JPH0447271A - 加速度センサ及びその出力電圧調整方法 - Google Patents

加速度センサ及びその出力電圧調整方法

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JPH0447271A
JPH0447271A JP2155217A JP15521790A JPH0447271A JP H0447271 A JPH0447271 A JP H0447271A JP 2155217 A JP2155217 A JP 2155217A JP 15521790 A JP15521790 A JP 15521790A JP H0447271 A JPH0447271 A JP H0447271A
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acceleration sensor
acceleration
cap
base
integrated circuit
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Application number
JP2155217A
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English (en)
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Kanemasa Sato
佐藤 金正
Sadayasu Ueno
上野 定寧
Kiyomitsu Suzuki
清光 鈴木
Yasuhiro Asano
保弘 浅野
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Hitachi Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はサスペンション制御システムなどに主として用
いられる加速度センサに関し、特に半導体微細加工技術
を応用した静電サーボ式加速度センサに関する。
〔従来の技術〕
従来の加速度センサは、特開昭64−25062号公報
に記載されるように加速度検出部が、磁石を有する可動
体とハウジング間の嵌合部に接触部を有する構造であっ
た。また、検出部はスペーサによって固定部のみ持上げ
られ支持されたプリント基板に直接リード端子を介して
固定された構造であった。また、制御回路は、前記プリ
ント基板に配置していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
そして、上記従来技術は、信頼性の点について配慮がな
されておらず1例えば、加速度検出部の可動部が摩滅す
ること、自動車の車体などに取付けた場合に外部振動の
影響によりプリント基板が振動すること、検出部や制御
回路を外部環境の変化例えば、温度、湿度などから保護
する配慮がなされておらないなどのことから信頼性が確
保できない課題があった。また、外部電波に対する配慮
が足りず電波障害を受は易い課題があった。また。
自動車の車体に取付けて用いる場合に小形化、軽量化が
要求されるがこれらの要求にこたえることが難しい課題
であった。
加速度に対応した出力電圧の調整を行う場合の重力加速
度を利用した水平と直角での位置決めのための基準面が
明確にされておらず調整方法も明確にされていないこと
や、シリーズ化の配慮がなされていないため1作業工数
が増加する課題があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の加速度センサは、自動車の車体の任意の場所に
取り付けられるように小形軽量であること、また、温度
、湿度、出力、腐蝕性ガスなどに対して十分に耐える信
頼性を確保すること、外部電波の影響を受けにくくする
こと、作業性が良く安価にすることなどを目的とする。
上記目的を達成するために 1、電子回路は専用集積回路を製作し、検出部と同一ア
ルミナ基板上に配置して、φ20以下のキャンプでカバ
ーできるように小形化した。また、アルミナ基板を乗せ
るベースはガラス気密封止構造を採用し、不活性ガスを
カバー内に封入することにより、内部部品の腐蝕防止を
図り、信頼性防止を図った。
2、他の例では、電子回路は専用電子集積回路(以下専
用IC)に納め、検出部(以下、ゲージ)と2チツプと
して直接ベースに固定することにより小形化を図った。
3、キャップベース部組をリード付プラスチックハウジ
ングに組込むことにより、自動車の任意の所に取付けら
れる構造にして、キャップベース部組の共通化を図り、
かつ、プラスチックハウジングに組付けることによって
、カスタム設計を容易にした。
4、検出部は半導体シリコンの微細加工により片持梁を
製作し、上下ガラス表面との間の静電容量差を利用し、
サーボ方式にしたため、形状を小さくする、一方、変位
が小さくできることから片持梁にかかる応力を小さくし
た。
5、封入する不活性ガスの露点は一40℃以下にして1
例えば、自動車に搭載された時の環境条件に対して結露
することなく、内部部品の腐蝕を阻止できるようにした
6、リード端子に貫通コンデンサを組込み外部電波を阻
止できるようにした。特にリード線から入るノイズにつ
いては、広周波数帯域を貫通コンデンサによりカットで
きるようにした。
7、外部電波の影響やノイズを低減するため、専用IC
やゲージの下にグランドパタンを全面に配置した。
8、部品の共通化を図り、原価低減のために、アルミナ
基板部組またはベース部組単体で加速度に対する出力電
圧の調整を可能にした。
9、出力電圧の温度依存性の誤差を低減するためゲージ
の固定用接着剤は完全に硬化しないシリコン系を採用し
、接着層厚さはO,lnm以下とした。
10、lJX形化し、配線から入るノイズ浮遊容量など
を低減し精度向上を図るため、専用ICとゲージ間は1
mm以内に近づけ、互いにチップ間を超音波熱圧着ワイ
ヤボンディングにより配線した。
11、組立プロセスでの歩留り向上を図るため、ベース
とキャップは共に金属を採用し、表面処理はNi鍍金と
し、ベースの中央部を高くしてキャップ側にリング状の
押し出しを付けた形状を採用しリングプロジェクション
気密封止溶接時のスパッタの飛散をおさえることにした
〔作用〕
本加速度センサは静電サーボ式であり、検出部は半導体
シリコンをケミカルエツチングにより。
微細加工した片持梁の可動部を有し、可動部と対向する
上下のガラス層の表面に形成された電極間との静電容量
差を検出する方式となっている。加速度を受けて微少変
位する片持梁には片持梁の動きに対向して電子制御回路
により、パルス状に逆方向に加えられた静電気力により
、片持梁を中央に戻すように作用するいわゆるサーボ式
を採用している。ここで、可動部と固定電極間は微少隙
間であること、中央と上下の電極間の引出しリードの対
向部は直接接触しない構造にするための微少孔が形成さ
れていることから、相互の電極部は外部開放の構造とな
っている。埋設物を挿填しても完全気密は無理な構造と
なっている。この孔が大気開放であると外部の湿気や塵
埃が電極間に侵入し、可動部の動きが抑止され、所定の
特性を得ることが難しくなる。
また、専用ICの周囲配線は、全て金属の細線によるワ
イヤボンディングであり、シリコンなどのゲル状のオー
バコートをかけると自動車の車体の振動などでゲルが共
振しワイヤの断線につながる。また、接着剤で包埋し硬
化すると接着剤の膨脹収縮でワイヤが断線する恐れがあ
る。つまり、ワイヤは包埋できないのである。しかし、
これも大気開放状態であると、外部のガスに直接接触し
、接合部の腐蝕が極度に進行する恐れがある。そこでゲ
ージと専用ICを含めたアルミナ基板部組は。
ベースに接着して、キャップをかぶせ、自動車の使用環
境条件下で充分耐え得るように不活性ガスを露点−40
℃以下にして気密封止する構造を採用した。ゲージは上
下のガラス層にシリコンの片持梁部が挾持された三層構
造になっており、可動電極と固定電極の隙間はそれぞれ
数μmとなっている。ここで、ゲージを固定するための
接着層は、熱膨張収縮によるゲージのそりを防止するた
め。
接着層にはシリコンなどの軟質のものを用いると共に厚
さは適度に厚くする必要がある。o、1mm以上にする
とゲージ本体のそりは少ないため、厚さの最適値として
は0.08〜0.101111とした。
ベース上に固定されたゲージや専用ICが外部電波など
の外乱に対して無防備であれば、加速度に対する出力電
圧の検出精度が低下する。そこで、リード端子部には貫
通コンデンサを介在させてあす、また、ベースやキャッ
プはグランド(GND)に配線し、ゲージ専用ICの固
定部全面には、グランド配線している。従って、外部電
波雑音が侵入しても、グランドレベルの遮蔽板や電気的
なフィルタにより、雑音は低減されて、出力電圧の精度
に対する影響は低くなる。
自動車用加速度センサの検出加速度の範囲は、例えば−
2G〜+20 (G=9.8m/s”)などと比較的低
い領域である1本発明の加速度センサは直線性が良好で
あるため加速度に対する出力電圧の調整は重力加速度を
利用して行うことができる。しかし、ファンクショント
リミングは重力加速度を変えた位置で可変抵抗器により
予めトリミングした後、記録された抵抗値にレーザによ
る抵抗トリミングを行う方法がある。一方、専用ICの
パッドにプローバを当て外部からデジタル的に抵抗アレ
イの組合せを決めるトリミング方式を採用することもで
きる。デジタルトリミングの方式としてはパッド近傍に
備えられたツェナダイオードを焼き切りショートさせる
ツエナザツビング法やポリシリコンのヒユーズを焼き切
り回路をオープンにするポリシリヒユーズ法がある。デ
ジタルトリミング法は、パッドに所定の信号を入れて模
擬的にトリミングすることが可能であり、加速度に応じ
て位置を変える必要のあるトリミングには適した方法で
ある。
〔実施例〕
以下本発明の一実施例を図を用いて説明する。
第1図ないし第6図において、複数のリード端子1がガ
ラス2を介して固定されたベース3上に接着層4を介し
て厚膜印刷アルミナ基板5が固定される。アルミナ基板
5の上には厚膜印刷により、グランドパタン6が予め形
成され、専用IC7゜ゲージ8が固定される部分には、
例えば各チップのコーナに合せて空白部9,10が複数
個形成されこれを位置決めとして、ゲージや専用ICを
接着層11a、llbを介して固定する。ここで。
ゲージ側の接着層11bはシリコン系であり厚さ0.0
8〜0.1mmである。尚、リード、端子の1本はベー
スに直接ろう付けなどで固定し、このり−ド端子1cは
グランド引出しに用いる。また、アルミナ基板5上には
専用IC7内に入らなかったコンデンサ12や、抵抗1
3,14、トリミング抵抗15,16、その他に導体配
線28などが形成される。専用IC7を中心としてゲー
ジとの配線17.アルミナ基板との配線18は超音波熱
圧着ワイヤボンディングである。入出力信号はベース上
にあるピンの頭にワイヤボンディングで結線29し引出
す。ゲージにはばらつきがあり最終的には、例えば第1
2図のaの特性をbの特性に合わせるための出力特性の
調整が必要である。専用IC5内部の抵抗アレイのデジ
タル的な選択組合せで出力電圧調整が可能であり、コン
デンサ類も専用IC内に収められれば、チップはゲージ
と専用ICの2つになる。従って2つのチップを直接ベ
ース上に接着固定し、配線することもできる。
ベースの裏面に突き呂したリード端子1には貫通コンデ
ンサ19を嵌合しリード端子1にはんだで固定する、貫
通コンデンサ19の外周部にはアース板20を嵌合しは
んだで固定し、アース板の他端は、ベース本体にはんだ
で固定する。なお、ベース3のゲージ、専用ICなどの
チップの固定側は、周囲に対して0.5〜1.5高くし
てキャップ21の印ろう部を形成する。ベースは鉄であ
り、表面処理はNi鍍金である。一方キャップも鉄であ
る。キャップは、ベースとのリングプロジェクション溶
接のための押し出しがフランジの外周に形成されており
、表面処理はNi鍍金である。ベースにキャップを固定
するためのリングプロジェクション溶接は、露点−40
”C以下のN2またはArなとの不活性ガス中で行なわ
れキャップ内にガス22が封入される。キャップベース
部組23は外部引出し端子24を有するプラスチックハ
ウジング25の開孔部の一面に接着剤を介し接着固定す
る。その後でキャップベース部組23のリード端子1と
外部引出し端子24間は、それぞれ金属細線の溶接また
はワイヤボンディングにより結線26する。ボンディン
グワイヤはシリコンゲルなどにより埋設する場合もある
。細線結線部の部屋はプラスチックハウジング25中に
大気導入孔30を形成して外部との呼吸ができるように
することもできる。
ハウジング開孔部の他面にはベース27が接着固定され
、このベースの下面27aが加速度センサの取付けの基
準面となる。なお、プラスチックハウジング27に埋設
された端子24は外部露出部に全鍍金を施す。
ゲージ8の構造、加工法などについて説明する。
加速度に対応して変位する可動部は、半導体シリコンウ
ェハを両面からケミカルエツチングすることにより重錘
31を有する片持梁32を形成することができる。一方
、シリコンとほぼ同等の膨張係数を有するガラスの表面
には、lk、Q、Ti。
Mo、Siなどまたはこれらの合金を特定の範囲に電極
として、真空着膜形成法などにより着膜する。片持梁を
有するシリコンウェハを中層41として上下の面に電極
34.37を有するガラス板をそれぞれの電極が対向す
るように位置決めしてアノディックボンディング法など
を用いてこれら三層は圧着接合できる。ここで、上板ガ
ラス33の電極34は外部接続を容易にするためスルー
ホール構造をとり上面パッド35まで引出される。
一方、下側ガラス36の電極37からの引出しは同一面
で端のパッド38に引出す。これらの引出しリードとパ
ッド部の加工はガラスの電極形成時の工程、またはこれ
に前後した工程中で行なわれる。また、シリコンの可動
電極側は、ガラスの対向電極に対して数μmの隙間39
.40が必要であり、シリコンのエツチング工程中で形
成できる。
なお、可動電極の表面には絶縁層としてSiO2が形成
される。また、ガラス側電極からのリード引出し部と対
向する部分は絶縁する必要がある。
ここでは、シリコン側に掘り込みを入れ接触をさけるこ
とにした。この孔は上下ガラス対向部共に外部に通じる
孔42.43となる。外部接続のためのパッドにはA1
2などを1μm前後の厚さで着膜し形成する。但し、シ
リコンの場合は予めPを拡散させておきこの上にAQを
着膜する。
次に、第7図により電子回路の構成を説明する。
ゲージの可動電極と上下の固定電極間のそれぞれの静電
容量Cx、Czは、ΔC検出回路5oで静電容量差の信
号に変換される。信号はバッファ回路51.演算増幅回
路を通り、パルス幅変調回路52で、パルス信号に変換
される。このパルス幅が加速度に対応した出力信号とな
る。このパルス信号を静電容量検出部にそれぞれ帰還し
て(一方は他方の信号反転回路54を通る)加速度を受
けて変位する可動部を元の位置に戻すサーボの動作をさ
せる。
尚、パルス信号出力は、フィルタ回路53で直流に変換
され、出力電圧調整回路55により、ゲージなどの特性
のばらつきを吸収し、一定の電圧に調整して、加速度に
対応した出方電圧Voを得ることができる。また、各回
路に電源を供給するための電源回路56がある。なお、
出方電圧調整回路は、第12図のaの特性を平行移動さ
せるゼロ調整部55aとaの特性の勾配を変えるスパン
調整部55bなどから構成される。尚、第7図の二点鎖
線内はゲージ部を、破線内は専用IC内部回路であるこ
とを表わすものであるが、フィルタ回路はコンデンサの
容量が小さくなると専用IC内に入いる場合もあり得る
。第7図の(b)はパルス幅変調回路の信号が加速度が
大きくなるとパルス幅が広く、また、小さくなるとパル
ス幅が狭くなることを表わしている。
次に、加速度センサの出力電圧の調整方法について説明
する。加速度センサの加速度の検出部であるゲージ8は
、シリコンのエツチングによる微細加工であるため加工
精度にばらつきが生ずる。
従って出力特性のばらつきの原因になる。この特性のば
らつきを吸収し一定の特性に合わせるための出力調整を
行う。第11図に示すように専用IC7内部に演算増幅
器や抵抗アレイを収納し、第9図に示すパッドPs−P
nの近くに配置したツェナダイオード回路57に過電流
を流し、ダイオードをショートする方法、または、ポリ
シリコンのヒユーズに過電流を流して焼切り、回路をオ
ープンにする方法などで、例えばスイッチSWz〜SW
、を動作させ、デジタル的に抵抗ri、・・・r6を組
合せて入力信号v1イに対して、演算増幅器AMPを含
めた例えば第11図に示す出力調整回路を適切に働かせ
ることによって8力信号VOの調整を行うことができる
。これらの調整が可能になれば、専用IC7にはゲージ
以外の全ての部品が収納でき、加速度センサは完全に2
チツプになる。しかし、電子回路中に大きいコンデンサ
が必要となった場合には、コンデンサのみを外に出して
第9図のようにアルミナ基板上にチップを載せ配線して
小形にまとめることもできる6また。
出力電圧調整回路を専用IC内部に入れない場合には第
10図のような外付けの厚膜抵抗体をアルミナ基板上に
形成し、レーザによる抵抗トリミングを行って加速度に
対する出力電圧の調整を可能にする。
8力電圧調整時の加速度の印加は自動車用加速度センサ
の場合、通常地球の重力を利用した重力加速度を用いて
いる。加速度センサの直線性が良いため、所定以上の間
隔をおいた2点の値が目的の特性にほぼ一致すると調整
完了として良い。デジタル的に調整する場合には専用I
Cの出力調整用の複数のパッドにマイクロプローバの複
数の端子を当て1Gにおける水平時と垂直時の0Gまた
は裏返し時の−1Gの特性を予めとって目的の特性に対
する補正量を算定する。1G加速度の状態で補正量に基
づいて既設のデジタル配置のパッドに過電流を流して、
例えばツェナダイオードを焼切りショートして前述の抵
抗の組合せを適切に行ない目的の出力特性に合わせるこ
とができる。抵抗アレイのばらつきが心配な場合には、
予め、出力調整用パッドPz、・・・、Pnを、外部電
子制御回路に接続し、各パッドをデジタル的に連続して
切り換え模擬的にダイオードをショートする動作をして
抵抗の組合せに対する特性をとり、あとから、適切な抵
抗の組合せを選択する方法をとることができる。パッド
外の操作はマイクロコンピュータと外部制御回路などの
組合せで可能である。
すなわち上記シミュレーション動作とこれらの繰返しに
よる学習の組合せによりさらに8力電圧の調整精度を向
上させることができる。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明したように構成されているので以下に
記載されるような効果を奏する。
1、ゲージや専用ICなどを不活性ガス封入のハーメチ
ックシールベースとキャップ内部の部屋に収納したこと
により、腐蝕などの心配がなく信頼性が確保できる。
2、加速度センサをゲージと専用ICの2チツプにまと
めたことにより、小形、専用にできる。
3、キャップベース部組の共通化を図り1部品のJyX
価低減を図った。またキャップベース部組をプラスチッ
ク製のハウジングに組付けることによってカスタム設計
を容易にした。
4、ゲージは半導体シリコンの微細加工を応用したもの
であり、センサの小形化が図れる。また、半導体の製造
プロセスを流用できるので安価である。一方、専用IC
と組合せゲージ内部の可動部はサーボ方式を採用してお
り、可動部の変位が小さくでき応力がdsさいため長寿
命である25、封入される不活性ガスの露点は一40℃
以下であり、自動車の環境温度のもとでは結露の心配は
