JPH0442662B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0442662B2 JPH0442662B2 JP60202405A JP20240585A JPH0442662B2 JP H0442662 B2 JPH0442662 B2 JP H0442662B2 JP 60202405 A JP60202405 A JP 60202405A JP 20240585 A JP20240585 A JP 20240585A JP H0442662 B2 JPH0442662 B2 JP H0442662B2
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- Japan
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- metal wiring
- liquid crystal
- crystal display
- film
- metal
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、MIM（金属−絶縁体−金属）素子を
有する液晶表示素子およびTFT（薄膜トランジス
タ）付液晶表示素子等の能動素子付液晶表示素子
の製造方法に係り、陽極酸化法を用いた液晶表示
素子の製造方法に関するものである。
有する液晶表示素子およびTFT（薄膜トランジス
タ）付液晶表示素子等の能動素子付液晶表示素子
の製造方法に係り、陽極酸化法を用いた液晶表示
素子の製造方法に関するものである。
従来の液晶表示素子の製造方法では、例えば
MIM素子の製造工程における絶縁膜の形成は陽
極酸化法により行なわれている。ここで、仮に、
金属配線部の絶縁膜をスパツタリング或いは蒸着
等の方法により形成したときには、その絶縁膜中
にピンホールが存在する場合に、金属配線部上に
形成した上部金属膜と金属配線部とが直ちにリー
クされることになる。しかし、陽極酸化法にて上
記金属配線部の絶縁膜を形成したときには、金属
配線部中にピンホールが存在する場合であつて
も、ピンホールの内部にも同時に酸化膜が形成さ
れるため、このピンホール上に形成された上部電
極との間にリークが生ずることはなく、安定な絶
縁膜を形成することができる。さらに、絶縁膜の
パターン形成工程が省略できる等、有効な絶縁膜
形成手段であつた。上記陽極酸化法により基板上
に形成された金属配線部の絶縁処理を行なう際に
は、第５図に示すように、大型基板１に多数の金
属配線部２…から成る複数の配線パターン３…を
形成し、同時に処理して多数枚取りする方法を用
いるのが通例である。
MIM素子の製造工程における絶縁膜の形成は陽
極酸化法により行なわれている。ここで、仮に、
金属配線部の絶縁膜をスパツタリング或いは蒸着
等の方法により形成したときには、その絶縁膜中
にピンホールが存在する場合に、金属配線部上に
形成した上部金属膜と金属配線部とが直ちにリー
クされることになる。しかし、陽極酸化法にて上
記金属配線部の絶縁膜を形成したときには、金属
配線部中にピンホールが存在する場合であつて
も、ピンホールの内部にも同時に酸化膜が形成さ
れるため、このピンホール上に形成された上部電
極との間にリークが生ずることはなく、安定な絶
縁膜を形成することができる。さらに、絶縁膜の
パターン形成工程が省略できる等、有効な絶縁膜
形成手段であつた。上記陽極酸化法により基板上
に形成された金属配線部の絶縁処理を行なう際に
は、第５図に示すように、大型基板１に多数の金
属配線部２…から成る複数の配線パターン３…を
形成し、同時に処理して多数枚取りする方法を用
いるのが通例である。
ところが上記従来の方法では、絶縁膜形成処理
の際に、外部装置との接続部となる各金属配線部
２…における端子部２ａ…の酸化を防止するため
に、ノボラツク樹脂等の有機絶縁膜から成る酸化
防止膜４を設ける必要があつた。このため、上記
酸化防止膜４の塗布、硬化、及び剥離工程が必要
となり、工程数増加によるコストアツプ及び生産
性の低下を招来するものであつた。
の際に、外部装置との接続部となる各金属配線部
２…における端子部２ａ…の酸化を防止するため
に、ノボラツク樹脂等の有機絶縁膜から成る酸化
防止膜４を設ける必要があつた。このため、上記
酸化防止膜４の塗布、硬化、及び剥離工程が必要
となり、工程数増加によるコストアツプ及び生産
性の低下を招来するものであつた。
本発明は、上記従来の問題点を考慮してなされ
たものであつて、基板上に形成された金属配線部
の絶縁膜形成工程を簡略化することにより、生産
性の向上及びコストダウンを行なうことができる
液晶表示素子の製造方法の提供を目的とするもの
である。
たものであつて、基板上に形成された金属配線部
の絶縁膜形成工程を簡略化することにより、生産
性の向上及びコストダウンを行なうことができる
液晶表示素子の製造方法の提供を目的とするもの
である。
〔発明の構成〕
本発明の液晶表示素子の製造方法は、基板上に
形成した配線パターンに陽極酸化法により絶縁膜
を形成する液晶表示素子の製造方法において、配
線パターンの、各々対応する金属配線部と端子部
とを非導通に形成し、上記金属配線部を陽極酸化
した後、金属配線部と端子部とを接続し、これに
より製造工程を簡素化したことを特徴とするもの
である。
形成した配線パターンに陽極酸化法により絶縁膜
を形成する液晶表示素子の製造方法において、配
線パターンの、各々対応する金属配線部と端子部
とを非導通に形成し、上記金属配線部を陽極酸化
した後、金属配線部と端子部とを接続し、これに
より製造工程を簡素化したことを特徴とするもの
である。
本発明の一実施例を第１図乃至第４図に基づい
て以下に説明する。
て以下に説明する。
液晶表示素子の基板は、第１図に示すような大
型基板５より多数枚取りされる。この大型基板５
には多数の金属配線部６…及び端子６ａ…から成
る４つの同一の配線パターン７が形成される。上
記金属配線部６と端子部６ａは第２図に示すよう
に、端子部６ａを金属配線部６から分離して非導
通となるように形成される。また、上記４つの配
線パターン７…の全ての金属配線部６…は、端子
部６ａ方向とは反対側の端部にて各々接続され、
大型基板５の１辺のＸ点に取り出される。上記大
型基板５に形成された配線パターン７…には電解
槽にて、上記Ｘ点を陽極として陽極酸化が行なわ
れる。このときには、端子部６ａ…には通電され
ないため、金属配線部６…にのみ絶縁膜が形成さ
れる。上記陽極酸化処理後には、第３図及び第４
図に示すように、金属配線部６とこれに対応する
端子部６ａとの間にスパツター蒸着にて金属膜１
０が形成され、上記両者の接続が行なわれる。ス
パツター蒸着法で金属膜１０を堆積する場合、ス
パツターの初期には金属膜１０を堆積しようとす
る部分が逆スパツターされる為、この部分の陽極
酸化膜は剥離除去され、結果として本体の金属配
線部６とスパツター蒸着される金属膜１０は導通
状態となり、外部接続用端子部６ａと本体の金属
配線部６が金属膜１０を介して電気的に導通され
ることになる。尚、上記金属膜１０の形成は、金
属配線部６の突出部６ｂ上に形成する上部金属膜
８と同時に形成される。この後には、上記の上部
金属膜８上に透明導電膜９を蒸着によりパターン
ニングし、以下、従来のツイストネマテイツク液
晶素子の製造方法と同様の方法により本液晶表示
素子が製造される。
型基板５より多数枚取りされる。この大型基板５
には多数の金属配線部６…及び端子６ａ…から成
る４つの同一の配線パターン７が形成される。上
記金属配線部６と端子部６ａは第２図に示すよう
に、端子部６ａを金属配線部６から分離して非導
通となるように形成される。また、上記４つの配
線パターン７…の全ての金属配線部６…は、端子
部６ａ方向とは反対側の端部にて各々接続され、
大型基板５の１辺のＸ点に取り出される。上記大
型基板５に形成された配線パターン７…には電解
槽にて、上記Ｘ点を陽極として陽極酸化が行なわ
れる。このときには、端子部６ａ…には通電され
ないため、金属配線部６…にのみ絶縁膜が形成さ
れる。上記陽極酸化処理後には、第３図及び第４
図に示すように、金属配線部６とこれに対応する
端子部６ａとの間にスパツター蒸着にて金属膜１
０が形成され、上記両者の接続が行なわれる。ス
パツター蒸着法で金属膜１０を堆積する場合、ス
パツターの初期には金属膜１０を堆積しようとす
る部分が逆スパツターされる為、この部分の陽極
酸化膜は剥離除去され、結果として本体の金属配
線部６とスパツター蒸着される金属膜１０は導通
状態となり、外部接続用端子部６ａと本体の金属
配線部６が金属膜１０を介して電気的に導通され
ることになる。尚、上記金属膜１０の形成は、金
属配線部６の突出部６ｂ上に形成する上部金属膜
８と同時に形成される。この後には、上記の上部
金属膜８上に透明導電膜９を蒸着によりパターン
ニングし、以下、従来のツイストネマテイツク液
晶素子の製造方法と同様の方法により本液晶表示
素子が製造される。
本発明の液晶表示素子の製造方法は、以上のよ
うに、配線パターンの各々対応する金属配線部と
端子部とを非導通に形成し、上記金属配線部を陽
極酸化した後、金属配線部と端子部とを接続する
ものである。これにより、端子部の陽極酸化を防
止するために、酸化防止膜を形成する必要がな
く、この酸化防止膜の塗布、硬化、及び剥離工程
を省略することができる。また、上記金属配線部
と端子部との接続は後の上部金属膜形成工程と同
時に行なうことができる。これにより製造工程を
簡略化することができ、コストダウン及び生産性
の向上を行なうことができる等の効果を奏する。
うに、配線パターンの各々対応する金属配線部と
端子部とを非導通に形成し、上記金属配線部を陽
極酸化した後、金属配線部と端子部とを接続する
ものである。これにより、端子部の陽極酸化を防
止するために、酸化防止膜を形成する必要がな
く、この酸化防止膜の塗布、硬化、及び剥離工程
を省略することができる。また、上記金属配線部
と端子部との接続は後の上部金属膜形成工程と同
時に行なうことができる。これにより製造工程を
簡略化することができ、コストダウン及び生産性
の向上を行なうことができる等の効果を奏する。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示すも
のであつて、第１図は配線パターンを示す概略構
成図、第２図は第１図に示した金属配線部と端子
部との拡大図、第３図は陽極酸化後の工程を示す
概略説明図、第４図は第３図Ａ部の拡大図、第５
図は従来例の配線パターンを示す概略構成図であ
る。 ５は大型基板、６は金属配線部、６ａは端子
部、７は配線パターン、１０は金属膜である。
のであつて、第１図は配線パターンを示す概略構
成図、第２図は第１図に示した金属配線部と端子
部との拡大図、第３図は陽極酸化後の工程を示す
概略説明図、第４図は第３図Ａ部の拡大図、第５
図は従来例の配線パターンを示す概略構成図であ
る。 ５は大型基板、６は金属配線部、６ａは端子
部、７は配線パターン、１０は金属膜である。
Claims (1)
- １ 液晶表示素子の基板上に形成された配線パタ
ーンに陽極酸化法で絶縁膜を形成する液晶表示素
子の製造方法において、前記配線パターンの各々
対応する金属配線本体部と外部接続用端子部とを
前記基板縁部付近で非導通に離間配置し、前記金
属配線本体部を陽極酸化した後、前記金属配線本
体部と端子部とをスパツター蒸着にて接続するこ
とを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202405A JPS6261031A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202405A JPS6261031A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261031A JPS6261031A (ja) | 1987-03-17 |
| JPH0442662B2 true JPH0442662B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=16456961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60202405A Granted JPS6261031A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6261031A (ja) |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP60202405A patent/JPS6261031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6261031A (ja) | 1987-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |