JPH0442041A - 同位体分析装置 - Google Patents
同位体分析装置Info
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- JPH0442041A JPH0442041A JP2148795A JP14879590A JPH0442041A JP H0442041 A JPH0442041 A JP H0442041A JP 2148795 A JP2148795 A JP 2148795A JP 14879590 A JP14879590 A JP 14879590A JP H0442041 A JPH0442041 A JP H0442041A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、複数の同位体が混在する試料物質に光を照射
し、その光吸収スペクトルから同位体の比率を求める同
位体分析装置に関する。
し、その光吸収スペクトルから同位体の比率を求める同
位体分析装置に関する。
自然界には同位体が僅かに存在し、この同位体の変化を
トレースすることにより、医学分野では病気の診断、農
業分野では光合成の研究や植物の代謝作用の研究、地球
科学分野では生態系の捕捉に利用できる。 このような用途の安定同位体の分析装置として、従来か
ら使用されている装置の一例が第４図に示されている。 同図の装置は赤外域の光吸収スペクトルを利用した装置
で、図中の１は可視から赤外域の発光波長範囲の広いラ
ンプ、２は試料セル、３は試料ガス導入口、４は試料ガ
ス排出口、５は分散型分光器、６はミラー、７は回折格
子、８はスリット、９は検知器である。 この装置で、試料ガスは試料ガス導入口３から試料セル
２内に導入され、試料ガス排出口４より排出される。ラ
ンプ１から出た光は試料セル２に入射し、試料セル２内
の試料ガスと相互作用して一部が共鳴吸収される。残余
の光が試料セル２を通過して分散型分光器５に入り、ミ
ラー６でビム方向が変えられ、回折格子７に照射される
。回折格子７により波長分散がされ、スリット８で波長
選択がされて検知器９で選択された波長の光強度が検知
される。ここで回折格子７の角度をθ方向に連続的に回
転することにより選択波長が変えられ、試料の光吸収ス
ペクトルが測定できる。 このような分析に使われる同位体として、窒素、酸素、
炭素がある。なかでも窒素は、比較的長い半減期の放射
性同位体が存在しないため、質量数が１４の窒素（以下
「１４Ｎ」と記す。）と質量数が１５の窒素（以下「１
＠ｐ＋」 と記す、）の安定同位体が測定の対象となる
ことが多い。この１４ＮとＩｓＮは質量差があるので、
極僅かに光吸収周波数が異なる。そのため１４Ｎを含ん
だ窒素化合物と１８Ｎを含んだ窒素化合物の光吸収スペ
クトルを同時に測定し１両者の比を求めることにより安
定同位体の変化がトレースできる。 測定にあたって、一般に窒素は、予めアンモニアＮＨ，
や二酸化窒素Ｎｏ２等の窒素化合物化されて試料セル２
に導入される。その窒素化合物のスペクトルが測定され
ることになる。 大気中での同位体ガスの光吸収スペクトル幅は０、０３
ｃ■−１程度であり、このスペクトル形状を正確に測定
するには０．００３ ｃｍ−’程度のスペクトル分解能
が必要である。同位体ガス相互の光吸収スペクトルは非
常に隣接しているので、相互のスペクトルが影響を受け
ないためにも、高いスペクトル分解能が必要である。ま
た、試料ガス中には同位体ガス以外にも多くの不純物を
含んでおり、その不純物も光を吸収するので、不純物の
光吸収スペクトルが同位体ガスの近辺に存在すると影響
を受は測定誤差となる。この不純物の影響を極力除去す
るためにもスペクトル分解能を高くする必要がある。し
かも、一般に同位体は大気中に極微量台まれているので
、高いスペクトル分解能を損なうことなく、高感度で同
位体を検出する必要がある。
トレースすることにより、医学分野では病気の診断、農
業分野では光合成の研究や植物の代謝作用の研究、地球
科学分野では生態系の捕捉に利用できる。 このような用途の安定同位体の分析装置として、従来か
ら使用されている装置の一例が第４図に示されている。 同図の装置は赤外域の光吸収スペクトルを利用した装置
で、図中の１は可視から赤外域の発光波長範囲の広いラ
ンプ、２は試料セル、３は試料ガス導入口、４は試料ガ
ス排出口、５は分散型分光器、６はミラー、７は回折格
子、８はスリット、９は検知器である。 この装置で、試料ガスは試料ガス導入口３から試料セル
２内に導入され、試料ガス排出口４より排出される。ラ
ンプ１から出た光は試料セル２に入射し、試料セル２内
の試料ガスと相互作用して一部が共鳴吸収される。残余
の光が試料セル２を通過して分散型分光器５に入り、ミ
ラー６でビム方向が変えられ、回折格子７に照射される
。回折格子７により波長分散がされ、スリット８で波長
選択がされて検知器９で選択された波長の光強度が検知
される。ここで回折格子７の角度をθ方向に連続的に回
転することにより選択波長が変えられ、試料の光吸収ス
ペクトルが測定できる。 このような分析に使われる同位体として、窒素、酸素、
炭素がある。なかでも窒素は、比較的長い半減期の放射
性同位体が存在しないため、質量数が１４の窒素（以下
「１４Ｎ」と記す。）と質量数が１５の窒素（以下「１
＠ｐ＋」 と記す、）の安定同位体が測定の対象となる
ことが多い。この１４ＮとＩｓＮは質量差があるので、
極僅かに光吸収周波数が異なる。そのため１４Ｎを含ん
だ窒素化合物と１８Ｎを含んだ窒素化合物の光吸収スペ
クトルを同時に測定し１両者の比を求めることにより安
定同位体の変化がトレースできる。 測定にあたって、一般に窒素は、予めアンモニアＮＨ，
や二酸化窒素Ｎｏ２等の窒素化合物化されて試料セル２
に導入される。その窒素化合物のスペクトルが測定され
ることになる。 大気中での同位体ガスの光吸収スペクトル幅は０、０３
ｃ■−１程度であり、このスペクトル形状を正確に測定
するには０．００３ ｃｍ−’程度のスペクトル分解能
が必要である。同位体ガス相互の光吸収スペクトルは非
常に隣接しているので、相互のスペクトルが影響を受け
ないためにも、高いスペクトル分解能が必要である。ま
た、試料ガス中には同位体ガス以外にも多くの不純物を
含んでおり、その不純物も光を吸収するので、不純物の
光吸収スペクトルが同位体ガスの近辺に存在すると影響
を受は測定誤差となる。この不純物の影響を極力除去す
るためにもスペクトル分解能を高くする必要がある。し
かも、一般に同位体は大気中に極微量台まれているので
、高いスペクトル分解能を損なうことなく、高感度で同
位体を検出する必要がある。
上記した従来の分析装置では、分解能を高くするために
はスリット８の幅を非常に狭（しなければならない。し
かし、それを狭くすると光強度が弱くなり感度が低下す
るという相反する関係がある。従来の分析装置では最高
分解能は０．３ ｃｙｓ−’程度までであり、ガスの光
吸収スペクトル幅より１０倍以上広いので、同位体相互
の光吸収スペクトルの影響を受け、不純物の光吸収スペ
クトルの影響により測定誤差を生じて正確なスペクトル
形状を測定できないという問題がある。またランプ１か
ら出た光をスリット８で選択し、極一部の光のみしか利
用していないので感度が低いという問題がある。 本発明は、これらの問題点を除去し、同位体相互や不純
物、外乱の影響を受けることなく、正確かつ高感度に同
位体比がトレースできる同位体分析装置を提供するもの
である。
はスリット８の幅を非常に狭（しなければならない。し
かし、それを狭くすると光強度が弱くなり感度が低下す
るという相反する関係がある。従来の分析装置では最高
分解能は０．３ ｃｙｓ−’程度までであり、ガスの光
吸収スペクトル幅より１０倍以上広いので、同位体相互
の光吸収スペクトルの影響を受け、不純物の光吸収スペ
クトルの影響により測定誤差を生じて正確なスペクトル
形状を測定できないという問題がある。またランプ１か
ら出た光をスリット８で選択し、極一部の光のみしか利
用していないので感度が低いという問題がある。 本発明は、これらの問題点を除去し、同位体相互や不純
物、外乱の影響を受けることなく、正確かつ高感度に同
位体比がトレースできる同位体分析装置を提供するもの
である。
上記課題を解決するための同位体分析装置を発明するに
あたり、本発明の発明者は、装置の光源として半導体レ
ーザを使用することを想起して調査、研究した結果、以
下のりような知見を得た。 ＡｊＧａＡｓ系またはＩｎＧａＡｓＰ系材料を用いた近
赤外域の半導体レーザは、光通信や光情報処理用として
研究、開発され、小型、高効率、高信頼性になっている
。鉛塩系材料の赤外域半導体レーザは常温で発振しない
ため液体ヘリウムや液体窒素等による大型の冷却機が必
要となるが、近赤外域の半導体レーザは常温で発振しベ
ルチェ素子を用いて半導体レーザの温度を制御すれば波
長可変光源となる。このような実用上価れた特長を持つ
近赤外域の半導体レーザを用いれば装置全体が非常に小
型化でき、取扱いが容易でかつ信頼性の高い装置が実現
できる。 上記の知見の下になされた本発明の第１発明の同位体分
析装置は、第１図に示すように、光吸収スペクトル強度
比から複数の同位体が混在する被検物の同位体比を検出
する同位体分析装置において、該複数の同位体が同一振
動状態および同一回転状態で吸収するスペクトルの波長
を発光する近赤外域の半導体レーザ１０と、該半導体レ
ーザｌＯに周波数変調をかける周波数変調手段１３と、
該半導体レーザ１０から該複数の同位体が混在する被検
物を通過したレーザ光を検出する光検出器１６と、該周
波数変調手段１３の変調周波数と該光検出器１６で検出
した前記レーザ光の信号周波数の整合を検出するロック
イン増幅器１９を有し、その整合性のある信号から前記
被検物の光吸収スペクトル強度比を検出することを特徴
とする。 同じく第２発明の同位体分析装置は、第２図に示すよう
に、光吸収スペクトル強度比から複数の同位体が混在す
