JPH0451431A - 偏向ヨーク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はブラウン管、特にカラーブラウン管に用いる磁
界分布の制御装置を備えた偏向ヨーク装置の改良に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第１０図（ａ）は従来の偏向ヨーク装置を含むカラーブ
ラウン管の構成図である。図において、１は通常非磁性
の材料から成るカラーブラウン管真空容器であり、一般
にパネルｌａ、ファンネルｌｂ。

ネック管ＩＣの３部分から構成されており、パネル１ａ
の内面には蛍光膜２が設けられでおり、更に蛍光膜２内
側にはこれと適当な距離を保って、一般に金属から成り
多数の規則正しく設けられた透孔を有する色選択電極３
が配置されている。

ファンネル１ｂはパネル１ａに接続された鋭形の部分を
いい、この細くなった側に円筒形のネック管１ｃが接続
されている。ネック管１ｃの他端の側には電子ビームを
発生する電子銃１０が配置されている。

この電子銃１０は第１０図（＋））の断面図に示すよう
に、一般に水平方向に並んだ３本の電子銃１０ａ、１０
ｂ、１０ｃから成っており、そのうちの１個１０ｂはち
ょうどこのカラーブラウン管の中心軸、すなわちネック
管ＩＣの軸と一致して配置されている。

このカラーブラウン管動作の際に電子銃１０（１０ａ、
１０ｂ、１０ｃ）は電子ビーム２０　（２０Ａ、２０Ｂ
、２０Ｃを発射する）。電子ビーム２０は色選択電極３
の透孔を通り抜けて、蛍光膜２に射突し、これ発光させ
る。

第１０図のカラーブラウン管の動作の際はまた、偏向ヨ
ーク３０が取付けられている。この偏向ヨーク３０は電
子ビーム２０が電子銃１０を出発して蛍光膜２の上の所
望の位置に射突するように電流によってこれを曲げるた
めのコイルを有する電界発生装置であって、ファンネル
１ｂとネック管ＩＣの接続部付近に取付けられる補助部
品である。

第１１図を用いて説明すると、偏向ヨーク３０はコア３
１．水平偏向コイル３２．垂直偏向コイル３３から構成
されており、コア３１は略々筒形の高透磁率のフェライ
トから成り、水平偏向コイル３２は通常コア３１の内側
にはめ込まれた一対の鞍形コイルから成り、電子ビーム
２０を水平方向、すなわち電子銃１０ａ、１０ｂ、１０
ｃの並んでいる方向に平行な方向に偏向するために水平
偏向電流によって略々垂直方向、すなわち上記水平方向
に垂直な方向に分布する磁界を、コア３１に囲まれた空
間部付近に発生する。また垂直偏向コイル３３はコア３
１にトロイド状に捲回された一対のトロイダルコイルか
ら成り、電子ビーム２０を垂直方向に偏向するために垂
直偏向電流によって略々水平方向に分布する磁界をコア
３１に囲まれた空間部付近に発生ずる。

かかるカラーブラウン管が満足な動作を行うためには種
々の条件が必要であるが、偏向ヨーク３０に関していう
と、まず第１に電子銃１０ａ、１０ｂ、１０ｃのそれぞ
れから出発した３本の電子ビーム２０ａ、２０ｂ、２０
ｃが偏向ヨーク３０によっていかなる方向に偏向されて
いる場合でも常に蛍光膜２上で集中させる必要がある。

この集中特性のことをコンバゼンス特性といい、この集
中作用が不完全な状態をミスコンハゼンスがあるという
が、近年のカラーブラウン管用偏向ヨーク３０の発生す
る偏向磁界は特殊な分布になっており、蛍光膜２上の全
面にわたってミスコンバゼンスが生じないよう工夫がな
されている。

第２に、蛍光膜２上に格子縞状の互いに直交する平行直
線群から成るはずの画像を出した時、画像が正確に平行
直線群の集合として写し出されることが必要である。す
なわち、前述の垂直偏向のための垂直偏向電流を一定に
保って、水平偏向電流のみを変化させた時、電子ビーム
２０、特に中央に配置されている２０ｂが蛍光膜２上に
画く射突点の軌跡が垂直偏向電流の値いかんにかかわら
ず蛍光膜２を正面充分遠方から見て平行な水平直線にな
るとともに、水平偏向のための水平偏向電流を一定に保
って垂直偏向電流のみを変化させた時、電子ビーム２０
　（２０ｂ）が蛍光膜２上に画（射突点の軌跡が水平偏
向電流の値いかんにかかわらず、偏向な垂直直線になる
ことが必要である。

かかる特性は偏向ヨークのラスター形状特性と呼ばれ、
上述のように本来平行な直線であるべき直線群がそうは
ならない現象をラスター歪があるいというが、近年のカ
ラーブラウン管用偏向ヨーク３０はラスター形状特性に
も注意が払われており、偏向磁界の分布は相応に工夫さ
れたものとなっている。

以上述べたように偏向ヨーク３０はコンバゼンス特性と
ラスター形状特性の両特性を同時に得ることが望まれる
。

解析の結果によると、コンバゼンス特性に重要なのは、
偏向ヨーク３０の入口側（電子銃１０側）の磁界分布で
あり、ラスター形状特性に重要なのは偏向ヨーク３０の
出口側（蛍光膜２側）の磁界分布である。しかして従来
の偏向ヨーク３０では入口側と出口側の磁界分布をある
程度独立に調整検討した設計とすることによって上記両
特性を実用的に充分な程度まで満足なものとすることが
できた。

しかし近年になってＨＤＴＶなど対象としたブラウン管
装置にあって、両特性への要求が従来のものに比べて格
段にきびしいものとなるにおよんで、これら両特性を同
時に満足することが難しくなってきた。もともとコンバ
ゼンス特性は偏向ヨーク３０の入口側の磁界分布の影響
が支配的であるといっても、出口側の影響も無視できな
い。また、逆にラスター形状特性は偏向ヨーク３０の出
口側の時間分布の影響が支配的であるといっても入口側
の影響を無視することはできない。従って両特性への要
求がきびしくなる程、両者の干渉問題の処理が難しくな
ってくる。

そのため両特性をなるべく互いに干渉なく制御する方法
が用いられている。例えば、コンバゼンス特性にあって
は、偏向ヨーク３０の入口側に小さい補助コイルを有す
る補助磁界発生装置を設けこれに水平または垂直偏向電
流に同期した電流を流して、より完全なコンバゼンス特
性を得る、いわゆるダイナミックコンバゼンスなる手法
が知られており、この方法によればラスター歪特性との
干渉は皆無ではないが、補助磁界装置の形状や取付は位
置を工夫するなどすれば、両特性を相当分離することが
可能である。

また、ラスター形状特性は水平、垂直画偏向電流を単な
る鋸歯状液とせず互いに両者を干渉させ水平偏向電流の
振巾を垂直偏向電流値と共に変化させたり、垂直偏向電
流の中に水平偏向電流に同期した小さいリップルを持た
せるなど、偏向電流発生回路（ラスター歪補正回路とい
う）の工夫で改善することが行われている。

しかしこれらの工夫はいずれも複雑な波形の電流発生装
置を必要とし、この電流は水平または垂直いずれかの偏
向電流（電圧）をもとに作られるが、これらはもともと
鋸歯状波であり、従ってこれらを簡単な受動回路で整形
すると、安定に得られる波性の範囲は限られてしまう。

またトランジスタなどの態動回路あるいはメモリーを伴
う波形記憶回路を用いることも可能であるが、コストや
種々の安定性の問題があるので問題を簡単に解決するこ
とは難しい。

しかしこれら複雑な補助装置を用いない際の問題を種々
のケースについて整理して見ると、問題を非常に限られ
たバターのミスセンバセンスまたはラスター歪の問題に
集約できることが多い。そして例えば、これをラスター
形状特性の問題に集約するなら、最も問題になることが
多いラスター歪パターンは水平線に生ずるビンクツショ
ン歪またはガル歪とよばれるものである。第１２図及び
第１３図を用いて説明すると、これらの図はパネル１ａ
および蛍光膜２を正面から見た図であり、以下ブラウン
管の中心軸と蛍光膜２との交点を原点Ｏに定め、この蛍
光膜２上で水平方向すなわち電子銃１０ａ、１０ｂ、１
０ｃの並んでいる方向にｙ軸を、また、これに垂直にｙ
軸を図のように定めまた、蛍光膜２の最外周縁線のｙ軸
との交点をｘ、とじ、同様にしてｙ軸との交点をｙＭと
定める。更に今、議論しようとしている問題はＸ。

ｙ両軸に関し、対称なので、特別な場合以外はＸ。

ｙ≧０である蛍光膜２上の第１の象限のみ考えるものと
する。なお、ラスター形状特性を考えるとき画像は、中
央の電子銃１０ｂから発生せられる電子ビーム２０ｂに
よるものだけを考えれば充分である。

ビン歪と名付けられた歪は第１２図に示すように本来直
線であるべき水平線画像がｙの大きいゾーンで直線から
外れ、１００で示すように放物線状に湾曲するものをい
い、座標Ｘにおける直線からのずれをΔｙとすると、Δ
ｙがＸ２に略比例するものである。

またガル歪と呼ばれるものは第１３図に示すように本来
直線であるべき水平線画像がｙの大きいゾーンで図に１
００′で示すようにカモメ　（ガル）の滑空時に翼の形
にまがるものをいい、座標Ｘにおける直線からのずれを
Δｙとすると、ΔｙがＸ２に略比例する項とｘ４に略比
例する項との和からなり、通常前者の比例定数が正、後
者の比例定数が負であって両者の比例定数の関係でｘ−
３／４ＸＭ付近にまがりの生ずるものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものであり、ビンクツション歪を容易に修正できる偏
向ヨーク装置を提供するとともに、コンバゼンスとラス
ター歪の密接な関係に鑑みこれらの総合的な特性を改善
すべく偏向ヨーク装置を提供することを目的とする。

〔問題を解決するための手段〕

本発明に係る偏向ヨーク装置は、偏向ヨーク本体と、こ
れと近接して、電子ビーム通路をとり囲んでなる閉じた
磁気回路を形成する環状の磁性体からなるコアと、この
コア中を周回するバイアス磁束を発生させるバイアス磁
界派生手段と、上記コア中を周回する磁束を発生する水
平偏向電流と一定の関数関係を持った電流が流れ、上記
コアに巻回されたトロイダルコイル（以下単にコイルと
称する）とを設けたものである。

〔作用〕

本発明においては、偏向ヨーク本体と、これと近接して
、電子ビーム通路をとり囲んでなる閉じた磁気回路を形
成する環状の磁性体からなるコアと、このコア中を周回
するバイアス磁束を発生させるバイアス磁界派生手段と
、上記コア中を周回する磁束を発生する水平偏向電流と
一定の関数関係を持った電流が流れ、上記コアに巻回さ
れたトロイダルコイル（以下単にコイルと称する）とを
設たので、巻回されたコイルに流れる水平偏向電流と一
定の関係を持った電流によってその磁気飽和度が変化し
、かかる装置を偏向ヨーク本体近くの垂直偏向磁界の存
在する領域に配置することによって垂直偏向磁界を電子
ビームの水平偏向量と共々に変化させることができ、コ
ンバゼンスとラスター形状の両条件を満足せねばならな
い偏向磁界設計の自由度を増加することができ、上記装
置を偏向ヨーク本体の前方蛍光膜に近い部分に配置すれ
ば、偏向ヨーク本体による垂直偏向磁界のうちラスター
形状特性に主として関係する部分を電子ビームの水平偏
向量と共に変化させラスター歪をコンバゼンス特性との
干渉を少なくして効率的に補正することができる。

〔実施例〕

以下本発明の一実施例を図について説明する。

第１図は本発明の一実施例による偏向ヨーク装置および
周辺回路を示す図である。

図において、偏向ヨーク３０の前方（蛍光膜に近い方）
にはこれと適当な距離を離して環状のコア４０が配置さ
れている（コア４０を所定の位置に固定するための装置
は図示せず）コア４０は高透磁率を有し、磁気飽和の起
こしやすい材料、例えばニッケルと鉄を含む合金から成
る比較的小さい断面を有する環状体である。このコア４
０は、その形状を維持すると共に後に述べるコイル電流
による渦電流の発生を防ぐため、例えば相互に絶縁され
た細い強磁性体ワイヤを巻回して束ねて形成したような
ものが好ましい。

