JPH0444386A - 高周波回路用基板 - Google Patents
高周波回路用基板Info
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- JPH0444386A JPH0444386A JP15338890A JP15338890A JPH0444386A JP H0444386 A JPH0444386 A JP H0444386A JP 15338890 A JP15338890 A JP 15338890A JP 15338890 A JP15338890 A JP 15338890A JP H0444386 A JPH0444386 A JP H0444386A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子機器用の基板、特に高周波領域での使用
に好適な高周波基板とその製造方法に関する。
に好適な高周波基板とその製造方法に関する。
〔従来の技術]
最近の電子工業、通信工業の各分野において使用される
信号の周波数は次第に高周波の領域に移行し、従来多用
されていたキロヘルツの領域からメガヘルツやギガヘル
ツの領域の方に重要性が移行している。これらの高周波
領域では信号速度や信号の損失の回路性能への影響が大
きく、使用する電気部品や積層板に対して高周波領域で
の信号速度の向上、損失の低減が求められている。積層
板上の回路の信号速度は積層板の誘電体の比誘電率(以
下ε、と称す)に依存しており、ε、が低いほど信号速
度は速くなる。また信号の損失は誘電体のε、とtan
δ(δ:比誘損角)に依存しており、と、やtanδが
低いほど損失が少なくなる。
信号の周波数は次第に高周波の領域に移行し、従来多用
されていたキロヘルツの領域からメガヘルツやギガヘル
ツの領域の方に重要性が移行している。これらの高周波
領域では信号速度や信号の損失の回路性能への影響が大
きく、使用する電気部品や積層板に対して高周波領域で
の信号速度の向上、損失の低減が求められている。積層
板上の回路の信号速度は積層板の誘電体の比誘電率(以
下ε、と称す)に依存しており、ε、が低いほど信号速
度は速くなる。また信号の損失は誘電体のε、とtan
δ(δ:比誘損角)に依存しており、と、やtanδが
低いほど損失が少なくなる。
このため高周波用基板に使用される誘電体にはε、やt
anδの低いものが要求される。ε7やtanδの低い
誘電体としてポリテトラフルオロエチレンやポリエチレ
ンなどの樹脂をガラスクロスに含浸させたものが用いら
れ、これに銅箔を積層させた高周波用基板が一般的に使
用されている。
anδの低いものが要求される。ε7やtanδの低い
誘電体としてポリテトラフルオロエチレンやポリエチレ
ンなどの樹脂をガラスクロスに含浸させたものが用いら
れ、これに銅箔を積層させた高周波用基板が一般的に使
用されている。
ガラスクロスにポリテトラフルオロエチレンを含浸させ
た誘電体を用いたポリテトラフルオロエチレン/ガラス
クロス基板は、ポリテトラフルオロエチレンの高融点、
低流動性のため、その製造に高温度で長時間の成形を要
しコストが高くなるという問題があった。一方、ガラス
クロスにポリエチレンを含浸させたポリエチレン/ガラ
スクロス基板はポリエチレンの融点が低いため、はんだ
耐熱性に劣る欠点があった。
た誘電体を用いたポリテトラフルオロエチレン/ガラス
クロス基板は、ポリテトラフルオロエチレンの高融点、
低流動性のため、その製造に高温度で長時間の成形を要
しコストが高くなるという問題があった。一方、ガラス
クロスにポリエチレンを含浸させたポリエチレン/ガラ
スクロス基板はポリエチレンの融点が低いため、はんだ
耐熱性に劣る欠点があった。
これらの点を改良するために、本発明者らは特願平1−
248427号明細書及び特願平1−248428号明
細書において超高分子量ポリエチレン(以下UHMWP
Eと称することがある)の多孔質シートと未硬化の硬化
性樹脂が含浸された補強層(以下プリプレグと称するこ
とがある)を積層し、加熱加圧して多孔質を消失させる
と同時に硬化性樹脂の硬化を行う高周波回路用基板の製
造方法を提案した。これはUHMWPEの低ε。
248427号明細書及び特願平1−248428号明
細書において超高分子量ポリエチレン(以下UHMWP
Eと称することがある)の多孔質シートと未硬化の硬化
