いる耐熱性高分子フィルムは、また、２５０
℃における熱収縮率が０．３％以下であることが必要で
ある。この要件のために、いわゆるスパエンプラフィル
ムのうち、融点の存在するものは、本発明に用いること
ができない。熱収縮率０．３％以下を実現するためには
、用いる耐熱性高分子フィルムの種類（化学構造）に応
じて種々の手段があるが、結晶性ポリマーフィルムにあ
っては結晶化度を出来るだけ高め、また、結晶性、非品
性を問わず、熱等による残留応力ひずみを出来るだけ小
さくすることが大切である。熱収縮率が０．３％を超え
るフィルムは、耐熱性の点で不十分で、積層時にトラブ
ルがおこってしまう。熱収縮率は、好ましくは、０．２
％以下である。
℃における熱収縮率が０．３％以下であることが必要で
ある。この要件のために、いわゆるスパエンプラフィル
ムのうち、融点の存在するものは、本発明に用いること
ができない。熱収縮率０．３％以下を実現するためには
、用いる耐熱性高分子フィルムの種類（化学構造）に応
じて種々の手段があるが、結晶性ポリマーフィルムにあ
っては結晶化度を出来るだけ高め、また、結晶性、非品
性を問わず、熱等による残留応力ひずみを出来るだけ小
さくすることが大切である。熱収縮率が０．３％を超え
るフィルムは、耐熱性の点で不十分で、積層時にトラブ
ルがおこってしまう。熱収縮率は、好ましくは、０．２
％以下である。
本発明に用いる耐熱性高分子フィルムは、更に、２５℃
における吸湿膨張係数は３０Ｘ１０−’ｍｍ／ｍｍ／％
ＲＨ（以下単位を省略する）以下であるべきである。吸
湿膨張係数がこれより大きい場合、配線用基板として使
用しているときに、環境の変化によって、超電導材にス
トレスがかかって、信頼性を損なうことがあるからであ
る。吸湿膨張係数に関する上記要件の達成は、使用する
耐熱性高分子フィルムの種類によっても異なるが、例え
ば、延伸による高分子の面配向の向上、結晶性高分子に
あっては結晶化度の増大、高分子の凝集構造の緻密化な
どの手段が有用である。吸湿膨張係数は、好ましくは２
０Ｘ１０−８以下である。
における吸湿膨張係数は３０Ｘ１０−’ｍｍ／ｍｍ／％
ＲＨ（以下単位を省略する）以下であるべきである。吸
湿膨張係数がこれより大きい場合、配線用基板として使
用しているときに、環境の変化によって、超電導材にス
トレスがかかって、信頼性を損なうことがあるからであ
る。吸湿膨張係数に関する上記要件の達成は、使用する
耐熱性高分子フィルムの種類によっても異なるが、例え
ば、延伸による高分子の面配向の向上、結晶性高分子に
あっては結晶化度の増大、高分子の凝集構造の緻密化な
どの手段が有用である。吸湿膨張係数は、好ましくは２
０Ｘ１０−８以下である。
本発明に用いる耐熱性高分子フィルムは、好ましくは、
２５℃、５０％ＲＨにおける吸湿率が３重量％以下であ
る。また、本発明に用いる耐熱性高分子フィルムは、２
５℃において、１０％以上の引張伸度を有していること
が望ましく、更に、２００℃において、３％以上の引張
伸度を有していることが望ましい。これらは、超電導配
線用基板の使用時の安定性、信頼性を一層向上させるの
に役立つ。
２５℃、５０％ＲＨにおける吸湿率が３重量％以下であ
る。また、本発明に用いる耐熱性高分子フィルムは、２
５℃において、１０％以上の引張伸度を有していること
が望ましく、更に、２００℃において、３％以上の引張
伸度を有していることが望ましい。これらは、超電導配
線用基板の使用時の安定性、信頼性を一層向上させるの
に役立つ。
本発明に用いる高温超電導材料としては、イツトリウム
系、ランタン系、ビスマス系などのセラミックス化合物
を挙げることかできる。
系、ランタン系、ビスマス系などのセラミックス化合物
を挙げることかできる。
好ましい具体例として、超電導化合物は次式■Ｌ ａ２
−ｘＭｘ Ｃｕｏ ４−５ （Ｉ ）（式中
、ＭはＣａ、 Ｂａ又はＳｒを表わし、Ｘは０．０５と
１．１の間、特には０．２を表わす）で表わされるに２
ＮｉＦ、構造を有する銅酸塩（ｃｕｐｒａｔｅ）である