る被検物の同位体比を検出する同位体分析装置において
、該複数の同位体が同一振動状態および同一回転状態で
吸収するスペクトルの波長を発光する近赤外域の半導体
レーザ１０と、該被検物を入れるシュタルクセル２０と
、該シュタルクセル２０内の電極２１に変調電圧をかけ
る周波数変調手段２３と、該半導体レーザ１０から該複
数の同位体が混在する被検物を通過したレーザ光を検出
する光検出器と、該周波数変調手段２３の変調周波数と
該光検出器１６で検出した前記レーザ光の信号周波数の
整合を検出するロックイン増幅器１９を有し、その整合
性のある信号から前記被検物の光吸収スペクトル強度比
を検出することを特徴とする。 同じく第３発明は、前記半導体レーザｌＯからのレーザ
光を分岐する手段１４と、該分岐手段１４により分岐さ
れて標準被検物を通過したレーザ光を検出する検出手段
１８を有し、第１発明または第２発明の同位体分析装置
で検出された前記被検物の光吸収スペクトル強度比と検
出手段１８による検出信号とが比較可能なことを特徴と
する。 前記半導体レーザ１０が波長掃引することにより該複数
の同位体の同一振動状態および同一回転状態で吸収する
スペクトルの複数波長を発光することが可能である。 また前記半導体レーザ１０が複数設けられ、前記複数の
同位体の同一振動状態および同一回転状態で吸収するス
ペクトルの波長を夫々発光し、その発光レーザ光が交互
に被検物を通過するものであってもよい。
あたり、本発明の発明者は、装置の光源として半導体レ
ーザを使用することを想起して調査、研究した結果、以
下のりような知見を得た。 ＡｊＧａＡｓ系またはＩｎＧａＡｓＰ系材料を用いた近
赤外域の半導体レーザは、光通信や光情報処理用として
研究、開発され、小型、高効率、高信頼性になっている
。鉛塩系材料の赤外域半導体レーザは常温で発振しない
ため液体ヘリウムや液体窒素等による大型の冷却機が必
要となるが、近赤外域の半導体レーザは常温で発振しベ
ルチェ素子を用いて半導体レーザの温度を制御すれば波
長可変光源となる。このような実用上価れた特長を持つ
近赤外域の半導体レーザを用いれば装置全体が非常に小
型化でき、取扱いが容易でかつ信頼性の高い装置が実現
できる。 上記の知見の下になされた本発明の第１発明の同位体分
析装置は、第１図に示すように、光吸収スペクトル強度
比から複数の同位体が混在する被検物の同位体比を検出
する同位体分析装置において、該複数の同位体が同一振
動状態および同一回転状態で吸収するスペクトルの波長
を発光する近赤外域の半導体レーザ１０と、該半導体レ
ーザｌＯに周波数変調をかける周波数変調手段１３と、
該半導体レーザ１０から該複数の同位体が混在する被検
物を通過したレーザ光を検出する光検出器１６と、該周
波数変調手段１３の変調周波数と該光検出器１６で検出
した前記レーザ光の信号周波数の整合を検出するロック
イン増幅器１９を有し、その整合性のある信号から前記
被検物の光吸収スペクトル強度比を検出することを特徴
とする。 同じく第２発明の同位体分析装置は、第２図に示すよう
に、光吸収スペクトル強度比から複数の同位体が混在す
る被検物の同位体比を検出する同位体分析装置において
、該複数の同位体が同一振動状態および同一回転状態で
吸収するスペクトルの波長を発光する近赤外域の半導体
レーザ１０と、該被検物を入れるシュタルクセル２０と
、該シュタルクセル２０内の電極２１に変調電圧をかけ
る周波数変調手段２３と、該半導体レーザ１０から該複
数の同位体が混在する被検物を通過したレーザ光を検出
する光検出器と、該周波数変調手段２３の変調周波数と
該光検出器１６で検出した前記レーザ光の信号周波数の
整合を検出するロックイン増幅器１９を有し、その整合
性のある信号から前記被検物の光吸収スペクトル強度比
を検出することを特徴とする。 同じく第３発明は、前記半導体レーザｌＯからのレーザ
光を分岐する手段１４と、該分岐手段１４により分岐さ
れて標準被検物を通過したレーザ光を検出する検出手段
１８を有し、第１発明または第２発明の同位体分析装置
で検出された前記被検物の光吸収スペクトル強度比と検
出手段１８による検出信号とが比較可能なことを特徴と
する。 前記半導体レーザ１０が波長掃引することにより該複数
の同位体の同一振動状態および同一回転状態で吸収する
スペクトルの複数波長を発光することが可能である。 また前記半導体レーザ１０が複数設けられ、前記複数の
同位体の同一振動状態および同一回転状態で吸収するス
ペクトルの波長を夫々発光し、その発光レーザ光が交互
に被検物を通過するものであってもよい。
上記の構成の装置で、被検物が”ＮＨ，と” ＮＯｘの
混合物である場合を例に挙げてその作用を説明する。 近赤外域での”ＮＨ，の光吸収スペクトルは、波数６５
６８．４１ｃ書−’、６５４８．６２ｃｍ−’、６５２
８．７７ｃｍ−’近辺で特に強い。同じ＜ １ＳＮＨ，
の光吸収スペクトルは、波数６５５６．１０ ｃｍ−’
、 ６５３６．４８ ｃｍ−’、６５１６．２９ ｃｍ
−’で特に強い、これら近赤外域での光吸収スペクトル
は、ガスを成している分子が基底状態から励起状態へ遷
移した時の分子の振動、回転状態の変化を表わしている
。”ＮＨ，の波数６５６８．４１ ｃｍ−’における光
吸収スペクトルと、１″ＮＨ１の波数６５５６．１０
ｃｍ−’における光吸収スペクトルは、同一振動、同一
回転状態の変化で光を吸収しているｓ ”ＮＨｓの波数
６５４８．６２ ｃｙａ−’における光吸収スペクトル
に”ＮＨ。 の波数６５３６．４８ ｃｍ−１における光吸収スペク
トル、および１４ＮＨ，の波数６５２８．７７ ｃ厘−
１における光吸収スペクトルと１″ＮＨ，の波数６５１
６．２９ ｃｍ−’における光吸収スペクトルもそれぞ
れ同一振動、同一回転状態の変化で光を吸収している。 光吸収スペクトルは電場、温度等の外乱の影響を受は僅
かに変化するが同一振動、同一回転状態の光吸収スペク
トルを測定すれば同一の影響を受けるので外乱の影響を
除去できる。前記した”ＮＨ，と”ＮＨ，の光吸収スペ
クトルを夫々比較すると、相互に近隣には存在してない
ので、これら同位体どうしが光吸収スペクトルの影響を
受けることがない。 したがって前記の装置で、”ＮＨ，と”ＮＨ，の光吸収
スペクトル強度比を検出することができる。
混合物である場合を例に挙げてその作用を説明する。 近赤外域での”ＮＨ，の光吸収スペクトルは、波数６５
６８．４１ｃ書−’、６５４８．６２ｃｍ−’、６５２
８．７７ｃｍ−’近辺で特に強い。同じ＜ １ＳＮＨ，
の光吸収スペクトルは、波数６５５６．１０ ｃｍ−’
、 ６５３６．４８ ｃｍ−’、６５１６．２９ ｃｍ
−’で特に強い、これら近赤外域での光吸収スペクトル
は、ガスを成している分子が基底状態から励起状態へ遷
移した時の分子の振動、回転状態の変化を表わしている
。”ＮＨ，の波数６５６８．４１ ｃｍ−’における光
吸収スペクトルと、１″ＮＨ１の波数６５５６．１０
ｃｍ−’における光吸収スペクトルは、同一振動、同一
回転状態の変化で光を吸収しているｓ ”ＮＨｓの波数
６５４８．６２ ｃｙａ−’における光吸収スペクトル
に”ＮＨ。 の波数６５３６．４８ ｃｍ−１における光吸収スペク
トル、および１４ＮＨ，の波数６５２８．７７ ｃ厘−
１における光吸収スペクトルと１″ＮＨ，の波数６５１
６．２９ ｃｍ−’における光吸収スペクトルもそれぞ
れ同一振動、同一回転状態の変化で光を吸収している。 光吸収スペクトルは電場、温度等の外乱の影響を受は僅
かに変化するが同一振動、同一回転状態の光吸収スペク
トルを測定すれば同一の影響を受けるので外乱の影響を
除去できる。前記した”ＮＨ，と”ＮＨ，の光吸収スペ
クトルを夫々比較すると、相互に近隣には存在してない
ので、これら同位体どうしが光吸収スペクトルの影響を
受けることがない。 したがって前記の装置で、”ＮＨ，と”ＮＨ，の光吸収
スペクトル強度比を検出することができる。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の第１発明を適用する同位体分析装置の
実施例のブロック図を示すものである。 同図で１０は近赤外域の半導体レーザ、１１は半導体レ
ーザ１０の波数を掃引するための温度制御部、１２は半
導体レーザ１０の光出力を制御するための電流制御部、
１３は電流制御部１２に変調周波数を与える発振器、１
４はレーザ光を透過光と反射光に分けるビームスプリッ
タ、１５はミラー、１６および１８は光検出器、１９は
光検出器１６の検出周波数と発振器１３の発振周波数と
の同期が取れた信号のみを検出するロックイン増幅器で
ある。２は ”ＮＨ，ガスと ”ＮＨ，ガスが混在する
試料ガスを収納するセル、３は試料ガス導入口、４は試
料ガス排出口である。また１７は ”Ｎ）Ｉｇガス５０
％と ”ＮＨｓガス５０％が封入されている参照セルで
ある。 上記した装置で、近赤外域の半導体レーザ１０は、常温
で連続発振し、半導体レーザの温度または駆動電流を掃
引することにより波長可変光源となる。半導体レーザｌ
Ｏの発光波数は、温度制御部１１により温度を制御され
て、第３図に示すように、波数６５６８．４１ ｃｍ−
’と６５５６．１０ ｃｍ＋−’近辺を交互に掃引され
る。半導体レーザ１ｏの駆動電流は、発振器１３の信号
で電流制御部１２により電流変調され僅かに周波数変調
がかけられている。 このように波数掃引、周波数変調された半導体レーザｌ
Ｏからのレーザ光は、ビームスプリッタ１４で透過光と
反射光に分けられ、透過光は試料セル２に入射する。そ
の入射レーザ光はセル内に混在する ”ＮＨ，ガスおよ
び ”ＮＨ，ガスと相互作用し吸収される。試料セル２
からの出射レーザ光は、光検出器１６で検出される。光
検出器１６で検出された光信号は、ロックイン増幅器１
９で発振器１３と同期の取れた信号のみが検出される。 その結果、半導体レーザ１０の光強度のドリフトが除去
でき、 Ｓ／Ｎ比の良い信号が検出できる。 このようにして検出された光信号は、光吸収強度の１次