性樹脂が含浸された補強層(以下プリプレグと称するこ
とがある)を積層し、加熱加圧して多孔質を消失させる
と同時に硬化性樹脂の硬化を行う高周波回路用基板の製
造方法を提案した。これはUHMWPEの低ε。
及び低tanδの利点を生かしつつ、溶融時の低流動性
により耐熱性を改良し、プリプレグとUHMWPE多孔
質シートの積層により、加工の難点を克服したものであ
る。
により耐熱性を改良し、プリプレグとUHMWPE多孔
質シートの積層により、加工の難点を克服したものであ
る。
しかしプリプレグに使用する未硬化の硬化性樹脂の溶融
粘度が2000ポイズを超える場合には、UHMWPE
多孔質への浸入が表層のみであり、スルーホールに表面
処理を施さずにめっきを行った場合、無極性のUHMW
PEの壁面においてめっきが剥離するという問題があっ
た。また部品実装時のはんだの熱によるUHMWPEと
硬化性樹脂の平板方向の熱膨張量が異なるために、界面
においてスルーホールのめっき銅にクランクが生じると
いう欠点もあった。
粘度が2000ポイズを超える場合には、UHMWPE
多孔質への浸入が表層のみであり、スルーホールに表面
処理を施さずにめっきを行った場合、無極性のUHMW
PEの壁面においてめっきが剥離するという問題があっ
た。また部品実装時のはんだの熱によるUHMWPEと
硬化性樹脂の平板方向の熱膨張量が異なるために、界面
においてスルーホールのめっき銅にクランクが生じると
いう欠点もあった。
なおここでいうプリプレグに使用する未硬化の硬化性樹
脂の溶融粘度とは、プリプレグを補強層が壊れないよう
もみほぐし、プリプレグから脱落した樹脂粉をふるいに
かけ100メツシユのふるいを透過したものを試料とし
、フローテスタ(島津製作所製 島津フローテスタCF
T−5000)を用いて温度130°C1荷重3kgで
測定したときの最低粘度である。
脂の溶融粘度とは、プリプレグを補強層が壊れないよう
もみほぐし、プリプレグから脱落した樹脂粉をふるいに
かけ100メツシユのふるいを透過したものを試料とし
、フローテスタ(島津製作所製 島津フローテスタCF
T−5000)を用いて温度130°C1荷重3kgで
測定したときの最低粘度である。
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたものであっ
て、耐熱性を有し、加工が容易で、スルーホールめっき
の密着性及び導通信頬性のよい高周波回路用基板及びそ
の製造方法を提供するものである。
て、耐熱性を有し、加工が容易で、スルーホールめっき
の密着性及び導通信頬性のよい高周波回路用基板及びそ
の製造方法を提供するものである。
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意研究を重ね
た結果、UHMWPE中に硬化した硬化性樹脂が分散さ
れてなるシートに硬化した硬化性樹脂含浸補強層及び金
属導体層が積層された基板により前記課題が解決される
ことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに
至った。
た結果、UHMWPE中に硬化した硬化性樹脂が分散さ
れてなるシートに硬化した硬化性樹脂含浸補強層及び金
属導体層が積層された基板により前記課題が解決される
ことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに
至った。
すなわち、本発明は超高分子量ポリエチレン中に硬化し
た硬化性樹脂が分散されてなるシートの両面又は片面に
硬化した硬化性樹脂含浸補強層が積層され、更に金属導
体層が設けられていることを特徴とする高周波回路用基
板を提供するものである。
た硬化性樹脂が分散されてなるシートの両面又は片面に
硬化した硬化性樹脂含浸補強層が積層され、更に金属導
体層が設けられていることを特徴とする高周波回路用基
板を提供するものである。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第1図は本発明の高周波用基板にスルーホールを設け、
基板表面及びスルーホール内壁にめっき銅を施したもの
の断面図である。第2図は硬化した硬化性樹脂がUHM
WPE中に分散されていない高周波基板の断面図である
。第1図に示す如く、めっき銅1がスルーホール内壁の
中央部においてもUHMWPE4より銅との密着がよい
硬化した硬化性樹脂5と接する部分があるため、内壁全
域においてめっき銅との密着が確保される。第3図及び
第4図は、第1図及び第2図に示す基板に熱がかかった
場合の断面図である。基板に熱がかがた場合のの平板方
向のUHMWPEと硬化した硬化性樹脂含浸補強層の熱
膨張量の差を比較すると、第3図ではUHMWPE中の
硬化した硬化性樹脂が熱膨張を抑制するため、Δ!1く
Δl、となり、めっき銅の界面における変形量がより小
さくなる。
基板表面及びスルーホール内壁にめっき銅を施したもの
の断面図である。第2図は硬化した硬化性樹脂がUHM
WPE中に分散されていない高周波基板の断面図である
。第1図に示す如く、めっき銅1がスルーホール内壁の
中央部においてもUHMWPE4より銅との密着がよい
硬化した硬化性樹脂5と接する部分があるため、内壁全
域においてめっき銅との密着が確保される。第3図及び
第4図は、第1図及び第2図に示す基板に熱がかかった
場合の断面図である。基板に熱がかがた場合のの平板方
向のUHMWPEと硬化した硬化性樹脂含浸補強層の熱
膨張量の差を比較すると、第3図ではUHMWPE中の
硬化した硬化性樹脂が熱膨張を抑制するため、Δ!1く
Δl、となり、めっき銅の界面における変形量がより小
さくなる。
したがって、第3図の基板では導通信顧性が向上する。
本発明の高周波回路用基板は、例えば超高分子量ポリエ
チレンの多孔質シートの両面又は片面に未硬化で溶融粘
度3000ポイズ以下の硬化性樹脂が含浸された補強シ
ート(以下プリプレグと称することがある)を積層し、
更に金属導体シートを積層し、これを加熱加圧して多孔
質シートの多孔質を消失させると同時に未硬化の硬化性
樹脂を多孔質に浸入させ、硬化を行うことにより製造す
ることができる。
チレンの多孔質シートの両面又は片面に未硬化で溶融粘
度3000ポイズ以下の硬化性樹脂が含浸された補強シ
ート(以下プリプレグと称することがある)を積層し、
更に金属導体シートを積層し、これを加熱加圧して多孔
質シートの多孔質を消失させると同時に未硬化の硬化性
樹脂を多孔質に浸入させ、硬化を行うことにより製造す
ることができる。
プリプレグとしては、印刷回路用基板として通常用いら
れているガラス布、ガラス不織布、プラスチック繊維の
織布、不織布等の補強材に硬化性樹脂ワニスを含浸乾燥
させたものが挙げられる。
れているガラス布、ガラス不織布、プラスチック繊維の
織布、不織布等の補強材に硬化性樹脂ワニスを含浸乾燥
させたものが挙げられる。
含浸させる硬化性樹脂としては、ポリエステル樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ジアリル
フタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド・ト
リアジン樹脂、PPO樹脂若しくはPPS樹脂と架橋性
ポリマー又は架橋性モノマーとの樹脂組成物が挙げられ
る。好ま1. <はεrやtanδが比較的低いポリエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂が用いられ
る。コストの面からエポキシ樹脂が更に好ましい。硬化
性樹脂の溶融粘度が3000ポイズ以下であると、基板
を作成する際の加熱加圧によりUHMWPHの多孔質の
内部まで硬化性樹脂が十分含浸され、第1図のようなU
HMWPE中に硬化性樹脂が分散した構造を得ることが
できる。また、プリプレグの使用量は50〜200 g
/rrfが好ましく、補強層の厚みは30〜200μm
が好ましい。
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ジアリル
フタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド・ト
リアジン樹脂、PPO樹脂若しくはPPS樹脂と架橋性
ポリマー又は架橋性モノマーとの樹脂組成物が挙げられ
る。好ま1. <はεrやtanδが比較的低いポリエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂が用いられ
る。コストの面からエポキシ樹脂が更に好ましい。硬化
性樹脂の溶融粘度が3000ポイズ以下であると、基板
を作成する際の加熱加圧によりUHMWPHの多孔質の
内部まで硬化性樹脂が十分含浸され、第1図のようなU
HMWPE中に硬化性樹脂が分散した構造を得ることが
できる。また、プリプレグの使用量は50〜200 g
/rrfが好ましく、補強層の厚みは30〜200μm
が好ましい。
本発明の超高分子量ポリエチレンの多孔質シートに用い
られるUHMWPEは、チーグラー法重合技術により製
造され、その平均分子量は粘度法による測定で100万
〜500万と一般のポリエチレンの2万〜20万に比べ
て極めて大きい分子量をもつものである。例えば、三井
石油化学工業(ハイゼンクスミリオン、ミペロン)、旭
化成工業(サンテンク)、西独ヘキスト社(HO3TA
LEN、GUR)、米国パーキュレス社(HI FAX
、1000)などで上布しているものが好適に用いられ
る。
られるUHMWPEは、チーグラー法重合技術により製
造され、その平均分子量は粘度法による測定で100万
〜500万と一般のポリエチレンの2万〜20万に比べ
て極めて大きい分子量をもつものである。例えば、三井
石油化学工業(ハイゼンクスミリオン、ミペロン)、旭
化成工業(サンテンク)、西独ヘキスト社(HO3TA
LEN、GUR)、米国パーキュレス社(HI FAX
、1000)などで上布しているものが好適に用いられ
る。
UHMWPEの多孔質シートはUHMWPE粉末粒子を
焼結させ、粒子同士を融着により接合し、厚み0.5〜
5閣のシートに成形したものである。
焼結させ、粒子同士を融着により接合し、厚み0.5〜
5閣のシートに成形したものである。
接合した粒子の外側には空気の連続層が存在する。
UHMWPEの多孔質シートの製造法は、例えばフィル
ム、金属ベルトなどの基材上にUHMWPEの粉末粒子
を投入し、これをロールやバーによりそれらと基材との
間隔を一定に保つようにして得た間隔に通しUHMWP
Eの粉末粒子を一定厚みに賦形させ、更に加熱炉に通し
粒子同士を加熱焼結させて、UHMWPEの多孔質シー
トを連続して成形する方法がある。このとき、UHMW
PE粉末粒子に接着剤をコートしたり、接着性を有する
粒子や安定剤、難燃剤、着色剤などを添加することもで
きる。
ム、金属ベルトなどの基材上にUHMWPEの粉末粒子
を投入し、これをロールやバーによりそれらと基材との
間隔を一定に保つようにして得た間隔に通しUHMWP
Eの粉末粒子を一定厚みに賦形させ、更に加熱炉に通し
粒子同士を加熱焼結させて、UHMWPEの多孔質シー
トを連続して成形する方法がある。このとき、UHMW
PE粉末粒子に接着剤をコートしたり、接着性を有する
粒子や安定剤、難燃剤、着色剤などを添加することもで
きる。
UHMWPE粉末は平均粒子径がo、ool〜1叩であ
るものが好ましい。得られるUHMWPEの多孔質シー
トの表面が平滑になるためには、平均粒子径がO,OO
l〜0.1 onであるものが特に好ましい。
るものが好ましい。得られるUHMWPEの多孔質シー
トの表面が平滑になるためには、平均粒子径がO,OO
l〜0.1 onであるものが特に好ましい。
金属導体シートは、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉄合金、ステンレス、金、銀、白金等の箔又は
板である。好ましくは銅箔、アルミニウム箔、アルミニ
ウム板、鉄合金板である。また、金属箔又は板の代わり
に所定の回路を形成するためのめっきでもよい。これら
の厚さは通常、10〜50μmである。
ル、鉄、鉄合金、ステンレス、金、銀、白金等の箔又は
板である。好ましくは銅箔、アルミニウム箔、アルミニ
ウム板、鉄合金板である。また、金属箔又は板の代わり
に所定の回路を形成するためのめっきでもよい。これら
の厚さは通常、10〜50μmである。
加熱加圧の条件は、通常、130〜250 ”C1印加
圧力20〜80kg/cj (0,2〜7.8MPa)
、印加時間20〜120分で行われ、UHMWPE多孔
質シート、プリプレグ、金属シートを鏡板に挟み、均一
な条件で加熱加圧することが好ましい。
圧力20〜80kg/cj (0,2〜7.8MPa)
、印加時間20〜120分で行われ、UHMWPE多孔
質シート、プリプレグ、金属シートを鏡板に挟み、均一
な条件で加熱加圧することが好ましい。
本発明の高周波回路用基板は、UHMWPE中に硬化性
樹脂が分散されているため、UHMWPEの平板方向の
熱膨張量が抑制され、プリプレグとの界面の熱膨張差が
小さくなり、スルーホールの導通信頼性が向上するもの
と思われる。また、スルーホール内壁にめっき銅との密
着がよい硬化性樹脂が分散されているため、内壁全域に
おいてめっき銅との密着が確保されるものと思われる。
樹脂が分散されているため、UHMWPEの平板方向の
熱膨張量が抑制され、プリプレグとの界面の熱膨張差が
小さくなり、スルーホールの導通信頼性が向上するもの
と思われる。また、スルーホール内壁にめっき銅との密
着がよい硬化性樹脂が分散されているため、内壁全域に
おいてめっき銅との密着が確保されるものと思われる。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
UHMWPEとしてミペロンXM220(平均粒子径0
.03 am、融点136°C1嵩密度0.4g/d、
ポリエチレンの真密度0.94g/cj、三井石油化学
工業株式会社商品名)をガラス板上に0.8謹厚みに賦
形し、160°Cの加熱炉中で20分間加熱焼結を行い
、みかけ密度0.5g/c+aのUHMWPEの多孔質
シートを得た。
.03 am、融点136°C1嵩密度0.4g/d、
ポリエチレンの真密度0.94g/cj、三井石油化学
工業株式会社商品名)をガラス板上に0.8謹厚みに賦
形し、160°Cの加熱炉中で20分間加熱焼結を行い
、みかけ密度0.5g/c+aのUHMWPEの多孔質
シートを得た。
この多孔質シートを2枚重ね、両面に厚さ60μmのガ
ラス布に溶融粘度2000ポイズの臭素化ビスフェノー
ルA型エポキシ樹Pa(Tg 130℃)を含浸させ
たプリプレグ(樹脂分60重量%)を介して厚さ35μ
mの電解銅箔(古河サーキットフォイル株式会社)を積
層し、ステンレス製の鏡板を用い、175℃、40kg
/C1iの条件で90分間加熱加圧し、厚さ0.95m
mの高周波回路用基板を得た。
ラス布に溶融粘度2000ポイズの臭素化ビスフェノー
ルA型エポキシ樹Pa(Tg 130℃)を含浸させ
たプリプレグ(樹脂分60重量%)を介して厚さ35μ
mの電解銅箔(古河サーキットフォイル株式会社)を積
層し、ステンレス製の鏡板を用い、175℃、40kg
/C1iの条件で90分間加熱加圧し、厚さ0.95m
mの高周波回路用基板を得た。
比較例1
溶融粘度が4000ポイズのエポキシ樹脂を含浸させた
プリプレグを用いたほかは実施例1と同様にして、厚さ
0.95 mの高周波回路用基板を得た。
プリプレグを用いたほかは実施例1と同様にして、厚さ
0.95 mの高周波回路用基板を得た。
上記2種類の高周波回路用基板の断面を走査型電子顕微
鏡で観察した。実施例ではUHMWPEの中心までエポ
キシ樹脂が分散されていたのに対し、比較例においては
界面から0.25mm付近までの分散は認められたが、
中心はUHMWPEのみであった。
鏡で観察した。実施例ではUHMWPEの中心までエポ
キシ樹脂が分散されていたのに対し、比較例においては
界面から0.25mm付近までの分散は認められたが、
中心はUHMWPEのみであった。
またJIS C5012によるテストパターンに適合
させてドリルで穴明けし、無電解銅めっき液CUST2
01 (日立化成工業株式会社商品名)を用い、0.5
μm厚のめっきの後、硫酸銅電気めっきにより40μm
厚のめっきを行い、スルーホールめっきが成された試料
を得た。このとき実施例1ではめっきの付着は十分であ
ったが、比較例1においてはUHMWPEとの壁面で剥
離を生じた。60℃、2時間のクロム酸硫酸混液処理に
より、比較例1においてもめっきが付着可能となったの
で、実施例、比較例ともに処理を行ったスルーホールめ
っき試料にテストパターンを形成し、めっきスルーホー
ルの引き抜き強さの試験と、260°Cのオイルによる
熱衝撃試験を行った。その結果を第1表に示す。
させてドリルで穴明けし、無電解銅めっき液CUST2
01 (日立化成工業株式会社商品名)を用い、0.5
μm厚のめっきの後、硫酸銅電気めっきにより40μm
厚のめっきを行い、スルーホールめっきが成された試料
を得た。このとき実施例1ではめっきの付着は十分であ
ったが、比較例1においてはUHMWPEとの壁面で剥
離を生じた。60℃、2時間のクロム酸硫酸混液処理に
より、比較例1においてもめっきが付着可能となったの
で、実施例、比較例ともに処理を行ったスルーホールめ