。δの値は未だ決定されていないが製造プロセスにより
定まる（Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｌｅｔｔ、、 ５８． Ｐ
、４０５〜４０８ （１９８７） ）。
−ｘＭｘ Ｃｕｏ ４−５ （Ｉ ）（式中
、ＭはＣａ、 Ｂａ又はＳｒを表わし、Ｘは０．０５と
１．１の間、特には０．２を表わす）で表わされるに２
ＮｉＦ、構造を有する銅酸塩（ｃｕｐｒａｔｅ）である
。δの値は未だ決定されていないが製造プロセスにより
定まる（Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｌｅｔｔ、、 ５８． Ｐ
、４０５〜４０８ （１９８７） ）。
例としてＬａ１ｓ Ｂａａ、 ２ ＣｕＯ＜−５１Ｌａ
、 ８Ｃａｏ、 ２ＣｕＯ４−δ又はＬａ、 ｓ Ｓｒ
ｏ、 ２ Ｃｕ０４−ａが挙げられる。
、 ８Ｃａｏ、 ２ＣｕＯ４−δ又はＬａ、 ｓ Ｓｒ
ｏ、 ２ Ｃｕ０４−ａが挙げられる。
他の具体例として、超電導化合物は酸素が欠損しＢａを
含んでいる銅ペロプスキー石（ｃｏｐｐｅｒｐｅｒｏｖ
ｓｋｉｔｅ）であることができ、Ｂａは部分的にＣａ又
はＳｒ及び一種もしくはそれ以上の希土類金属で置き換
わっていてよい。その希土類金属はＹ。
含んでいる銅ペロプスキー石（ｃｏｐｐｅｒｐｅｒｏｖ
ｓｋｉｔｅ）であることができ、Ｂａは部分的にＣａ又
はＳｒ及び一種もしくはそれ以上の希土類金属で置き換
わっていてよい。その希土類金属はＹ。
Ｅｕ、 Ｌａ、 Ｓｃ及びＰｒからなる群より選択され
るのが好ましい（Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ
、、 １８． Ｐ、１８８８〜１８９０（１９８７）
）。
るのが好ましい（Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ
、、 １８． Ｐ、１８８８〜１８９０（１９８７）
）。
これら超電導化合物は次式■
Ｍ ３ Ｃｕ ３０ ｘ （Ｉ［
）（式中、Ｘは６．７ないし７．３、好ましくは６，８
５の数を表わし、そしてＭ３はアルカリ土類金属と希土
類金属の結合物、例えばＢａ２Ｙ、 ＢａＪｕ。
）（式中、Ｘは６．７ないし７．３、好ましくは６，８
５の数を表わし、そしてＭ３はアルカリ土類金属と希土
類金属の結合物、例えばＢａ２Ｙ、 ＢａＪｕ。
Ｂａ２Ｌａ、 Ｂａ１ａＬａ＋、 ２． ＢａＣａＬａ
、 ＢａＣａＹ、 Ｂａ２Ｙｏ、 ７５Ｓｃｏ、 ２５
１ Ｂａ２Ｅｕｏ、 ７５ＳＣＯ，２５１ＢａｚＹｏ、
５Ｌａｏ、 ５Ｂａ１．ｓｒｏ、 ｓＹ、 Ｂａ２Ｅ
ｕｏ、 ５Ｐｒｏ、 １． Ｂａ２ＥＬＩｏ、 ｅＹｏ
、 ＋又はＢａ２Ｅｕｏ、 ７５ＹＯ，２５を表わす）
で表わされるものであってよい。
、 ＢａＣａＹ、 Ｂａ２Ｙｏ、 ７５Ｓｃｏ、 ２５
１ Ｂａ２Ｅｕｏ、 ７５ＳＣＯ，２５１ＢａｚＹｏ、
５Ｌａｏ、 ５Ｂａ１．ｓｒｏ、 ｓＹ、 Ｂａ２Ｅ
ｕｏ、 ５Ｐｒｏ、 １． Ｂａ２ＥＬＩｏ、 ｅＹｏ
、 ＋又はＢａ２Ｅｕｏ、 ７５ＹＯ，２５を表わす）
で表わされるものであってよい。
更に超電導化合物はＢａ２ＹＣｕ３Ｆ２０．であること
ができる（Ｐｈｙ５． Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ、、 ２４
． Ｐ、２５７９〜２５８１、（１９８７））。ｙの値
は定義されず上記製造方法により定まる。従ってＹの値
は、Ｔｃ〉１５５にとなるような値である。
ができる（Ｐｈｙ５． Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔ、、 ２４
． Ｐ、２５７９〜２５８１、（１９８７））。ｙの値
は定義されず上記製造方法により定まる。従ってＹの値
は、Ｔｃ〉１５５にとなるような値である。
最近になって、更に高温超電導化合物が開示されており
、例えば次のものが挙げられている。
、例えば次のものが挙げられている。
