JPH04367A - 高絶縁性金属アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents
高絶縁性金属アルミニウム基板の製造方法Info
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- JPH04367A JPH04367A JP9870590A JP9870590A JPH04367A JP H04367 A JPH04367 A JP H04367A JP 9870590 A JP9870590 A JP 9870590A JP 9870590 A JP9870590 A JP 9870590A JP H04367 A JPH04367 A JP H04367A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- LELOWRISYMNNSU-UHFFFAOYSA-N hydrogen cyanide Chemical compound N#C LELOWRISYMNNSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は絶縁性や放熱性に優れた金属アルミニウム基板
を製造する方法に関するものである。
を製造する方法に関するものである。
[従来の技術]
近年、電子機器の高速化、集積密度の増加に伴って基板
の高絶縁化、高放熱化が重要課題として挙げられている
。そして現在電子用基板としてプラスチック、金属、セ
ラミック等を材料としたちのがある。
の高絶縁化、高放熱化が重要課題として挙げられている
。そして現在電子用基板としてプラスチック、金属、セ
ラミック等を材料としたちのがある。
[発明が解決しようとするNMl
ところで、プラスチックを材料とした基板は安価に製造
でき絶縁性も高いが、放熱性ががなり低いという問題が
ある。またセラミックを材料とした基板は絶縁性が鳥い
が、放熱性の点で金属に劣る。これに対して金属は放熱
性という7αでは他に比べて非常に優れているが、絶縁
性において他のものに比べて劣るという問題がある。
でき絶縁性も高いが、放熱性ががなり低いという問題が
ある。またセラミックを材料とした基板は絶縁性が鳥い
が、放熱性の点で金属に劣る。これに対して金属は放熱
性という7αでは他に比べて非常に優れているが、絶縁
性において他のものに比べて劣るという問題がある。
本発明は叙述の点に鑑みてなされたものであって、本発
明の目的とするところは金属アルミニツムの有する高い
放熱性に着目し、その表面を窒化層にすることで絶縁性
、放熱性ともに優れた金属アルミニウム基板を形成する
ことができる高絶縁性金属アルミニウム基板の製造方法
を提供するにある。
明の目的とするところは金属アルミニツムの有する高い
放熱性に着目し、その表面を窒化層にすることで絶縁性
、放熱性ともに優れた金属アルミニウム基板を形成する
ことができる高絶縁性金属アルミニウム基板の製造方法
を提供するにある。
[課題を解決するための手段J
上記目的を達成するため本発明高絶縁性金属アルミニウ
ム基板の製造方法は、金属アルミニツム板の表面上に窒
素イオンを注入し、この金属アルミニウム板を活性種雰
囲気に曝すことで表面に窒化アルミニツム薄膜を形成す
ることを特徴とする。
ム基板の製造方法は、金属アルミニツム板の表面上に窒
素イオンを注入し、この金属アルミニウム板を活性種雰
囲気に曝すことで表面に窒化アルミニツム薄膜を形成す
ることを特徴とする。
[作用]
金属アルミニウム板を酸化あるいは熱変形させたりする
ことな(窒化して表面に窒化アルミニウム薄膜を形成で
きる。この窒化アルミニウム板膜にて高絶縁性を維持で
きる。
ことな(窒化して表面に窒化アルミニウム薄膜を形成で
きる。この窒化アルミニウム板膜にて高絶縁性を維持で
きる。
[実施例]
先ず金属アルミニウム板1の表面にイオン銃Aを用いて
窒素イオン(N2’−)を注入する。次にその金属アル
ミニウム板1を気体状活性種の雰囲気内にて一定時間放
置する。つまり、t!J1図(a)に示すような金属ア
ルミニウム板1の表面に第1図(b)に示すように窒素
イオン(N2”)を注入し、活性種雰囲気にて第1図(
c)に示すように表面に窒化アルミニウム(AQN)薄
膜2を形成する。気体状活性種の発生源としては、誘導
結合高周波プラズマ、マイクロ波誘導プラズマ、グロー
放電、アーク放電などが好適である。気体状活性種とし
ては7ンモニ7、水素、メタン、エタン、プロパン、シ
アン化水素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセ
ノンなどの活性水素原子を供与し得るものや1l121
起エネルギーの高い活性種を生成し得る気体を囃独また
は混合して用いる。窒素イオンを注入するイオン銃Aは
第2図に示すように構成されている。第2図で3はイオ
ン源、4は引き出し電極、5は加速管、6は質量分離用
電磁石、7は収束レンズ、8は偏向電極である。このイ
オン銃Aにて金属アルミニウム板1の表面に窒素イオン
が注入される。また気体状活性種の発生源としてのマイ
クロR誘導プラズマ反応装置Bは第3図に示すように構
成されている。9は〃ラス容器、10はマイクロ波電源
、1],12.13はバルブ、14はトラッパ−15は
排気ポンプ、16は反応ガスの供給部である。このマイ
クロ波誘導プラズマ反応装置Bにて気体状活性種の雰囲
気に曝して金属アルミニウム板1の表面に窒化アルミニ
ウム薄膜2を形成する。また本発明の製造方法では窒素
イオンをイオン銃Aを用いて注入するので金属アルミニ
ラム板1の厚さに合わせて注入深さを容易に制御できる
。また気体状活性種による低温処理のため金属アルミニ
ウム板1を酸化あるいは熱変形させることなく製造でき
る。
窒素イオン(N2’−)を注入する。次にその金属アル
ミニウム板1を気体状活性種の雰囲気内にて一定時間放
置する。つまり、t!J1図(a)に示すような金属ア
ルミニウム板1の表面に第1図(b)に示すように窒素
イオン(N2”)を注入し、活性種雰囲気にて第1図(
c)に示すように表面に窒化アルミニウム(AQN)薄
膜2を形成する。気体状活性種の発生源としては、誘導
結合高周波プラズマ、マイクロ波誘導プラズマ、グロー
放電、アーク放電などが好適である。気体状活性種とし
ては7ンモニ7、水素、メタン、エタン、プロパン、シ
アン化水素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセ
ノンなどの活性水素原子を供与し得るものや1l121
起エネルギーの高い活性種を生成し得る気体を囃独また
は混合して用いる。窒素イオンを注入するイオン銃Aは
第2図に示すように構成されている。第2図で3はイオ
ン源、4は引き出し電極、5は加速管、6は質量分離用
電磁石、7は収束レンズ、8は偏向電極である。このイ
オン銃Aにて金属アルミニウム板1の表面に窒素イオン
が注入される。また気体状活性種の発生源としてのマイ
クロR誘導プラズマ反応装置Bは第3図に示すように構
成されている。9は〃ラス容器、10はマイクロ波電源
、1],12.13はバルブ、14はトラッパ−15は
排気ポンプ、16は反応ガスの供給部である。このマイ
クロ波誘導プラズマ反応装置Bにて気体状活性種の雰囲
気に曝して金属アルミニウム板1の表面に窒化アルミニ
ウム薄膜2を形成する。また本発明の製造方法では窒素
イオンをイオン銃Aを用いて注入するので金属アルミニ
ラム板1の厚さに合わせて注入深さを容易に制御できる
。また気体状活性種による低温処理のため金属アルミニ
ウム板1を酸化あるいは熱変形させることなく製造でき
る。
次に本発明を具体例によりさらに詳しく説明する。
(具体例1)
厚さ1.5−一でサイズが5emXfOc糟の金属アル
ミニウム板を用意し、加速電圧150KeVでイオン銃
を用いて加速し、金属アルミニウム板に窒素イオンを照
射した。このときの窒素イオン注入量は101フイオン
/c−2である。また窒素イオンの注入深さを二次イオ
ン質量分析法により調べたところ5000〜6000人
の範囲でN2”が注入されていることが確認された。こ
の金属アルミニウム板を、ヘリウム二水素=50:1の
混合気体を導入したマイクロ波誘導プラズマ中で2時間
処理した。この際のプラズマ操作条件は、使用マイクロ
波2450MHz、主力SOWであった。
ミニウム板を用意し、加速電圧150KeVでイオン銃
を用いて加速し、金属アルミニウム板に窒素イオンを照
射した。このときの窒素イオン注入量は101フイオン
/c−2である。また窒素イオンの注入深さを二次イオ
ン質量分析法により調べたところ5000〜6000人
の範囲でN2”が注入されていることが確認された。こ
の金属アルミニウム板を、ヘリウム二水素=50:1の
混合気体を導入したマイクロ波誘導プラズマ中で2時間
処理した。この際のプラズマ操作条件は、使用マイクロ
波2450MHz、主力SOWであった。
以上の処理の結果得られた基板の表面の窒化度をX線回
折法を用いて調べたところ、良好な結晶性を有するAQ
、N層が形成されていることが確認された。
折法を用いて調べたところ、良好な結晶性を有するAQ
、N層が形成されていることが確認された。
(具体例2)
具体例1と同じ厚さ及びサイズの金属アルミニウム板に
具体例1と同様の条件で窒素イオンを注入した。この金
属アルミニウム板をヘリウム:アンモニア=100:1
の混合気体を導入したマイクロ波誘導プラズマ(操作条
件は具体例1と同じ)中で処理した。得られた基板の表
面の窒化度をX線回折法により調べたところ、表面の窒
化度が非常に^いことが確認された。
具体例1と同様の条件で窒素イオンを注入した。この金
属アルミニウム板をヘリウム:アンモニア=100:1
の混合気体を導入したマイクロ波誘導プラズマ(操作条
件は具体例1と同じ)中で処理した。得られた基板の表
面の窒化度をX線回折法により調べたところ、表面の窒
化度が非常に^いことが確認された。
[発明の効果1
本発明はR述の如く金属アルミニラム板の表面上に窒素
イオンを注入し、この金属アルミニウム板を活性種雰囲
×に曝すことで表面に窒化アルミニウム薄膜を形成する
ので、熱伝導性のよい金属アルミニウム板の表面を窒化
アルミニウム薄膜にて絶縁できるものであって、高放熱
性と高絶縁性を兼ね備えた基板を得ることができるもの
である。
イオンを注入し、この金属アルミニウム板を活性種雰囲
×に曝すことで表面に窒化アルミニウム薄膜を形成する
ので、熱伝導性のよい金属アルミニウム板の表面を窒化
アルミニウム薄膜にて絶縁できるものであって、高放熱
性と高絶縁性を兼ね備えた基板を得ることができるもの
である。
fs1図は本発明の製造方法の工程を説明する説明図、
第2図はイオン銃の概略図、第3図はマイクロ波誘導プ
ラズマ反応装置の概略図であって、1は金属アルミニウ
ム板、2は窒化アルミニウム薄膜である。 第1 (b) (C) 代理人 弁理士 石 1)長 七 第2図
第2図はイオン銃の概略図、第3図はマイクロ波誘導プ
ラズマ反応装置の概略図であって、1は金属アルミニウ
ム板、2は窒化アルミニウム薄膜である。 第1 (b) (C) 代理人 弁理士 石 1)長 七 第2図
Claims (1)
- [1]金属アルミニウム板の表面上に窒素イオンを注入
し、この金属アルミニウム板を活性種雰囲気に曝すこと
で表面に窒化アルミニウム薄膜を形成することを特徴と
する高絶縁性金属アルミニウム基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9870590A JPH04367A (ja) | 1990-04-14 | 1990-04-14 | 高絶縁性金属アルミニウム基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9870590A JPH04367A (ja) | 1990-04-14 | 1990-04-14 | 高絶縁性金属アルミニウム基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04367A true JPH04367A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14226924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9870590A Pending JPH04367A (ja) | 1990-04-14 | 1990-04-14 | 高絶縁性金属アルミニウム基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04367A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023116536A1 (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | 深圳市合元科技有限公司 | 发热组件和气溶胶生成装置 |
-
1990
- 1990-04-14 JP JP9870590A patent/JPH04367A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023116536A1 (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | 深圳市合元科技有限公司 | 发热组件和气溶胶生成装置 |
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