そしてコア４０にはその全周にわたってトロイダル状に
コイル４１が巻回されており、このコイル４１は水平同
期信号に同期した電流を供給する波形発生器４２に接続
されている。またコア４０にはトロイダル状にバイアス
コイル５０が巻回されている。このコイル５０は交流骨
を阻止するためのヨヨーク５１を介して、直流電源５２
に接続されている。そして上記バイアスコイル５０．チ
ョーク５１．直流電源５２でバイアス磁界発生装置を構
成している。

第２図は第１の偏向ヨーク装置を取付けた状態のカラー
ブラウン管の構成図を示し、図はカラーブラウン管１を
垂直（＋ｙ）方向から見た図を示す。なおコア４０以外
のコイル、電源類等は図示せず。

偏向ヨーク３０はその動作中、前方に垂直偏向の漏洩磁
束１０１を発生するこの磁束は通常は電子ビームの垂直
偏向に寄与する方向に発生している。この磁束１０１の
中には１０１ａのようにコア４０に入り込むように発生
するものもあるが、コア４０は高透磁率の材料で個性さ
れているので、コイル４１およびバイアスコイル５０に
電流の流れていない状態では１０１ａのような磁束はコ
ア４０の中を透過し、垂直偏向には寄与しない。しかし
コイル４１またはバイアスコイル５０に電流が流れ、こ
れによってコア４０中に周回して生じる磁界がある値以
上になると、この磁界によってコア４０が磁気的に飽和
し、磁束１０１ａはもはやコア４０の中を通過すること
ができ、磁束１０１ｂのように電子ビームの走行空間中
に偏向に寄与する磁束としてあられれる。すなわちコイ
ル４１又はバイアスコイル５０に流れる電流によるコア
４０中の磁界が大きい時には垂直偏向感度が良くなり、
同じ垂直偏向電流に対して、電子ビームをｙ方向に大き
く偏向するようになる。従って波形発生器４２と直流電
源５２による電流によってコア４０中の磁界を制御すれ
ばラスターの垂直幅を制御することができ、従って第１
２図、第１３図で説明したようなラスター歪を補正する
ことができる。

第３図を用いて詳しく説明すると、この図は第１図、第
２図で述べたコア４０およびその周辺回路部分を蛍光膜
２の側から見た図である。但しコイル４１．バイアスコ
イル５０は本来はコア４０の全周にわたってトロイダル
状に巻かれているのを省略して画いである。４３は水平
偏向出力回路であり、水平同期信号に同期して水平偏向
コイル３２へ偏向電流を供給しているが、その電流の一
部はダイオード４４をブリッジ接続した全波整流回路を
通じてコイル４１に流れており、コイル４１の巻回方向
とダイオード４４の全波整流回路は、コイル４１によっ
て生じる磁束が後述するバイアス周回磁束１０２と逆の
方向に発生するように接続されている。上記水平偏向出
力回路４３およびダイオード４４は第１図で述べた波形
発生器４２を構成している。

今、第１２図に示したようなピン歪を補正する場合を考
える。まずバイアスコイル５０に一定電流ｉＢを流して
おく。この電流によって１０２で示すようなバイアス周
回磁束が生じて、コア４０は磁気的飽和状態となる。今
電子ビームがＸ＝０゜Ｙ　＝　Ｙ　Ｍ付近を走査してい
るものとすると、コア４０付近には漏洩磁束１０１が生
じており、この磁束を発生させる時間は比較的弱いもの
であり、コア４０の＋ｙ端付近の磁気飽和度はあまり変
化せずに引き続きほぼ飽和状態にあるものとする。

次に垂直偏向電流はそのままにして偏向点が＋Ｘ方向へ
移動していくものとする。この時、水平偏向出力回路４
３によって水平コイル３２に電流が流れると同時に、ダ
イオード４４を通じてコイル４１に電流ｉが流れる、こ
れによってコア４０中に新たな周回磁束１０３が生じる
。これはバイアス周回磁束１０２の発生方向と逆なので
、コア４０の磁気飽和度が減少することとなり、第２図
で示した漏洩磁束１０１中の１０１ａのようなものは透
磁率の高いコア４０中を積極的に通過するようになりコ
ア４０で囲まれた空間に生ずる磁束は相対的に減少し、
垂直方向の電子ビーム偏向量は減少する。従って水平偏
向量（電流）の増加と共にコア４０の飽和度が適度にゆ
るやかに減少するように、コア４０の材料、バイアス磁
束１０２の量（＝バイアスコイル５０の巻数とそれに流
す電流）、コイル４１の巻数ととれに流す電流を適当に
選んでおけば、第１２図に示したようなビンクツション
歪を補正することができる。

