JPH0455158B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0455158B2 JPH0455158B2 JP12429685A JP12429685A JPH0455158B2 JP H0455158 B2 JPH0455158 B2 JP H0455158B2 JP 12429685 A JP12429685 A JP 12429685A JP 12429685 A JP12429685 A JP 12429685A JP H0455158 B2 JPH0455158 B2 JP H0455158B2
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- Japan
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- gaas
- annealing
- ash
- gas
- wafer
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- Expired
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、GaAsウエハにイオン注入を行な
つた後に該GaAsをアニールするための方法に関
するものである。
つた後に該GaAsをアニールするための方法に関
するものである。
一般に、GaAsウエハにイオン注入を行ない、
その後アニールする場合、このアニールには通常
800〜850℃程度の温度が必要である。しかし、こ
のような高温では、その構成元素の１つである
AsのGaAs表面での平衡蒸気圧が高いため、アニ
ール中にGaAsウエハ表面からAs原子が抜け出
し、結晶表面の荒れを生ずる。また、As原子の
抜けたあとの空格子点は電気的に活性なため、注
入層の電気特性に悪影響を与える。
その後アニールする場合、このアニールには通常
800〜850℃程度の温度が必要である。しかし、こ
のような高温では、その構成元素の１つである
AsのGaAs表面での平衡蒸気圧が高いため、アニ
ール中にGaAsウエハ表面からAs原子が抜け出
し、結晶表面の荒れを生ずる。また、As原子の
抜けたあとの空格子点は電気的に活性なため、注
入層の電気特性に悪影響を与える。
このような面荒れや特性劣化を防ぐ方法とし
て、従来、GaAsウエハ表面に蒸気圧が高い元素
の平衡蒸気圧以上の分圧をかけ、原子の飛び出し
を防ぐ方法があつた。
て、従来、GaAsウエハ表面に蒸気圧が高い元素
の平衡蒸気圧以上の分圧をかけ、原子の飛び出し
を防ぐ方法があつた。
第２図はこの従来のGaAsウエハのアニール方
法を行なう装置の構成を示し、図において、１は
アニールしようとするGaAsウエハ、２はこのウ
エハ１を支えるための支持台、３は反応管、４は
電気炉で、該反応管３中には、AsH3とH2あるい
は他のキヤリアガスの混合ガスを流している。
法を行なう装置の構成を示し、図において、１は
アニールしようとするGaAsウエハ、２はこのウ
エハ１を支えるための支持台、３は反応管、４は
電気炉で、該反応管３中には、AsH3とH2あるい
は他のキヤリアガスの混合ガスを流している。
次に動作について説明する。
イオン注入されたGaAsウエハ１は支持台２上
に置かれ、800〜850℃に温度調節された電気炉４
により反応管３中で加熱され、アニールされる。
アニール中は、H2あるいはその他のキヤリアガ
スとAsH3ガスが流されているが、AsH3は700〜
750℃以上の温度ではAs2，As4，H2などに分解
し始めるため、アニール中のGaAsウエハ表面
に、ひ素圧がかかり、ウエハ表面からのAs原子
の抜けが抑制され、ウエハ表面の荒れ、イオン注
入層の特性の悪化が防止される。
に置かれ、800〜850℃に温度調節された電気炉４
により反応管３中で加熱され、アニールされる。
アニール中は、H2あるいはその他のキヤリアガ
スとAsH3ガスが流されているが、AsH3は700〜
750℃以上の温度ではAs2，As4，H2などに分解
し始めるため、アニール中のGaAsウエハ表面
に、ひ素圧がかかり、ウエハ表面からのAs原子
の抜けが抑制され、ウエハ表面の荒れ、イオン注
入層の特性の悪化が防止される。
従来のアニール方法では、以上のような原理で
GaAsウエハ表面の荒れ、イオン注入層特性の劣
化を防いでいるが、AsH3の分解は、800℃程度
の温度ではガス流速等によつては必ずしも充分で
はないため、予想されるよりも多くの量のAsH3
を流さなくてはならない場合があるという欠点が
あつた。
GaAsウエハ表面の荒れ、イオン注入層特性の劣
化を防いでいるが、AsH3の分解は、800℃程度
の温度ではガス流速等によつては必ずしも充分で
はないため、予想されるよりも多くの量のAsH3
を流さなくてはならない場合があるという欠点が
あつた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、より少ないAsH3
流量でも、十分な面荒れ防止効果が得られる
GaAsウエハのアニール方法を提供することを目
的としている。
去するためになされたもので、より少ないAsH3
流量でも、十分な面荒れ防止効果が得られる
GaAsウエハのアニール方法を提供することを目
的としている。
この発明に係るGaAsウエハのアニール方法
は、アニールしようとするGaAsウエハととも
に、その上流にこれとは別のGaAs固体を置き、
上記GaAsウエハをその構成元素あるいはその構
成元素の化合物を含むガスを流した雰囲気中でア
ニールするものである。
は、アニールしようとするGaAsウエハととも
に、その上流にこれとは別のGaAs固体を置き、
上記GaAsウエハをその構成元素あるいはその構
成元素の化合物を含むガスを流した雰囲気中でア
ニールするものである。
この発明においては、アニールしようとする
GaAsウエハとは別にガス雰囲気中に置いた
GaAs固体が、AsH3ガスの分解を促進する触媒
として働き、従来法よりも少量のAsH3ガス量で
ウエハ表面の荒れなどを防ぐことができる。
GaAsウエハとは別にガス雰囲気中に置いた
GaAs固体が、AsH3ガスの分解を促進する触媒
として働き、従来法よりも少量のAsH3ガス量で
ウエハ表面の荒れなどを防ぐことができる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例によるGaAsウエハ
のアニール方法を行なうアニール装置の構成図で
ある。図において、１〜４は上記従来装置と同一
のものを示し、５はAsH3ガスの分解を促進する
ためのGaAs固体、６はその支持台である。
第１図はこの発明の一実施例によるGaAsウエハ
のアニール方法を行なうアニール装置の構成図で
ある。図において、１〜４は上記従来装置と同一
のものを示し、５はAsH3ガスの分解を促進する
ためのGaAs固体、６はその支持台である。
以下に、本実施例のアニール方法について説明
する。
する。
本アニール方法では、GaAsウエハ１の上流に
置かれたGaAs固体５がAsH3ガスの分解を促す
解媒となる。反応管３中に入つたAsH3ガスは、
GaAs固体５により熱分解が促進され、従来法に
よるよりも高いひ素圧がGaAsウエハ１表面上に
かかる。実験によれば、従来法と同一条件におい
ては、アニールしようとするGaAsウエハ１の表
面が荒れた場合でも、本発明方法を採用し、
AsH3ガスの流量を調節することにより、GaAs
ウエハ１の表面荒れを防ぐことができた。このこ
とは、本方法により、確かに従来法と同一の
AsH3流量で、従来法より高いひ素圧を、GaAs
ウエハ１表面にかけられることを示しており、従
つて本方法を用いれば、従来法で用いられている
よりも少量のAsH3ガス流量で、GaAsウエハ表
面の荒れ、イオン注入層特性の劣化を防ぐことが
できることとなる。
置かれたGaAs固体５がAsH3ガスの分解を促す
解媒となる。反応管３中に入つたAsH3ガスは、
GaAs固体５により熱分解が促進され、従来法に
よるよりも高いひ素圧がGaAsウエハ１表面上に
かかる。実験によれば、従来法と同一条件におい
ては、アニールしようとするGaAsウエハ１の表
面が荒れた場合でも、本発明方法を採用し、
AsH3ガスの流量を調節することにより、GaAs
ウエハ１の表面荒れを防ぐことができた。このこ
とは、本方法により、確かに従来法と同一の
AsH3流量で、従来法より高いひ素圧を、GaAs
ウエハ１表面にかけられることを示しており、従
つて本方法を用いれば、従来法で用いられている
よりも少量のAsH3ガス流量で、GaAsウエハ表
面の荒れ、イオン注入層特性の劣化を防ぐことが
できることとなる。
以上のように、この発明に係るGaAsウエハの
アニール方法によれば、GaAs固体をGaAsウエ
ハの上流に置き、AsH3ガスを分解するための解
媒として用いることにより、より少量のAsH3ガ
ス流量で、従来と同じGaAsウエハの面荒れ防止
を行なえるという効果がある。
アニール方法によれば、GaAs固体をGaAsウエ
ハの上流に置き、AsH3ガスを分解するための解
媒として用いることにより、より少量のAsH3ガ
ス流量で、従来と同じGaAsウエハの面荒れ防止
を行なえるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例方法を行なうアニ
ール装置を示す構成図、第２図は従来法を行なう
アニール装置を示す構成図である。 １……GaAsウエハ、２……支持台、３……反
応管、４……電気炉、５……GaAs固体、６……
支持台。
ール装置を示す構成図、第２図は従来法を行なう
アニール装置を示す構成図である。 １……GaAsウエハ、２……支持台、３……反
応管、４……電気炉、５……GaAs固体、６……
支持台。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ GaAsウエハをアニールする方法において、
アニールしようとするGaAsウエハとともに、そ
の上流側にGaAs固体を置き、上記GaAsウエハ
をその構成元素あるいはその構成元素の化合物を
含むガスを流した雰囲気中でアニールすることを
特徴とするGaAsウエハのアニール方法。 ２ 上記雰囲気中のガスはAsH3であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のGaAsウエ
ハのアニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12429685A JPS61286292A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12429685A JPS61286292A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61286292A JPS61286292A (ja) | 1986-12-16 |
| JPH0455158B2 true JPH0455158B2 (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=14881816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12429685A Granted JPS61286292A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61286292A (ja) |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP12429685A patent/JPS61286292A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61286292A (ja) | 1986-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |