JPH0451445A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0451445A JPH0451445A JP2161677A JP16167790A JPH0451445A JP H0451445 A JPH0451445 A JP H0451445A JP 2161677 A JP2161677 A JP 2161677A JP 16167790 A JP16167790 A JP 16167790A JP H0451445 A JPH0451445 A JP H0451445A
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- Japan
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- power supply
- acceleration
- voltage
- ion implantation
- ion
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程において、半導体基板へ
のイオン注入を目的として使用されるイオン注入装置に
関する。
のイオン注入を目的として使用されるイオン注入装置に
関する。
従来のイオン注入装置は第２図に示すように構成されて
いた。以下動作に従って説明する。
いた。以下動作に従って説明する。
不純物ガス１をイオン源２でイオン化し、そのイオン群
は、引出し電源３から電圧で引き出され質量分析器４で
必要とするイオンに分離された後、あらかじめ任意の値
に固定された加速電源６の電圧出力を受けた加速器５で
注入深さを決定する加速エネルギーを与えられ、次で加
速電源６に連動した走査電源８の出力を受けた走査電極
７で縦横方向に走査され、ウェハー処理室９内に保持さ
れたウェハー１０の全面へ照射され、その照射量は、電
流積算計１１で制御されていた。
は、引出し電源３から電圧で引き出され質量分析器４で
必要とするイオンに分離された後、あらかじめ任意の値
に固定された加速電源６の電圧出力を受けた加速器５で
注入深さを決定する加速エネルギーを与えられ、次で加
速電源６に連動した走査電源８の出力を受けた走査電極
７で縦横方向に走査され、ウェハー処理室９内に保持さ
れたウェハー１０の全面へ照射され、その照射量は、電
流積算計１１で制御されていた。
上述した従来のイオン注入装置は、加速電圧を固定して
いるため、半導体基板表面に注入されたイオンの深さ方
向の分布はカラス分布を示す。注入されたイオンを深く
且つ均一にするために熱処理を施してはいるか、その熱
処理条件は、高１ヘーズ量でソース、ドレインの形成の
工程に対して決められているため、同時に熱処理を受け
る低ドース量で高精度の注入をするゲート部のパンチス
ルー防止又はしきい電圧■□副制御ための注入領域にお
いて深さ方向に必要以上に広かり、重なる領域が生しる
ため、トランジスタ特性の異常を招きやずいという欠点
がある。
いるため、半導体基板表面に注入されたイオンの深さ方
向の分布はカラス分布を示す。注入されたイオンを深く
且つ均一にするために熱処理を施してはいるか、その熱
処理条件は、高１ヘーズ量でソース、ドレインの形成の
工程に対して決められているため、同時に熱処理を受け
る低ドース量で高精度の注入をするゲート部のパンチス
ルー防止又はしきい電圧■□副制御ための注入領域にお
いて深さ方向に必要以上に広かり、重なる領域が生しる
ため、トランジスタ特性の異常を招きやずいという欠点
がある。
上述した従来のイオン注入装置に対し、本発明は注入深
さを決定するイオンの加速電圧を処理中に連続又は断続
的に可変させることができる加速電圧可変システムを持
つという相違点を有する。
さを決定するイオンの加速電圧を処理中に連続又は断続
的に可変させることができる加速電圧可変システムを持
つという相違点を有する。
本発明のイオン注入装置は、イオン群を発生させるイオ
ン源と、発生したイオン群を分離する質量分析器と、加
速電源に接続され分離されたイオンを加速するための加
速器と、走査電源に接続され加速されたイオン注入時を
走査し半導体基板に注入する走査電極とを有するイオン
注入装置において、前記加速電源および走査電源を制御
しイオンビームに加速電圧を変化させるための加速電圧
可変システムを設けたものである。
ン源と、発生したイオン群を分離する質量分析器と、加
速電源に接続され分離されたイオンを加速するための加
速器と、走査電源に接続され加速されたイオン注入時を
走査し半導体基板に注入する走査電極とを有するイオン
注入装置において、前記加速電源および走査電源を制御
しイオンビームに加速電圧を変化させるための加速電圧
可変システムを設けたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図である。以下動作と
共に説明する。
共に説明する。
不純物カス１はイオン源２でイオン化され引出し電源３
でイオン源を飛び出し、質量分析器４で選択されたイオ
ンは加速電源６の電圧供給を受けた加速器５て加速され
る。その後走査電源８の電圧供給を受けた走査電極７で
ウェハー処理室９に搭載されたウェハー１０の全面に照
射されるようＸ、Ｙ方向に走査される。ウェハー１０に
注入されたイオンの量を電流積算計１１でカウントし、
設定ドース量となったら注入は終了する。この−連の処
理中、電流積算計１１からの信号により加速電圧可変シ
ステム１２は、設定電圧を０又は任意の値から当初の設
定値まで連続又は断続的に自動的に可変する信号を加速
電源６及び走査電源８へ出力し、その電圧を上下させる
ことによりイオン注入の深さ方向の分布を均一にする。
でイオン源を飛び出し、質量分析器４で選択されたイオ
ンは加速電源６の電圧供給を受けた加速器５て加速され
る。その後走査電源８の電圧供給を受けた走査電極７で
ウェハー処理室９に搭載されたウェハー１０の全面に照
射されるようＸ、Ｙ方向に走査される。ウェハー１０に
注入されたイオンの量を電流積算計１１でカウントし、
設定ドース量となったら注入は終了する。この−連の処
理中、電流積算計１１からの信号により加速電圧可変シ
ステム１２は、設定電圧を０又は任意の値から当初の設
定値まで連続又は断続的に自動的に可変する信号を加速
電源６及び走査電源８へ出力し、その電圧を上下させる
ことによりイオン注入の深さ方向の分布を均一にする。
加速電圧可変システム１２は、メモリー等からなり可変
出力条件を設定するためのプログラムユニット１２Ａと
、比較回路等からなりこのプログラムユニット１．２Ａ
からの信号及び加速電源６からのフィードバック信号に
より加速電源６を制御するための加速電源制御ユニッｌ
〜１２Ｂ及び走査電源８を制御する走査電源制御ユニツ
１〜］、２Ｃと、電流積算計１１の信号を受はイオン電
流の変動により処理時間を補正した出力条件にするため
の、演算回路や比較回路等からなるプログラム補正ユニ
ッｌ−１，２Ｄとから主に構成されている。
出力条件を設定するためのプログラムユニット１２Ａと
、比較回路等からなりこのプログラムユニット１．２Ａ
からの信号及び加速電源６からのフィードバック信号に
より加速電源６を制御するための加速電源制御ユニッｌ
〜１２Ｂ及び走査電源８を制御する走査電源制御ユニツ
１〜］、２Ｃと、電流積算計１１の信号を受はイオン電
流の変動により処理時間を補正した出力条件にするため
の、演算回路や比較回路等からなるプログラム補正ユニ
ッｌ−１，２Ｄとから主に構成されている。
以上説明したように本発明は、加速電源及び走査電源に
接続する加速電圧可変システムを設けることにより、イ
オン注入時の加速電圧を可変させることができるため、
イオンの注入深さの分布を目的の深さまで均一にできる
効果がある。このなめ、１〜ランシスタ特性の異常を低
減させることができる。
接続する加速電圧可変システムを設けることにより、イ
オン注入時の加速電圧を可変させることができるため、
イオンの注入深さの分布を目的の深さまで均一にできる
効果がある。このなめ、１〜ランシスタ特性の異常を低
減させることができる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は従来のイ
オン注入装置の構成図である。 ］・・不純物カス、２・・・イオン源、３・・・引出し
電源、４・・・質量分析器、５・・・加速器、６・・・
加速電源、７・・・走査電極、８・・走査電源、９・・
・ウェハー処理室、１０・・・ウェハー、１１・・・電
流積算計、１２・・・加速電圧可変システム。
オン注入装置の構成図である。 ］・・不純物カス、２・・・イオン源、３・・・引出し
電源、４・・・質量分析器、５・・・加速器、６・・・
加速電源、７・・・走査電極、８・・走査電源、９・・
・ウェハー処理室、１０・・・ウェハー、１１・・・電
流積算計、１２・・・加速電圧可変システム。
Claims (1)
- イオン群を発生させるイオン源と、発生したイオン群
を分離する質量分析器と、加速電源に接続され分離され
たイオンを加速するための加速器と、走査電源に接続さ
れ加速されたイオンビームを走査し半導体基板に注入す
る走査電極とを有するイオン注入装置において、前記加
速電源および走査電源を制御しイオン注入中に加速電圧
を変化させるための加速電圧可変システムを設けたこと
を特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161677A JP2674865B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161677A JP2674865B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451445A true JPH0451445A (ja) | 1992-02-19 |
| JP2674865B2 JP2674865B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=15739744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161677A Expired - Lifetime JP2674865B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674865B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06299340A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-25 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 多層膜作製方法 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161677A patent/JP2674865B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06299340A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-25 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 多層膜作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2674865B2 (ja) | 1997-11-12 |
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