JPH0442982A - 半導体レーザ素子用気密ガラス端子 - Google Patents

半導体レーザ素子用気密ガラス端子

Info

Publication number
JPH0442982A
JPH0442982A JP2147664A JP14766490A JPH0442982A JP H0442982 A JPH0442982 A JP H0442982A JP 2147664 A JP2147664 A JP 2147664A JP 14766490 A JP14766490 A JP 14766490A JP H0442982 A JPH0442982 A JP H0442982A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
eyelet
terminal
laser element
semiconductor laser
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2147664A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Sato
洋一 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2147664A priority Critical patent/JPH0442982A/ja
Publication of JPH0442982A publication Critical patent/JPH0442982A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体レーザ素子用気密ガラス端子に関し、更
に詳細にはヒートシンク等の立設部を特別に設+−)る
ことを必要としない半導体レーザ素子用気密ガラス端子
に関する。
〈従来の技術) 発光素子として半導体レーザ素子(以下、l/ザ素子ど
称することがある)を搭載する気密ガラス端子としては
、従来、第7図に示す端子が汎用されている。
この端子は、金属製のアイレッ1へ2上(、こ1/−ザ
素子取付用の放熱体くヒートシンク)4が一体に形成さ
れ、アイレット2に穿設されている貫通孔20.20に
は、リート16.16が挿通されてガラスによって封着
されている。
更に、アイレット2にはアースリード]8が?8接等に
よって直接固着されている。
この様な第7図に示す端子において、放熱体4の垂直面
にはレーザ素子が装着され、更に硬質透明ガラス等の光
透過用窓体が封着されているキャップ(図示せず)がア
イレット2に被着される。
(発明が解決しようとする課題) 第7図に示すアイレット2にキャップが被着されること
によって、レーザ素子が封入されたキャップ内を気密状
態に封止できる。
しかし、第7図に示すアイレット2は、通常、プレス加
工によって放熱体4と一体に製造されるため、プレス工
程を複数回通過させることを要し製造工程が複雑となる
欠点を有する。
また、放熱体4はレーザ素子がら発生する熱を放散する
と共に、レーザ素子を支持する支持体でもあり、一定量
上の寸法精度が要求される。このため、プレス加工工程
において、プレス装置で用いる成形金型の寸法調整が複
雑となり、プレス装置の稼働率を低下させる。
更に、プレス加工後のパリ取りやめつき等の後加工にお
いて、レーザ素子装着面である放熱体4の変形等に因る
不良品が発生し易いという欠点も有する。
一方、放熱体4をアイレット2に脈付けして一体に製造
した端子は、その製造工程かプレス加工によって一体に
製造する場合よりも複雑となるため、前記端子を低コス
トで製造することは困難である。
そこで、本発明の目的は、従来の端子に比較して著しく
コストダウンを図ることのできる半導体レーザ素子用気
密ガラス端子を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明者は、前記目的を達成するには、金属製の凹状容
器(以下、アイレットと称することがある)を用い、そ
の底部に穿設される複数個の貫通孔の各々にリードを挿
通してガラス封着し、且つアイレットの側壁の一部を垂
直面とし、レーザ素子の装着面及び放熱面とすることが
有効ではないかと考え検討した結果、本発明に到達した
即ち、本発明は、底面部に穿設されている複数個の貫通
孔の各々が、複数本のリードが挿通されてガラス部材に
よって封着され、且つ前記底面部に対して略垂直に立設
されている垂直部の垂直面に、半導体レーザ素子が固着
される半導体レーザ素子用気密ガラス端子において、該
ガラス端子の底面部及び垂直部の各々が凹状容器の底部
及び側壁の一部を構成し、且つ前記凹状容器の上面に形
成される開口部が、凹部容器の底部に対して傾斜して形
成されていることを特徴とする半導体レザ素子用気密ガ
ラス端子にある。
かかる構成を有する本発明において、凹状容器上面の開
口部周縁に、光透過用窓体を封着する鍔部が形成されて
いることが、ガラス板等の光透過用窓体に因る封着を容
易に行うことができる。
(作用) 本発明によれば、レーザ素子の装着面及び放熱面として
の垂直面を、更にアイレットの側壁の一部を利用するた
め、気密ガラス端子を絞り加工によって成形できる。こ
のため、従来の第7図に示す端子に比較して、寸法調整
が容易となり、加工装置の稼働率を向上させることがで
きる。
また、垂直面がアイレットの側壁の一部を構成−するた
め、パリ取り等の後加工におけるレーザ素子装着面等の
変形を防止することもできる。
(実施例) 本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す斜視図であり、コバ
ール(re−Ni−co系合金)、鉄等から成る、平面
形状が矩形のアイレット6を使用している。
このアイレット6の上面に、底面部に対して傾斜する開
口部か設けられているため、底面に対して垂直に形成さ
れている側壁は高さを異にする。
かかる側壁によって囲まれるアイレット6の凹状容器内
に、レーザ素子1、モニター素子3、及びリート16.
16か設けられている。
レーザ素子1は底面からの高さが最も高い側壁36に装
着されており、側壁36はレーザ素子1の装着面及び放
熱面として利用されている。
このレーザ素子1からの光はアイレット6の上面に傾斜
して開口されている開口部からアイレット6の外部に放
射される。
尚、%二9−g子3(Jアイl/・l/)−6の底面上
に装着されている。
まt:、!J−F 16.16はアイレ・ン)−6の底
面部を貫通する貫通孔20.20中に挿通され、第21
彫こ示ず様に、ガラス部材22(1こよって封着されて
いる、 かかるり−■・16.1Gの端部の一方はアイドラi−
6の内部に突出しており、i/−ザ素子1及びモニター
素子3とワイヤホンティングされる。
尚、アースリード18はアイレット6に直接スポット溶
接されている。
第1〜2図に示すアイレット6は、絞り加工によって容
易に製造することがて゛きる。
その際に、ア伺/ヴ1−6の底面部の厚さを08−以l
二とすることが、貫通孔20.20にリードを挿通して
ガラス封着を好適に行うことができる。
かかるガラス封着の方式は、レーザ素子用ガラス端子に
おいて一般的に採用されている方式、例えはマツチドシ
ール方式或いはコンブL/−ノションシール方式を採5
11することができる。
また、本実施例のアイレット6の開口部の大きさは、レ
ーザ素子lからの光をアイレ・ソト6の外部に放射する
ことは勿論の、−と、レーザ素子1等の自動装着やワイ
ヤポンチインクを可能とすべく、レーザ素子等の装着用
装置の把持部先端やボンデインクツールかアイlノット
6の内部に侵入可能となる大きさである。
この様なアイ1ノツト6の開口部には、レーザ素子1等
とり−ド16.16の先端とのワイヤボンディング等が
完了した後、第3図に示す如く、硬質透明ガラス等の光
透過用窓体24が被着される。
光透過用窓体24と開口部周縁との接着は、低融点ガラ
ス又は接着剤から成る接着層]4を介してなされる。
かかる接着層14は、アイドラ)6の内部を気密に封止
するため、開口部全周に亘って形成されることを要する
このため、アイレット6の壁面の厚さが、第4図に示す
如く、薄い場合には、壁面の上部を曲折して開1」部の
周縁に鍔部26を形成することが好ましい。
かかる鍔部26+、に接着層14を形成することによっ
て、容易に光透過用窓体24を接着しアイレット6の内
部を気密に封止することかできる。
才な、鍔部26の一部は、第5図に示す如く、底面部材
から延設されていてもJ゛い。
この様な光透過用窓体24としては、板状等の硬質透明
ガラスの他に、ザファイア等も採用することかできる。
尚、光透過用窓体24は、外周部分にコバール等の金属
製枠体を設すなものを用い、余−錫共晶合金或いははん
だ等のt= i−iによって開口部周縁と気密に接着し
て封止l−でもよい。
これまで説明してきた第1〜5図に示すアイドラl= 
6は平面形状か矩形のものであるが、第6図に示すよう
に平面形状の一部が円形状のアイ1/ツト6を使用する
ことがて゛きる。
この第6図に示すアイドラ1−6においては、レザ素子
1を装着するため、側壁の一部を底面に対して垂直て[
Lつ平坦な垂直面36とする。
この様な本実施例のアイ1/ツトは、レーザ素子装着用
の垂直面かアイしヴトの側壁の一部を構成するため、絞
り加工によって容易に成形することができる。
しかも、成形後のハリ取り等の後加工中にレサ素子の装
着面等か変形することも解消することができる。
このため、「−サ素子用気密ガラス端子の製造コストを
名ニジ、<低減する4二とかてきる。
(発明の効果) 本発明によれは、レーザ素子用気密ガラス端子を低コス
(・て製造することかてき、レーザ素子を搭載した機器
の1ス1へタウンにも貢献することが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図、第2図は第1
図に示すアイレットの拡大断面図、第3図は第2図に示
すアイレットの開口部に硬質透明ガラスを封着した断面
図、第4〜5図は第1〜2図に示すアイ1ノツトの他の
実施例を示す断面図、第6図は他の実施例を示す斜視図
、及び第7図は従来の端子を示す斜視図を各々示す。 図において 1・・・レーザ素子、6・・・アイレ・ソト、16・・
・リード、18・・ アースリード、20 ・・貫通孔
、22・−・ガラス部材、26・・・鍔部、36・・・
垂直面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、底面部に穿設されている複数個の貫通孔の各々が、
    複数本のリードが挿通されてガラス部材によって封着さ
    れ、且つ前記底面部に対して略垂直に立設されている垂
    直部の垂直面に、半導体レーザ素子が固着される半導体
    レーザ素子用気密ガラス端子において、 該ガラス端子の底面部及び垂直部の各々が 凹状容器の底部及び側壁の一部を構成し、且つ前記凹状
    容器の上面に形成される開口部が、凹状容器の底部に対
    して傾斜して形成されていることを特徴とする半導体レ
    ーザ素子用気密ガラス端子。 2、凹状容器上面の開口部周縁に、光透過用窓体を封着
    する鍔部が形成されている請求項第1項記載の半導体レ
    ーザ素子用気密ガラス端子。
JP2147664A 1990-06-06 1990-06-06 半導体レーザ素子用気密ガラス端子 Pending JPH0442982A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2147664A JPH0442982A (ja) 1990-06-06 1990-06-06 半導体レーザ素子用気密ガラス端子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2147664A JPH0442982A (ja) 1990-06-06 1990-06-06 半導体レーザ素子用気密ガラス端子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0442982A true JPH0442982A (ja) 1992-02-13

Family

ID=15435480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2147664A Pending JPH0442982A (ja) 1990-06-06 1990-06-06 半導体レーザ素子用気密ガラス端子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0442982A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6088875A (en) * 1997-03-21 2000-07-18 Yazaki Corporation Grommet
US6489559B2 (en) 2000-09-29 2002-12-03 Sumitomo Wiring Systems, Ltd. Grommet
JP2013051283A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Ricoh Co Ltd 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6088875A (en) * 1997-03-21 2000-07-18 Yazaki Corporation Grommet
US6489559B2 (en) 2000-09-29 2002-12-03 Sumitomo Wiring Systems, Ltd. Grommet
JP2013051283A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Ricoh Co Ltd 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7250663B2 (en) Frame scale package using contact lines through the elements
JP2920518B2 (ja) 窓付き半導体パッケージ
US4839716A (en) Semiconductor packaging
US7897920B2 (en) Radiation sensor device and method
US4877756A (en) Method of packaging a semiconductor laser and photosensitive semiconductor device
US7154155B2 (en) Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
JP3054576B2 (ja) 半導体装置
JPH0442982A (ja) 半導体レーザ素子用気密ガラス端子
US5760467A (en) Semiconductor device lead frame having sunk die pad portions
US5206460A (en) Oscillator package
JP2944139B2 (ja) 発光装置用パッケージ
JP3317010B2 (ja) 電子装置
JPH04263457A (ja) 半導体装置
JPH07335912A (ja) 半導体センサのパッケージ
JP3405623B2 (ja) 光素子用ガラス端子の製造方法
JPH065717B2 (ja) 固 体 撮 像 装 置
JPH0366150A (ja) 半導体集積回路装置
JPH07254660A (ja) 半導体装置
JPS62252154A (ja) 半導体装置
JPS6236287Y2 (ja)
JPS63102388A (ja) 半導体レーザー装置用パツケージ
JPH0621250U (ja) セラミックパッケージ
JPH04206763A (ja) 半導体装置
JP2000100835A (ja) 混成集積回路装置
JPS5994447A (ja) ガラスシ−ル型半導体装置