JPH0456124A

JPH0456124A - 常圧ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH0456124A
Application number: JP16277690A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Aikawa; 相川　博
Original assignee: Kawasaki Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 1990-06-22
Filing date: 1990-06-22
Publication date: 1992-02-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、半導体ウェーハ上にＣＶＤ膜を形成するため
に用いられる常圧ＣＶＤ装置に関する。

〈従来の技術〉従、来、一般に使用されている常圧ＣＶＤ装置の主要部
を構成する反応炉部は、第２図に示すような構造となっ
ている（例えば特開昭６０−７４５０９号公報参照）。

すなわち、ヘルジャ−１の上部には、反応ガスが漏れな
いように０リング２で気密シールされてノズル本体３が
取付けられている。このノズル本体３の中央部には、例
えばシランやホスフィンなどの第１反応ガス系４および
第１反応ガス系ノズル５が設けられる。

また、ノズル本体３の上部側面には、例えば酸素ガスな
どの第２反応ガス系６が設けられ、ノズル本体３の中空
部７に流出口が接し、中空部７の下部が第１反応ガス系
ノズル５に同心円状とされる第２反応ガス系ノズル８と
なっている。

ノズル本体３の下方のペルジャー１内には円錐形状とさ
れるバッファ９が設けられ、ペルジャー１およびバッフ
ァ９との間の空間が反応室ｌＯを構成している。

そして、第１反応ガス系、４を介して流入する第１反応
ガスはノズル本体３の上部から入り、ノズル本体３の中
央部を通って反応室ｌＯに接した第１反応ガス系ノズル
５の流出口からバッファ９上に垂直に流出する。

一方、第２反応ガス系６を介して流入する第２反応ガス
はノズル本体３の側部から水平方向に流入し、ノズル本
体３の中空部７で下方に向きを変え、バッファ９上に流
出するようになっている。

このようにバッファ９上に混合しながら流出した第１お
よび第２反応ガスは、さらにバッファ９上に沿って流下
し、ヘルジャ−１とバッファ９とで画成される反応室１
０においてヒータ１１によって加熱されながら自公転す
るサセプタ１２上に載置された半導体ウェーハ１３の表
面と化学的に反応してＣＶＤＷＩＪ、を形成した後排気
されるのである。

〈発明が解決しようとする課題〉しかしながら、第１反応ガスと第２反応ガスとの混合流
がペルジャーｌとバッファ９の空間を流れる際には、拡
散してしまって十分に混合せず、またその流れの方向が
一定にならず、半導体ウヱーハ１３に均一に接すること
ができないから、安定したＣＶＤ膜の生成ができないと
いう問題がある。

また、ベルジャ−１内面にフレークと称する反応生成物
が付着し易いため、頻繁に取り外して清掃するなどのメ
ンテナンスを行う必要があるから、装置の稼働率を低下
させることになる。

本発明は、上記のような課題を解決した常圧ＣＶＤ装置
を提供することを目的とする。

〈課題を解決するための手段〉本発明は、中央部に第１の反応ガス系ノズルを、この第
１の反応ガス系ノズルに同心円状に第２の反応ガス系ノ
ズルを付設してなるノズル本体をベルジャーの上部に配
設してなる常圧ＣＶＤ装置において、前記第１の反応ガ
ス系ノズルおよび第２の反応ガス系ノズルの内側にスパ
イラル状の羽根を付設し、かつ、それらの先端部は絞り
形状とされることを特徴とする常圧ＣＶＤ装置である。

く作　用〉本発明によれば、ノズル本体の内側にスパイラル状の羽
根を付設して、かつその先端が絞り込むようにしたので
、ノズルから噴出する第１反応ガスと第２反応ガスとは
よくｔｕ合するとともに、層流状になって半導体ウェー
ハの表面と均一に反応させることができ、これによって
安定したＣＶＤ膜を生成することができる。

〈実施例〉本発明の実施例について説明すると、第１図に側断面図
を示すように、ノズル本体３を構成する第１反応ガス系
ノズル５と第２反応ガス系ノズル８の内側にはスパイラ
ル状の羽根１４．１５がそれぞれ設けられ、またそれら
の先端部５ａ、８ａはそれぞれ絞り形状とされる。

なお、羽根１４．１５の傾斜角は、およそ３°〜３０゛
程度が望ましく、また先端部５ａ、８ａの開口部径はノ
ズル部径に比して１ノ２〜７ノ８程度が望ましい。

このようにノズル本体３を構成することにより、第１反
応ガス系４と第２反応ガス系６から送り込まれる第１反
応ガスと第２反応ガスはそれぞれらせん状に回転しなが
ら各ノズルの先端部５ａ、８ａから噴出し、バッファ９
の円錐状の表面に沿って直進するようになるから、半導
体ウェーへの表面と均一に反応して安定したＣＶＤＩＩ
Ｉを形成することができる。

〈発明の効果〉本発明によれば、ノズル本体の内側にスパイラル状の羽
根を付設し、かつその先端を絞り形状にしたので、ノズ
ルから噴出する第１反応ガスと第２反応ガスとの混合ガ
スを層流状にして直進させて半導体ウェーハに安定した
ＣＶＤ膜を形成させることができ、品質の向上に寄与す
る。

また、混合ガスの層流化によってペルジャー内面にフレ
ークが付着しにくくなるから、メンテナンス頻度を低減
することができ、装置の稼働率の向上が期待できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示ず側断面図、第２図は従来
例を示す側断面図である。１・・・ベルジャー、　　３・・・ノズル本体、　　４
・・・第１反応ガス系、　　５・・・第１反応ガス系ノ
ズル。５ａ・・・第１反応ガス系ノズル先端部、　　６・・・
第２反応ガス系、　　７・・・中空部、　　８・・・第
２反応ガス系ノズル、　　　８ａ・・・第２反応ガス系
ノズル先端部、　　９・・・バッファ、１０・・・反応
室、　　１１・・・ヒータ、　　１２・・・サセプタ、
　　１３・・・半導体つ工−ハ、１４．１５・・・羽根
。

Claims

【特許請求の範囲】

　中央部に第１の反応ガス系ノズルを、この第１の反応
ガス系ノズルに同心円状に第２の反応ガス系ノズルを付
設してなるノズル本体をベルジャーの上部に配設してな
る常圧ＣＶＤ装置において、前記第１の反応ガス系ノズ
ルおよび第２の反応ガス系ノズルの内側にスパイラル状
の羽根を付設し、かつ、それらの先端部は絞り形状とさ
れることを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。