っき試料にテストパターンを形成し、めっきスルーホー
ルの引き抜き強さの試験と、260°Cのオイルによる
熱衝撃試験を行った。その結果を第1表に示す。
第1表
隔と同じ5.08amの試料の熱膨張量を計算した。
結果を第2表に示す。
第2表
9テストパターンの導通抵抗が20%以上変化するまで
の回数 実施例1においてスルーホールめっきの密着性、導通信
顛性は大きく向上している。
の回数 実施例1においてスルーホールめっきの密着性、導通信
顛性は大きく向上している。
熱膨張の抑制の効果を調べるため、UHMWPEのみ、
エポキシ樹脂のみのシート、そして実施例に用いたエポ
キシ樹脂のプリプレグ及び実施例の基板と同じ分率にな
るようにエポキシ樹脂のワニスを含浸し、プレスして得
たエポキシ樹脂分散UHMWPEシートの平板方向の熱
膨張量を、それぞれ熱機械分析装置(理学電気製TMA
8140)により(20°C〜260°C)測定した。
エポキシ樹脂のみのシート、そして実施例に用いたエポ
キシ樹脂のプリプレグ及び実施例の基板と同じ分率にな
るようにエポキシ樹脂のワニスを含浸し、プレスして得
たエポキシ樹脂分散UHMWPEシートの平板方向の熱
膨張量を、それぞれ熱機械分析装置(理学電気製TMA
8140)により(20°C〜260°C)測定した。
その値をもとに、テストパターンのスルーホールの間プ
リプレグとUHMWPEシートの積層体では、第2表の
数値がそのまま界面における平板方向のひずみの差(第
3.4図のΔ!1、Δ12)とはならない。しかしシー
トの熱膨張量が少ないほど、プリプレグとの界面におけ
るひずみの差が小さくなる。したがって、エポキシ樹脂
分散UHMWPEシートを用いることにより、スルーホ
ール内壁のめつき銅の変形量を減少させ、導通信顛性を
向上できる。
リプレグとUHMWPEシートの積層体では、第2表の
数値がそのまま界面における平板方向のひずみの差(第
3.4図のΔ!1、Δ12)とはならない。しかしシー
トの熱膨張量が少ないほど、プリプレグとの界面におけ
るひずみの差が小さくなる。したがって、エポキシ樹脂
分散UHMWPEシートを用いることにより、スルーホ
ール内壁のめつき銅の変形量を減少させ、導通信顛性を
向上できる。
本発明によれば、UHMWPE中に硬化性樹脂が分散さ
れていることにより、スルーホールめっきの密着性がよ
く、UHMWPEの平板方向の熱膨張が抑制されるため
導通信転性のよい基板を得ることができる。またプリプ
レグに溶融粘度2000ポイズ以下のエポキシ樹脂を用
いることにより、UHMWPEに硬化した硬化性樹脂が
分散された基板の製作が可能である。
れていることにより、スルーホールめっきの密着性がよ
く、UHMWPEの平板方向の熱膨張が抑制されるため
導通信転性のよい基板を得ることができる。またプリプ
レグに溶融粘度2000ポイズ以下のエポキシ樹脂を用
いることにより、UHMWPEに硬化した硬化性樹脂が
分散された基板の製作が可能である。
符号の説明
めっき銅 2.2′金属導体層3′硬化した硬
化性樹脂含浸補強層 超高分子量ポリエチレン 硬化した硬化性樹脂
化性樹脂含浸補強層 超高分子量ポリエチレン 硬化した硬化性樹脂
第1図は本発明に係る高周波回路用基板、第2図は硬化
した硬化性樹脂が分散していない基板にそれぞれスルー
ホールめっきを施した場合の基板の部分断面図である。 また、第3図及び第4図はそれぞれ第1図及び第2図の
基板に熱がかかった場合の熱膨張を模式的に示した部分
断面図である。
した硬化性樹脂が分散していない基板にそれぞれスルー
ホールめっきを施した場合の基板の部分断面図である。 また、第3図及び第4図はそれぞれ第1図及び第2図の
基板に熱がかかった場合の熱膨張を模式的に示した部分
断面図である。
Claims (4)
- 1.超高分子量ポリエチレン中に硬化した硬化性樹脂が
分散されてなるシートの両面又は片面に硬化した硬化性
樹脂含浸補強層が積層され、更に金属導体層が設けられ
ていることを特徴とする高周波回路用基板。 - 2.硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請求項1記載の高
周波回路用基板。 - 3.超高分子量ポリエチレンの多孔質シートの両面又は
片面に未硬化で溶融粘度3000ポイズ以下の硬化性樹
脂が含浸された補強シートを積層し、更に金属導体シー
トを積層し、これを加熱加圧して多孔質シートの多孔質
を消失させると同時に未硬化の硬化性樹脂を多孔質に浸
入させ、硬化を行うことを特徴とする高周波回路用基板
の製造方法。 - 4.硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請求項2記載の高
周波回路用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2153388A JPH0817267B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 高周波回路用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2153388A JPH0817267B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 高周波回路用基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0444386A true JPH0444386A (ja) | 1992-02-14 |
JPH0817267B2 JPH0817267B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=15561396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2153388A Expired - Lifetime JPH0817267B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 高周波回路用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0817267B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1484949A3 (en) * | 1994-05-23 | 2004-12-15 | General Electric Company | Processing low dielectric constant materials for high speed electronics |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63237948A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | 日本石油化学株式会社 | 複合積層体およびその製造法 |
JPH01173695A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Nippon Petrochem Co Ltd | 高周波回路用積層板 |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP2153388A patent/JPH0817267B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63237948A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | 日本石油化学株式会社 | 複合積層体およびその製造法 |
JPH01173695A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Nippon Petrochem Co Ltd | 高周波回路用積層板 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1484949A3 (en) * | 1994-05-23 | 2004-12-15 | General Electric Company | Processing low dielectric constant materials for high speed electronics |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0817267B2 (ja) | 1996-02-21 |
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