JPH0441170Y2 - - Google Patents
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- JPH0441170Y2 JPH0441170Y2 JP8516586U JP8516586U JPH0441170Y2 JP H0441170 Y2 JPH0441170 Y2 JP H0441170Y2 JP 8516586 U JP8516586 U JP 8516586U JP 8516586 U JP8516586 U JP 8516586U JP H0441170 Y2 JPH0441170 Y2 JP H0441170Y2
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は反応管内にウエーハをセツトしたボー
トを搬入し、当該反応管13内を加熱し、減圧下
で反応ガスを供給しつつ排気することにより内部
のウエーハに薄膜を生成する減圧CVD装置に関
する。
トを搬入し、当該反応管13内を加熱し、減圧下
で反応ガスを供給しつつ排気することにより内部
のウエーハに薄膜を生成する減圧CVD装置に関
する。
この種の減圧CVD装置は、図面を参照して説
明すると、反応管13内に扉14を開いてウエー
ハ20をセツトしたボート21を搬入して扉14
を閉じ、ヒータ18により反応管13内を加熱し
た状態に保ち、排気ポンプを駆動して反応管13
内を排気し減圧下で扉14のガス導入ポート22
より反応ガスを供給しつつ排気することにより内
部のウエーハ20に薄膜を生成せしめ、薄膜生成
後に扉14を開いてボート21を搬出するもの
で、反応ガスを変更することによりウエーハ20
に反応ガスに応じた種々の薄膜を生成できるもの
である。
明すると、反応管13内に扉14を開いてウエー
ハ20をセツトしたボート21を搬入して扉14
を閉じ、ヒータ18により反応管13内を加熱し
た状態に保ち、排気ポンプを駆動して反応管13
内を排気し減圧下で扉14のガス導入ポート22
より反応ガスを供給しつつ排気することにより内
部のウエーハ20に薄膜を生成せしめ、薄膜生成
後に扉14を開いてボート21を搬出するもの
で、反応ガスを変更することによりウエーハ20
に反応ガスに応じた種々の薄膜を生成できるもの
である。
このような減圧CVD装置において、ウエーハ
20に薄膜を生成するために反応管13内へのウ
エーハ20の搬入は、大気にさらされた状態で行
われるため、反応管13内が高温状態(約800℃
〜600℃)のときにウエーハ20を搬入すると大
気中の酸素によりウエーハ20上に酸化膜が生成
されるため、反応管13内を減圧して種々の薄膜
を生成する上で膜質、延いてはデバイスに悪影響
を与えることになる。
20に薄膜を生成するために反応管13内へのウ
エーハ20の搬入は、大気にさらされた状態で行
われるため、反応管13内が高温状態(約800℃
〜600℃)のときにウエーハ20を搬入すると大
気中の酸素によりウエーハ20上に酸化膜が生成
されるため、反応管13内を減圧して種々の薄膜
を生成する上で膜質、延いてはデバイスに悪影響
を与えることになる。
この酸化膜の生成を低減するために、ウエーハ
20の搬入時に反応管13内を加熱するヒータ1
8の電源を切り、反応管13を低温状態(約400
℃〜100℃)にすることにより酸化膜の生成を微
少にできるが、ヒータ18は一般に厚い断熱材で
断熱されており熱容量が大きいため、上記低温状
態にするために長時間(4〜5時間)を要し非能
率である。
20の搬入時に反応管13内を加熱するヒータ1
8の電源を切り、反応管13を低温状態(約400
℃〜100℃)にすることにより酸化膜の生成を微
少にできるが、ヒータ18は一般に厚い断熱材で
断熱されており熱容量が大きいため、上記低温状
態にするために長時間(4〜5時間)を要し非能
率である。
従来装置はこの問題を改良するため、ヒータ1
8と反応管13との間の空気路の送風ブロワで空
気を圧送できる構造にしていた。
8と反応管13との間の空気路の送風ブロワで空
気を圧送できる構造にしていた。
しかし上記従来装置においては、ヒータ18と
反応管13との間の空気路を密閉することが困難
であるから、圧送された空気が漏れ、この漏出空
気により周囲の塵埃を巻き上げ、ウエーハ搬入時
に塵埃が反応管13内に侵入して雰囲気を汚染す
るおそれがあつた。
反応管13との間の空気路を密閉することが困難
であるから、圧送された空気が漏れ、この漏出空
気により周囲の塵埃を巻き上げ、ウエーハ搬入時
に塵埃が反応管13内に侵入して雰囲気を汚染す
るおそれがあつた。
本考案の目的は空気漏れによる塵埃の巻き上げ
を回避し、かつ断熱性に優れヒータと反応管を効
率よく急速冷却、急速加熱できる減圧CVD装置
を提供することである。
を回避し、かつ断熱性に優れヒータと反応管を効
率よく急速冷却、急速加熱できる減圧CVD装置
を提供することである。
本考案装置は上記の問題点を解決し、上記の目
的を達成するため、図示のように反応管13内に
ウエーハ20をセツトしたボート21を搬入し、
当該反応管13内を加熱し、減圧下で反応ガスを
供給しつつ排気することにより内部のウエーハ2
0に薄膜を生成する減圧CVD装置において、反
応管13の周囲には内、外筒4,3間に空気層2
3を介在させて構成した主断熱筒24を配置し、
この主断熱筒24を構成する内筒4内にヒータ1
8を絶縁碍子5で支持せしめ、上記主断熱筒24
の両端と反応管13の両端部外周との間にそれぞ
れ空気導入用断熱部1及び空気排出用断熱部2を
挿設し、この空気導入用断熱部1の吸気口に吸気
側バルブ11を介して吸気ダクト12を接続し、
空気排出用断熱部2の排気口には排気側バルブ
7、排風ダクト8、排風側バルブ10及び排風ブ
ロワをこの順に接続すると共に、排風ダクト8内
にラジエータ9を設けてなる構成としたものであ
る。
的を達成するため、図示のように反応管13内に
ウエーハ20をセツトしたボート21を搬入し、
当該反応管13内を加熱し、減圧下で反応ガスを
供給しつつ排気することにより内部のウエーハ2
0に薄膜を生成する減圧CVD装置において、反
応管13の周囲には内、外筒4,3間に空気層2
3を介在させて構成した主断熱筒24を配置し、
この主断熱筒24を構成する内筒4内にヒータ1
8を絶縁碍子5で支持せしめ、上記主断熱筒24
の両端と反応管13の両端部外周との間にそれぞ
れ空気導入用断熱部1及び空気排出用断熱部2を
挿設し、この空気導入用断熱部1の吸気口に吸気
側バルブ11を介して吸気ダクト12を接続し、
空気排出用断熱部2の排気口には排気側バルブ
7、排風ダクト8、排風側バルブ10及び排風ブ
ロワをこの順に接続すると共に、排風ダクト8内
にラジエータ9を設けてなる構成としたものであ
る。
高温雰囲気の反応管13内にウエーハ20をセ
ツトしたボート21があり、高温状態で薄膜生成
工程が終了し、このボート21を搬出する場合
は、ヒータ18の電源を切り、吸気側バルブ1
1、排気側バルブ7及び排風側バルブ10を開
く。この状態で排風ブロワを駆動して吸気ダクト
12より大気(空気)を吸い込むと、この空気は
吸気側バルブ11、空気導入用断熱部1を経て主
断熱筒24と反応管13との間の空気路を流れ、
ヒータ18と反応管13を冷却し、空気は加熱さ
れる。
ツトしたボート21があり、高温状態で薄膜生成
工程が終了し、このボート21を搬出する場合
は、ヒータ18の電源を切り、吸気側バルブ1
1、排気側バルブ7及び排風側バルブ10を開
く。この状態で排風ブロワを駆動して吸気ダクト
12より大気(空気)を吸い込むと、この空気は
吸気側バルブ11、空気導入用断熱部1を経て主
断熱筒24と反応管13との間の空気路を流れ、
ヒータ18と反応管13を冷却し、空気は加熱さ
れる。
この加熱された空気は空気排出用断熱部2、排