遷移温度Ｔｃ＝３０にのＢａｏ、 ａ Ｋｏ、 ４８＋
０３（Ｒ，Ｊ、Ｇａｖａ ｅｔ ａｌ、、 Ｎａｔｕｒ
ｅ、 ３３２ 、Ｐ、８１４ （１９８８）、遷移温度
Ｔｃ ＝ ８５ Ｋ ＋７） ＢｉｚＳｒ２ＣａＣＵ２
０ａ （Ｈ，Ｗ。
０３（Ｒ，Ｊ、Ｇａｖａ ｅｔ ａｌ、、 Ｎａｔｕｒ
ｅ、 ３３２ 、Ｐ、８１４ （１９８８）、遷移温度
Ｔｃ ＝ ８５ Ｋ ＋７） ＢｉｚＳｒ２ＣａＣＵ２
０ａ （Ｈ，Ｗ。
Ｚａｎｂｅｒｇｅｎ ｅｔ ａｌ、、 Ｎａｔｕｒｅ、
Ｐ、３３２，６２０．（１９８８））、遷移温度Ｔｃ
＝１１０にのＢ１５ｒＣａＣｕ２０ｘ（Ｈ，Ｍａｅｄａ
ｅｔ ａｌ、 Ｊａｐ、 Ｊ、 ａｐｐｌ、 Ｐ’ｈｙ
ｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ２７゜Ｎａｔｕｒｅ、 ３３２
、 Ｐ、６２３．（１９８８）） 、遷移温度Ｔｃ１１
４ Ｋ （７） Ｂ１−Ａｌ−Ｃａ−３ｒ−Ｃｕ−０多
相系（Ｃ，Ｗ、 Ｃｈｕｅｔ ａｌ、、 Ｐｈｙｓｉｃ
ａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ 、 ６０
（１０〕Ｐ、 ９４１ （１９８８） 、遷移温度Ｔｃ
＝１１０にのＴＩ。
Ｐ、３３２，６２０．（１９８８））、遷移温度Ｔｃ
＝１１０にのＢ１５ｒＣａＣｕ２０ｘ（Ｈ，Ｍａｅｄａ
ｅｔ ａｌ、 Ｊａｐ、 Ｊ、 ａｐｐｌ、 Ｐ’ｈｙ
ｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ２７゜Ｎａｔｕｒｅ、 ３３２
、 Ｐ、６２３．（１９８８）） 、遷移温度Ｔｃ１１
４ Ｋ （７） Ｂ１−Ａｌ−Ｃａ−３ｒ−Ｃｕ−０多
相系（Ｃ，Ｗ、 Ｃｈｕｅｔ ａｌ、、 Ｐｈｙｓｉｃ
ａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ 、 ６０
（１０〕Ｐ、 ９４１ （１９８８） 、遷移温度Ｔｃ
＝１１０にのＴＩ。
Ｃａ２Ｂａ２Ｃｕ３０Ｘ、遷移温度Ｔｃ＝１２５にのＴ
１２Ｃａ２Ｂａ２Ｃｕ３０ｘ （Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｗｅｅｋ、 ２． Ｐ、１４（１９８８
）及び遷移温度Ｔｃ＝１２０にのＴ１２Ｂａ２ＣａＣｕ
２０３０１４．Ａ、 Ｓｕｂｒａｍａｎｉａｎ ｅｔ
ａｌ、、 ＮａｔｕｒｅＸ３３２Ｐ、 ４２０．
（１９８８））。
１２Ｃａ２Ｂａ２Ｃｕ３０ｘ （Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｗｅｅｋ、 ２． Ｐ、１４（１９８８
）及び遷移温度Ｔｃ＝１２０にのＴ１２Ｂａ２ＣａＣｕ
２０３０１４．Ａ、 Ｓｕｂｒａｍａｎｉａｎ ｅｔ
ａｌ、、 ＮａｔｕｒｅＸ３３２Ｐ、 ４２０．
（１９８８））。
次に、本発明の超電導配線用基板をつくる方法の例につ
いて述べる。ただし、本発明は以下に述べる方法に限定
されるものではない。
いて述べる。ただし、本発明は以下に述べる方法に限定
されるものではない。
第１番目の方法は、「プラズマ・アシステツド・レーザ
・デポジション法」とよばれるもので、用意した超電導
材料に紫外レーザ光をあてて蒸発させ、同時に放電して
つくった酸素プラズマ中で、約４００〜４５０℃に加熱
したフィルムに積層する方法である。ここで、当然のこ
とながら、所望する配線パターンが得られるように、基
板に必要なマスクをする等の準備が必要である。
・デポジション法」とよばれるもので、用意した超電導
材料に紫外レーザ光をあてて蒸発させ、同時に放電して
つくった酸素プラズマ中で、約４００〜４５０℃に加熱
したフィルムに積層する方法である。ここで、当然のこ
とながら、所望する配線パターンが得られるように、基
板に必要なマスクをする等の準備が必要である。
第２番目の方法は、「超微粒子ガスデポジション法」と
呼ばれるもので、細いノズルの先から、直径約０，１ミ
クロンの超電導体セラミックス粉体を高速でフィルム基
板に吹きつけて、積層する。
呼ばれるもので、細いノズルの先から、直径約０，１ミ
クロンの超電導体セラミックス粉体を高速でフィルム基
板に吹きつけて、積層する。
この方法の場合、基板上の必要な部分にのみ、超電導材
料を堆積できるので、所望の配線パターンにつくること
かできる。
料を堆積できるので、所望の配線パターンにつくること
かできる。
このようにして作成した超電導配線用基板は、必要なら
、本発明の基材に使用されている耐熱性高分子フィルム
等を保護用カバー材として用いることも好ましい実施態
様の１つである。
、本発明の基材に使用されている耐熱性高分子フィルム
等を保護用カバー材として用いることも好ましい実施態
様の１つである。
実施例１
特開昭６２−１１６６３７号公報に記載された方法で、
ポリ（Ｐ−）ユニしンテレフタルアミド）からなる約４
０μｍ厚のフィルムをつくった。このフィルムの２５℃
〜３００℃の範囲で測定した熱膨張係数、２５０℃にお
ける熱収縮率、２５℃における吸湿膨張係数は、それぞ
れ、 （５−２） Ｘｌ０−６すなわち３Ｘ１０−６
．０．１％、１３ＸＩＯ−６であった。
ポリ（Ｐ−）ユニしンテレフタルアミド）からなる約４
０μｍ厚のフィルムをつくった。このフィルムの２５℃
〜３００℃の範囲で測定した熱膨張係数、２５０℃にお
ける熱収縮率、２５℃における吸湿膨張係数は、それぞ
れ、 （５−２） Ｘｌ０−６すなわち３Ｘ１０−６
．０．１％、１３ＸＩＯ−６であった。
なお、膨張係数は熱機械分析装置で測定した。
このフィルムを、酸素プラズマ発生用チャンバ中に保持
し、３００℃で真空下に約３０分保持して完全に乾燥し
、次いでチャンバー中に超電導化合物Ｂａ２ＹＣｕ３０
ｅ８ｓを入れ、約４１０℃に加熱して紫外レーザを照射
し、同時に酸素プラズマを発生させて、フィルム上に上
記化合物を堆積させた。約５分間で、超電導化合物が約
７μｍの厚みでフィルム上に密に堆積した積層物が得ら
れた。
し、３００℃で真空下に約３０分保持して完全に乾燥し
、次いでチャンバー中に超電導化合物Ｂａ２ＹＣｕ３０
ｅ８ｓを入れ、約４１０℃に加熱して紫外レーザを照射
し、同時に酸素プラズマを発生させて、フィルム上に上
記化合物を堆積させた。約５分間で、超電導化合物が約
７μｍの厚みでフィルム上に密に堆積した積層物が得ら
れた。
この積層物の密着強度はかなり大きく、また超電導特性
を示した。
を示した。
次に、フィルムの上に、約２ｍｍ幅Ｘ Ｓ ｃｍ長（７
）長孔をもったステンレス板をおき、これでフィルムを
マスクして、上記と同じ操作を加えた。終了後マスクを
とり外したところ、マスクのない部分に約２ｍｍ幅の「
回路」が形成されていた。
）長孔をもったステンレス板をおき、これでフィルムを
マスクして、上記と同じ操作を加えた。終了後マスクを
とり外したところ、マスクのない部分に約２ｍｍ幅の「
回路」が形成されていた。
実施例２
特開昭５８−２０２５８３号公報に記載された方法で、
３．３’４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸無水物
と４，４′−ジアミノジフェニルエーテルから２５μｍ
厚のポリイミドフィルムをつくった。このフィルムは、
２５℃〜３００℃の範囲で測定した熱膨張係数、２５０
℃における熱収縮率、２５℃における吸湿膨張係数は、
それぞれ、 （５＋６）すなわちＩＩＸ １０−６０
．０６％、 ９Ｘ１０−’をもっていた。
３．３’４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸無水物
と４，４′−ジアミノジフェニルエーテルから２５μｍ
厚のポリイミドフィルムをつくった。このフィルムは、
２５℃〜３００℃の範囲で測定した熱膨張係数、２５０
℃における熱収縮率、２５℃における吸湿膨張係数は、
それぞれ、 （５＋６）すなわちＩＩＸ １０−６０
．０６％、 ９Ｘ１０−’をもっていた。
このフィルム上に、超電導化合物ＢＢ１２５ｒ２ＣａＣ
ｕ２０を、超微粒子ガスデポジション法で吹きつけ、接
着力の大きい超電導膜を形成させた。
ｕ２０を、超微粒子ガスデポジション法で吹きつけ、接
着力の大きい超電導膜を形成させた。
この超電導層積層基板は、超電導層のはく離、割れ、ヒ
ビなどのない優れたものであった。
ビなどのない優れたものであった。
本発明の基板は、超電導層とフィルムとの寸法安定性の
差が小さいため、セラミックスのはく離、割れ、ヒビ入
すなどのトラブルのない信頼性の高い基板である。また
、フレキシビリイティをもっていて、使用しやすい。
差が小さいため、セラミックスのはく離、割れ、ヒビ入
すなどのトラブルのない信頼性の高い基板である。また
、フレキシビリイティをもっていて、使用しやすい。
また、超電導層を「電線」 （配線）として利用すれば
、抵抗の非常に小さい、従ってエネルギロスの極めて小
さい配線板として利用できる。
、抵抗の非常に小さい、従ってエネルギロスの極めて小
さい配線板として利用できる。
特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- １．（５±１０）×１０＾−＾６の熱膨張係数をもち、
２５０℃における熱収縮率が０．３％以下、２５℃にお
ける吸湿膨張係数が３０×１０＾−＾６以下である耐熱
性高分子フィルムの少くとも片面に高温超電導材料を積
層してなることを特徴とする超電導配線用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2165633A JPH0456294A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 超電導配線用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2165633A JPH0456294A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 超電導配線用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456294A true JPH0456294A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15816073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2165633A Pending JPH0456294A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 超電導配線用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456294A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000011066A1 (fr) * | 1998-08-25 | 2000-03-02 | Kaneka Corporation | Film de polyimide et son procede de production |
-
1990
- 1990-06-26 JP JP2165633A patent/JPH0456294A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000011066A1 (fr) * | 1998-08-25 | 2000-03-02 | Kaneka Corporation | Film de polyimide et son procede de production |
| US6335416B1 (en) | 1998-08-25 | 2002-01-01 | Kaneka Corporation | Polyimide film and process for producing the same |
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