JPH0444276A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH0444276A JPH0444276A JP2150835A JP15083590A JPH0444276A JP H0444276 A JPH0444276 A JP H0444276A JP 2150835 A JP2150835 A JP 2150835A JP 15083590 A JP15083590 A JP 15083590A JP H0444276 A JPH0444276 A JP H0444276A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光電変換装置の表面及び裏面に設けられた電
極の接触抵抗を減少させることに関するものである。
極の接触抵抗を減少させることに関するものである。
〈従来の技術〉
太陽電池分野においては、薄型化により効率向上ができ
るというコンピュータシュミレーシ１ンなどの理論解析
に基づき、基板を薄くした太陽電池に関する研究が一般
的に行われている。
るというコンピュータシュミレーシ１ンなどの理論解析
に基づき、基板を薄くした太陽電池に関する研究が一般
的に行われている。
即ち、薄型化により、バルク内での少数キャリアの再結
合速度を減少させることができる上、材料の少量化、重
量の減少、赤外線吸収による太陽電池セルの温度上昇の
軽減をはかることができる。
合速度を減少させることができる上、材料の少量化、重
量の減少、赤外線吸収による太陽電池セルの温度上昇の
軽減をはかることができる。
実際、上記理論解析や有効波長領域の吸収係数から考え
ると、基板の厚みは５０〜１００μｍあればよいが、太
陽電池を上述のように薄型化すると基板裏面のオーム性
電極における少数キャリアの再結合がおこり、収集効率
の低下を招くことになる。
ると、基板の厚みは５０〜１００μｍあればよいが、太
陽電池を上述のように薄型化すると基板裏面のオーム性
電極における少数キャリアの再結合がおこり、収集効率
の低下を招くことになる。
この問題を解決するものとして、裏面に基板と同じ導電
型で、該基板よりも高い不純物濃度の裏面電界（以下、
ＢＳＦ）層を形成し、光生成される少数キャリアを内蔵
電界で有効に収集するＢＳＦ構造が知られている。従来
このＢＳＦ層の形成には、Ａ１ペースト材料を７リコン
基板の裏面に印刷した後焼成する方法が多用されている
が、薄い基板に対してこの方法を用いると、基板の大き
な反りや割れを生じる。この理由として、焼成するため
に高温に加熱するとＡ文とＳｉが溶けて、Ｓｉ表面には
Ａ文の拡散によって形成されるＢＳＦ層とＡｎとＳｉの
合金層と余剰のＡｎペースト層とが形成されるが、冷却
した際にそれぞれの膨張係数の差によって発生する応力
が原因となって、基板の大きな反りや割れを生しるとい
うことが考えられる。
型で、該基板よりも高い不純物濃度の裏面電界（以下、
ＢＳＦ）層を形成し、光生成される少数キャリアを内蔵
電界で有効に収集するＢＳＦ構造が知られている。従来
このＢＳＦ層の形成には、Ａ１ペースト材料を７リコン
基板の裏面に印刷した後焼成する方法が多用されている
が、薄い基板に対してこの方法を用いると、基板の大き
な反りや割れを生じる。この理由として、焼成するため
に高温に加熱するとＡ文とＳｉが溶けて、Ｓｉ表面には
Ａ文の拡散によって形成されるＢＳＦ層とＡｎとＳｉの
合金層と余剰のＡｎペースト層とが形成されるが、冷却
した際にそれぞれの膨張係数の差によって発生する応力
が原因となって、基板の大きな反りや割れを生しるとい
うことが考えられる。
一方、受光面層は、ｐ型基板の場合、ＰＳＧ膜やＰＯＣ
ｌ、などのリンを主成分とする薬剤からの気相拡散によ
って９００℃前後の温度で形成されることが多いが、こ
の方法は高温熱拡散のため表面不純物濃度が高くなるう
え、拡散層内の不純物濃度分布の制御をすることは困難
であった。表面不純物濃度が高くなると少数キャリアの
表面再結合速度が増加することになるが、表面不純物濃
度を下げるために単に不純物濃度を下げるとセルの直列
抵抗が増加し、曲線因子の低下を招き、変換効率を低下
させることになる。また、高温処理による前記拡散工程
は、基板を劣化させる原因ともなる。
ｌ、などのリンを主成分とする薬剤からの気相拡散によ
って９００℃前後の温度で形成されることが多いが、こ
の方法は高温熱拡散のため表面不純物濃度が高くなるう
え、拡散層内の不純物濃度分布の制御をすることは困難
であった。表面不純物濃度が高くなると少数キャリアの
表面再結合速度が増加することになるが、表面不純物濃
度を下げるために単に不純物濃度を下げるとセルの直列
抵抗が増加し、曲線因子の低下を招き、変換効率を低下
させることになる。また、高温処理による前記拡散工程
は、基板を劣化させる原因ともなる。
これらの問題を解決する方法として、例えばＢＳＦ構造
の形成にポリシリコン層を用いる方法が（ＩＥＥＥ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ＤｅｖｉｃｅＬｅ ｔ ｔ ｅ
ｒ ｓ、 ｖｏｕ、 ＥＤＬ−５，Ｎｏ、 ７゜ＰＰ、
３６３−３６５． ＪＵＬＹ １９８５）に示され
ている。
の形成にポリシリコン層を用いる方法が（ＩＥＥＥ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ＤｅｖｉｃｅＬｅ ｔ ｔ ｅ
ｒ ｓ、 ｖｏｕ、 ＥＤＬ−５，Ｎｏ、 ７゜ＰＰ、
３６３−３６５． ＪＵＬＹ １９８５）に示され
ている。
この方法は１ｎ−ｓｉｔｕで不純物が導入されるＣＶＤ
法により基板と同一導電型で基板よりも不純物濃度の高
いポリシリコン層を基板上に成長させることを特徴とす
るものである。この方法によると、ポリシリコンとシリ
コン基板の膨張係数が近いうえ、ポリシリコンを成長さ
せる際の基板温度が６７０℃と低いため、上述のような
基板の割れは生じない。しかもポリシリコンによりＢＳ
Ｆ層を形成すると、Ａ１ペーストの印刷焼成により形成
されたＢＳＦ層に比べて裏面での少数キャリアの再結合
速度が減少することが報告されてい更に、受光面側につ
いては、エミッタにｎ型ポリシリコン層を用いる方法が
（ＩＥＥＥ Ｅｕｅｃｔｏｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
Ｌｅｔｔｅｒｓ。
法により基板と同一導電型で基板よりも不純物濃度の高
いポリシリコン層を基板上に成長させることを特徴とす
るものである。この方法によると、ポリシリコンとシリ
コン基板の膨張係数が近いうえ、ポリシリコンを成長さ
せる際の基板温度が６７０℃と低いため、上述のような
基板の割れは生じない。しかもポリシリコンによりＢＳ
Ｆ層を形成すると、Ａ１ペーストの印刷焼成により形成
されたＢＳＦ層に比べて裏面での少数キャリアの再結合
速度が減少することが報告されてい更に、受光面側につ
いては、エミッタにｎ型ポリシリコン層を用いる方法が
（ＩＥＥＥ Ｅｕｅｃｔｏｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
Ｌｅｔｔｅｒｓ。
ｖｏＪＬ、ＥＤＬ−６，Ｎｏ １２．ＰＰ、６５５６５
８、ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８５）に示されている。
８、ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８５）に示されている。
この方法によるとＳ ｉＨ，： ＰＨ，＝３００ ：
１の混合ガスを原料に６２７℃の温度で減圧ＣＶＤ法に
より成長させているので、熱拡散によって受光面層を形
成する場合に比べて表面不純物濃度が低減でき、高温処
理を伴わないので基板の劣化が防げる。
１の混合ガスを原料に６２７℃の温度で減圧ＣＶＤ法に
より成長させているので、熱拡散によって受光面層を形
成する場合に比べて表面不純物濃度が低減でき、高温処
理を伴わないので基板の劣化が防げる。
つまり、上記２つの方法によってＢＳＦ層および受光面
層を形成すると、基板の劣化や割れの生じない、少数キ
ャリアの再結合速度も低減できる第５図に示すような光
電変換装置が得られる。
層を形成すると、基板の劣化や割れの生じない、少数キ
ャリアの再結合速度も低減できる第５図に示すような光
電変換装置が得られる。
なお第５図において１はＰ型ポリンリコン基板、２はｎ
型ポリシリコン層、３はＰ型ボリンリコン層、６は受光
面電極、７は裏面電極、８は反射防止膜である。
型ポリシリコン層、３はＰ型ボリンリコン層、６は受光
面電極、７は裏面電極、８は反射防止膜である。
〈発明が解決しようとするｉ題〉
しかし、これらの方法を用いるだけでは、受光面電極６
とｎ型ポリシリコン受光面層２との間及び裏面電極７と
ｐ型ボリンリコン層３との開の接触抵抗を低減すること
ができないため、曲線因子が低下し変換効率が充分に増
加しないという問題点があった。
とｎ型ポリシリコン受光面層２との間及び裏面電極７と
ｐ型ボリンリコン層３との開の接触抵抗を低減すること
ができないため、曲線因子が低下し変換効率が充分に増
加しないという問題点があった。
本発明は、上記のような従来技術の欠点を解消するため
に創案されたものであり、電極とポリシリコン層との間
の接触抵抗を低減することによって変換効率の向上を図
った光電変換装置を提供することを目的とする。
に創案されたものであり、電極とポリシリコン層との間
の接触抵抗を低減することによって変換効率の向上を図
った光電変換装置を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
本発明の光電変換装置は、半導体基板の表面に受光面層
として該半導体基板と逆導電型の第１のポリシリコン層
を設けるとともに上記半導体基板の裏面にＢＳＦ層とＬ
で該半導体基板と同一導電型の第２のポリシリコン層を
設けたＢＳＦ構造の光電変換装置において、 上記第１及び第２のポリシリコン層表面に形成した電極
の直下部分のそれぞれのポリシリコン層に該ポリシリコ
ン層と同一導電型の高濃度の不純物を添加したことを特
徴とする。
として該半導体基板と逆導電型の第１のポリシリコン層
を設けるとともに上記半導体基板の裏面にＢＳＦ層とＬ
で該半導体基板と同一導電型の第２のポリシリコン層を
設けたＢＳＦ構造の光電変換装置において、 上記第１及び第２のポリシリコン層表面に形成した電極
の直下部分のそれぞれのポリシリコン層に該ポリシリコ
ン層と同一導電型の高濃度の不純物を添加したことを特
徴とする。
上記ＢＳＦ層の不純物濃度は１×１０１−〜ｌＸｌ０”
ｃｍ−”、好ましくは２×１０１ｓ〜ｌ ｘ ｌ Ｑ
鵞Ｏｃ ｍ −３とし、受光面層の不純物濃度を１×１
０′″〜１ｘ１０″’Ｃｍ−’好ｔ Ｌ ＜ ハ５ｘ１
０１ｓ〜ｌＸ１０１０ｃｍ−１とするのがよい。
ｃｍ−”、好ましくは２×１０１ｓ〜ｌ ｘ ｌ Ｑ
鵞Ｏｃ ｍ −３とし、受光面層の不純物濃度を１×１
０′″〜１ｘ１０″’Ｃｍ−’好ｔ Ｌ ＜ ハ５ｘ１
０１ｓ〜ｌＸ１０１０ｃｍ−１とするのがよい。
この場合においてポリシリコン受光面層上に設けた受光
面電極の直下部分にｔｘｔｏ”〜５Ｘ１０５Ｘ１０−’
好ましく（ｔ４Ｘ１０”〜５ ｘ ｌ Ｑ Ｍ Ｏｃ
ｍ −１の該ポリシリコン層と同一導電型の不純物を添
加して高濃度不純物層４を形成し、またポリシリコンＢ
ＳＦ層表面に設けた裏面電極７の直下部分に５ｘ １０
″〜５Ｘ １０１ｃ′ｃｍ−’好ましくは２Ｘ１０”〜
５Ｘ１０″’ｃｍ−”の該ポリシリコン層と同一導電型
の不純物を添加するのがよい。
面電極の直下部分にｔｘｔｏ”〜５Ｘ１０５Ｘ１０−’
好ましく（ｔ４Ｘ１０”〜５ ｘ ｌ Ｑ Ｍ Ｏｃ
ｍ −１の該ポリシリコン層と同一導電型の不純物を添
加して高濃度不純物層４を形成し、またポリシリコンＢ
ＳＦ層表面に設けた裏面電極７の直下部分に５ｘ １０
″〜５Ｘ １０１ｃ′ｃｍ−’好ましくは２Ｘ１０”〜
５Ｘ１０″’ｃｍ−”の該ポリシリコン層と同一導電型
の不純物を添加するのがよい。
〈作用〉
本発明によれば、電極の直下部分のＢＳＦ層及び受光面
層を形成するポリシリコン層に、該ポリシリコン層と同
一導電型の高濃度の不純物を添加したことにより、電極
とポリシリコン層との接触抵抗を低減することできる。
層を形成するポリシリコン層に、該ポリシリコン層と同
一導電型の高濃度の不純物を添加したことにより、電極
とポリシリコン層との接触抵抗を低減することできる。
従って、曲線因子および変換効率を向上させることがで
きる。
きる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の太陽電池の略断面図であり
、第２図（ａ）乃至（ｄ）はそのｉｌ！造工程を示す略
断面図である。
、第２図（ａ）乃至（ｄ）はそのｉｌ！造工程を示す略
断面図である。
まず、第２図（ａ）において、厚さ１００μｍのｐ型シ
リコン基板ｌの表面に減圧ＣＶＤ法により、５００人程
０のｎ型ポリシリコン受光層２を形成した。次に、ｐ型
ポリシリコンＢＳＦ層形成時のマスクとなるようにｎ型
ポリシリコン受光層２の上に、同じく減圧ＣＶＤ法で厚
さ２０００人程度０ＳｉＯＪ１０を形成した。しかる後
、第２図（ｂ）において、同様の減圧ＣＶＤ法により厚
さ１０００人程度０ｐ型ポリシリコンＢＳＦ層３を形成
した。その後、ＳｉＯ，１１０をフッ酸にて除去した。
リコン基板ｌの表面に減圧ＣＶＤ法により、５００人程
０のｎ型ポリシリコン受光層２を形成した。次に、ｐ型
ポリシリコンＢＳＦ層形成時のマスクとなるようにｎ型
ポリシリコン受光層２の上に、同じく減圧ＣＶＤ法で厚
さ２０００人程度０ＳｉＯＪ１０を形成した。しかる後
、第２図（ｂ）において、同様の減圧ＣＶＤ法により厚
さ１０００人程度０ｐ型ポリシリコンＢＳＦ層３を形成
した。その後、ＳｉＯ，１１０をフッ酸にて除去した。
ｎ型ポリシリコン受光層、Ｓｉｎ、膜及びｐ型ポリンリ
コン層の形成条件は下記の表１に示される。
コン層の形成条件は下記の表１に示される。
表１
次に、第２図（Ｃ）においてｐ型及びｎ型のそれぞれの
ポリシリコン層を形成するポリシリコン粒子の粒径増加
のため、６５０〜７００℃の温度下にてＡｒ雰囲気中で
熱処理し、固相成長させる。
ポリシリコン層を形成するポリシリコン粒子の粒径増加
のため、６５０〜７００℃の温度下にてＡｒ雰囲気中で
熱処理し、固相成長させる。
この状態でｎ型のドーパントと°なるＰＨ，ガス雰囲気
中でエキシマレーザ９を照射することにより、ｎ型ポリ
シリコン受光層２の電極直下にあたる部分４に不純物を
添加した。この時使用するガスはＰＦ、、ＰＣｆＬ□Ｆ
、ＰＣｌ、Ｆ、等のガスでもよい。
中でエキシマレーザ９を照射することにより、ｎ型ポリ
シリコン受光層２の電極直下にあたる部分４に不純物を
添加した。この時使用するガスはＰＦ、、ＰＣｆＬ□Ｆ
、ＰＣｌ、Ｆ、等のガスでもよい。
その結果ｎ型ポリシリコン受光層２の電極直下にあたる
ｎ型高濃度不純物層４の不純物濃度は４Ｘ１０″’ｃｍ
−”となった。その時のｎ型高濃度不純物層の分布を第
３図に示す。同様に、ｐ型のドーパントとなるＢ、Ｈ，
ガス雰囲気中でエキシマレーザ９を照射することにより
、ｐ型ポリシリコンＢＳＦ層３の電極直下にあたる部分
５に不純物を添加した。この時使用するガスは、 Ｂ （ＣＨ＝） ｓ、ＢＦ、、ＢｃＬ等のガスでもよい
。
ｎ型高濃度不純物層４の不純物濃度は４Ｘ１０″’ｃｍ
−”となった。その時のｎ型高濃度不純物層の分布を第
３図に示す。同様に、ｐ型のドーパントとなるＢ、Ｈ，
ガス雰囲気中でエキシマレーザ９を照射することにより
、ｐ型ポリシリコンＢＳＦ層３の電極直下にあたる部分
５に不純物を添加した。この時使用するガスは、 Ｂ （ＣＨ＝） ｓ、ＢＦ、、ＢｃＬ等のガスでもよい
。
その結果ｐ型ポリシリコンＢＳＦ層３の電極直下にあた
るｐ型高濃度不純物層５の不純物濃度は２Ｘ １０■ｃ
ｍ−’となった。その時のｐ型高濃度不純物層の分布を
第４図に示す。
るｐ型高濃度不純物層５の不純物濃度は２Ｘ １０■ｃ
ｍ−’となった。その時のｐ型高濃度不純物層の分布を
第４図に示す。
この時使用したレーザ種は、ＸｅＣ文エキシマレーザ（
波長３０８ｎｍ）であり°、エネルギー密度はＬＪ／ｃ
ｍ’＆Ｌ、各々のドーパント分圧を２００ｔｏｒｒと設
定し、１００Ｈｚ、Ｑ、１秒間照射した。
波長３０８ｎｍ）であり°、エネルギー密度はＬＪ／ｃ
ｍ’＆Ｌ、各々のドーパント分圧を２００ｔｏｒｒと設
定し、１００Ｈｚ、Ｑ、１秒間照射した。
そして、第２図（ｄ）において、受光面Ａ文電極６と裏
面Ａｌ電極７とを形成した後、受光面側に反射防止膜８
を形成し、素子化し、第１図に示す装置を形成した。
面Ａｌ電極７とを形成した後、受光面側に反射防止膜８
を形成し、素子化し、第１図に示す装置を形成した。
本発明の一実施例と従来例との接触抵抗及び太陽電池特
性の比較を表２に示す。
性の比較を表２に示す。
〈発明の効果〉
本発明によれば電極直下部分のポリシリコン層に高濃度
の不純物を添加することにより、電極とポリシリコン層
との接触抵抗が低減し、曲線因子の良好な変換効率の高
い太陽電池を得ることができる。
の不純物を添加することにより、電極とポリシリコン層
との接触抵抗が低減し、曲線因子の良好な変換効率の高
い太陽電池を得ることができる。
す略断面図、第３図及び第４図は本発明の一実施例の構
造のうち、電極の直下部分のポリシリコン層に形成され
た高濃度の不純物層の分布を示した光電変換装置の斜視
図、第５図は従来例の構造を示す略断面図である。 ト・・ｐ型シリコン基板、２・・・ｎ型ポリシリコン受
光面層、３・・・ｐ型ポリシリコンＢＳＦ層、４・・・
ｎ型ポリシリコン高濃度不純物層、５・・・ｎ型ポリシ
リコン高濃度不純物層、６・・・受光面電極、７・・裏
面電極、８・・・反射防止膜 代理人 弁理士 梅１）勝（他２名） 第１図 （７ｂ１槓 ／ ｑ３図 ０２図
造のうち、電極の直下部分のポリシリコン層に形成され
た高濃度の不純物層の分布を示した光電変換装置の斜視
図、第５図は従来例の構造を示す略断面図である。 ト・・ｐ型シリコン基板、２・・・ｎ型ポリシリコン受
光面層、３・・・ｐ型ポリシリコンＢＳＦ層、４・・・
ｎ型ポリシリコン高濃度不純物層、５・・・ｎ型ポリシ
リコン高濃度不純物層、６・・・受光面電極、７・・裏
面電極、８・・・反射防止膜 代理人 弁理士 梅１）勝（他２名） 第１図 （７ｂ１槓 ／ ｑ３図 ０２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の表面に受光面層として該半導体基板と
逆導電型の第１のポリシリコン層を設けるとともに、上
記半導体基板の裏面には裏面電界層として該半導体基板
と同一導電型の第２のポリシリコン層を設けた裏面電界
構造の光電変換装置において、 上記第１及び第２のポリシリコン層表面に形成した電極
の直下部分のそれぞれのポリシリコン層に、該ポリシリ
コン層と同一導電型の高濃度の不純物を添加したことを
特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150835A JPH0444276A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150835A JPH0444276A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444276A true JPH0444276A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15505423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150835A Pending JPH0444276A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444276A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537149A (en) * | 1992-04-22 | 1996-07-16 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Display device |
| ES2149126A1 (es) * | 1999-01-11 | 2000-10-16 | Univ Pais Vasco | Procedimiento para la fabricacion de celulas solares de silicio con estructura de campo retrodifusor, bajo espesor de base y metalizacion serigrafica. |
| JP2005203622A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Kyocera Corp | 光電変換装置、金属ペーストおよびそれを用いた光電変換装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2150835A patent/JPH0444276A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537149A (en) * | 1992-04-22 | 1996-07-16 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Display device |
| ES2149126A1 (es) * | 1999-01-11 | 2000-10-16 | Univ Pais Vasco | Procedimiento para la fabricacion de celulas solares de silicio con estructura de campo retrodifusor, bajo espesor de base y metalizacion serigrafica. |
| JP2005203622A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Kyocera Corp | 光電変換装置、金属ペーストおよびそれを用いた光電変換装置の製造方法 |
| JP4518806B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2010-08-04 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
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