気側バルブ7を経て排風ダクト8に吸い込まれ、
排風ダクト8内のラジエータ9により冷却され
る。この冷却された空気は排風側バルブ10を通
り排風ブロワにより排出される。
気側バルブ7を経て排風ダクト8に吸い込まれ、
排風ダクト8内のラジエータ9により冷却され
る。この冷却された空気は排風側バルブ10を通
り排風ブロワにより排出される。
この場合、吸気ダクト12から排風ブロワに至
る空気路が密閉されていなくても、排風ブロワに
よる吸気排気システムを採用しているため、空気
が漏れて周囲の塵埃を巻き上げることがなく、ウ
エーハ搬入時に塵埃が反応管13内に侵入して雰
囲気を汚染するおそれはない。
る空気路が密閉されていなくても、排風ブロワに
よる吸気排気システムを採用しているため、空気
が漏れて周囲の塵埃を巻き上げることがなく、ウ
エーハ搬入時に塵埃が反応管13内に侵入して雰
囲気を汚染するおそれはない。
このようにしてヒータ18と反応管13を冷却
し、反応管13内が低温になつたとき、扉14を
開いて薄膜生成後のウエーハ20をセツトしたボ
ート21を反応管13より搬出する。次いで薄膜
生成前のウエーハ20をセツトしたボート21を
搬入する場合は反応管13が冷えた状態で搬入し
て扉14を閉じ、ヒータ18に通電して反応管1
3内を加熱し、排気ポンプを駆動して反応管13
内を排気し、減圧下で反応ガスを供給しつつ排気
することにより内部のウエーハ20に薄膜を生成
することになる。
し、反応管13内が低温になつたとき、扉14を
開いて薄膜生成後のウエーハ20をセツトしたボ
ート21を反応管13より搬出する。次いで薄膜
生成前のウエーハ20をセツトしたボート21を
搬入する場合は反応管13が冷えた状態で搬入し
て扉14を閉じ、ヒータ18に通電して反応管1
3内を加熱し、排気ポンプを駆動して反応管13
内を排気し、減圧下で反応ガスを供給しつつ排気
することにより内部のウエーハ20に薄膜を生成
することになる。
本考案では、ヒータ18は主断熱筒24を構成
する内筒4内に絶縁碍子5で支えられているだけ
で熱容量が小さいこと、ヒータ18部は内、外筒
4,3間に空気層23を介在させて構成した主断
熱筒24と、その両端の空気導入用、空気排出用
断熱部1,2により断熱され断熱性に優れている
ことによりヒータ18と反応管13を効率よく急
速冷却、急速加熱することができる。
する内筒4内に絶縁碍子5で支えられているだけ
で熱容量が小さいこと、ヒータ18部は内、外筒
4,3間に空気層23を介在させて構成した主断
熱筒24と、その両端の空気導入用、空気排出用
断熱部1,2により断熱され断熱性に優れている
ことによりヒータ18と反応管13を効率よく急
速冷却、急速加熱することができる。
図面により本考案装置の一実施例を説明する。
図面において13は反応管、14は反応管13
の前端に開閉自在に設けられた扉、22はこの扉
14に設けたガス導入ポートで、これより反応ガ
スが導入される。15は扉14と反応管13の前
端との間に設けたシールである。16は反応管1
3の後端にシール17を介して連結した排気管
で、排気ポンプに接続されている。21はウエー
ハ20をセツトしたボートで、扉14を開いて反
応管13内に搬入され、あるいはこれより搬出さ
れる。
の前端に開閉自在に設けられた扉、22はこの扉
14に設けたガス導入ポートで、これより反応ガ
スが導入される。15は扉14と反応管13の前
端との間に設けたシールである。16は反応管1
3の後端にシール17を介して連結した排気管
で、排気ポンプに接続されている。21はウエー
ハ20をセツトしたボートで、扉14を開いて反
応管13内に搬入され、あるいはこれより搬出さ
れる。
24は反応管13の周囲に配置された主断熱筒
で、ステンレス製の内、外筒4,3間に空気層2
3を介在させて構成されている。主断熱筒24を
構成する内筒4の内面にヒータ18が絶縁碍子5
で支持されている。19はヒータ端子で、これよ
りヒータ電源により通電する。6は熱電対でヒー
タ18の温度を検出し、この温度検出信号により
ヒータ電源に接続された温度調整器を調整してヒ
ータ18の温度制御を行う。
で、ステンレス製の内、外筒4,3間に空気層2
3を介在させて構成されている。主断熱筒24を
構成する内筒4の内面にヒータ18が絶縁碍子5
で支持されている。19はヒータ端子で、これよ
りヒータ電源により通電する。6は熱電対でヒー
タ18の温度を検出し、この温度検出信号により
ヒータ電源に接続された温度調整器を調整してヒ
ータ18の温度制御を行う。
1は主断熱筒24の前端と反応管13の前端部
外周との間に挿設された空気導入用断熱部で、内
面に断熱材を添着したステンレスよりなる。12
はこの空気導入用断熱部1の吸気口に吸気側バル
ブ11を介して接続した吸気ダクトである。
外周との間に挿設された空気導入用断熱部で、内
面に断熱材を添着したステンレスよりなる。12
はこの空気導入用断熱部1の吸気口に吸気側バル
ブ11を介して接続した吸気ダクトである。
2は主断熱筒24の後端と反応管13の後端部
外周との間に介挿された空気排出用断熱部で、内
面に断熱材を添着したステンレスよりなる。この
空気排出用断熱部2の排気口には、排気側バルブ
7、排気ダクト8、排風側バルブ10及び排風ブ
ロワがこの順に接続されている。9は排気ダクト
8内に設けられたラジエータで、9a,9bはそ
の冷却水入口及び冷却水出口である。
外周との間に介挿された空気排出用断熱部で、内
面に断熱材を添着したステンレスよりなる。この
空気排出用断熱部2の排気口には、排気側バルブ
7、排気ダクト8、排風側バルブ10及び排風ブ
ロワがこの順に接続されている。9は排気ダクト
8内に設けられたラジエータで、9a,9bはそ
の冷却水入口及び冷却水出口である。
なお、排気側バルブ7と吸気側バルブ11は高
温部に接しているため、気密性のよいガスケツト
を使用できず、気密性が悪いが、排風ブロワによ
る吸気排気システムを採用しているので、問題に
ならない。排風側バルブ10はラジエータ9によ
り冷却された空気が通るため、気密性のよいガス
ケツトを使用でき、気密性がよい。
温部に接しているため、気密性のよいガスケツト
を使用できず、気密性が悪いが、排風ブロワによ
る吸気排気システムを採用しているので、問題に
ならない。排風側バルブ10はラジエータ9によ
り冷却された空気が通るため、気密性のよいガス
ケツトを使用でき、気密性がよい。
上記の構成において本実施例の動作を説明す
る。
る。
反応管13内にウエーハ20をセツトしたボー
ト21を扉14を開いて搬入し扉14を閉じる。
ヒータ18に通電して反応管13内を加熱し、排
気ポンプを駆動して反応管13内を排気し減圧す
る。この減圧下で扉14のガス導入ポート22よ
り反応ガスを供給しつつ排気することにより内部
のウエーハ20に薄膜を生成する。
ト21を扉14を開いて搬入し扉14を閉じる。
ヒータ18に通電して反応管13内を加熱し、排
気ポンプを駆動して反応管13内を排気し減圧す
る。この減圧下で扉14のガス導入ポート22よ
り反応ガスを供給しつつ排気することにより内部
のウエーハ20に薄膜を生成する。
薄膜生成後のウエーハ20をセツトしたボート
21を搬出する場合は、ヒータ18の電源を切
り、吸気側バルブ11、排気側バルブ7及び排風
側バルブ10を開く。この状態で排風ブロワを駆
動して吸気ダクト12より大気(空気)を吸い込
むと、この空気は吸気側バルブ11、空気導入用
断熱部1を経て主断熱筒24と反応管13との間
の空気路を流れ、ヒータ18と反応管13を冷却
し、空気は加熱される。
21を搬出する場合は、ヒータ18の電源を切
り、吸気側バルブ11、排気側バルブ7及び排風
側バルブ10を開く。この状態で排風ブロワを駆
動して吸気ダクト12より大気(空気)を吸い込
むと、この空気は吸気側バルブ11、空気導入用
断熱部1を経て主断熱筒24と反応管13との間
の空気路を流れ、ヒータ18と反応管13を冷却
し、空気は加熱される。
この加熱された空気は空気排出用断熱部2、排
気側バルブ7を経て排風ダクト8に吸い込まれ、
排風ダクト8内のラジエータ9により冷却され
る。この冷却された空気は排風側バルブ10を通
り排風ブロワにより排出される。
気側バルブ7を経て排風ダクト8に吸い込まれ、
排風ダクト8内のラジエータ9により冷却され
る。この冷却された空気は排風側バルブ10を通
り排風ブロワにより排出される。
この場合、吸気ダクト12から排風ブロワに至
る空気路が密閉されていなくても、排風ブロワに
よる吸気排気システムを採用しているため、空気
が漏れて周囲の塵埃を巻き上げることがなく、ウ
エーハ搬入時に塵埃が反応管13内に侵入して雰
囲気を汚染するおそれはない。
る空気路が密閉されていなくても、排風ブロワに
よる吸気排気システムを採用しているため、空気
が漏れて周囲の塵埃を巻き上げることがなく、ウ
エーハ搬入時に塵埃が反応管13内に侵入して雰
囲気を汚染するおそれはない。
このようにしてヒータ18と反応管13を冷却
し、反応管13内が低温になつたとき、扉14を
開いて薄膜生成後のウエーハ20をセツトしたボ
ート21を反応管13より搬出する。次いで薄膜
生成前のウエーハ20をセツトしたボート21を
搬入する場合は反応管13が冷えた状態で搬入し
て扉14を閉じ、ヒータ18に通電して反応管1
3内を加熱し、排気ポンプを駆動して反応管13
内を排気し、減圧下で反応ガスを供給しつつ排気
することにより内部のウエーハ20に薄膜を生成
することになる。
し、反応管13内が低温になつたとき、扉14を
開いて薄膜生成後のウエーハ20をセツトしたボ
ート21を反応管13より搬出する。次いで薄膜
生成前のウエーハ20をセツトしたボート21を
搬入する場合は反応管13が冷えた状態で搬入し
て扉14を閉じ、ヒータ18に通電して反応管1
3内を加熱し、排気ポンプを駆動して反応管13
内を排気し、減圧下で反応ガスを供給しつつ排気
することにより内部のウエーハ20に薄膜を生成
することになる。
本考案では、ヒータ18は主断熱筒24を構成
する内筒4内に絶縁碍子5で支えられているだけ
で熱容量が小さいこと、ヒータ18部は内、外筒
4,3間に空気層23を介在させて構成した主断
熱筒24と、その両端の空気導入用、空気排出用
断熱部1,2により断熱され断熱性に優れている
ことによりヒータ18と反応管13を効率よく急
速冷却、急速加熱することができる。
する内筒4内に絶縁碍子5で支えられているだけ
で熱容量が小さいこと、ヒータ18部は内、外筒
4,3間に空気層23を介在させて構成した主断
熱筒24と、その両端の空気導入用、空気排出用
断熱部1,2により断熱され断熱性に優れている
ことによりヒータ18と反応管13を効率よく急
速冷却、急速加熱することができる。
上述のように本考案によれば、ヒータ18と反
応管13を効率よく急速冷却、急速加熱すること
ができるので、ウエーハ20の搬入出を比較的早
く行うことができ、かつ薄膜生成を迅速に行うこ
とができるから、能率の向上を図ることができ
る。また吸気ダクト12から排風ブロワに至る空
気路が密閉されていなくても、排風ブロワによる
吸気排気システムを採用しているため、空気が漏
れて周囲の塵埃を巻き上げることがなく、ウエー
ハ搬入時に塵埃が反応管13内に侵入して雰囲気
を汚染するおそれはない。
応管13を効率よく急速冷却、急速加熱すること
ができるので、ウエーハ20の搬入出を比較的早
く行うことができ、かつ薄膜生成を迅速に行うこ
とができるから、能率の向上を図ることができ
る。また吸気ダクト12から排風ブロワに至る空
気路が密閉されていなくても、排風ブロワによる
吸気排気システムを採用しているため、空気が漏
れて周囲の塵埃を巻き上げることがなく、ウエー
ハ搬入時に塵埃が反応管13内に侵入して雰囲気
を汚染するおそれはない。
なお、ヒータと反応管13を効率よく急速冷却
することができるので、ウエーハ20の搬入を比
較的早く行つてもウエーハ20の搬入時における
酸化膜の生成を微少に抑制することができ、膜質
の劣化、デバイス性能の低下を招くおそれはな
い。
することができるので、ウエーハ20の搬入を比
較的早く行つてもウエーハ20の搬入時における
酸化膜の生成を微少に抑制することができ、膜質
の劣化、デバイス性能の低下を招くおそれはな
い。
図面は本考案装置の一実施例を示す縦断面図で
ある。 1……空気導入用断熱部、2……空気排出用断
熱部、3……外筒、4……内筒、5……絶縁碍
子、7……排気側バルブ、8……排風ダクト、9
……ラジエータ、10……排風側バルブ、11…
…吸気側バルブ、12……吸気ダクト、13……
反応管、14……扉、16……排気管、18……
ヒータ、20……ウエーハ、21……ボート、2
2……ガス導入ボート、23……空気層、24…
…主断熱筒。
ある。 1……空気導入用断熱部、2……空気排出用断
熱部、3……外筒、4……内筒、5……絶縁碍
子、7……排気側バルブ、8……排風ダクト、9
……ラジエータ、10……排風側バルブ、11…
…吸気側バルブ、12……吸気ダクト、13……
反応管、14……扉、16……排気管、18……
ヒータ、20……ウエーハ、21……ボート、2
2……ガス導入ボート、23……空気層、24…
…主断熱筒。
Claims (1)
- 反応管13内にウエーハ20をセツトしたボー
ト21を搬入し、当該反応管13内を加熱し、減
圧下で反応ガスを供給しつつ排気することにより
内部のウエーハ20に薄膜を生成する減圧CVD
装置において、反応管13の周囲には内、外筒
4,3間に空気層23を介在させて構成した主断
熱筒24を配置し、この主断熱筒24を構成する
内筒4内にヒータ18を絶縁碍子5で支持せし
め、上記主断熱筒24の両端と反応管13の両端
部外周との間にそれぞれ空気導入用断熱部1及び
空気排出用断熱部2を挿設し、この空気導入用断
熱部1の吸気口に吸気側バルブ11を介して吸気
ダクト12を接続し、空気排出用断熱部2の排気
口には排気側バルブ7、排風ダクト8、排風側バ
ルブ10及び排風ブロワをこの順に接続すると共
に、排風ダクト8内にラジエータ9を設けてなる
減圧CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8516586U JPH0441170Y2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8516586U JPH0441170Y2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62194760U JPS62194760U (ja) | 1987-12-11 |
JPH0441170Y2 true JPH0441170Y2 (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=30940321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8516586U Expired JPH0441170Y2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0441170Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP8516586U patent/JPH0441170Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62194760U (ja) | 1987-12-11 |
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