なお、電子ビームの垂直偏向量が一定で水平偏向がｘ＜
０の領域にある場合も電流ｉの方向はダイオード４４の
全波整流回路のために先の場合と同じであり、従って補
正は同じように行えるものである。また垂直偏向がｙ＜
０の範囲（下方）にある時は漏洩磁束１０１の方向が逆
になるが、コア４０の下方部分ではすべての磁束の方向
関係は先のｙ〈０の場合と逆になっており、補正は同じ
ように行なわれる。

なお、上記実施例では、電子ビームがｙ〈０の領域を走
査している時コア４０の上方部分では、漏洩磁束１０１
とバイアス磁束１０２の方向が逆であるように構成した
が、必ずしもこのようにする必要はない。先の説明では
漏洩磁束１０１はコア４０の飽和度には無関係なように
説明したが、これは近似であって実際にはある程度の影
響がある。従ってこれは状況に応じて都合の良い方を選
べばよい。例えば第３図の場合ｙ方向の偏向の増大と共
にコア４０の上半分の飽和度はわずかながら減少し、こ
れに伴って漏洩磁束１０１がコア４０の方に集まって、
偏向に有効に働くものが相対的に減少するので、ｙ方向
の偏向感度がその方向の偏向量と共に減少する傾向があ
られれるが、これは通常偏向ヨーク３０のみで往々問題
になる偏向の非直線性を補正する方向にあり好ましいも
のである。もちろん周回磁束１０２の方向はピン歪補正
特性には影響を及ぼすので、その選択は総合的見地から
行なう必要がある。

なお、当然のことながら、バイアス磁束１０２の周回方
向をかえた時は電流ｉによる周回磁束１０３の方向を逆
する必要がある。

ところで、第２図に示した如く垂直偏向磁路中に水平偏
向に同期した磁気回路を配置すると両者の間に好ましく
ない干渉が起きて、往々にして画面にリンギングと称す
るある種の寄生振動電流が偏向回路中に生じ画面が汚く
なることがあるが、本発明による環状コア４０とトロイ
ダルコイル４１の構成は垂直および水平偏向周期の各瞬
間ごとに常に垂直偏向に同期して変化する磁束（垂直偏
向磁束）とコイル４１によって生ずる磁束は、４個の象
限で生ずるものが常に打ち消し合って、相互の干渉は零
となりこの問題は生じない。

また、かかる補助コイル装置に水平偏向に同期した電流
を流すことは一般にはそのコイル自身が不要輻射や電磁
環境の点から好ましくない時間変化を伴う磁束をブラウ
ン管外部の空間中に生じがちであるが、本発明のコイル
４１によって生ずる高周波磁束は常に、そのトロイダル
形状内に閉じ込められており、かかる問題はほとんど無
視できる。

次にもし補正すべきラスター歪が第１３図に示す如きガ
ル歪である場合は、Ｘ方向の偏向量がＸ−３／４Ｘ）ｌ
を越える付近から再度コイル４１に流す電流ｉを減少さ
せるように波形発生器４２を構成すればよい。

この−例を第４図を用いて示すと、図において６０ａ、
６０ｂは各々可飽和の磁性材料から成るトロイダルコア
であって、されにそれぞれコイル６１ａ、６１ｂが巻か
れているコイル６１ａ、６１ｂはダイオード４４から成
る全波整流回路の入力側に並列に接続されている。トロ
イダルコイル６０ａ　　６０ｂには、それぞれコイル６
２ａ、６２ｂが巻回されており、これらは水平偏向コイ
ル３２に直列に接続されており、またそれぞれにコイル
６３ａ、６３ｂが巻回されておりこれらは直流電源６４
に直列又は並列に接続されている。

ここで、水平偏向出力回路４３からの出力電流ｉＨを決
定するインピーダンスは水平偏向コイル３２が支配的で
あるとする。以上の構成でｉ　ｎが小さい、すなわち水
平偏向量が小さい間はトロイダルコア６０ａ、６０ｂは
磁気的に不飽和の状態にあるとする、するとコイル６１
ａ、６１ｂのインピーダンスはダイオード４４から成る
全波整流回路、従って第４図には画かれていないコイル
４１のインピーダンスに比べて適当に大きくコイル４１
に充分な電流が流れ、先に第３図で説明したのと同様な
ビンクツション歪の補正が行われる。

しかし次第に水平偏向量が増大し、従ってｉ　Ｈが増大
し、ｘ　＝　３　／　４χ８付近になるとトロイダルコ
ア６０ａ、６０ｂが主としてコイル６２ａ、６２ｂの電
流によって飽和し、これによってコイル６１ａ、６１ｂ
のインピーダンスが小さくなり全波整流回路の入力側が
ショートされた状態に近くなるためコイル４１に流れる
電流ｉが減少し、コア４０が再び飽和状態になり、漏洩
磁束１０１がコア４０で囲まれた空間に多数現れ、垂直
偏向感度が増大し、ガル歪が補正される。

ここで、コイル６３ａ、６３ｂおよび直流電源６４はト
ロイダルコア６０ａ、６０ｂの磁気飽和点を調整するバ
イアス磁界を発生させるために設けられているものであ
る。トロイダルコイルにバイアス磁界を加えると、他の
コイルに流れる交流骨の電流の向きによって飽和の状況
が異なってくるためトロイダルコイルは６１ａ、６１ｂ
のように２個設けられており、これらにコイル６３ａ。

６３ｂは互いに逆にバイアス磁界を加えるようになされ
ている。またコイル６３ａ、６３ｂおよび直流電源６４
はこれらを用いなくてもコア６０ａ。

６０ｂの飽和点をちょうど都合の良い所に設定できる場
合もある。この時はコア６０ａ、６０ｂの装置はいずれ
か一方だけで充分である。なお、コイル６１ａと６２ａ
、コイル６１ｂと６２ｂはそれぞれ同じ方向関係かつ偏
向電流ｉＨによってそれぞれ相加わる磁束を発生するよ
う巻回されている。

以上この実施例によれば電流ｉを制御しされすれば偏向
歪を補正できるビンクツション歪とガル歪について述べ
たが、補正の対象は必ずしもこれに限るものではない。

ところで、以記実施例ではコア４０．コイル４１をラス
ター歪を制御すべく偏向ヨーク３０の前方に配置した。

しかしこれは、結果的には偏向磁界の分布を変化させて
いるわけで、ラスター歪のパターンを変化させていると
はいえ、先に述べたコンバゼンス特性に影響を与えない
わけではない。

しかし偏向磁界を変化させている場所が偏向ヨーク３０
本体のかなり前方であって、前方がラスター歪特性、後
方がサンバゼンス特性に大きく関与するという原則の典
型的な場合に相当し、ラスター歪特性の変化に比べて、
コンバゼンス特性の変化の程度は非常に小さく、偏向ヨ
ーク３０本体の巻線分布の周知の方法による若干の調整
で充分回復可能な程度であり、実用性にはほとんど問題
がない。

なお、もしラスター歪を制御すると同時にコンバゼンス
特性に影響を及ぼす程度が大きくても、それが許される
なら、コア４０．コイル４１は必ずしも偏向ヨーク３０
の前方に配置する必要はなく、第２図に１０４で示すご
とく、偏向ヨーク３０の後方にも漏洩磁束は存在する。

また、垂直偏向コイル３３が第１１図に示す如きトロイ
ダル形の場合には、筒状をなしているコア３１の側面外
側部にも漏洩磁束は生じている。従って偏向ヨーク３０
の後方（電子銃１０に近い側）や偏向ヨーク３０の外周
にコア４０コイル４１を配置してもよい。この場合コイ
ル４１に流す電流はラスター歪特性だけでなくコンバゼ
ンス特性にも大きく影響をおよぼすことになるが、本発
明の装置の取付けが偏向ヨーク磁界の設計自由度を増加
させていることには変わりなく、偏向ヨーク３０をそれ
に合わせて設計することで、すなわち上記自由度を充分
利用すれば、時としては本装置を偏向ヨーク３０の前方
へ取付けるよりも好都合なこともある。

また本発明によって垂直偏向磁界を特定して制御しよう
とすれば偏向ヨーク本体の垂直偏向コイル３３は先に第
１１図で述べたようなトロイダル形巻線のものが好まし
いが上に述べた如く本発明を偏向磁界設計の自由度の増
加の観点から利用するなら必ずしも垂直偏向コイル３３
はトロイダル形である必要はない。また、コア４０に前
取てバイアス磁界を与える方法はバイアスコイル５０に
電流を流す方法以外に永久磁石を用いてもよく、コア４
０を所々で切除し、その代わりここにコア４０の延在し
ていた方向に磁化している永久磁石をｘ、ｙ軸封に複数
個挿入する方法でもよい。しかしこの永久磁石を用いる
方法は、コア４０の磁気的飽和に伴って、行き場のなく
なった磁束がその永久磁石周辺にあられれるので必ずし
も望ましいものではないが、しかし時によっては上記永
久磁石周辺の磁束を偏向ヨーク特性を補うため利用する
ことが可能である。

更にコア４０は必ずしも円形である必要はなく、例えば
正方形、長方形、六角形なども可能である。

また、本発明の適用される偏向ヨーク装置は必ずしもセ
ルフコンバゼンス用の偏向ヨークに限らず、特に、第１
図〜第３図に述べたラスター歪補正方法は水平偏向周波
数の大小にかかわらず同様の動作が期待でき、近年要求
の強い多種類の走査方式への使用を前提とした偏向ヨー
ク装置に適するものである。また周波数依存性がないこ
とから上記実施例はラスクー走査でない、いわゆるスト
ローク画描方式のブラウン管デイスプレィ装置へも適用
が可能である。

〔発明の効果〕

以上本発明による偏向ヨーク装置は偏向ヨーク装置本体
に近接して、電子ビーム通路をとり囲んでなるトロイダ
ル状のコイルを巻回してなる環状の磁性体を配置し、こ
のコイルに水平偏向電流と一定の関係を持つ電流を流し
、垂直偏向磁界分布を電子ビームの水平偏向量と共に制
御するようにしたので、偏向磁界設計の自由度を増加さ
せ、コンバゼンスとラスター形状性能を共に満足できる
偏向ヨーク装置を提供することができるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による偏向コーク装置および
その周辺回路を示す図、第２図は本発明の一実施例によ
る偏向ヨーク装置をカラーブラウン管に取付けた場合の
構成図、第３図は本発明の一実施例による偏向ヨーク装
置およびその周辺回路の回路図、第４図は本発明の一実
施例による偏向ヨーク装置の周辺回路である波形発生回
路の他の実施例を示す図、第５図（ａ）は従来の偏向ヨ
ーク装置を含むカラーブラウン管の構成図、第５図（ｂ
）は同図（ａ）の電子銃を説明するための図、第６図は
従来の偏向ヨーク装置の模式図、第７図、第８図はラス
ター歪を説明するための図である。 １はカラーブラウン管真空容器、１ａはパネル、１ｂは
ファンネル、ＩＣはネック管、２は傾向膜、１０．１０
ａ、１０ｂ、１０ｃは電子銃、２０゜２０ａ、２０ｂ、
２０ｃは電子ビーム、３０は偏向ヨーク、３１はコア、
３２は水平偏向コイル、３３は垂直偏向コイル、４０は
コア、４１はコイル、４２は波形発生回路、４３は水平
偏向出力回路、４４はダイオード、５０はバイアスコイ
ル、５１はチョーク、５２は直流電源、６０ａ、６０ｂ
はトロイダルコア、６１ａ、６１ｂはコイル、６２ａ、
６２ｂはコイル、６３ａ、６３ｂはコイル、６４は直流
電源、１００は水平線画像、１０１．１０１ａ、１０１
ｂは漏洩磁束、１０２はバイアス磁束、１０３は周回磁
束、１０４は漏洩磁束を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）カラーブラウン管の電子銃から発射される電子ビ
   ームを偏向するための水平偏向コイルと垂直偏向コイル
   とを備えた偏向ヨーク本体と、該偏向ヨーク本体に近接
   して上記電子ビームの通路をとり囲んでなる可飽和の磁
   性材料から成るコアと、 該コアに周回する磁界を発生させるため、上記コアにト
   ロイダル状に巻回されたコイルと、該コイルに上記水平
   偏向コイルに流す水平偏向電流と一定の関係を有する電
   流を供給する波形発生回路と、 上記コア中にこれを周回する一定のバイアス磁界を発生
   させるバイアス磁界発生装置とを備えたことを特徴とす
   る偏向ヨーク装置。