微分となっている。したがって、波数６５６８．４１
ｃｍ−’と６５５６．１０ ｃｔａ−’の波数近辺での
雨検出信号のピーク値または吸収の面積を求めて吸収量
の比を求めれば、セル２内に混在する ｌ４ＮＨ，ガス
と ”ＮＨ，ガスの比、すなわち同位体比が求められる
。 ビームスプリッタ１４で反射されたレーザ光は、ミラー
１５で参照セル１７に導入され、セル内に５０％ずつ混
在する １％ＮＨ，ガスおよび ”Ｎ）Ｉ□ガスと相互
作用し吸収される。参照セル１７を透過したレーザ光は
検出器１８で検出される。検出器１８で検出された信号
よりＮＨ，スペクトルテーブルを参照し、前記で求めた
同位体比をより正確に求めることができる。 なお上記実施例では半導体レーザ１０を１個で温度制御
して両ペアの波数近辺を掃引するようにしたが、半導体
レーザを２個用いて両ベアの波数のレーザ光を同時に発
振させ、交互に試粕セル２内に入射させてもよい。 第２図は本発明の第２発明を適用する同位体分析装置の
実施例のブロック図を示すものである。 同図で２０は １４ＮＨ，ガスと ”ＮＨ，ガスが混在
する試料ガスを収納しているシュタルクセル、２１はシ
ュタルクセル２０内の平行電極、２３は平行電極２１に
交流電圧を印加するための発振器である。その他の構成
は、第１図に示した構成と同一であり、同一符号を付し
であるので再度の説明を省略する。この実施例では、半
導体レーザ１ｏに周波数変調をかけることなく、セル２
ｏ内の平行電極２１に発振器２３から交流電圧をかけ、
この交流電圧信号と同期の取れた信号のみがロックイン
増幅器１９で検出される。 電気双極子モーメントを有する分子が電場中に置かれる
とシュタルク効果によりポテンシャル・エネルギーが変
化し、光吸収周波数が変化する。 ＮＨ，は強い電気双極子モーメントを有しており電場中
に置かれると光吸収周波数は大きく変化する。従って、
平行電極の両端に交流電圧をかければその電圧に従って
光吸収周波数は変化する。その結果、前記第１図に示し
た実施例で半導体レーザ１０に周波数変調をかけたのと
同様な効果が得られる。 半導体レーザ１０は、制御部１１で温度を制御されて、
第３図に示すように波数６５６８．４１ ｃ層−１と６
５５６．１０ ｃｍ〜１近辺を交互に掃引される。また
電流制御部１２により適度な光出力となるように半導体
レーザ１０の駆動電流は制御されている。このように波
長掃引された半導体レーザｌＯがらのレーザ光は、ビー
ムスプリッタ１４で透過光と反射光に分けられる。透過
光はシュタルクセル２０に入射し、セル２０内のガスと
相互作用し吸収される。平行電極２１には発振器２３に
より交流電圧がかけられている。シュタルクセル２０が
らの出射光は光検出器１６で検出される。 したがって第１図に示す実施例の装置と同様な検出結果
が得られる。 なお上記の各実施例で、試料ガスとして ”ＮＨ。 ガスと ｌ５ＮＨ３ガスを使用して半導体レーザｌＯの
発光波数を６５６８．４１ ａｍ−’と６５５６．１０
ｃｍ−’近辺を交互に掃引させたが、試料ガスが変わ
らなければ同一振動、同一回転状態の波数６５４８．６
２ ｃｍ−’と６５３６．４８ ｃｍ−’の組み合わせ
、または波数６５２８．７７ｃｍ−’と６５１６．２６
ｃｍ−’の組み合わせでその波数近辺を交互に掃引し
てもよい。 このように ”ＮＨ，ガスおよび ”ＮＨ，ガスの夫々
光吸収強度の強いスペクトルを測定することができ、同
位体相互の吸収の影響を受けることがなく、外乱の影響
を除去できる。スペクトル幅０、０００３〜０．００３
ｃｍ−’と発振スペクトル幅が非常に狭いうえに、小型
で信頼性の高い近赤外域の半導体レーザを波長可変光源
として使用し、同一振動、回転モードの両ベアの波数の
スペクトルをロックイン増幅器１９で測定しているため
、スペクトル形状を正確に測定できる。 また、同一振動、同一回転状態のスペクトル測定による
同位体の分析は、上記実施例に示した窒素以外の同位体
分析、例えば炭素同位体、水素同位体分析にも適用でき
る。
実施例のブロック図を示すものである。 同図で１０は近赤外域の半導体レーザ、１１は半導体レ
ーザ１０の波数を掃引するための温度制御部、１２は半
導体レーザ１０の光出力を制御するための電流制御部、
１３は電流制御部１２に変調周波数を与える発振器、１
４はレーザ光を透過光と反射光に分けるビームスプリッ
タ、１５はミラー、１６および１８は光検出器、１９は
光検出器１６の検出周波数と発振器１３の発振周波数と
の同期が取れた信号のみを検出するロックイン増幅器で
ある。２は ”ＮＨ，ガスと ”ＮＨ，ガスが混在する
試料ガスを収納するセル、３は試料ガス導入口、４は試
料ガス排出口である。また１７は ”Ｎ）Ｉｇガス５０
％と ”ＮＨｓガス５０％が封入されている参照セルで
ある。 上記した装置で、近赤外域の半導体レーザ１０は、常温
で連続発振し、半導体レーザの温度または駆動電流を掃
引することにより波長可変光源となる。半導体レーザｌ
Ｏの発光波数は、温度制御部１１により温度を制御され
て、第３図に示すように、波数６５６８．４１ ｃｍ−
’と６５５６．１０ ｃｍ＋−’近辺を交互に掃引され
る。半導体レーザ１ｏの駆動電流は、発振器１３の信号
で電流制御部１２により電流変調され僅かに周波数変調
がかけられている。 このように波数掃引、周波数変調された半導体レーザｌ
Ｏからのレーザ光は、ビームスプリッタ１４で透過光と
反射光に分けられ、透過光は試料セル２に入射する。そ
の入射レーザ光はセル内に混在する ”ＮＨ，ガスおよ
び ”ＮＨ，ガスと相互作用し吸収される。試料セル２
からの出射レーザ光は、光検出器１６で検出される。光
検出器１６で検出された光信号は、ロックイン増幅器１
９で発振器１３と同期の取れた信号のみが検出される。 その結果、半導体レーザ１０の光強度のドリフトが除去
でき、 Ｓ／Ｎ比の良い信号が検出できる。 このようにして検出された光信号は、光吸収強度の１次
微分となっている。したがって、波数６５６８．４１
ｃｍ−’と６５５６．１０ ｃｔａ−’の波数近辺での
雨検出信号のピーク値または吸収の面積を求めて吸収量
の比を求めれば、セル２内に混在する ｌ４ＮＨ，ガス
と ”ＮＨ，ガスの比、すなわち同位体比が求められる
。 ビームスプリッタ１４で反射されたレーザ光は、ミラー
１５で参照セル１７に導入され、セル内に５０％ずつ混
在する １％ＮＨ，ガスおよび ”Ｎ）Ｉ□ガスと相互
作用し吸収される。参照セル１７を透過したレーザ光は
検出器１８で検出される。検出器１８で検出された信号
よりＮＨ，スペクトルテーブルを参照し、前記で求めた
同位体比をより正確に求めることができる。 なお上記実施例では半導体レーザ１０を１個で温度制御
して両ペアの波数近辺を掃引するようにしたが、半導体
レーザを２個用いて両ベアの波数のレーザ光を同時に発
振させ、交互に試粕セル２内に入射させてもよい。 第２図は本発明の第２発明を適用する同位体分析装置の
実施例のブロック図を示すものである。 同図で２０は １４ＮＨ，ガスと ”ＮＨ，ガスが混在
する試料ガスを収納しているシュタルクセル、２１はシ
ュタルクセル２０内の平行電極、２３は平行電極２１に
交流電圧を印加するための発振器である。その他の構成
は、第１図に示した構成と同一であり、同一符号を付し
であるので再度の説明を省略する。この実施例では、半
導体レーザ１ｏに周波数変調をかけることなく、セル２
ｏ内の平行電極２１に発振器２３から交流電圧をかけ、
この交流電圧信号と同期の取れた信号のみがロックイン
増幅器１９で検出される。 電気双極子モーメントを有する分子が電場中に置かれる
とシュタルク効果によりポテンシャル・エネルギーが変
化し、光吸収周波数が変化する。 ＮＨ，は強い電気双極子モーメントを有しており電場中
に置かれると光吸収周波数は大きく変化する。従って、
平行電極の両端に交流電圧をかければその電圧に従って
光吸収周波数は変化する。その結果、前記第１図に示し
た実施例で半導体レーザ１０に周波数変調をかけたのと
同様な効果が得られる。 半導体レーザ１０は、制御部１１で温度を制御されて、
第３図に示すように波数６５６８．４１ ｃ層−１と６
５５６．１０ ｃｍ〜１近辺を交互に掃引される。また
電流制御部１２により適度な光出力となるように半導体
レーザ１０の駆動電流は制御されている。このように波
長掃引された半導体レーザｌＯがらのレーザ光は、ビー
ムスプリッタ１４で透過光と反射光に分けられる。透過
光はシュタルクセル２０に入射し、セル２０内のガスと
相互作用し吸収される。平行電極２１には発振器２３に
より交流電圧がかけられている。シュタルクセル２０が
らの出射光は光検出器１６で検出される。 したがって第１図に示す実施例の装置と同様な検出結果
が得られる。 なお上記の各実施例で、試料ガスとして ”ＮＨ。 ガスと ｌ５ＮＨ３ガスを使用して半導体レーザｌＯの
発光波数を６５６８．４１ ａｍ−’と６５５６．１０
ｃｍ−’近辺を交互に掃引させたが、試料ガスが変わ
らなければ同一振動、同一回転状態の波数６５４８．６
２ ｃｍ−’と６５３６．４８ ｃｍ−’の組み合わせ
、または波数６５２８．７７ｃｍ−’と６５１６．２６
ｃｍ−’の組み合わせでその波数近辺を交互に掃引し
てもよい。 このように ”ＮＨ，ガスおよび ”ＮＨ，ガスの夫々
光吸収強度の強いスペクトルを測定することができ、同
位体相互の吸収の影響を受けることがなく、外乱の影響
を除去できる。スペクトル幅０、０００３〜０．００３
ｃｍ−’と発振スペクトル幅が非常に狭いうえに、小型
で信頼性の高い近赤外域の半導体レーザを波長可変光源
として使用し、同一振動、回転モードの両ベアの波数の
スペクトルをロックイン増幅器１９で測定しているため
、スペクトル形状を正確に測定できる。 また、同一振動、同一回転状態のスペクトル測定による
同位体の分析は、上記実施例に示した窒素以外の同位体
分析、例えば炭素同位体、水素同位体分析にも適用でき
る。
以上、詳細に説明したように、本発明を適用する同位体
分析装置は、小型で信頼性の高い近赤外域の半導体レー
ザを波長可変光源として使用し、複数の同位体の同一振
動、回転モードの波数のスペクトルを測定しているため
、同位体相互間、不純物、外乱の影響を受けることなく
正確、高感度に窓素同位体比がトレースできる。
分析装置は、小型で信頼性の高い近赤外域の半導体レー
ザを波長可変光源として使用し、複数の同位体の同一振
動、回転モードの波数のスペクトルを測定しているため
、同位体相互間、不純物、外乱の影響を受けることなく
正確、高感度に窓素同位体比がトレースできる。
第１図は本発明を適用する同位体分析装置の実施例のブ
ロック図、第２図は本発明を適用する同位体分析装置の
別な実施例のブロック図、第３図は半導体レーザの温度
と発振波数の関係を示す図、第４図は従来の同位体分析
装置の一例を示すブロック図である。 １・・・ランプ ２・・・試料セル、３・・
・試料ガス導入口 ４・・・試料ガス排出口５・・・
分散型分光器 ６．１５・・・ミラー７・・・回折
格子 ８・・・スリット９．１６．１８・・・
光検出器 １０・・・半導体レーザ１１−・・温度制御
部 １３．２３・・・発振器 １７・・・参照セル ２０・・・シュタルクセル １２・・・電流制御部 １４−・・ビームスプリッタ １９・・・ロックイン増幅器 ２１・・・平行電極
ロック図、第２図は本発明を適用する同位体分析装置の
別な実施例のブロック図、第３図は半導体レーザの温度
と発振波数の関係を示す図、第４図は従来の同位体分析
装置の一例を示すブロック図である。 １・・・ランプ ２・・・試料セル、３・・
・試料ガス導入口 ４・・・試料ガス排出口５・・・
分散型分光器 ６．１５・・・ミラー７・・・回折
格子 ８・・・スリット９．１６．１８・・・
光検出器 １０・・・半導体レーザ１１−・・温度制御
部 １３．２３・・・発振器 １７・・・参照セル ２０・・・シュタルクセル １２・・・電流制御部 １４−・・ビームスプリッタ １９・・・ロックイン増幅器 ２１・・・平行電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光吸収スペクトル強度比から複数の同位体が混在す
る被検物の同位体比を検出する同位体分析装置において
、該複数の同位体が同一振動状態および同一回転状態で
吸収するスペクトルの波長を発光する近赤外域の半導体
レーザと、該半導体レーザに周波数変調をかける周波数
変調手段と、該半導体レーザから該複数の同位体が混在
する被検物を通過したレーザ光を検出する光検出器と、
該周波数変調手段の変調周波数と該光検出器で検出した
前記レーザ光の信号周波数の整合を検出するロックイン
増幅器を有し、その整合性のある信号から前記被検物の
光吸収スペクトル強度比を検出することを特徴とする同
位体分析装置。 ２、光吸収スペクトル強度比から複数の同位体が混在す
る被検物の同位体比を検出する同位体分析装置において
、該複数の同位体が同一振動状態および同一回転状態で
吸収するスペクトルの波長を発光する近赤外域の半導体
レーザと、該被検物を入れるシュタルクセルと、該シュ
タルクセル内の電極に変調電圧をかける周波数変調手段
と、該半導体レーザから該複数の同位体が混在する被検
物を通過したレーザ光を検出する光検出器と、該周波数
変調手段の変調周波数と該光検出器で検出した前記レー
ザ光の信号周波数の整合を検出するロックイン増幅器を
有し、その整合性のある信号から前記被検物の光吸収ス
ペクトル強度比を検出することを特徴とする同位体分析
装置。 ３、前記半導体レーザからのレーザ光を分岐する手段と
、該分岐手段により分岐されたレーザ光が標準被検物を
通過して検出される検出手段を有し、請求第１項または
第２項に記載の同位体分析装置で検出された前記被検物
の光吸収スペクトル強度比と検出手段による検出信号と
が比較可能なことを特徴とする同位体分析装置。 ４、前記半導体レーザが波長掃引することにより該複数
の同位体の同一振動状態および同一回転状態で吸収する
スペクトルの複数波長を発光することを特徴とする請求
項第１項、第２項または３項に記載の同位体分析装置。 ５、前記半導体レーザが複数設けられ、前記複数の同位
体の同一振動状態および同一回転状態で吸収するスペク
トルの波長を夫々発光し、その発光レーザ光が交互に被
検物を通過することを特徴とする請求項第１項、第２項
または第３項に記載の同位体分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14879590A JPH0617869B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 同位体分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14879590A JPH0617869B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 同位体分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442041A true JPH0442041A (ja) | 1992-02-12 |
| JPH0617869B2 JPH0617869B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=15460872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14879590A Expired - Fee Related JPH0617869B2 (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 同位体分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617869B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05296922A (ja) * | 1992-04-16 | 1993-11-12 | Japan Radio Co Ltd | 炭素同位体分析装置 |
| JP2006227003A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-31 | General Electric Co <Ge> | 多相燃焼システムのための光学式検出方法及び装置 |
| US20090225409A1 (en) * | 2005-04-14 | 2009-09-10 | Ilev Iiko K | Ultrahigh-Resolution Fiber-Optic Confocal Microscope and Method |
| JP2009222527A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガス濃度計測方法および装置 |
| JP2010032454A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Fuji Electric Systems Co Ltd | ガス分析装置及びガス分析方法 |
| JP2012108156A (ja) * | 2012-02-29 | 2012-06-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガス濃度計測方法および装置 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP14879590A patent/JPH0617869B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05296922A (ja) * | 1992-04-16 | 1993-11-12 | Japan Radio Co Ltd | 炭素同位体分析装置 |
| JP2006227003A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-31 | General Electric Co <Ge> | 多相燃焼システムのための光学式検出方法及び装置 |
| US20090225409A1 (en) * | 2005-04-14 | 2009-09-10 | Ilev Iiko K | Ultrahigh-Resolution Fiber-Optic Confocal Microscope and Method |
| US8456738B2 (en) * | 2005-04-14 | 2013-06-04 | The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services | Ultrahigh-resolution fiber-optic confocal microscope and method |
| JP2009222527A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガス濃度計測方法および装置 |
| JP2010032454A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Fuji Electric Systems Co Ltd | ガス分析装置及びガス分析方法 |
| JP2012108156A (ja) * | 2012-02-29 | 2012-06-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガス濃度計測方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0617869B2 (ja) | 1994-03-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |