JPH045588A - 校正用コイル付ｓｑｕｉｄ磁束計 - Google Patents
校正用コイル付ｓｑｕｉｄ磁束計Info
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- JPH045588A JPH045588A JP2106094A JP10609490A JPH045588A JP H045588 A JPH045588 A JP H045588A JP 2106094 A JP2106094 A JP 2106094A JP 10609490 A JP10609490 A JP 10609490A JP H045588 A JPH045588 A JP H045588A
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- coil
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- squid
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- detection coils
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば医療用、地下資源探索用、等の応用が可
能な高怒度磁気センサである超伝導量子干渉素子（ＳＱ
ＵＩＤ：Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）に関
するものである。
能な高怒度磁気センサである超伝導量子干渉素子（ＳＱ
ＵＩＤ：Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）に関
するものである。
本発明は、一枚のシリコン基板上にＳＱＵＩＤ本体、入
力コイル、検出コイルと帰還変調コイルを薄膜で作製し
、集積化したＳＱＵＩＤ磁束計にさらに、感度校正用の
コイルを検出コイルの周辺に作製し、−量化したＳＱＵ
ＩＤ磁束計に関する。
力コイル、検出コイルと帰還変調コイルを薄膜で作製し
、集積化したＳＱＵＩＤ磁束計にさらに、感度校正用の
コイルを検出コイルの周辺に作製し、−量化したＳＱＵ
ＩＤ磁束計に関する。
５ＱＩＪＩＤ磁束計は薄膜集積技術が進んできたことに
より、ジョセフソンジャンクションが作製し昌くなった
。そのため近年、ジョセフソンジャンクションを１個要
するｒ ｆ−３ＱＵ Ｉ Ｄｆｌ１束計よ９も２桁はど
感度が良い。ジョセフソンジャンクションを２個要する
ｄｃ−ＳＱＵＩＤ磁束計の開発が盛んに行われている。
より、ジョセフソンジャンクションが作製し昌くなった
。そのため近年、ジョセフソンジャンクションを１個要
するｒ ｆ−３ＱＵ Ｉ Ｄｆｌ１束計よ９も２桁はど
感度が良い。ジョセフソンジャンクションを２個要する
ｄｃ−ＳＱＵＩＤ磁束計の開発が盛んに行われている。
薄膜で作製したＳＱＵＩＤ磁束計は、一枚のシリコン基
板上に５ＱｔＪＩＤ本体、入力コイル、検出コイルと帰
還変調コイルを薄膜で集積したものである。このように
蒲膜で作製し、−量化した５ＱＵＩＤ磁束計は■外部信
号と５ＱＬＩＩＤ本体との結合効率が良い。■サーマル
サイクルに対する信転性が高い。■コンパクトである。
板上に５ＱｔＪＩＤ本体、入力コイル、検出コイルと帰
還変調コイルを薄膜で集積したものである。このように
蒲膜で作製し、−量化した５ＱＵＩＤ磁束計は■外部信
号と５ＱＬＩＩＤ本体との結合効率が良い。■サーマル
サイクルに対する信転性が高い。■コンパクトである。
■寸法精度の良い検出コイルの作製が可能。■多チャン
ネル化が容易である。等の利点を有している。
ネル化が容易である。等の利点を有している。
今までの感度校正の方法としては、マグネトメータおよ
び超伝導線をボビン型に巻いたグラジオメータの場合は
、検出コイル軸方向の磁場（Ｂｚ）を検出するものであ
るから、検出コイルの下に磁場発生用のコイルを置いて
感度校正を行っていた。
び超伝導線をボビン型に巻いたグラジオメータの場合は
、検出コイル軸方向の磁場（Ｂｚ）を検出するものであ
るから、検出コイルの下に磁場発生用のコイルを置いて
感度校正を行っていた。
同一平面上に検出コイルを持つ平面型グラジオメータの
場合は、均一な磁場勾配を作る必要があるためソレノイ
ドコイルを使用した。グラジオメータとソレノイドコイ
ルは、ソレノイドコイルの中心と２個の平面型グラジオ
メータの検出コイルが一直線上に並ぶように設置し、ソ
レノイドコイルとグラジオメータとの間隔は、数十−離
間し、均一な磁場勾配を作って測定を行っていた。この
とき外部磁場を遮蔽するために磁気シールドルームの中
で測定を行った。
場合は、均一な磁場勾配を作る必要があるためソレノイ
ドコイルを使用した。グラジオメータとソレノイドコイ
ルは、ソレノイドコイルの中心と２個の平面型グラジオ
メータの検出コイルが一直線上に並ぶように設置し、ソ
レノイドコイルとグラジオメータとの間隔は、数十−離
間し、均一な磁場勾配を作って測定を行っていた。この
とき外部磁場を遮蔽するために磁気シールドルームの中
で測定を行った。
検出コイルとＳＱＵ Ｉ Ｄ本体を薄膜技術で一体化し
た５ＱＵＩＤ［９計の感度校正の方法は、上記のように
磁場発生用コイル、均−磁場勾配発生用コイル（ソレノ
イドコイル）を必要とし、しかも高価で装備の大掛かり
な設備である磁気シールドルームを必要とする問題点が
あった。
た５ＱＵＩＤ［９計の感度校正の方法は、上記のように
磁場発生用コイル、均−磁場勾配発生用コイル（ソレノ
イドコイル）を必要とし、しかも高価で装備の大掛かり
な設備である磁気シールドルームを必要とする問題点が
あった。
本発明は、磁気シールドルームやソレノイドコイルを用
いずとも簡単な設備、液体ＨｅＯ中のＮｂ管中で、感度
校正ができる方法を提供することを目的としている。
いずとも簡単な設備、液体ＨｅＯ中のＮｂ管中で、感度
校正ができる方法を提供することを目的としている。
本発明は上記のような課題を解決するために、一枚のシ
リコン基板上に５ＱＵＩＤ本体、入力コイル、検出コイ
ルと帰還変調コイルを薄膜で集積化した５ＱＵＩＤ［９
計にさらに、感度校正用のコイルを検出コイルの周辺に
備えた構成とした。
リコン基板上に５ＱＵＩＤ本体、入力コイル、検出コイ
ルと帰還変調コイルを薄膜で集積化した５ＱＵＩＤ［９
計にさらに、感度校正用のコイルを検出コイルの周辺に
備えた構成とした。
上記のような感度校正用のコイルを検出コイルの周辺に
備えた構成にすることにより、磁気シールドルームやソ
レノイドコイルを用いずとも簡単な設備、Ｎｂ管の中で
、感度校正の測定をすることが可能である。
備えた構成にすることにより、磁気シールドルームやソ
レノイドコイルを用いずとも簡単な設備、Ｎｂ管の中で
、感度校正の測定をすることが可能である。
以下に本発明の実施例について凹面を参照して説明する
。
。
第１図は、薄膜技術を用いて５ＱＵＩＤ本体１と検出コ
イル２．入力コイル３．変調帰還コイル４、校正用コイ
ル５を一枚のシリコン基板上に集積した一次微分平面型
ＤＣ−３ＱＬＩ Ｉ Ｄグラジオメータの構成図である
。２個の検出コイル２を直列に接続することにより一様
磁場を除去する構造をとっている。入力コイル３と検出
コイル２は閉回路に形成された磁束トランスである。２
個の検出コイル２の近傍に感度校正用の磁場発生コイル
５を作製する。感度校正するときだけ両コイルの端子を
接続し、そのとき以外は、ノイズ発生の原因になるため
オープンにしておく。一つの磁場発生用コイルには正の
電流を流し、もう片方の磁場発生用コイルには負の電流
を流すことによって、それぞれ逆方向の磁束を作り、磁
場勾配を作製する。このとき電流はともに等量の電流値
（数十ｎＡ）を与える。第２図に磁場勾配と検出コイル
の相関図を示す。このことは、感度校正用コイルを別に
作製し、検出コイルの近傍、上下に設置しても同様の効
果が得られる。また、高次の平面型グラジオメータにお
いても同様の効果が得られる。
イル２．入力コイル３．変調帰還コイル４、校正用コイ
ル５を一枚のシリコン基板上に集積した一次微分平面型
ＤＣ−３ＱＬＩ Ｉ Ｄグラジオメータの構成図である
。２個の検出コイル２を直列に接続することにより一様
磁場を除去する構造をとっている。入力コイル３と検出
コイル２は閉回路に形成された磁束トランスである。２
個の検出コイル２の近傍に感度校正用の磁場発生コイル
５を作製する。感度校正するときだけ両コイルの端子を
接続し、そのとき以外は、ノイズ発生の原因になるため
オープンにしておく。一つの磁場発生用コイルには正の
電流を流し、もう片方の磁場発生用コイルには負の電流
を流すことによって、それぞれ逆方向の磁束を作り、磁
場勾配を作製する。このとき電流はともに等量の電流値
（数十ｎＡ）を与える。第２図に磁場勾配と検出コイル
の相関図を示す。このことは、感度校正用コイルを別に
作製し、検出コイルの近傍、上下に設置しても同様の効
果が得られる。また、高次の平面型グラジオメータにお
いても同様の効果が得られる。
第３図は、薄膜技術を用いて５ＱＵＩＤ本体１と検出コ
イル２．入力コイル３．変調帰還コイル４、校正用コイ
ル５を一枚のシリコン基板上に集積したＤＣ−３ＱＵＩ
Ｄマグネトメータの構成図である。校正用コイル５に電
流を流すことによって、磁束を作り、その磁束によって
感度校正を行う。このことは、感度校正用コイルを別に
作製し、検出コイル２の近傍、または上下に設置しても
同様の効果が得られる。
イル２．入力コイル３．変調帰還コイル４、校正用コイ
ル５を一枚のシリコン基板上に集積したＤＣ−３ＱＵＩ
Ｄマグネトメータの構成図である。校正用コイル５に電
流を流すことによって、磁束を作り、その磁束によって
感度校正を行う。このことは、感度校正用コイルを別に
作製し、検出コイル２の近傍、または上下に設置しても
同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、一枚のシリコン基
板上に５ＱＵＩＤ本体、入力コイル、検出コイルと帰還
変調コイルを薄膜で集積化した５ＱＵＩＤ磁束計にさら
に、感度校正用のコイルを検出コイルの周辺に備えるこ
とにより、磁気ンールドルームやソレノイドコイルを用
いずとも簡単な設備、Ｎｂ管の中で、感度校正の測定を
行うことができる。
板上に５ＱＵＩＤ本体、入力コイル、検出コイルと帰還
変調コイルを薄膜で集積化した５ＱＵＩＤ磁束計にさら
に、感度校正用のコイルを検出コイルの周辺に備えるこ
とにより、磁気ンールドルームやソレノイドコイルを用
いずとも簡単な設備、Ｎｂ管の中で、感度校正の測定を
行うことができる。
第１図は本発明による一次微分平面型グラジオメータの
構成図、第２図は磁場勾配と一部微分平面型グラジオメ
ータの検出コイルの相関図、第３図は本発明によるＤＣ
−３Ｑ、ＵＩＤマグネトメータの構成図である。 ・５ＱＬＩ Ｉ Ｄ本体 ・検出コイル ・入力コイル ・変調帰還コイル ・校正用コイル 以上
構成図、第２図は磁場勾配と一部微分平面型グラジオメ
ータの検出コイルの相関図、第３図は本発明によるＤＣ
−３Ｑ、ＵＩＤマグネトメータの構成図である。 ・５ＱＬＩ Ｉ Ｄ本体 ・検出コイル ・入力コイル ・変調帰還コイル ・校正用コイル 以上
Claims (3)
- （１）被測定磁束を検出する検出コイルに近接して配置
された校正用の磁場発生コイルを有することを特徴とす
るＳＱＵＩＤ磁束計。 - （２）上記校正用磁場発生コイルは、一枚のシリコン基
板上にＳＱＵＩＤ本体、入力コイル、検出コイルと帰還
変調コイルと共に薄膜で作製し、集積した構成である請
求項１記載のＳＱＵＩＤ磁束計。 - （３）上記校正用磁場発生コイルは、各検出コイルごと
に校正し、均一な磁場、磁場勾配を形成して感度校正を
行う構成である請求項１記載のＳＱＵＩＤ磁束計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106094A JP3000226B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 校正用コイル付ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106094A JP3000226B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 校正用コイル付ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH045588A true JPH045588A (ja) | 1992-01-09 |
| JP3000226B2 JP3000226B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=14424954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2106094A Expired - Fee Related JP3000226B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 校正用コイル付ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3000226B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07311249A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-28 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 超伝導薄膜ピックアップコイル |
| JP2007083713A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Ube Ind Ltd | 極薄銅箔積層フィルムの製造方法、移送方法 |
| CN1331850C (zh) * | 2005-05-20 | 2007-08-15 | 广东省农业科学院畜牧研究所 | 氯代二甲基噻亭的用途 |
| JP2010006071A (ja) * | 2009-08-21 | 2010-01-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 表面処理銅箔、キャリア付き極薄銅箔、フレキシブル銅張積層板及びポリイミド系フレキシブルプリント配線板 |
| CN105891755A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-08-24 | 吉林大学 | 航空器挂载式磁通门磁梯度张量仪的校正方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2106094A patent/JP3000226B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07311249A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-28 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 超伝導薄膜ピックアップコイル |
| CN1331850C (zh) * | 2005-05-20 | 2007-08-15 | 广东省农业科学院畜牧研究所 | 氯代二甲基噻亭的用途 |
| JP2007083713A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Ube Ind Ltd | 極薄銅箔積層フィルムの製造方法、移送方法 |
| JP2010006071A (ja) * | 2009-08-21 | 2010-01-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 表面処理銅箔、キャリア付き極薄銅箔、フレキシブル銅張積層板及びポリイミド系フレキシブルプリント配線板 |
| CN105891755A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-08-24 | 吉林大学 | 航空器挂载式磁通门磁梯度张量仪的校正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3000226B2 (ja) | 2000-01-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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