JPH0437602A - シリコンの精製方法 - Google Patents
シリコンの精製方法Info
- Publication number
- JPH0437602A JPH0437602A JP13826790A JP13826790A JPH0437602A JP H0437602 A JPH0437602 A JP H0437602A JP 13826790 A JP13826790 A JP 13826790A JP 13826790 A JP13826790 A JP 13826790A JP H0437602 A JPH0437602 A JP H0437602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- arc
- molten silicon
- heated
- molten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000007670 refining Methods 0.000 title claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 13
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 abstract 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000011148 calcium chloride Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- -1 Ca03i02 Chemical compound 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［岸業上の私用分野１
本発明は、シリコンの精製方法に間し、太陽電池原料と
なる高純度シリコンの製造技術に関する。
なる高純度シリコンの製造技術に関する。
［従来の技術］
太陽電池には、比抵抗が０．１Ωｃｍ以上の高純度シリ
コンがｆｌｌ用されるが、一般に使われる金属シリコン
中には、ボロンが２０ｐｐｍ程度含まれており、上記特
性を得るためには、ボロン含匂量をｉｐｐｍ以下にする
必要がある。このため従来は高価な半導体用シリコンを
利用する他なかった。
コンがｆｌｌ用されるが、一般に使われる金属シリコン
中には、ボロンが２０ｐｐｍ程度含まれており、上記特
性を得るためには、ボロン含匂量をｉｐｐｍ以下にする
必要がある。このため従来は高価な半導体用シリコンを
利用する他なかった。
これに対しで例えば、スラブ゛を用いたスエーデン特許
出願ＰＣＴ／５Ｅ８８１００４６９号公報に記載された
方法や、高周波励起プラズマを用いた特開昭６３−２１
８５ （’） ６号公報に開示されたような方法か報汚
されでいる。これらは工業的に利用するには紅清性にｍ
）題があった。
出願ＰＣＴ／５Ｅ８８１００４６９号公報に記載された
方法や、高周波励起プラズマを用いた特開昭６３−２１
８５ （’） ６号公報に開示されたような方法か報汚
されでいる。これらは工業的に利用するには紅清性にｍ
）題があった。
［発明が解決しようとする３題ｊ
前述した従来技術、たとえは上記スエーデン特許部願の
方法では、シリコン中のボロンを除去するため、処理す
るシリコン量とほぼ等しいスラブが・必要になり、また
特開昭６３−２１８５０６号公報に開示されている方法
では、高周波励起プラズマを用いるため、エネルギー効
率が悪（、かつ装置も複雑になるなど、工業的に有効な
方法とは言い難い。
方法では、シリコン中のボロンを除去するため、処理す
るシリコン量とほぼ等しいスラブが・必要になり、また
特開昭６３−２１８５０６号公報に開示されている方法
では、高周波励起プラズマを用いるため、エネルギー効
率が悪（、かつ装置も複雑になるなど、工業的に有効な
方法とは言い難い。
これに対して本発明は、簡羊な装置を用いて簡便かつ効
率よく、シリコン中のボロンを除去する方法を提供しよ
うとするものである。
率よく、シリコン中のボロンを除去する方法を提供しよ
うとするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明方法は、溶融したシリコン浴面上に１本の電極を
有し、シリコン浴をもう一本の電極とした直流アーク炉
を用いて、溶融シリコンと上記電極を対向電極とし、こ
の対向電極間に直流電流を流すことによって、シリコン
表面近傍に高温のアークを発生させ、このアーク発生部
分に水蒸気、酸素などを含む酸化性ガスを供給し、シリ
コン中のポロンをガスとして除去するものである。
有し、シリコン浴をもう一本の電極とした直流アーク炉
を用いて、溶融シリコンと上記電極を対向電極とし、こ
の対向電極間に直流電流を流すことによって、シリコン
表面近傍に高温のアークを発生させ、このアーク発生部
分に水蒸気、酸素などを含む酸化性ガスを供給し、シリ
コン中のポロンをガスとして除去するものである。
上記脱ポロン反応をさらに促進するためには酸化性ガス
と同時にＣａＯ、５ｉ０２、ＣａＦ２、ＣａＣｆｆ２な
どのフラックスを添加することも有効である。
と同時にＣａＯ、５ｉ０２、ＣａＦ２、ＣａＣｆｆ２な
どのフラックスを添加することも有効である。
また、これらの処理を減圧下で行うと、さらに良い結果
が得られる。
が得られる。
Ｃ作用ｊ
本発明が対象とする領域では、シリコン中のボロンは熱
力学的に安定で、−射的には、これを除去することは難
しい。しかし、これを詳細に検討すると、シリコン表面
に局部的に非常に高温な部分を形成し、ここに酸化性ガ
スを導入すると除去しつる可能性があることがわかり、
これを実験的に確認した。すなわち、本技術によれば？
δ融シリコン表面と、シリコン浴上に設置した電極の間
にアークを発生させ、局部的な高温部を形成し、ここに
外部より水蒸気、酸素、ＣＯ２などを含む酸化性ガスを
導入することによって、シリコン中のポロンが優先的に
ガスとして除去される。
力学的に安定で、−射的には、これを除去することは難
しい。しかし、これを詳細に検討すると、シリコン表面
に局部的に非常に高温な部分を形成し、ここに酸化性ガ
スを導入すると除去しつる可能性があることがわかり、
これを実験的に確認した。すなわち、本技術によれば？
δ融シリコン表面と、シリコン浴上に設置した電極の間
にアークを発生させ、局部的な高温部を形成し、ここに
外部より水蒸気、酸素、ＣＯ２などを含む酸化性ガスを
導入することによって、シリコン中のポロンが優先的に
ガスとして除去される。
ここで用いるアーク電流は、直流を用いることがアーク
の安定性や電極の消耗を抑える点より好ましく、また、
シリコンの表面に、Ｃａ０３ｉ０２、Ｃａ Ｆ ２、Ｃ
ａＣｆｆｚの１種又は２種以上の混合物よりなるスラブ
を少量添加することによって、脱ポロン反応はさらに促
進された。
の安定性や電極の消耗を抑える点より好ましく、また、
シリコンの表面に、Ｃａ０３ｉ０２、Ｃａ Ｆ ２、Ｃ
ａＣｆｆｚの１種又は２種以上の混合物よりなるスラブ
を少量添加することによって、脱ポロン反応はさらに促
進された。
一方、本発明で用いる酸化性ガスは、Ａｒ、Ｈｅなどの
不活性ガスに水蒸気、酸素などを添加したもので、その
添加量はアーク部分のシリコン表面にシリカ（酸化珪素
）の膜が形成しない範囲とすべきて、添加量が過大にな
ると酸化物の皮膜がシリコン表面に形成され、脱ポロン
反応の進行が大幅に妨げられてしまう。
不活性ガスに水蒸気、酸素などを添加したもので、その
添加量はアーク部分のシリコン表面にシリカ（酸化珪素
）の膜が形成しない範囲とすべきて、添加量が過大にな
ると酸化物の皮膜がシリコン表面に形成され、脱ポロン
反応の進行が大幅に妨げられてしまう。
第１図は本発明を実施する装置の１例を示したものであ
る。この装置は炉体酊・↑大物５、炉底屹火物６内の甲
鉛ライニング１内に（δ融シリコン２を保有し、下部電
極３と下部電極４を備え炉蓋７を添えた（δ解炉である
。下部電極３．上部電極４は黒鉛から構成されており、
アーク欠点部（反応部）９を形成する。この反応部９に
向って酸化性ガス吹込みノズル８が炉Ｍ７を貫通して設
けられている。酸化性ガスとしてはＡｒにＨ２Ｏ，０２
又はＣＯ２を混入したガスを用いる。
る。この装置は炉体酊・↑大物５、炉底屹火物６内の甲
鉛ライニング１内に（δ融シリコン２を保有し、下部電
極３と下部電極４を備え炉蓋７を添えた（δ解炉である
。下部電極３．上部電極４は黒鉛から構成されており、
アーク欠点部（反応部）９を形成する。この反応部９に
向って酸化性ガス吹込みノズル８が炉Ｍ７を貫通して設
けられている。酸化性ガスとしてはＡｒにＨ２Ｏ，０２
又はＣＯ２を混入したガスを用いる。
第１図と同し構造を有する（８解ルツボ部の直径が１５
０ｍｍφ、アーク電源出力４０ＫＷの実験炉を用いて２
ｋｇのシリコンを用いて実験した結果、シリコン中のボ
ロン含有量の除去は、シリコン中のポロン濃度の１次式
で整理することができ、さらに条件を変えて実験したと
ころ、シリコン浴面に反応部に導入する酸化性ガスとし
てＡｒカスに加える水蒸気、又は酸素ガス量を増加させ
るほど反応は速く進行するが、水広気添加の場合は５．
５体積％を越えると、また、酸素ガス添加では、０．１
５体積％を越えると、シリコン浴面に酸化皮膜が形成し
て、脱ボロン反応が妨げられてしまうことが１：１１明
した。すなねも、水蒸気濃度５体積％ＹソＦ、または酸
素濃度０則体積％以下が好適な範囲である。
０ｍｍφ、アーク電源出力４０ＫＷの実験炉を用いて２
ｋｇのシリコンを用いて実験した結果、シリコン中のボ
ロン含有量の除去は、シリコン中のポロン濃度の１次式
で整理することができ、さらに条件を変えて実験したと
ころ、シリコン浴面に反応部に導入する酸化性ガスとし
てＡｒカスに加える水蒸気、又は酸素ガス量を増加させ
るほど反応は速く進行するが、水広気添加の場合は５．
５体積％を越えると、また、酸素ガス添加では、０．１
５体積％を越えると、シリコン浴面に酸化皮膜が形成し
て、脱ボロン反応が妨げられてしまうことが１：１１明
した。すなねも、水蒸気濃度５体積％ＹソＦ、または酸
素濃度０則体積％以下が好適な範囲である。
本発明の実施には、通′濱の金属精錬に用いる直流アー
ク炉をｆｌｌ用することができる。これは第１図に示す
ように、泗融シリコン２の浴表面に１本の下部電極４を
有し、対極を溶融シリコン帛そのものとするもので、第
１図に示すように電極のわきに、酸化性ガスを吹き込む
ノズル８を設置することによって簡便に実施することが
できる。また、シリコン２の浴の撹拌を行うために、溶
融シリコン中へのガス吹込みを併用したり、電磁撹拌な
どの装置を併用したり、あるいは本発明技術をシェーキ
ングレードルに適用することも本発明の範囲を逸脱する
ものではない。また酸化性ガス吹込みノズルを上部電極
と一体化しても実施することも可能である。
ク炉をｆｌｌ用することができる。これは第１図に示す
ように、泗融シリコン２の浴表面に１本の下部電極４を
有し、対極を溶融シリコン帛そのものとするもので、第
１図に示すように電極のわきに、酸化性ガスを吹き込む
ノズル８を設置することによって簡便に実施することが
できる。また、シリコン２の浴の撹拌を行うために、溶
融シリコン中へのガス吹込みを併用したり、電磁撹拌な
どの装置を併用したり、あるいは本発明技術をシェーキ
ングレードルに適用することも本発明の範囲を逸脱する
ものではない。また酸化性ガス吹込みノズルを上部電極
と一体化しても実施することも可能である。
［実施例１
第１図に示す装置と同し構造の小型実験炉に２ｋｇのシ
リコンを溶解して、実験を行った結果を第１表に示す。
リコンを溶解して、実験を行った結果を第１表に示す。
この実験に用いたアーク電源は４０ＫＷの直流電源であ
り、電極にはグラファイトを用いた。フラックスの添加
はアーク火、屯部とそれ以外の浴面に行った。また、溶
解したシリコン中の初期のポロン含有量は１７ｐｐｍｗ
であった。第１表には、８２０．０２ガスをキャリーす
るＡｒのｉｔを１５ｆｆ／ｍｉｎとしたときの種々の条
件における結果を示しているが、本発明技術を用いるこ
とで、シリコン中のボロン濃度は、比較的短時間に低減
できることがわかる。
り、電極にはグラファイトを用いた。フラックスの添加
はアーク火、屯部とそれ以外の浴面に行った。また、溶
解したシリコン中の初期のポロン含有量は１７ｐｐｍｗ
であった。第１表には、８２０．０２ガスをキャリーす
るＡｒのｉｔを１５ｆｆ／ｍｉｎとしたときの種々の条
件における結果を示しているが、本発明技術を用いるこ
とで、シリコン中のボロン濃度は、比較的短時間に低減
できることがわかる。
［発明の効果］
従来高価な半導体用の高純度シリコンを使用していた太
陽電池に対して、本技術を利用することによって、金属
シリコンを精製することにより安価な原料を供給するこ
とが可能となり、太陽電池の利用や普及に対して大きく
貢献することができる。
陽電池に対して、本技術を利用することによって、金属
シリコンを精製することにより安価な原料を供給するこ
とが可能となり、太陽電池の利用や普及に対して大きく
貢献することができる。
第１図は本発明の実施に用いる処理装置の例の縦断面図
である。 ■・・・黒鉛ライニング ２・・−溶融シリコン３−・
・下部型ｆＪｊ！４・−・上部電極５−・・炉体１火物
６・・・炉底耐火物７・・・炉蓋 ８・・・酸化性ガス吹込みノズル ９・・、アーク火１点部（反応部う
である。 ■・・・黒鉛ライニング ２・・−溶融シリコン３−・
・下部型ｆＪｊ！４・−・上部電極５−・・炉体１火物
６・・・炉底耐火物７・・・炉蓋 ８・・・酸化性ガス吹込みノズル ９・・、アーク火１点部（反応部う
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 溶融シリコンの精製において、溶融シリコンの浴面
上に設置した電極と溶融シリコンの間に直流電源を印加
してアークを発生させ、該アークにより高温に加熱した
シリコン表面の反応部に水蒸気５体積％以下又は酸素０
．１体積％以下を含むＡｒガスを吹付けることを特徴と
するシリコンの精製方法。 ２ 請求項１記載の方法において、シリコン浴面上にＣ
ａＯ、ＣａＦ＿２、ＳｉＯ＿２、 ＣａＣｌ＿２の１種あるいは２種以上の混合物からなる
フラックスを添加することを特徴とするシリコンの精製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13826790A JP2846408B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | シリコンの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13826790A JP2846408B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | シリコンの精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437602A true JPH0437602A (ja) | 1992-02-07 |
| JP2846408B2 JP2846408B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=15217936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13826790A Expired - Fee Related JP2846408B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | シリコンの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2846408B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0699625A1 (en) * | 1994-09-01 | 1996-03-06 | Elkem A/S | Method for refining silicon |
| WO2003066523A1 (fr) * | 2002-02-04 | 2003-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Procede de purification du silicium, scories pour purifier le silicium et silicium purifie |
| WO2003078319A1 (fr) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Procede pour purifier du silicium, silicium ainsi produit et cellule solaire |
| JP2006219313A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Nippon Steel Corp | シリコン凝固精製装置及び凝固精製方法 |
| KR100721090B1 (ko) * | 1999-06-17 | 2007-05-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 클로로실란류 중의 붕소 화합물의 분리 방법 및클로로실란류 증발용 조성물 |
| US7732012B2 (en) | 2004-06-22 | 2010-06-08 | Shin-Etsu Film Co., Ltd | Method for manufacturing polycrystalline silicon, and polycrystalline silicon for solar cells manufactured by the method |
| WO2014004441A1 (en) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | Silicor Materials Inc. | Flux composition useful in directional solidification for purifying silicon |
| CN105024045A (zh) * | 2014-04-22 | 2015-11-04 | 微宏动力系统（湖州）有限公司 | 用于锂电池负极材料的纳米硅的制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102515168A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-06-27 | 昆明理工大学 | 一种去除工业硅中杂质硼的方法 |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP13826790A patent/JP2846408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0699625A1 (en) * | 1994-09-01 | 1996-03-06 | Elkem A/S | Method for refining silicon |
| US5788945A (en) * | 1994-09-01 | 1998-08-04 | Elkem Asa | Method for refining of silicon |
| KR100721090B1 (ko) * | 1999-06-17 | 2007-05-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 클로로실란류 중의 붕소 화합물의 분리 방법 및클로로실란류 증발용 조성물 |
| WO2003066523A1 (fr) * | 2002-02-04 | 2003-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Procede de purification du silicium, scories pour purifier le silicium et silicium purifie |
| WO2003078319A1 (fr) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Procede pour purifier du silicium, silicium ainsi produit et cellule solaire |
| US7732012B2 (en) | 2004-06-22 | 2010-06-08 | Shin-Etsu Film Co., Ltd | Method for manufacturing polycrystalline silicon, and polycrystalline silicon for solar cells manufactured by the method |
| JP2006219313A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Nippon Steel Corp | シリコン凝固精製装置及び凝固精製方法 |
| WO2014004441A1 (en) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | Silicor Materials Inc. | Flux composition useful in directional solidification for purifying silicon |
| JP2015521581A (ja) * | 2012-06-25 | 2015-07-30 | シリコー マテリアルズ インコーポレイテッド | シリコンを精製するための方向性凝固において有用なフラックス組成物 |
| US9512008B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-12-06 | Silicor Materials, Inc. | Flux composition useful in directional solidification for purifying silicon |
| CN105024045A (zh) * | 2014-04-22 | 2015-11-04 | 微宏动力系统（湖州）有限公司 | 用于锂电池负极材料的纳米硅的制备方法 |
| CN105024045B (zh) * | 2014-04-22 | 2017-11-03 | 微宏动力系统（湖州）有限公司 | 用于锂电池负极材料的纳米硅的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2846408B2 (ja) | 1999-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3205352B2 (ja) | シリコン精製方法及び装置 | |
| KR100275973B1 (ko) | 금속 실리콘으로부터의 붕소제거 방법 및 장치 | |
| JPH0437602A (ja) | シリコンの精製方法 | |
| KR100935959B1 (ko) | 고순도 실리콘 제작 방법 | |
| KR890003675B1 (ko) | 규소분말의 용융응고법 | |
| JP3848816B2 (ja) | 高純度金属精製方法及びその装置 | |
| JP2003012317A (ja) | シリコンの精製方法 | |
| JPH05262512A (ja) | シリコンの精製方法 | |
| JPH05139713A (ja) | シリコンの精製方法及びその装置 | |
| RU2146650C1 (ru) | Способ рафинирования кремния и его сплавов | |
| JP5084144B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| JP2004125246A (ja) | 高純度Ｓｉの溶解方法およびこれに用いる溶解装置 | |
| JPH10153693A (ja) | 放射性固体廃棄物の溶融処理方法 | |
| JP2000264611A (ja) | 燐回収設備及び燐回収方法 | |
| JPH02267110A (ja) | 金属シリコン脱炭用ランスおよび脱炭方法 | |
| JPH0416504A (ja) | シリコンの精製方法 | |
| RU2635157C1 (ru) | Способ очистки технического кремния | |
| RU2381990C1 (ru) | Способ вакуумной очистки кремния | |
| JP2568076B2 (ja) | 冶金容器の壁上への付着物の形成を防止する方法及びこの方法を実施するのに適した冶金容器 | |
| JPH10120412A (ja) | 金属シリコンの精製方法 | |
| JPH10130011A (ja) | 金属シリコンからのボロン除去方法 | |
| JPH05246706A (ja) | シリコンの精製方法及びその装置 | |
| JPH06115922A (ja) | シリコン精製方法 | |
| US7815882B2 (en) | Method and apparatus for refining boron-containing silicon using an electron beam | |
| JPS644967B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |