JPH0444620B2 - - Google Patents
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- JPH0444620B2 JPH0444620B2 JP59199134A JP19913484A JPH0444620B2 JP H0444620 B2 JPH0444620 B2 JP H0444620B2 JP 59199134 A JP59199134 A JP 59199134A JP 19913484 A JP19913484 A JP 19913484A JP H0444620 B2 JPH0444620 B2 JP H0444620B2
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- glaze layer
- glaze
- ceramic substrate
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- glass
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
Description
（産業上の利用分野）
本発明はセラミツク基板のグレーズに適したガ
ラス組成物に関し、より詳細にはメタライズ金属
部を有するセラミツク基板のグレーズに適したガ
ラス組成物に関する。 （従来の技術） セラミツク基板の表面にガラスから成るグレー
ズ層を熔着させたグレーズドセラミツク基板は基
板表面の平滑性が優れていることから薄膜電気配
線を形成する基板として多用されている。 この従来のグレーズドセラミツク基板は通常、
アルミナ、ベリリアから成るセラミツク基板の表
面に、例えばSiO240wt％、Al2O38wt％、
CaO8wt％、B2O36wt％、PbO25wt％、BaO8wt
％、Bi2O35wt％から成るガラス粉末に適当な粘
結剤及び溶剤を添加してペースト状となしたもの
をスクリーン印刷方法により塗布するとともに大
気中、約1200℃の温度で焼成し、ガラス粉末をを
熔融させ、セラミツク基板表面に熔着させること
によつて作製されている。 （発明が解決しようとする問題点） しかし乍ら、この従来のグレーズドセラミツク
基板は、セラミツク基板がタングステンＷ、モリ
ブテンMO等から成るメタライズ金属部を有して
いる場合、セラミツク基板表面にグレーズ層を熔
着させる際、セラミツク基板を大気中で焼成する
とセラミツク基板のメタライズ金属部が酸化され
て完全に消滅してしまうという欠点を有してい
た。 またメタライズ金属部の酸化消滅を防止すえる
ためにグレーズ用ペーストが塗布されたセラミツ
ク基板を還元雰囲気中で焼成するとガラス粉末中
の主にPbOが還元されて熔着されるグレーズ層を
黒色化させたり、導電性となしてしまい、その結
果グレーズ層上に形成される微細電気配線の各配
線間が短絡し、微細電気配線基板としての機能に
支障を来たすという重大な欠点を誘発する。 （発明の目的） 本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、そ
の目的はメタライズ金属部を有するセラミツク基
板表面にグレーズ層を熔着させる際、還元雰囲気
中で焼成したとしてもグレーズ層が黒色化した
り、微細電気配線基板としての機能に支障を来た
すような電気絶縁性の劣化が皆無であるグレーズ
用ガラス組成物を提供することにある。 （問題点を解決するための手段） 本発明のグレーズ用ガラス組成物は重量百分率
でSiO2 60〜80％、B2O3 10〜25％、BaO ２〜
10％、Al2O3 0.5〜10％、およびアルカリ金属酸
化物の少なくとも一種１〜15％から成ることを特
徴とするものである。 本発明のグレーズ用ガラス組成物において使用
されるSiO2及びB2O3はグレーズ層を構成するガ
ラスの主成分であり、SiO2はその添加量が60wt
％未満であれば、グレーズ層の耐薬品性が劣化
し、薄膜電気配線を形成する際等において薬品が
付着すると浸蝕を受け、良好な電気配線ができな
い。また80wt％以上であればグレーズ層の熱膨
張係数がセラミツク基板のものより大となつてグ
レーズ層にクラツクや剥離を発生してしまう。 またB2O3あその添加量が10wt％未満であると
グレーズ層の表面が結晶化して表面粗さが大とな
り微細電気配線が形成できず、また25wt％以上
であるとグレーズ層の耐水性が劣化し薄膜電気配
線を形成する際あるいは大気中に含まれる水分の
付着により浸蝕を受け良好な電気配線ができな
い。よつてSio2及びB2O3はそれぞれその添加量
が60〜80wt％及び10〜25wt％の範囲に特定され
る。 更にBaOはグレーズ層の結晶化を抑制すると
ともに軟化点の低下を防止する成分であり、その
添加量が2wt％未満であれば前記性質が付与され
ず、10wt％以上であればグレーズ層の熱膨張係
数がセラミツクス基板のものより大となつてグレ
ーズ層にクラツクや剥離を発生してしまうことか
らその添加量は２〜10wt％の範囲に特定される。 またAl2O3はグレーズ層の結晶化を抑制する成
分であり、その添加量が0.5wt％未満であれば前
記性質は付与されず、また10wt％以上であれば
グレーズ層表面の表面粗さが大となつて良好な電
気配線ができなくなることから0.5〜10wt％の範
囲に特定される。 また、アルカリ金属酸化物、例えばK2Ｏ，
Na2Ｏ，Li2Ｏはグレーズ層の熱膨張係数を調整
する成分であり、その添加量が1wt％未満であれ
ば前記性質は付与されず、また15wt％以上であ
ればグレーズ層の熱膨張係数がセラミツク基板の
ものよりも大となつてグレーズ層のクラツクや剥
離を発生してしまうことからその添加量は１〜
15wt％の範囲に特定される。 （実施例） 次に本発明を実施例に基づいて説明する。 出発原料としてSiO2，B2O3，BaO，Al2O3及
びアルカリ金属酸化物（K2Ｏ，Na2Ｏ，Li2Ｏ）
を下表に示した化学組成になるように秤量し、こ
れを空気中、約1400℃の温度で加熱溶融し、ガラ
スを作成する。 次に前記ガラスにメタノールを加えてボールミ
ルにより湿式粉砕し、乾燥して後、200メツシ
ユ・バスさせ整粒する。最後に前記ガラス粉末に
イソブチルメタクリレート及びα−テルピネオー
ルを添加するとともに擂潰機で１時間混練し、こ
れによつてグレーズ用ペースト試料を得た。 尚、試料番号26は本発明品と比較するための比
較試料であり、SiO240wt％、Al2O38wt％、
CaO8wt％、B2O36wt％、PbO25wt％、BaO8wt
％、Bi2O35wt％から成る従来一般に使用されて
いるグレーズ用ペーストである。 かくして得られたグレーズ用ペーストを使用し
てアルミナから成る100mm角の基板上に長さ５mm、
幅５mm、厚み100mmのパターン100個を印刷し、次
にこれを還元雰囲気（窒素−水素雰囲気）中、約
1200℃の温度で焼成し、セラミツク基板表面にグ
レーズ層を熔着させた。そして次に前記グレーズ
層を熔着させたセラミツク基板を水中及びアルカ
リ液中に浸漬し、しかる后グレーズ層表面を顕微
鏡により観察し、グレーズ層の表面状態を調べる
とともに黒色化しているものの数を調べ、その変
色率を算出した。また同時に表面粗さ計でグレー
ズ層表面の表面粗さを測定し、その平均値を算出
した。 その結果を表−に示す。
ラス組成物に関し、より詳細にはメタライズ金属
部を有するセラミツク基板のグレーズに適したガ
ラス組成物に関する。 （従来の技術） セラミツク基板の表面にガラスから成るグレー
ズ層を熔着させたグレーズドセラミツク基板は基
板表面の平滑性が優れていることから薄膜電気配
線を形成する基板として多用されている。 この従来のグレーズドセラミツク基板は通常、
アルミナ、ベリリアから成るセラミツク基板の表
面に、例えばSiO240wt％、Al2O38wt％、
CaO8wt％、B2O36wt％、PbO25wt％、BaO8wt
％、Bi2O35wt％から成るガラス粉末に適当な粘
結剤及び溶剤を添加してペースト状となしたもの
をスクリーン印刷方法により塗布するとともに大
気中、約1200℃の温度で焼成し、ガラス粉末をを
熔融させ、セラミツク基板表面に熔着させること
によつて作製されている。 （発明が解決しようとする問題点） しかし乍ら、この従来のグレーズドセラミツク
基板は、セラミツク基板がタングステンＷ、モリ
ブテンMO等から成るメタライズ金属部を有して
いる場合、セラミツク基板表面にグレーズ層を熔
着させる際、セラミツク基板を大気中で焼成する
とセラミツク基板のメタライズ金属部が酸化され
て完全に消滅してしまうという欠点を有してい
た。 またメタライズ金属部の酸化消滅を防止すえる
ためにグレーズ用ペーストが塗布されたセラミツ
ク基板を還元雰囲気中で焼成するとガラス粉末中
の主にPbOが還元されて熔着されるグレーズ層を
黒色化させたり、導電性となしてしまい、その結
果グレーズ層上に形成される微細電気配線の各配
線間が短絡し、微細電気配線基板としての機能に
支障を来たすという重大な欠点を誘発する。 （発明の目的） 本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、そ
の目的はメタライズ金属部を有するセラミツク基
板表面にグレーズ層を熔着させる際、還元雰囲気
中で焼成したとしてもグレーズ層が黒色化した
り、微細電気配線基板としての機能に支障を来た
すような電気絶縁性の劣化が皆無であるグレーズ
用ガラス組成物を提供することにある。 （問題点を解決するための手段） 本発明のグレーズ用ガラス組成物は重量百分率
でSiO2 60〜80％、B2O3 10〜25％、BaO ２〜
10％、Al2O3 0.5〜10％、およびアルカリ金属酸
化物の少なくとも一種１〜15％から成ることを特
徴とするものである。 本発明のグレーズ用ガラス組成物において使用
されるSiO2及びB2O3はグレーズ層を構成するガ
ラスの主成分であり、SiO2はその添加量が60wt
％未満であれば、グレーズ層の耐薬品性が劣化
し、薄膜電気配線を形成する際等において薬品が
付着すると浸蝕を受け、良好な電気配線ができな
い。また80wt％以上であればグレーズ層の熱膨
張係数がセラミツク基板のものより大となつてグ
レーズ層にクラツクや剥離を発生してしまう。 またB2O3あその添加量が10wt％未満であると
グレーズ層の表面が結晶化して表面粗さが大とな
り微細電気配線が形成できず、また25wt％以上
であるとグレーズ層の耐水性が劣化し薄膜電気配
線を形成する際あるいは大気中に含まれる水分の
付着により浸蝕を受け良好な電気配線ができな
い。よつてSio2及びB2O3はそれぞれその添加量
が60〜80wt％及び10〜25wt％の範囲に特定され
る。 更にBaOはグレーズ層の結晶化を抑制すると
ともに軟化点の低下を防止する成分であり、その
添加量が2wt％未満であれば前記性質が付与され
ず、10wt％以上であればグレーズ層の熱膨張係
数がセラミツクス基板のものより大となつてグレ
ーズ層にクラツクや剥離を発生してしまうことか
らその添加量は２〜10wt％の範囲に特定される。 またAl2O3はグレーズ層の結晶化を抑制する成
分であり、その添加量が0.5wt％未満であれば前
記性質は付与されず、また10wt％以上であれば
グレーズ層表面の表面粗さが大となつて良好な電
気配線ができなくなることから0.5〜10wt％の範
囲に特定される。 また、アルカリ金属酸化物、例えばK2Ｏ，
Na2Ｏ，Li2Ｏはグレーズ層の熱膨張係数を調整
する成分であり、その添加量が1wt％未満であれ
ば前記性質は付与されず、また15wt％以上であ
ればグレーズ層の熱膨張係数がセラミツク基板の
ものよりも大となつてグレーズ層のクラツクや剥
離を発生してしまうことからその添加量は１〜
15wt％の範囲に特定される。 （実施例） 次に本発明を実施例に基づいて説明する。 出発原料としてSiO2，B2O3，BaO，Al2O3及
びアルカリ金属酸化物（K2Ｏ，Na2Ｏ，Li2Ｏ）
を下表に示した化学組成になるように秤量し、こ
れを空気中、約1400℃の温度で加熱溶融し、ガラ
スを作成する。 次に前記ガラスにメタノールを加えてボールミ
ルにより湿式粉砕し、乾燥して後、200メツシ
ユ・バスさせ整粒する。最後に前記ガラス粉末に
イソブチルメタクリレート及びα−テルピネオー
ルを添加するとともに擂潰機で１時間混練し、こ
れによつてグレーズ用ペースト試料を得た。 尚、試料番号26は本発明品と比較するための比
較試料であり、SiO240wt％、Al2O38wt％、
CaO8wt％、B2O36wt％、PbO25wt％、BaO8wt
％、Bi2O35wt％から成る従来一般に使用されて
いるグレーズ用ペーストである。 かくして得られたグレーズ用ペーストを使用し
てアルミナから成る100mm角の基板上に長さ５mm、
幅５mm、厚み100mmのパターン100個を印刷し、次
にこれを還元雰囲気（窒素−水素雰囲気）中、約
1200℃の温度で焼成し、セラミツク基板表面にグ
レーズ層を熔着させた。そして次に前記グレーズ
層を熔着させたセラミツク基板を水中及びアルカ
リ液中に浸漬し、しかる后グレーズ層表面を顕微
鏡により観察し、グレーズ層の表面状態を調べる
とともに黒色化しているものの数を調べ、その変
色率を算出した。また同時に表面粗さ計でグレー
ズ層表面の表面粗さを測定し、その平均値を算出
した。 その結果を表−に示す。
【表】
【表】
＊印を付したものは本発明の範囲外のものである。
次にグレーズ層の電気絶縁抵抗を抵抗測定機で
測定し、その平均値を算出して電気絶縁抵抗の劣
化を調べた。尚、グレーズ層の電気絶縁抵抗の劣
化はグレーズ用ペースト中のガラス粉末が有する
電気絶縁抵抗値と比較した。 上記の結果を表ーに示す。
次にグレーズ層の電気絶縁抵抗を抵抗測定機で
測定し、その平均値を算出して電気絶縁抵抗の劣
化を調べた。尚、グレーズ層の電気絶縁抵抗の劣
化はグレーズ用ペースト中のガラス粉末が有する
電気絶縁抵抗値と比較した。 上記の結果を表ーに示す。
【表】
【表】
＊印を付したものは本発明の範囲外の
ものである。
（発明の効果） 上記実験結果からも判るように、従来のグレー
ズ用ガラス組成物を使用したグレーズ層は全数が
黒色化し、かつ電気絶縁抵抗値も6.2×1013Ωcm
から8.4×1013Ωcmと大きく劣化してしまうのに
対し、本発明のグレーズ用ガラス組成物を使用し
がグレーズ層は黒色化が12％以下であり、また電
気絶縁抵抗の劣化もほとんどない。 したがつて、本発明のグレーズ用ガラス組成物
はメタライズ金属部を有するセラミツク基板表面
に熔着されるグレーズ層の材料として極めて有用
である。
ものである。
（発明の効果） 上記実験結果からも判るように、従来のグレー
ズ用ガラス組成物を使用したグレーズ層は全数が
黒色化し、かつ電気絶縁抵抗値も6.2×1013Ωcm
から8.4×1013Ωcmと大きく劣化してしまうのに
対し、本発明のグレーズ用ガラス組成物を使用し
がグレーズ層は黒色化が12％以下であり、また電
気絶縁抵抗の劣化もほとんどない。 したがつて、本発明のグレーズ用ガラス組成物
はメタライズ金属部を有するセラミツク基板表面
に熔着されるグレーズ層の材料として極めて有用
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メタライズ金属部を有するセラミツク体にグレ
ーズ層を熔着してなるセラミツク基板であつて、
前記グレーズ層が重量百分率で SiO2 60〜80％ B2O3 10〜25％ BaO ２〜10％ Al2O3 0.5〜10％ およびアルカリ金属酸化物の少なくとも一種１〜
15％ から成ることを特徴とするセラミツク基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19913484A JPS6177636A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | セラミック基板 |
| US06/775,859 US4632846A (en) | 1984-09-17 | 1985-09-13 | Process for preparation of glazed ceramic substrate and glazing composition used therefor |
| US06/926,854 US4767672A (en) | 1984-09-17 | 1986-11-03 | Process for preparation of glazed ceramic substrate and glazing composition used therefor |
| US07/114,227 US4806334A (en) | 1984-09-17 | 1987-10-26 | Glazed ceramic substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19913484A JPS6177636A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | セラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177636A JPS6177636A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0444620B2 true JPH0444620B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=16402708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19913484A Granted JPS6177636A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-21 | セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177636A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018190057A1 (ja) * | 2017-04-14 | 2018-10-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5043117A (ja) * | 1973-08-21 | 1975-04-18 |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP19913484A patent/JPS6177636A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5043117A (ja) * | 1973-08-21 | 1975-04-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6177636A (ja) | 1986-04-21 |
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