JPH0444244A

JPH0444244A - ウエーハの結晶欠陥検査装置

Info

Publication number: JPH0444244A
Application number: JP14959490A
Authority: JP
Inventors: Hidenobu Abe; 秀延阿部; Takayuki Shingyouchi; 新行内　隆之
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1990-06-07
Filing date: 1990-06-07
Publication date: 1992-02-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は例えばシリコンウェーハの深さ方向の〈従来の
技術〉従来のシリコンウェーへの結晶欠陥の検査用の装置とし
ては、例えば第２図に示すようなものがあった。

この図において、２１はＰ型のシリコン基板であって、
このシリコン基板２１のデバイス形成用領域２２におい
てその結晶欠陥を検査するために所定の濃度のＮ型不純
物領域２３が形成されている。そして、バイアス回路２
４によってこの不純物領域２３とシリコン基板２１との
間に逆バイアスが印加される。２５はこの逆バイアスに
より流れるリーク′ｒ４流の検出回路である。

２６は絶縁膜（Ｓ　ｉ　０２膜）、２７は高濃度Ｐ型不
純物領域、２８．２９は配線端子用アルミニウム膜であ
る。

この検査装置にあっては、逆バイアスを印加してリーク
電流の増減を調べることにより、シリコン基板２１の結
晶欠陥の有無等を検査していたものである。

〈発明が解決しようとする課題〉しかしながら、このような従来のウェーハの結晶欠陥検
査装置にあっては、シリコンウェーへの深さ方向につい
てその結晶欠陥の発生（分布）を調べることができなか
った。

そこで、本発明は、ウェーハの表面部（デバイス製造時
に使用する部分）の深さ方向について欠陥の分布を調べ
ることができるウェーハの結晶欠陥検査装置を提供する
ことをその目的としている。

〈課題を解決するための手段〉本発明に係るウェーハの結晶欠陥検査装置は、第１導電
型の半導体基板と、この半導体基板のデバイス形成用表
面領域にそれぞれ異なる深さに形成された複数の第２導
電型の不純物領域と、これらの半導体基板と複数の第２
導電型領域との間に選択的に逆バイアスを印加するバイ
アス回路と、逆バイアスの印加された半導体基板と第２
導電型領域との間に流れるＩノーク電流を計測する電流
測定回路と、を備えたウェーハの結晶欠陥検査装置であ
る。

〈作用〉本発明に係るウェーハの結晶欠陥検査装置は、半導体基
板の深さ方向に形成された不純物領域の一つを選択して
、バイアス回路によってこれらの間に逆バイアスを印加
する。そして、このリーク電流を測定することにより、
該半導体基板の深さ方向の結晶欠陥の存在、程度を検出
することができる。

〈実施例〉以下、本発明に係るウェーハの結晶欠陥検査装置の実施
例を図面を参照して説明する。

ｗＪ１図は本発明の一実施例を示す断面図である。

この図において、シリコンウェーハ、すなわちＰ型半導
体基板１１のデバイス形成用の表面領域１２には、所定
濃度の複数のＮ型不純物領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃが
形成されている。そして、これらの不純物領域１３Ａ、
１３Ｂ、１３Ｃは基板１１への注入深さがそれぞれ異な
っている。そして、この領域１３Ｃの最大深さはデバイ
スを形成する深さとする。

また、これらの不純物領域１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃが形
成された基板１１の表面は絶縁膜１４により被われると
ともに、その領域のそれぞれに対応してアルミニウム配
線用端子１５Ａ、１５Ｂ。

１５Ｃが被着されている。更に、これらの端子１５Ａ、
１５Ｂ、１５Ｃにはスイッチ１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃが
それぞれ接続されている。これらのスイッチ１６Ａ、１
６Ｂ、１６Ｃはバイアス回路１７と各不純物領域１３Ａ
、１３Ｂ、１３Ｃとのを接続を０Ｎ−ＯＦＦするもので
ある。これらのスイッチ１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃは選択
的に切り換えられるものである。

１８はリーク７ｊｊ、流を計測する電流計であって、ア
ルミニウム端子１９、Ｐ型不純物領域２０を介して基板
１１に接続されている。

次に、この実施例に係る検査装置の作用について説明す
る。

まず、スイッチ１６ＡのみをＯＮとしてバイアス回路１
７から逆バイアスをＮ型不純物領域１３ＡとＰ型基板１
１との間に印加する。そして、この時のリーク電流を電
流計１８により測定する。

次に、スイッチ１６ＡをＯＦＦとしてスイッチ１６Ｂを
ＯＮとし、同様にリーク電流を測定する。

更に、スイッチ１６ＣをＯＮとしてリーク電流を測定す
る。

このようにして基板１１の深さ方向のリーク電流を測定
することにより、該基板１１の深さ方向の結晶欠陥の分
布を検査するものである。

〈効果〉本発明に係るウェーハの結晶欠陥検査装置にあっては、
ウェーハのデバイス形成用領域におけるその深さ方向の
精品欠陥の有無、程度を簡単に検査することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るウェーハの結晶欠陥検
査装置を示すその断面図、第２図は従来のウェーハの結
晶欠陥検査装置に係る断面図である。・・・・半導体基板、・・・・デバイス形成用領域、３Ｃ・・・不純物領域、・φ・バイアス回路、・・・電流計。１１　Φ　・　Φ　・　Φ １２　φ　・　・　φ　・１３Ａ、　　１３Ｂ。１７　・　・　・　・　・　・１８　・　・　・　・　・　・

Claims

【特許請求の範囲】　第１導電型の半導体基板と、この半導体基板のデバイス形成用表面領域にそれぞれ異
なる深さに形成された複数の第２導電型の不純物領域と
、これらの半導体基板と複数の第２導電型領域との間に選
択的に逆バイアスを印加するバイアス回路と、逆バイアスの印加された半導体基板と第２導電型領域と
の間に流れるリーク電流を計測する電流測定回路と、を
備えたことを特徴とするウェーハの結晶欠陥検査装置。