JPH0456143A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の構成に係り、特にリードフレーム
を使用し樹脂により半導体素子を封止するものと表面に
リードが形成されたフィルムテープを使用し前記リード
に半導体素子を接続するＴ。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to the structure of a semiconductor device, and particularly relates to a device in which a semiconductor element is sealed with a resin using a lead frame, and a film tape having leads formed on the surface. T is used to connect the semiconductor element to the lead.
Ａ、 Ｂ、 （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）によりボンディングを行うテープキャリア
と呼ばれるものに適用して有効な技術に関するものであ
る。A, B, (Tape Automatic bo
The present invention relates to a technique that is effective when applied to what is called a tape carrier that performs bonding by bonding.
半導体装置の代表的なものとして、リードフレームを使
用しり−トフレームのタブに半導体素子を取付はワイヤ
ボンディングにて、各リードと半導体素子上の電極を接
続したちをトランスファモールドにより、樹脂封止する
樹脂封止型のものとポリイミド等からなるフィルムテー
プ上に銅に半田あるいは金等のメツキを施したリードの
形成されたものを使用し、フィルムテープに形成された
半導体素子搭載用の穴部（以下デバイスホールという）
直接リードを半導体素子上の銅あるいは金等のバンプ電
極に接続することにより保持し、樹脂を前記半導体素子
上にボッティングにより封止するテープキャリアと呼ば
れるものがある。As a typical semiconductor device, a lead frame is used.The semiconductor element is attached to the tab of the lead frame by wire bonding, each lead is connected to the electrode on the semiconductor element, and then the resin is sealed by transfer molding. A resin-sealed type is used, and a film tape made of polyimide or the like has leads formed by soldering copper or plating with gold, etc., and a hole formed in the film tape for mounting a semiconductor element is used. (hereinafter referred to as device hole)
There is a so-called tape carrier in which a lead is directly connected to a bump electrode of copper or gold on a semiconductor element to hold it, and a resin is sealed onto the semiconductor element by botting.
このようなトランスファモールドを行う半導体装置を示
したものとして特開昭６１−５９７５９号がある。また
テープキャリアを示したものとして昭和６１年３月１日
発行 日経マイクロデバイス ３月号 １２８頁〜１３
５頁 日経マグロウヒル社刊がある。Japanese Patent Laid-Open No. 61-59759 discloses a semiconductor device that performs such transfer molding. Also, the tape carrier is shown in Nikkei Microdevice March issue, published March 1, 1986, pages 128-13.
5 pages, published by Nikkei McGraw-Hill.
リードフレームを用いてトランスファモールドを行うも
のには、半導体素子が取付けられるタブと封止樹脂との
間にプロセス工程での熱履歴および基板実装後実用時の
環境変化等による外部ストレス、特に熱が加わると引張
り応力および歪応力が発生し、タブ周囲に隙間が発生し
水分が侵入しパンケージクランクが発生するという問題
があった。When transfer molding is performed using a lead frame, external stress, especially heat, is generated between the tab on which the semiconductor element is attached and the sealing resin due to thermal history during the process and environmental changes during actual use after mounting on the board. When this happens, tensile stress and strain stress are generated, which creates a gap around the tab, allowing moisture to enter and causing a pan cage crank.
またフィルムテープを使用しその表面に形成されたリー
ドと半導体素子を接続し前記半導体素子表面に樹脂をポ
ツティングし封止するものについては、製造工程中にフ
ィルムテープに熱ストレス等が加わるとリードを支持す
るデバイスホール周囲のフィルムテープが変形し、半導
体素子のコーナ一部に接続したリードに相当応力、相当
歪が集中し半導体素子近傍におけるリードに断線が起き
るという問題があった。またフィルムテープを用いたも
ののなかには、半導体素子が搭載されるべきデバイスホ
ールの周囲にフィルムによる枠（以下、サポートリング
という）が形成されその周囲にさらに穴部（以下、アウ
ターホールという）が形成され前記サポートリングはア
ウターホールの周囲のフィルムテープに吊り部により保
持されているものがある。このようなものも前記したサ
ポートリングのないものと同様に製造工程中の熱履歴に
より同様な問題が発生する。In addition, in cases where a film tape is used to connect the leads formed on the surface of the semiconductor element and the semiconductor element is sealed by potting resin on the surface of the semiconductor element, if heat stress etc. are applied to the film tape during the manufacturing process, the leads may be damaged. There is a problem in that the supporting film tape around the device hole is deformed, considerable stress and strain are concentrated on the leads connected to a part of the corner of the semiconductor element, and the leads near the semiconductor element are broken. Furthermore, in some products using film tape, a film frame (hereinafter referred to as a support ring) is formed around a device hole in which a semiconductor element is to be mounted, and a hole portion (hereinafter referred to as an outer hole) is formed around the frame. Some of the support rings are held by hanging parts on the film tape around the outer hole. Similar problems occur in this type of product due to heat history during the manufacturing process, as in the above-mentioned product without a support ring.
このような問題に対して種々の対策が講じられている。Various measures have been taken to address such problems.
例えばトランスファモールドを行うものの中で２方向に
タブリードを有するものについてはタブリードの接続す
る矩形のタブの対抗する両辺のほぼ中央部に分岐部を設
はタブを吊ることにより応力の発生を防止しようとする
ものがある。For example, for transfer molding products that have tab leads in two directions, it is possible to prevent the generation of stress by setting a branch part approximately in the center of both opposing sides of the rectangular tab to which the tab lead connects, and by suspending the tab. There is something to do.
しかし、このようなものは全体的な応力の発生を緩和す
る効果は認められるものの、タブコーナーへの応力集中
は完全に防止できない。またタブ分岐部を拡大し、前記
分岐部をコーナー近くまで形成することでコーナ一部へ
の応力集中を防止することは可能といえるが、半導体素
子の微細化、高集積化による多ピン化にはり−ドレイア
ウト状の問題がある。また、テープキャリアのボッティ
ング封止ものは前記リードの断線に対しては最適な対応
策はないというのが実状である。However, although this type of material is effective in alleviating the overall stress, it cannot completely prevent stress from concentrating on the tab corners. Furthermore, it is possible to prevent stress from concentrating on a part of the corner by enlarging the tab branch and forming the branch close to the corner. There is a beam-drain type problem. In addition, the reality is that there is no optimal countermeasure for the breakage of the leads in tape carriers that are sealed by botting.
本願発明の目的はこのような問題を解決しパッケージク
ランクやリードの断線が発生しない半導体装置および半
導体装置の製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device that solves such problems and prevents breakage of package cranks and leads.
Ｃ課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
について説明すれば下記のとおりである。Means for Solving Problem C] A summary of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち第１の手段については、半導体素子と、前記半
導体素子が取付けられる矩形のタブと、前記タブの４隅
から伸びるタブリードと、前記タブの周囲に存在するリ
ードと、前記半導体素子、タブリードおよびリードの一
部を包囲し封止する樹脂封止体とからなる半導体装置に
おいて、前記タブにはタブリードの接続するタブ近傍に
おいてスリットが設けられてなることを特徴とする半導
体装置である。That is, the first means includes a semiconductor element, a rectangular tab to which the semiconductor element is attached, tab leads extending from the four corners of the tab, leads existing around the tab, and the semiconductor element, the tab lead, and the lead. and a resin sealing body surrounding and sealing a part of the tab, wherein the tab is provided with a slit in the vicinity of the tab to which the tab lead is connected.
さらに第２の手段については、半導体素子と、前記半導
体素子に接続されるリードと、前記リ−ドを支持しデバ
イスホールを有するフィルムテープとからなる半導体装
置において、前記フィルムテープのデバイスホールの４
隅近傍にスリットが設けられてなることを特徴とする半
導体装置である。Furthermore, regarding the second means, in a semiconductor device comprising a semiconductor element, a lead connected to the semiconductor element, and a film tape supporting the lead and having a device hole, four of the device holes of the film tape are provided.
This semiconductor device is characterized in that a slit is provided near a corner.
第３の手段については、表面にリードが形成されたフィ
ルムテープを用い半導体装置を製造する方法において、
中央にデバイスホールを有しかつ前記のデバイスホール
の周囲にサポートリングをさらにその外側にアウターリ
ードホールを有するとともに前記サポートリングを吊り
フィルムテープに保持する吊り部を有するフィルムテー
プであって前記サポートリングと吊り部が接続する部分
にスリットが形成されたものを用意する工程と、前記リ
ードに半導体素子を接続する工程と、前記接続された半
導体素子を樹脂により封止する工程により半導体素子を
製造す忘半導体装置の製造方法である。Regarding the third means, in a method of manufacturing a semiconductor device using a film tape having leads formed on the surface,
A film tape having a device hole in the center, a support ring around the device hole, an outer lead hole outside the support ring, and a hanging part for holding the support ring to the hanging film tape, the support ring A semiconductor device is manufactured by a step of preparing a slit in which a slit is formed in the part where the lead and the hanging portion connect, a step of connecting a semiconductor device to the lead, and a step of sealing the connected semiconductor device with a resin. This is a method for manufacturing a semiconductor device.
上記した第１の手段によれば、タブの４隅にスリットを
形成しタブのコーナーに比較してタブの内側にタブリー
ドが接続部となるため、従来タブコーナ一部に集中して
いた応力を分離することができ、応力のコーナー集中を
大幅に低減することができる。According to the first method described above, slits are formed at the four corners of the tab, and the tab lead becomes a connection part on the inside of the tab compared to the corners of the tab, thereby separating the stress that was conventionally concentrated in a part of the tab corner. corner concentration of stress can be significantly reduced.
また第２の手段によれば、半導体素子の周囲に形成され
るリードを支持するフィルムテープのデバイスホール周
囲のコーナ一部にスリットを形成することにより、フィ
ルムテープの変形応力を吸収することができ、応力を大
幅に低減することができる。According to the second means, deformation stress of the film tape can be absorbed by forming a slit in a part of the corner around the device hole of the film tape that supports the leads formed around the semiconductor element. , stress can be significantly reduced.
さらに第３の手段によれば、サポートリングにスリット
を形成することにより、製造工程中の熱履歴による各種
応力の発生を大幅に緩和することができる。Furthermore, according to the third means, by forming slits in the support ring, generation of various stresses due to thermal history during the manufacturing process can be significantly alleviated.
〔実施例１〕
第１図は本発明の第１の実施例である半導体装置の一部
断面斜視図、第２図は第１図に示した半導体装置に使用
するリードフレームの要部であるタブ周辺を示した上面
図である。[Embodiment 1] FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view of a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a main part of a lead frame used in the semiconductor device shown in FIG. 1. FIG. 3 is a top view showing the vicinity of the tab.
本実施例において、本発明にかかる半導体装置は４方向
に導出するリードを有する樹脂封止型のＱ、Ｆ、Ｐ、（
クワッド・フラッド・パッケージ）タイプのものである
。In this example, the semiconductor device according to the present invention is a resin-sealed type Q, F, P, (
Quad Flood Package) type.
第１図に示したように本発明の半導体装置は、鉄系ある
いは銅系のリードフレームの矩形に形成されたタブ３上
にシリコンからなる半導体素子２を銀ペースト等の接着
剤にて取付け、タブ３の周囲に配設されている複数のり
−ド７と金あるいは銅等のワイヤ４１こて半導体素子２
上の電極とが接続されている。また、リードの１部とそ
の他これら周囲を覆うように樹脂により封止体１を形成
している。さらにタブ３を吊るタブリード６にはタブ３
と接続する部分近傍においてスリット５が形成されてい
る。As shown in FIG. 1, in the semiconductor device of the present invention, a semiconductor element 2 made of silicon is mounted on a rectangular tab 3 of an iron-based or copper-based lead frame using an adhesive such as silver paste. A plurality of glues 7 and wires 41 made of gold or copper, etc., are arranged around the tab 3. A soldering iron semiconductor element 2
The upper electrode is connected. Further, a sealing body 1 is formed of resin so as to cover a portion of the lead and the surrounding area thereof. Furthermore, the tab 3 is attached to the tab lead 6 that hangs the tab 3.
A slit 5 is formed near the portion where it connects with.
さらに本発明に使用するリードフレームについて説明す
る。第２図に示したように本発明のリードフレームの要
部は半導体素子２が取付けられるタブ３と前記タブ３を
支持するためのタブリード６とその周囲に配設されるリ
ード７とからなっている。タブ３を吊るタブリード６は
その吊る箇所においてタブリード６ａの二本に細く分岐
しており、タブ３とタブリード６との間でスリット５を
形成している。このためタブリードは従来のタブコーナ
ー４隅にタブリードが接続しているものに比較してタブ
コーナーの内側の辺においてタブ３を吊る構成となって
いる。Furthermore, the lead frame used in the present invention will be explained. As shown in FIG. 2, the main parts of the lead frame of the present invention consist of a tab 3 to which a semiconductor element 2 is attached, a tab lead 6 for supporting the tab 3, and a lead 7 disposed around the tab 3. There is. The tab lead 6 from which the tab 3 is hung is thinly branched into two tab leads 6a at the hanging point thereof, and a slit 5 is formed between the tab 3 and the tab lead 6. For this reason, the tab lead has a structure in which the tab 3 is hung on the inner side of the tab corner, compared to the conventional tab lead connected to the four corners of the tab corner.
このように形成されたリードフレームを使用することに
より、スリット５内にも樹脂が入り込み半導体装置が封
止されている。By using the lead frame formed in this manner, the resin also enters into the slit 5 and the semiconductor device is sealed.
本実施例の半導体装置においての製造においては、従来
の樹脂封止型の半導体装置の製造となんら変わる所はな
い。The manufacturing of the semiconductor device of this embodiment is no different from the manufacturing of conventional resin-sealed semiconductor devices.
〔実施例２〕
第３図は本発明の半導体装置の第２の実施例に使用する
リードフレームの要部であるタブ付近を示した正面図で
ある。[Embodiment 2] FIG. 3 is a front view showing the vicinity of a tab, which is a main part of a lead frame used in a second embodiment of a semiconductor device of the present invention.
第３図に示したように、本実施例では半導体素子２が取
付けられるタブ３を４方向より吊るタブリード８と前記
タブ３の周囲に配設される複数のリート７とからなる。As shown in FIG. 3, this embodiment includes a tab lead 8 for suspending a tab 3 to which a semiconductor element 2 is attached from four directions, and a plurality of reats 7 arranged around the tab 3.
本実施例においてはタブ３とタフリード８がコーナ一部
にて接続し、前記タブ３のコーナ一部近傍内側にコーナ
ー形に？ＱうようにＬ字状スリット９がそれぞれ４隅に
設けられている。このようなリードフレームを使用する
ことを除いては、第１の実施例と同等なものを使用する
ことができる。In this embodiment, the tab 3 and the tough lead 8 are connected at a part of the corner, and a corner is formed on the inside near the part of the corner of the tab 3. L-shaped slits 9 are provided at each of the four corners. Except for using such a lead frame, the same as the first embodiment can be used.
本実施例によれば、タブリートとタブの接続する部分に
おいてタブリード幅を取る必要がないので、リードの数
の制限をうけることなく、タブコーナ一部周辺に応力の
集中しない半導体装置を提供することができる。According to this embodiment, since it is not necessary to provide a tab lead width at the portion where the tabs connect, it is possible to provide a semiconductor device without stress concentration around a part of the tab corner without being limited by the number of leads. can.
〔実施例３〕
第４図は本発明の第３の実施例である半導体装置の正面
図である。[Embodiment 3] FIG. 4 is a front view of a semiconductor device which is a third embodiment of the present invention.
本実施例において対象となる半導体装置はテープキャリ
アと呼ばれるものである。The target semiconductor device in this embodiment is called a tape carrier.
第４図に示したポリイミド樹脂あるいはガラスエポキシ
樹脂系のフィルムテープ１０上には銅あるいは錫に半田
あるいは金メツキを施したリード１１が形成されている
。このテープは中央に半導体素子配置用の矩形状に形成
されたデバイスホールが設けられている。このり一部１
１は半導体素子１３に金あるいは銅等て形成されたバン
プ電極により接続されている。この取付けられた半導体
素子１３の周囲にリート１１支持部材としての役割も有
するフィルムテープ１０がある。このフィルムテープ１
０にはデバイスホールの４隅近傍にデバイスホール形状
に対応するようにＬ字状のスリット１２がそれぞれ設け
られている。そして前記デバイスホールに取付けられた
半導体素子上にはボンティングにより樹脂封止層１４が
形成されている。Leads 11 made of copper or tin soldered or plated with gold are formed on a film tape 10 made of polyimide resin or glass epoxy resin shown in FIG. This tape has a rectangular device hole in the center for arranging a semiconductor element. Konori part 1
1 is connected to a semiconductor element 13 by a bump electrode made of gold, copper, or the like. Around the attached semiconductor element 13, there is a film tape 10 which also serves as a support member for the REIT 11. This film tape 1
L-shaped slits 12 are provided in the vicinity of the four corners of the device hole so as to correspond to the shape of the device hole. A resin sealing layer 14 is formed by bonding on the semiconductor element attached to the device hole.
以下、本実施例の半導体装置の製造方法について説明す
る。The method for manufacturing the semiconductor device of this example will be described below.
まず、ポリイミド樹脂等の材料からなる連続するフィル
ム上に銅を貼り付けてエツチングし、パターンニングし
半田等のめっきを施したり−ド１１を有し、さらに中央
に矩形のデバイスホールが形成されそのデバイスホール
の周辺のフィルムテープ隅部にはスリット１２が形成さ
れたフィルムテープを用意する。次にデバイスホールの
リード１１に半導体素子１２の上に形成された銅あるい
は金等からなる電極をＴａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｉｃ
ｂｏｎｄｉｎｇにより取付ける。その後半導体素子１３
表面に封止樹脂１４をボンティングし半導体素子を封止
する。さらに半導体素子の取付けられた連続したフィル
ムテープを各々切り離し、第４図のテープキャリアとす
る。First, copper is pasted on a continuous film made of a material such as polyimide resin, etched, patterned, and plated with solder, etc., to form a board 11, and a rectangular device hole is formed in the center. A film tape with slits 12 formed in the corners of the film tape around the device hole is prepared. Next, an electrode made of copper or gold formed on the semiconductor element 12 is attached to the lead 11 of the device hole using a tape automatic.
Attach by bonding. After that, the semiconductor element 13
A sealing resin 14 is bonded to the surface to seal the semiconductor element. Further, each of the continuous film tapes having the semiconductor elements attached thereto is cut to form a tape carrier as shown in FIG.
本実施例によれば、製造工程時およびテープキャリアの
実装後における熱履歴および環境変化等により発生する
応力を緩和することができる。According to this embodiment, stress generated due to thermal history, environmental changes, etc. during the manufacturing process and after mounting the tape carrier can be alleviated.
〔実施例４〕
第５図は本発明の第４の実施例である半導体装置の製造
方法による一部工程を示した図である。[Embodiment 4] FIG. 5 is a diagram showing some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.
以下、本発明の製造工程について説明する。The manufacturing process of the present invention will be explained below.
まず、表面に銅あるいは錫に半田あるいは金メツキを施
したリードを有しポリイミド樹脂あるいはガラスエポキ
シ樹脂がらなり、半導体素子取付は用のデバイスホール
を有しかつ前記デバイスホールの周囲にサポートリング
１７をさらにその外側にアウターリード−ホールを有す
るとともに前記サポートリング１７を吊りフィルムテー
プ１５こ保持する吊り部１６を有するフィルムテープ１
５であって前記サポートリングと吊り部が接続するサポ
ートリング１７部分にスリット１８が形成されたものを
用意する。前記フィルムテープのデバイスホールに半導
体素子２０の上面に形成した金あるいは銅等で形成した
バンプ電極にリード１９をＴａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｉ
ｃ ｂｏｎｄｅｉｎｇにより接続し取付ける。この後エ
ポキシ系の樹脂２１をボッティングにより半導体素子２
０の表面を封止する。そして各々の半導体装置をフィル
ムに取付けた状態あるいは半導体素子にリードを接続し
た状態に切り離し、所望の半導体装置を得る。First, it has leads made of copper or tin soldered or gold-plated on the surface, made of polyimide resin or glass epoxy resin, has a device hole for mounting a semiconductor element, and has a support ring 17 around the device hole. The film tape 1 further has an outer lead hole on the outside thereof and a hanging part 16 for holding the support ring 17 by the hanging film tape 15.
5, in which a slit 18 is formed in the part of the support ring 17 where the support ring and the hanging part are connected. The leads 19 are connected to the bump electrodes made of gold or copper formed on the upper surface of the semiconductor element 20 in the device holes of the film tape.
c Connect and install using bonding. After this, epoxy resin 21 is applied to the semiconductor element 2 by botting.
0 surface is sealed. Then, each semiconductor device is separated into a state where it is attached to a film or a state where a lead is connected to a semiconductor element to obtain a desired semiconductor device.
本実施例においては従来のテープキャリアに使用するフ
ィルムテープの半導体素子を取付ける部分の周囲のサポ
ートリングにスリットを設けることのみで、後の工程に
ついては従来のものと同等なものを使用することができ
る。In this example, only a slit is provided in the support ring around the part of the film tape used in the conventional tape carrier where the semiconductor element is attached, and the same thing as the conventional one can be used for the subsequent steps. can.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られるものの効果について説明すれば下記のとおり
である。The effects obtained by typical inventions disclosed in this application are as follows.
すなわち半導体装置のうち、リードフレームあるいはテ
ープキャリアを使用するものにおいて、製造工程中の熱
処理、その他のストレスにおいてもパッケージクランク
およびリード断線等の不良の発生しない半導体装置を提
供することができる。That is, it is possible to provide a semiconductor device that uses a lead frame or a tape carrier and does not suffer from defects such as package crank and lead breakage even during heat treatment and other stresses during the manufacturing process.
以上本発明を本発明の背景となったＱ、Ｆ、Ｐ。The above Q, F, and P are the background of the present invention.
タイプの半導体装置およびテープキャリアに基づいて説
明したが本発明は前記実施例に限定されることなく本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々適用できることはいう
までもない。Although the present invention has been described based on a type of semiconductor device and a tape carrier, it goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments and can be applied in various ways without departing from the gist of the present invention.
例えば、適用する樹脂封止型半導体装置の形状はＱ、Ｆ
、Ｐ、たけではなくタブを４点で吊るものには全て適用
可能である。For example, the shape of the resin-sealed semiconductor device to be applied is Q, F.
, P, is applicable to all cases where tabs are hung at four points instead of by bamboo.
またテープキャリアについては、サポートリングを設け
たものでサポートリング内のデバイスホールに樹脂を充
填するものについてもサポートリングの４隅にスリット
を形成することで適用が可能である。Further, regarding the tape carrier, it is also possible to apply the present invention to a tape carrier provided with a support ring in which device holes in the support ring are filled with resin by forming slits at the four corners of the support ring.
第１図は本発明の第１の実施例である半導体装置の一部
断面斜視図、
第２図は第１図に示した半導体装置に使用するリードフ
レームの要部であるタブ周辺を示した上面図、
第３図は本発明の半導体装置の第２の実施例に使用する
リードフレームの要部を示した正面図、第４図は本発明
の第３の実施例である半導体装置の正面図、
第５図は本発明の第４の実施例を示した半導体装置の製
造方法の一部工程を示す正面図である。
１・・樹脂封止体、２・・・半導体素子、３・・・タブ
、４・・・ワイヤ、５・・スリット、６，８・・タブリ
ード、７・・リード、９・・スリット、１０・・・フィ
ルムテープ、１２・・スリット、１３・・・半導体素子
、１４・・樹脂、１５・・フィルムテープ、１６・・・
吊り部、１７・・サポートリング、１８・・・スリット
、１９・・リード、２０・・・半導体素子、２１・・・
樹脂。FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows the vicinity of a tab, which is a main part of a lead frame used in the semiconductor device shown in FIG. A top view, FIG. 3 is a front view showing the main parts of a lead frame used in the second embodiment of the semiconductor device of the present invention, and FIG. 4 is a front view of the semiconductor device which is the third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a front view showing some steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention. 1... Resin sealing body, 2... Semiconductor element, 3... Tab, 4... Wire, 5... Slit, 6, 8... Tab lead, 7... Lead, 9... Slit, 10 ...Film tape, 12...Slit, 13...Semiconductor element, 14...Resin, 15...Film tape, 16...
Hanging part, 17...Support ring, 18...Slit, 19...Lead, 20...Semiconductor element, 21...
resin.
Claims (1)
のタブと、前記タブの４隅近傍から伸びるタブリードと
、前記タブの周囲に配設されたリードと、前記半導体素
子、タブリード及びリードの一部を包囲し封止する樹脂
封止体とからなる半導体装置において、前記タブリード
の接続するタブの４隅近傍においてスリットが設けられ
てなることを特徴とする半導体装置。 ２、半導体素子と、前記半導体素子に接続されるリード
と、前記リードを支持しデバイスホールを有するフィル
ムテープとからなる半導体装置において、前記フィルム
テープのデバイスホールの４隅近傍にスリットが設けら
れてなることを特徴とする半導体装置。 ３、表面にリードが形成されたフィルムテープを用い半
導体装置を製造する方法において、中央にデバイスホー
ルを有しかつ前記のデバイスホールの周囲にサポートリ
ングをさらにその外側にアウターリードホールを有する
とともに前記サポートリングを吊りフィルムに保持する
吊り部を有するフィルムテープであって前記サポートリ
ングと吊り部が接続する部分にスリットが形成されたも
のを用意する工程と、前記リードに半導体素子を接続す
る工程と、前記接続された半導体素子を樹脂により封止
する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。[Scope of Claims] 1. A semiconductor element, a rectangular tab to which the semiconductor element is attached, tab leads extending from near four corners of the tab, leads arranged around the tab, and the semiconductor element; 1. A semiconductor device comprising a tab lead and a resin sealing body surrounding and sealing a part of the lead, characterized in that slits are provided in the vicinity of four corners of the tab to which the tab lead is connected. 2. In a semiconductor device comprising a semiconductor element, a lead connected to the semiconductor element, and a film tape supporting the lead and having a device hole, slits are provided near four corners of the device hole of the film tape. A semiconductor device characterized by: 3. A method for manufacturing a semiconductor device using a film tape having leads formed on its surface, which has a device hole in the center, a support ring around the device hole, and an outer lead hole on the outside thereof; a step of preparing a film tape having a hanging part for holding the support ring to the hanging film, in which a slit is formed in a part where the support ring and the hanging part connect; and a step of connecting a semiconductor element to the lead. . A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: sealing the connected semiconductor elements with a resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16263590A JPH0456143A (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16263590A JPH0456143A (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456143A true JPH0456143A (en) | 1992-02-24 |
Family
ID=15758363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16263590A Pending JPH0456143A (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Semiconductor device and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456143A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831869A (en) * | 1994-05-09 | 1996-02-02 | Nec Corp | Semiconductor device, manufacture thereof and mounting inspection method therefor |
| JPH08102475A (en) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Nec Corp | Carrier film |
| EP0862211A3 (en) * | 1997-02-27 | 2000-11-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and method for fabricating the same |
| US9187282B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-11-17 | Reifenhäuser GmbH & Co. KG Maschinenfabrik | Winding device |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP16263590A patent/JPH0456143A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0831869A (en) * | 1994-05-09 | 1996-02-02 | Nec Corp | Semiconductor device, manufacture thereof and mounting inspection method therefor |
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| EP1528595A1 (en) | 1997-02-27 | 2005-05-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Lead frame, wire-bonding stage and method for fabricating a semiconductor apparatus |
| US9187282B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-11-17 | Reifenhäuser GmbH & Co. KG Maschinenfabrik | Winding device |
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