JPH0447458B2 - - Google Patents
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- JPH0447458B2 JPH0447458B2 JP60298550A JP29855085A JPH0447458B2 JP H0447458 B2 JPH0447458 B2 JP H0447458B2 JP 60298550 A JP60298550 A JP 60298550A JP 29855085 A JP29855085 A JP 29855085A JP H0447458 B2 JPH0447458 B2 JP H0447458B2
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- capillary
- tip
- wire
- bonding
- thin film
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- Expired - Lifetime
Links
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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-
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- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
本発明は、LSIやICなどの半導体装置のワイヤ
ボンデイングに使用するキヤピラリーに関するも
のである。 〔従来の技術〕 半導体装置において、半導体チツプの電極とパ
ツケージのリード電極との接続には、金またはア
ルミニウムよりなる直径0.015〜0.1mm程度の細い
導線を用いているが、この接続工程（ワイヤボン
デイング）には、第３図に先端部を示すように導
線を先端に送出する直径0.025〜0.1mm程度の細孔
１ａを備えたキヤピラリー１を使用していた。 このキヤピラリー１は、全体をアルミナ多結晶
セラミツクまたはルビー、サフアイアなどのアル
ミナ単結晶で形成したものが広く用いられていた
ほか、炭化珪素質セラミツクにより形成すること
も考えられていた。 〔従来技術の問題点〕 ところが、アルミナ多結晶セラミツク製キヤピ
ラリーの場合、金属の付着性が大きく、また表面
に存在するボイドやピンホール等のため、先端部
に導線や電極の粉が付着しやすく、この付着物が
多くたまると細孔１ａの穴詰まりや導線切れ、ル
ープ異常等を引き起こしていた。さらに、このキ
ヤピラリー先端部は常に300℃程度となつており、
１秒間に14回程度の高速で導線を電極上に圧着す
る際に、電極に打ちつけられて瞬間的に約1000℃
の高温に達することがあるため、熱伝導率の低い
アルミナ多結晶セラミツク製のキヤピラリーは、
ヒートシヨツクによる先端部の欠けや摩耗が激し
く、比較的短期間で使用不能となつていた。 また、ルビー、サフアイア等のアルミナ単結晶
で形成したキヤピラリーの場合は、先端部に導線
や電極の粉の付着や摩耗は少ないが、キヤピラリ
ー自体を製造する加工工程中に発生したマイクロ
クラツクに基づき、キヤピラリーをボンデイング
装置に取り付ける際などの取り扱い中に欠けや折
れが発生することが多く、ボンデイングにより寿
命を全うするものに対し途中で使用不能となるも
のが約50％あつた。さらにルビーやサフアイア
は、アルミナ多結晶セラミツクに比べコストが高
いという問題点もあつた。 〔問題点を解決するための手段〕 上記に鑑みて、本発明はセラミツクスまたはサ
ーメツトより形成したワイヤボンデイング用キヤ
ピラリーの少なくとも先端部の表面に、硬質薄膜
を被着したものである。 〔実施例〕 本発明に係るキヤピラリー１は第１図、第２図
に示すようにセラミツクより成り、先端に導線を
送出する細孔１ａを備えており、先端部表面に硬
質薄膜２を被着している。硬質薄膜２は、細孔１
ａの内側面まで形成され、滑らかな面となつてい
るため、導線をスムーズに送出することができ、
また、キヤピラリー１と導線との化学反応を防止
できる。 さらに、キヤピラリー１の強度や耐摩耗性も大
きくなるため寿命を長くすることができる。 このようなキヤピラリー１の基体の材質および
硬質薄膜２の種類を第１表に示すような組合せで
試作し、従来のアルミナ多結晶セラミツクおよび
ルビーよりなるキヤピラリーと共にワイヤボンデ
イング試験を行つた。それぞれのキヤピラリーを
10個用意し、同一条件のもとに金線を用いてワイ
ヤボンデイングを行い、ボンデイング回数と導線
の接続状態の関係を調べた結果、それぞれの平均
値は第１表のようになつた。
ボンデイングに使用するキヤピラリーに関するも
のである。 〔従来の技術〕 半導体装置において、半導体チツプの電極とパ
ツケージのリード電極との接続には、金またはア
ルミニウムよりなる直径0.015〜0.1mm程度の細い
導線を用いているが、この接続工程（ワイヤボン
デイング）には、第３図に先端部を示すように導
線を先端に送出する直径0.025〜0.1mm程度の細孔
１ａを備えたキヤピラリー１を使用していた。 このキヤピラリー１は、全体をアルミナ多結晶
セラミツクまたはルビー、サフアイアなどのアル
ミナ単結晶で形成したものが広く用いられていた
ほか、炭化珪素質セラミツクにより形成すること
も考えられていた。 〔従来技術の問題点〕 ところが、アルミナ多結晶セラミツク製キヤピ
ラリーの場合、金属の付着性が大きく、また表面
に存在するボイドやピンホール等のため、先端部
に導線や電極の粉が付着しやすく、この付着物が
多くたまると細孔１ａの穴詰まりや導線切れ、ル
ープ異常等を引き起こしていた。さらに、このキ
ヤピラリー先端部は常に300℃程度となつており、
１秒間に14回程度の高速で導線を電極上に圧着す
る際に、電極に打ちつけられて瞬間的に約1000℃
の高温に達することがあるため、熱伝導率の低い
アルミナ多結晶セラミツク製のキヤピラリーは、
ヒートシヨツクによる先端部の欠けや摩耗が激し
く、比較的短期間で使用不能となつていた。 また、ルビー、サフアイア等のアルミナ単結晶
で形成したキヤピラリーの場合は、先端部に導線
や電極の粉の付着や摩耗は少ないが、キヤピラリ
ー自体を製造する加工工程中に発生したマイクロ
クラツクに基づき、キヤピラリーをボンデイング
装置に取り付ける際などの取り扱い中に欠けや折
れが発生することが多く、ボンデイングにより寿
命を全うするものに対し途中で使用不能となるも
のが約50％あつた。さらにルビーやサフアイア
は、アルミナ多結晶セラミツクに比べコストが高
いという問題点もあつた。 〔問題点を解決するための手段〕 上記に鑑みて、本発明はセラミツクスまたはサ
ーメツトより形成したワイヤボンデイング用キヤ
ピラリーの少なくとも先端部の表面に、硬質薄膜
を被着したものである。 〔実施例〕 本発明に係るキヤピラリー１は第１図、第２図
に示すようにセラミツクより成り、先端に導線を
送出する細孔１ａを備えており、先端部表面に硬
質薄膜２を被着している。硬質薄膜２は、細孔１
ａの内側面まで形成され、滑らかな面となつてい
るため、導線をスムーズに送出することができ、
また、キヤピラリー１と導線との化学反応を防止
できる。 さらに、キヤピラリー１の強度や耐摩耗性も大
きくなるため寿命を長くすることができる。 このようなキヤピラリー１の基体の材質および
硬質薄膜２の種類を第１表に示すような組合せで
試作し、従来のアルミナ多結晶セラミツクおよび
ルビーよりなるキヤピラリーと共にワイヤボンデ
イング試験を行つた。それぞれのキヤピラリーを
10個用意し、同一条件のもとに金線を用いてワイ
ヤボンデイングを行い、ボンデイング回数と導線
の接続状態の関係を調べた結果、それぞれの平均
値は第１表のようになつた。
叙上のように本発明によれば、セラミツクスま
たはサーメツトにより形成したワイヤボンデイン
グ用キヤピラリーの少なくとも先端部の表面に硬
質薄膜を被着したことにより、キヤピラリー先端
部の耐摩耗性、硬度、耐蝕性が大きくなり欠けや
折れの発生が少なくなるだけでなく、細孔の内側
面が滑らかになり摩擦係数が低減して導線の送出
がスムーズに行えるために、接触不良が少なくな
る。さらに、これらの硬質薄膜は熱伝導率が高い
ため、キヤピラリーの放熱特性を良くし、また導
電性が高いため、静電気などによる帯電を防止す
ることができるなど多くの特長を有したワイヤボ
ンデイング用キヤピラリーが提供できる。
たはサーメツトにより形成したワイヤボンデイン
グ用キヤピラリーの少なくとも先端部の表面に硬
質薄膜を被着したことにより、キヤピラリー先端
部の耐摩耗性、硬度、耐蝕性が大きくなり欠けや
折れの発生が少なくなるだけでなく、細孔の内側
面が滑らかになり摩擦係数が低減して導線の送出
がスムーズに行えるために、接触不良が少なくな
る。さらに、これらの硬質薄膜は熱伝導率が高い
ため、キヤピラリーの放熱特性を良くし、また導
電性が高いため、静電気などによる帯電を防止す
ることができるなど多くの特長を有したワイヤボ
ンデイング用キヤピラリーが提供できる。
第１図、第２図はそれぞれ本発明に係るワイヤ
ボンデイング用キヤピラリーを表しており、第１
図は一部破断側面図、第２図は先端部分の拡大断
面図である。第３図は従来のワイヤボンデイング
用キヤピラリーの先端部の拡大断面図である。 １……ワイヤボンデイング用キヤピラリー、１
ａ……細孔、２……硬質薄膜。
ボンデイング用キヤピラリーを表しており、第１
図は一部破断側面図、第２図は先端部分の拡大断
面図である。第３図は従来のワイヤボンデイング
用キヤピラリーの先端部の拡大断面図である。 １……ワイヤボンデイング用キヤピラリー、１
ａ……細孔、２……硬質薄膜。
Claims (1)
- １ セラミツクスまたはサーメツトにより形成し
たキヤピラリー基体の少なくとも先端部の表面
に、TiC、TiN、SiC、Si3N4、B4C、BNの少な
くとも一種からなる硬質薄膜を被着したことを特
徴とするワイヤボンデイング用キヤピラリー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60298550A JPS62158335A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | ワイヤボンディング用キャピラリ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60298550A JPS62158335A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | ワイヤボンディング用キャピラリ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158335A JPS62158335A (ja) | 1987-07-14 |
| JPH0447458B2 true JPH0447458B2 (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=17861183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60298550A Granted JPS62158335A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | ワイヤボンディング用キャピラリ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62158335A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0375707B1 (de) * | 1987-08-17 | 1992-02-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Werkzeuganordnung zum ultraschall-schweissen |
| US5217154A (en) * | 1989-06-13 | 1993-06-08 | Small Precision Tools, Inc. | Semiconductor bonding tool |
| KR100533751B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2005-12-06 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지용 캐필러리의 수납구 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59135738A (ja) * | 1983-01-03 | 1984-08-04 | スモ−ル・プレシジヨン・ツ−ルズ・インコ−ポレ−テツド | ワイヤ−ボンデイング用キヤピラリ−装置 |
| JPS61125144A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング用キヤピラリチツプ |
| JPS61222144A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-10-02 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | セラミツク製ワイヤボンデイング用キヤピラリ |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP60298550A patent/JPS62158335A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59135738A (ja) * | 1983-01-03 | 1984-08-04 | スモ−ル・プレシジヨン・ツ−ルズ・インコ−ポレ−テツド | ワイヤ−ボンデイング用キヤピラリ−装置 |
| JPS61125144A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング用キヤピラリチツプ |
| JPS61222144A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-10-02 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | セラミツク製ワイヤボンデイング用キヤピラリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62158335A (ja) | 1987-07-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |