JPH0451721A - 温度補償型レベル検出器 - Google Patents
温度補償型レベル検出器Info
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- JPH0451721A JPH0451721A JP2161936A JP16193690A JPH0451721A JP H0451721 A JPH0451721 A JP H0451721A JP 2161936 A JP2161936 A JP 2161936A JP 16193690 A JP16193690 A JP 16193690A JP H0451721 A JPH0451721 A JP H0451721A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
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- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
本発明は、主として無線通信機の送信部等に用いられ、
送信電力増幅器の増幅度を制御して送信出力の変動を抑
えるために、送信出力に対応する電圧を検出するレベル
検出器に関し、特に、周囲温度変化による影響を小さく
した温度補償型レベル検出器に関するものである。
送信電力増幅器の増幅度を制御して送信出力の変動を抑
えるために、送信出力に対応する電圧を検出するレベル
検出器に関し、特に、周囲温度変化による影響を小さく
した温度補償型レベル検出器に関するものである。
（従来技術とその問題点）
無線通信機の送信部における最終段の送信電力増幅回路
には、送信出力を常にほぼ一定にするために自動出力制
郭回路か設けられている。すなわち、送信出力に対応（
比例）する電圧を検出し、その検出出力を所定の基準電
圧と比較してその差か零になるように電力増幅器の増幅
度（利得）を刺部することにより送信出力の変動を抑え
ている。
には、送信出力を常にほぼ一定にするために自動出力制
郭回路か設けられている。すなわち、送信出力に対応（
比例）する電圧を検出し、その検出出力を所定の基準電
圧と比較してその差か零になるように電力増幅器の増幅
度（利得）を刺部することにより送信出力の変動を抑え
ている。
第１図は、このような従来の電力増幅器の概要を示すブ
ロック図である。図に示すよように、変調された高周波
入力は、送信電力増幅器ｌによって増幅され、方向性結
合器または伝送ライン（配線）２とアイソレータ３を経
て送信出力として送出される。図の０１は伝送ライン２
に接続された小容量の結合コンデンサであり、伝送ライ
ン２に対してレベル検出器４か粗結合されるような値に
設定されている。レベル検出器４は伝送ライン２から取
り出した高周波電圧を直流に変換して制御回路５に与え
、制御回路５は送信出力に比例する直流入力を所定の基
準電圧と比較してその差か零になるように送信電力増幅
器ｌの増幅度を制置する。
ロック図である。図に示すよように、変調された高周波
入力は、送信電力増幅器ｌによって増幅され、方向性結
合器または伝送ライン（配線）２とアイソレータ３を経
て送信出力として送出される。図の０１は伝送ライン２
に接続された小容量の結合コンデンサであり、伝送ライ
ン２に対してレベル検出器４か粗結合されるような値に
設定されている。レベル検出器４は伝送ライン２から取
り出した高周波電圧を直流に変換して制御回路５に与え
、制御回路５は送信出力に比例する直流入力を所定の基
準電圧と比較してその差か零になるように送信電力増幅
器ｌの増幅度を制置する。
本発明は第１図のレベル検出器４に関するものであり、
その従来の回路とその問題点について説明する。
その従来の回路とその問題点について説明する。
第３図は従来のレベル検出器４の回路図である。
この回路は、温度補償型レベル検出器である。結合コン
デンサＣ４を介して取り出した送信電力増幅部の高周波
信号ｖ２は、ダイオードＤ３＋平滑用コンデンサＣ５お
よび負荷抵抗Ｒ４からなる半波整流回路によって整流さ
れて直流電圧となって出力される。ダイオードＤ３の高
周波信号印加側の端子（アノード端子）には交流阻止用
コイルＬ１を介して抵抗器Ｒ６，ダイオードＤ４及びコ
ンデンサＣ６か接続され、ダイオードＤ３を線形動作さ
せるための順方向バイアス電圧が与えられる。
デンサＣ４を介して取り出した送信電力増幅部の高周波
信号ｖ２は、ダイオードＤ３＋平滑用コンデンサＣ５お
よび負荷抵抗Ｒ４からなる半波整流回路によって整流さ
れて直流電圧となって出力される。ダイオードＤ３の高
周波信号印加側の端子（アノード端子）には交流阻止用
コイルＬ１を介して抵抗器Ｒ６，ダイオードＤ４及びコ
ンデンサＣ６か接続され、ダイオードＤ３を線形動作さ
せるための順方向バイアス電圧が与えられる。
ダイオードＤ４はダイオードＤ３と同じ温度特性を有し
、周囲温度が変化した場合、ダイオードＤ３とダイオー
ドＤ４０順方向降下電圧か同時に変化することになり、
負荷抵抗Ｒ４に発生するレベル検出器４の直流出力電圧
に温度依存性かなくなるため、高周波検出電圧Ｖ２のレ
ベルに対応した直流出力電圧を取り出すことかできる。
、周囲温度が変化した場合、ダイオードＤ３とダイオー
ドＤ４０順方向降下電圧か同時に変化することになり、
負荷抵抗Ｒ４に発生するレベル検出器４の直流出力電圧
に温度依存性かなくなるため、高周波検出電圧Ｖ２のレ
ベルに対応した直流出力電圧を取り出すことかできる。
しかし、前記従来の回路では、ダイオードＤ３に与えら
れるバイアス電圧は抵抗器Ｒ５の選定又はダイオードＤ
４の直列接続数によって決定されるため、温度補償のた
めの最適値に設定することかできないという欠点かあり
、また、半波整流回路であるので検出レベルの分解能が
劣るため、回路設計上の大きな制約を生じている。さら
に、ダイオードを２個（Ｄ ３ とＤ４）それぞれ個別
に使用しなければならないことと寸法的に小形化の困難
なコイルＬ１を使用しなければならないために回路の小
形化に限度かあり、装置の小形化を阻む大きな要因とな
っている。
れるバイアス電圧は抵抗器Ｒ５の選定又はダイオードＤ
４の直列接続数によって決定されるため、温度補償のた
めの最適値に設定することかできないという欠点かあり
、また、半波整流回路であるので検出レベルの分解能が
劣るため、回路設計上の大きな制約を生じている。さら
に、ダイオードを２個（Ｄ ３ とＤ４）それぞれ個別
に使用しなければならないことと寸法的に小形化の困難
なコイルＬ１を使用しなければならないために回路の小
形化に限度かあり、装置の小形化を阻む大きな要因とな
っている。
（発明の目的）
本発明は、前記従来の方法において生ずる回路設計上の
制約および小形化の限界を取り除き、回路設計に自由度
を与えて安定度の向上を図るとともに回路の小形化を実
現することかできる温度補償型レベル検出器を提供する
ことか目的である。
制約および小形化の限界を取り除き、回路設計に自由度
を与えて安定度の向上を図るとともに回路の小形化を実
現することかできる温度補償型レベル検出器を提供する
ことか目的である。
（発明の構成及び作用）
本発明の温度補償型レベル検出器は、高周波入力電圧を
整流平滑して直流出力を得るだめの倍電圧整流回路と該
倍電圧整流回路に付加して順方向のバイアス電圧を与え
るとともに温度補償機能を有するバイアス電圧生成回路
とを備え、前記倍電圧整流回路は、カソード端子と前記
高周波入力電圧が印加されるアノード端子を有する第１
のダイオードと、該第１のダイオードのアノード端子に
接続されたカソード端子を有する第２のダイオードと、
該第２のダイオードのアノード端子と接地との間に接続
された第１のコンデンサと、前記第１のダイオードのカ
ソード端子と前記第１のコンデンサの接地端子との間に
現れる電圧を平滑して前記直流出力を得るために前記第
１のダイオードのカソード端子と接地との間に並列に接
続された第２のコンデンサと第１の抵抗器とにより構成
され、 前記バイアス電圧生成回路は、前記第２のダイオードの
アノード端子と接地との間にコレクタ端子とエミッタ端
子か接続されたＮＰＮ型またはＰＮＰ型トランジスタと
、該トランジスタのベース端子とコレクタ端子との間に
接続された第２の抵抗器と、前記第２のダイオードのア
ノード端子と直流電源との間に接続された第３の抵抗器
とにより構成されたことを特徴とするものである。
整流平滑して直流出力を得るだめの倍電圧整流回路と該
倍電圧整流回路に付加して順方向のバイアス電圧を与え
るとともに温度補償機能を有するバイアス電圧生成回路
とを備え、前記倍電圧整流回路は、カソード端子と前記
高周波入力電圧が印加されるアノード端子を有する第１
のダイオードと、該第１のダイオードのアノード端子に
接続されたカソード端子を有する第２のダイオードと、
該第２のダイオードのアノード端子と接地との間に接続
された第１のコンデンサと、前記第１のダイオードのカ
ソード端子と前記第１のコンデンサの接地端子との間に
現れる電圧を平滑して前記直流出力を得るために前記第
１のダイオードのカソード端子と接地との間に並列に接
続された第２のコンデンサと第１の抵抗器とにより構成
され、 前記バイアス電圧生成回路は、前記第２のダイオードの
アノード端子と接地との間にコレクタ端子とエミッタ端
子か接続されたＮＰＮ型またはＰＮＰ型トランジスタと
、該トランジスタのベース端子とコレクタ端子との間に
接続された第２の抵抗器と、前記第２のダイオードのア
ノード端子と直流電源との間に接続された第３の抵抗器
とにより構成されたことを特徴とするものである。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第２図（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１．第２の実施例
を示す回路図であり、（Ａ）はＮＰＮ）ランリスタ、（
Ｂ）はＰＮＰ）ランリスタを用いて実施した構成例であ
る。第２図（Ａ）において、■、は高周波検出電圧であ
り、Ｃ１は小容量の結合コンデンサである。Ｄ、、Ｄ２
は倍電圧整流するためのダイオード、Ｃ３は倍電圧整流
をするためのコンデンサ、Ｒ３はレベル検出器の出力と
して直流電圧を取り出すための負荷抵抗器、Ｃ２は整流
電圧を平滑するコンデンサ、Ｒ２はダイオードＤ＋、Ｄ
＊を線形動作させるための順方向バイアス電圧を与える
抵抗器、Ｑｌはコレクタ電流をＲ２を通じて流すための
トランジスタ、Ｒ１はＱｌのバイアス抵抗器である。
を示す回路図であり、（Ａ）はＮＰＮ）ランリスタ、（
Ｂ）はＰＮＰ）ランリスタを用いて実施した構成例であ
る。第２図（Ａ）において、■、は高周波検出電圧であ
り、Ｃ１は小容量の結合コンデンサである。Ｄ、、Ｄ２
は倍電圧整流するためのダイオード、Ｃ３は倍電圧整流
をするためのコンデンサ、Ｒ３はレベル検出器の出力と
して直流電圧を取り出すための負荷抵抗器、Ｃ２は整流
電圧を平滑するコンデンサ、Ｒ２はダイオードＤ＋、Ｄ
＊を線形動作させるための順方向バイアス電圧を与える
抵抗器、Ｑｌはコレクタ電流をＲ２を通じて流すための
トランジスタ、Ｒ１はＱｌのバイアス抵抗器である。
周囲温度か変化した場合、ダイオードＤ、、Ｄ。
の順方向降下電圧か変化するか、同時にトランジスタＱ
、のコレクタ電流も変化して抵抗器Ｒ２の降下電圧も変
化する。従って、負荷抵抗Ｒ１に検出される直流出力電
圧に温度依存性かなくなり高周波電圧ｖ１に対応した直
流出力電圧を取り出すことができる。
、のコレクタ電流も変化して抵抗器Ｒ２の降下電圧も変
化する。従って、負荷抵抗Ｒ１に検出される直流出力電
圧に温度依存性かなくなり高周波電圧ｖ１に対応した直
流出力電圧を取り出すことができる。
第２図（Ａ）はＱｌとしてＮＰＮ トランジスタを用い
た場合である。一方、（Ｂ）はＱ ＩＱとしてＰＮＰ
トランジスタを用いた場合であり、バイアス抵抗器Ｒ３
゜は接地側に接続される。
た場合である。一方、（Ｂ）はＱ ＩＱとしてＰＮＰ
トランジスタを用いた場合であり、バイアス抵抗器Ｒ３
゜は接地側に接続される。
上述のように、倍電圧整流回路のダイオードＤＩ。
Ｄ２に与える順方向バイアス電圧はトランジスタＱｉ（
またはＱｌ。）の回路の抵抗器Ｒ２とＲ２（またはＲ２
゜とＲ３゜）の値により任意に設定することができると
同時に、抵抗器Ｒ２とＲ１（またはＲ２０とＲ３゜）の
値によりダイオードＤ、、Ｄ、の順方向降下電圧の温度
特性を完全に補償することかできる。
またはＱｌ。）の回路の抵抗器Ｒ２とＲ２（またはＲ２
゜とＲ３゜）の値により任意に設定することができると
同時に、抵抗器Ｒ２とＲ１（またはＲ２０とＲ３゜）の
値によりダイオードＤ、、Ｄ、の順方向降下電圧の温度
特性を完全に補償することかできる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、例えば、
−３０°Ｃ〜＋７０℃の周囲温度変化に対する特性変化
を完全に補償したレベル検出器を実現することができ、
また、倍電圧整流回路を構成しているため検出レベルの
分解能も優れており回路設計上の制約を解消することが
できる。さらに、ダイオードＤ Ｉ、 Ｄ ！が直列接
続構成であるため現在容易に入手できる１個の小形デュ
アルダイオードを使用することができ、また、小形化が
困離なコイルが不要となるので回路が小形化され装置の
小形化に大きく寄与することができる。
−３０°Ｃ〜＋７０℃の周囲温度変化に対する特性変化
を完全に補償したレベル検出器を実現することができ、
また、倍電圧整流回路を構成しているため検出レベルの
分解能も優れており回路設計上の制約を解消することが
できる。さらに、ダイオードＤ Ｉ、 Ｄ ！が直列接
続構成であるため現在容易に入手できる１個の小形デュ
アルダイオードを使用することができ、また、小形化が
困離なコイルが不要となるので回路が小形化され装置の
小形化に大きく寄与することができる。
第１図
第２図
■
第１図は本発明を応用する電力増幅部のブロック図、第
２図は本発明の一実施例を示す回路図、第３図は従来の
回路構成側口である。 ｌ・・・送信電力増幅器、 ２・・・伝送ライン、３
・・・アイソレータ、 ４・・・レベル検出器、
５・・・制御回路。
２図は本発明の一実施例を示す回路図、第３図は従来の
回路構成側口である。 ｌ・・・送信電力増幅器、 ２・・・伝送ライン、３
・・・アイソレータ、 ４・・・レベル検出器、
５・・・制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高周波入力電圧を整流平滑して直流出力を得るための倍
電圧整流回路と該倍電圧整流回路に付加して順方向のバ
イアス電圧を与えるとともに温度補償機能を有するバイ
アス電圧生成回路とを備え、前記倍電圧整流回路は、カ
ソード端子と前記高周波入力電圧が印加されるアノード
端子を有する第１のダイオードと、該第１のダイオード
のアノード端子に接続されたカソード端子を有する第２
のダイオードと、該第２のダイオードのアノード端子と
接地との間に接続された第１のコンデンサと、前記第１
のダイオードのカソード端子と前記第１のコンデンサの
接地端子との間に現れる電圧を平滑して前記直流出力を
得るために前記第１のダイオードのカソード端子と接地
との間に並列に接続された第２のコンデンサと第１の抵
抗器とにより構成され、 前記バイアス電圧生成回路は、前記第２のダイオードの
アノード端子と接地との間にコレクタ端子とエミッタ端
子が接続されたＮＰＮ型またはＰＮＰ型トランジスタと
、該トランジスタのベース端子とコレクタ端子との間に
接続された第２の抵抗器と、前記第２のダイオードのア
ノード端子と直流電源との間に接続された第３の抵抗器
とにより構成され たことを特徴とする温度補償型レベル検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161936A JP2588789B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 温度補償型レベル検出器 |
| US07/713,667 US5113336A (en) | 1990-06-20 | 1991-06-11 | Temperature compensated level detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161936A JP2588789B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 温度補償型レベル検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451721A true JPH0451721A (ja) | 1992-02-20 |
| JP2588789B2 JP2588789B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=15744856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161936A Expired - Lifetime JP2588789B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 温度補償型レベル検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5113336A (ja) |
| JP (1) | JP2588789B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389074B1 (ko) * | 1995-05-31 | 2003-09-19 | 소니 가부시끼 가이샤 | 온도보상검파기를갖춘송신기및검파기 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2318004A (en) * | 1996-10-01 | 1998-04-08 | Nokia Mobile Phones Ltd | A diode detector |
| US5907255A (en) * | 1997-03-25 | 1999-05-25 | Cypress Semiconductor | Dynamic voltage reference which compensates for process variations |
| EP0972364A1 (en) * | 1997-03-27 | 2000-01-19 | Maxon Systems Inc. (London) Ltd. | Power detection circuit |
| US5956627A (en) * | 1997-07-08 | 1999-09-21 | Uniden San Diego Research & Development Center, Inc. | Temperature compensated power control circuit |
| JP3214448B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2001-10-02 | 日本電気株式会社 | 無線機器および無線機器の制御方法 |
| DE19913338B4 (de) * | 1999-03-24 | 2005-07-14 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Ein- oder Mehrweg-HF-Diodengleichrichterschaltung |
| JP2000332600A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Rohm Co Ltd | 温度補償システム |
| DE19955342A1 (de) * | 1999-11-17 | 2001-05-23 | Rohde & Schwarz | Anordnung zum Messen des Effektivwertes einer Wechselspannung über einen großen Dynamikbereich, insbesondere zum Messen der elektrischen Leitung |
| US6314008B1 (en) * | 2000-10-16 | 2001-11-06 | Jianwen Bao | Adjustable low spurious signal DC-DC converter |
| US7693491B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-04-06 | Broadcom Corporation | Method and system for transmitter output power compensation |
| US9444346B2 (en) | 2013-10-17 | 2016-09-13 | Futurewei Technologies, Inc. | Apparatus and efficiency point tracking method for high efficiency resonant converters |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574182B2 (ja) * | 1974-02-14 | 1982-01-25 | ||
| US4259641A (en) * | 1978-12-11 | 1981-03-31 | Carow Donald W | Linearized detector/rectifier circuit |
| US4970456A (en) * | 1989-01-09 | 1990-11-13 | Motorola, Inc. | Temperature compensated power detector |
| US5043672A (en) * | 1990-03-26 | 1991-08-27 | Novatel Communications Ltd. | Power detector utilizing bias voltage divider for precision control of an amplifier |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161936A patent/JP2588789B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-11 US US07/713,667 patent/US5113336A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389074B1 (ko) * | 1995-05-31 | 2003-09-19 | 소니 가부시끼 가이샤 | 온도보상검파기를갖춘송신기및검파기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2588789B2 (ja) | 1997-03-12 |
| US5113336A (en) | 1992-05-12 |
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