ありえず湿度などによる腐蝕の心配がない。
6.リード端子に貫通コンデンサを組込んでいるため、
外部電波による障害を少なくできる。
7、専用ICやゲージの下にグランドパタンを全面に配
置したため外部電波やノイズの影響を少なくできる。
8、アルミナ基板部組、またはキャップベース部組単体
で出力電圧の調整が可能であり部品の共通化を可能にし
た。
9、ゲージ固定接着剤はシリコン系とし厚さ0.1以下
にしたため温度の変化に対してゲージのそりはほとんど
なく温度依存性の誤差を少なくできた。
10、キャップやベースはNi鍍金とし、ベースの中央
部を高くしてキャップ嵌合の印ろうとし、キャップ側に
リングプロジェクションの押出しを付けて溶接したため
溶接時のスパッタをおさえることができた。
本発明によれば、加速度センサの上述の実装構造を採用
することにより、小形化、高精度、高信頼性を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は加速度センサの断面構造図、第2図は第1図の
キャップをはずした内部の斜視図、第3図は他の加速度
センサの実施例を示す断面構造図、第4図は第3図のキ
ャップをはずした内部の斜視図、第5図は第2図、第4
図の反対側がらの外観図、第6図はゲージ(検出部)の
断面構造図、第7図は電子回路構成図、第8図はアルミ
ナ基板上のゲージチップ、専用ICチップ固定部のグラ
ンドパタン配置図、第9図はアルミナ基板部組図、第1
0図は他のアルミナ基板部組図、第11図は出力電圧調
整回路部の配線図、第12図は出力特性のグラフである
。 1・・・リード端子、2・・・ガラス、3・・・ベース
、4・・・接着層、5・・・アルミナ基板、6・・・グ
ランドパタン、7・・・専用ICl3・・・ゲージ、9
・・・空白部、1o・・・空白部、11・・・接着層、
12・・・コンデンサ、13・・・抵抗、14・・・抵
抗、15・・・トリミング抵抗。 16・・・トリミング抵抗、17・・・配線、18・・
・配線、19・・貫通コンデンサ、 20・・・アース板、 21・・・ キャップ、 22・・・ガス。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.複数のリード端子が固定されたベース上に加速度検
    出部とこの加速度検出部を駆動する駆動回路を内蔵する
    専用電子集積回路部を有する加速度センサにおいて、検
    出部、専用電子集積回路部などは、キヤツプをかぶせて
    密閉室内に収納したことを特徴とする加速度センサ。
  2. 2.ガラス気密封止のリード端子を有するベース上にキ
    ヤツプを接合し、不活性ガスを封入した密閉室を形成し
    、当該密閉室内のベース上には検出部と専用電子集積回
    路などのチツプを固定し、互いに配線し、前記専用電子
    集積回路から入出力信号と電源を前記ガラス気密封止の
    複数のリード端子を介して引き出すことを特徴とする加
    速度センサ。
  3. 3.請求項1、2項において、外部引出し端子を内蔵し
    、取付ベース面を有するプラスチツクハウジングに接着
    固定し、前記両者の引出し端子間はNi、Al、Auな
    どの金属細線で中継されていることを特徴とする加速度
    センサ。
  4. 4.請求項1、2項において、封入する不活性ガスは、
    窒素またはアルゴンであり、ガスの露点は−40℃以下
    であることを特徴とする加速度センサ。
  5. 5.請求項1、2項において、キヤツプ気密封止の加速
    度センサのベースから引出されたリード端子には、貫通
    コンデンサが組込まれていることを特徴とする加速度セ
    ンサ。
  6. 6.請求項1、2項において、厚膜印刷アルミナ基板上
    の加速度検出部、専用電子集積回路部などの少なくとも
    一ヶ以上のチツプが載る領域の基板面には、グランドパ
    タンを全面に配線し、前記各々のチツプの外周またはコ
    ーナに沿う如く配線パタンの一部に複数の窓を空けた僅
    かな空白域を設けたことを特徴とする加速度センサ。
  7. 7.請求項1、2項において、加速度検出部、専用電子
    集積回路部などのチツプが固定されたアルミナ基板単体
    または、前記アルミナ基板部組が載つたベース、単体に
    て、加速度に対応した出力電圧の調整が可能に構成され
    ていることを特徴とする加速度センサ。
  8. 8.請求項1、2項において、加速度検出部のチツプの
    固定用接着剤はシリコン系であり、接着層厚さは0.1
    mm以下であることを特徴とする加速度センサ。
  9. 9.請求項1、2項において、アルミナ基板上に固定さ
    れる加速度検出部と専用電子集積回路部のそれぞれのチ
    ツプ間の配線は、ワイヤボンデイングであることを特徴
    とする加速度センサ。
  10. 10.請求項1、2項において、ベースはキヤツプとの
    接合面に対して、チツプやアルミナ基板が固定される中
    央部は、階段状に高いことを特徴とする加速度センサ。
  11. 11.請求項1、2項において、ベースとキヤツプの接
    合部は、キヤツプ側にリング状の押し出しを有するプロ
    ジエクシヨン溶接であることを特徴とする加速度センサ
  12. 12.複数のリード端子が封着されたベース上に加速度
    検出部とこの加速度検出部を駆動する駆動回路を内蔵す
    る専用電子集積回路を有する加速度センサにおいて検出
    部と専用電子集積回路部の少なくともその一部を電磁遮
    蔽効果を有する密閉室内に収納し、凍結成分を低減した
    ガスを充填し、リード端子に隣接してEMIフイルタを
    配置したことを特徴とする加速度センサ。
  13. 13.加速度センサにおいて、加速度に対応する出力電
    圧の調整時に印加する加速度0G、1Gは地球の重力を
    利用し、センサの基準面を垂直から水平に回動させて、
    ゼロ調整、スパン調整または感度の調整を行うことを特
    徴とする加速度センサの出力電圧調整方法。
  14. 14.加速度センサにおいて、加速度に対応する出力電
    圧の調整はツエナザツピングにより、ゼロ調整とスパン
    調整を行うことを特徴とする加速度センサの出力電圧調
    整方法。
  15. 15.請求項14項において、ゼロ調整とスパン調整の
    目標値は予め0Gと1Gの加速度印加時の出力電圧から
    シミユレーシヨンと学習により求めることを特徴とする
    加速度センサの出力電圧調整方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05340963A (ja) * 1992-02-27 1993-12-24 Mannesmann Kienzle Gmbh 加速度信号発生器
US5864062A (en) * 1996-11-18 1999-01-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor acceleration sensor
JP2007003211A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Sharp Corp 加速度センサおよびその出力補正方法
JP2010103257A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Denso Corp 回路装置
WO2016199286A1 (ja) * 2015-06-12 2016-12-15 株式会社日立製作所 ひずみ検出システム、および取り付け方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01152369A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Hitachi Ltd 容量式加速度センサ
JPH01292227A (ja) * 1988-05-20 1989-11-24 Oki Electric Ind Co Ltd 圧力センサユニット

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01152369A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Hitachi Ltd 容量式加速度センサ
JPH01292227A (ja) * 1988-05-20 1989-11-24 Oki Electric Ind Co Ltd 圧力センサユニット

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05340963A (ja) * 1992-02-27 1993-12-24 Mannesmann Kienzle Gmbh 加速度信号発生器
US5864062A (en) * 1996-11-18 1999-01-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor acceleration sensor
JP2007003211A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Sharp Corp 加速度センサおよびその出力補正方法
JP2010103257A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Denso Corp 回路装置
WO2016199286A1 (ja) * 2015-06-12 2016-12-15 株式会社日立製作所 ひずみ検出システム、および取り付け方法

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