JPH04360510A - 立方晶窒化ホウ素基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ダイオ−ド、トランジ
スタ、センサ等の各種半導体デバイス、絶縁膜、あるい
は超硬工具材料として有用な立方晶窒化ホウ素を成長さ
せるための基板に関する。特に大量にしかも安価に半導
体デバイスや超硬工具材料等を生産する上で有利な、面
積が大きく表面が平滑な、立方晶窒化ホウ素基板に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】窒化ホウ素（ＢＮ）は窒素Ｎとホウ素Ｂ
の化合物である。立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）、六方
晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）、乱層構造窒化ホウ素（ｔ−
ＢＮ）、アモルファス窒化ホウ素（ａ−ＢＮ）などの構
造体がある。ｈ−ＢＮはＢとＮとよりなる六角形の平面
構造がｃ軸方向に多層積層された構造である。ｔ−ＢＮ
はｈ−ＢＮがさらに乱れた構造のものである。ｃ−ＢＮ
は閃亜鉛鉱（ＺｎＳ）型の結晶構造をとる立方晶系（ｃ
ｕｂｉｃ）の物質である。すなわち立方体の隅部と面心
位置に一方の元素があり、その一方の元素から１／４、
１／４、１／４ずれた位置に他方の元素がある。

【０００３】ＢＮは炭素（Ｃ）に似た物質である。炭素
も、グラファイト、ダイヤモンド、アモルファス炭素（
ａ−ｃ）などの異なる構造体を持つ。大ざっぱに言えば
、ｈ−ＢＮがグラファイトに、ａ−ＢＮがアモルファス
炭素に、ｃ−ＢＮがダイヤモンドに対応する。物性も炭
素の対応物に似ている。ダイヤモンドが作りにくいのと
同様、ｃ−ＢＮはこれらの構造体の中でもひときわ作り
難い。しかし反面ｃ−ＢＮは極めて優れた性質を持つ物
質である。下記に述べるようにｃ−ＢＮは幅広い応用が
期待できる材料として強い期待が寄せられている。

【０００４】ｃ−ＢＮはｐ型、ｎ型ともにド−ピング可
能なワイドギャップ半導体として有望である。具体的に
はその優れた耐熱性、高い絶縁破壊強度、高い熱伝導率
を活かした耐環境デバイス、パワーデバイス、あるいは
紫外〜青色発光デバイス材料として期待されている。ｐ
型にするには、Ｂｅなどのド−パントをド−プする。ｎ
型にするには、ＳｉやＳなどのド−パントをド−プすれ
ばよい。バンドギャップが広いので温度変化によるキャ
リヤ密度の変化が少なく、比較的高温まで真性領域に入
らない。ド−ピングを行わない場合には、ｃ−ＢＮは絶
縁性、熱伝導性に優れた絶縁膜となる。これは半導体デ
バイスの層間絶縁膜などへの応用が注目されている。

【０００５】またｃ−ＢＮはダイヤモンドに並ぶ高い硬
度を有し工具材料としても極めて有望である。ダイヤモ
ンドは鉄と合金を作るので鉄の切削には使えないから、
鉄系材料の加工にはｃ−ＢＮ工具が最適である。しかし
、工具や絶縁膜として実用化されているのはｃ−ＢＮの
多結晶もしくは焼結体である。これらの用途に対しては
多結晶や焼結体でもよいのであるが、半導体デバイス用
としては単結晶のｃ−ＢＮでなければ役に立たない。 現在、ｃ−ＢＮ単結晶は高圧合成法によってのみ得られ
る。これは薄膜ではなくバルク単結晶を作る方法である
。ブリッジマン法やチョクラルスキー法のような通常よ
く使われる単結晶成長法は適用できない。これはＢＮ材
料を高圧高温で立方晶にするものである。

【０００６】ド−ピングを行ったｃ−ＢＮのバルク単結
晶でｐｎ接合ダイオ−ドを試作し、５００℃以上の高温
でも整流性を示し、順バイアス時に紫外〜可視光の発光
が得られたという報告もなされている。しかしこれはコ
ストの点で実用的でない。高圧合成法では、未だ大きい
バルク結晶はできず、直径数ｍｍ程のものしかできない
。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】既に述べたように、現
在ｃ−ＢＮ単結晶を作る方法は高圧合成法しかない。こ
れで作ったｃ−ＢＮ単結晶は直径が僅か数ｍｍ程度の粒
状結晶である。現在のところ大きい単結晶のｃ−ＢＮ基
板を得ることはできない。大きい単結晶基板が得られな
ければ、Ｓｉ半導体のように、ウエハプロセスによって
同一の半導体を数多く一挙に製作するということができ
ない。それでは生産性が悪く品質が一定しないので実用
的な半導体デバイスを作る事ができない。実用化のため
には大面積の基板が不可欠である。

【０００８】単に面積が小さいというだけでなく、高圧
合成法は高価な高圧発生装置を必要とする。このため合
成した単結晶の価格が極めて高くなってしまう。これも
従来技術の重大な欠陥である。ｃ−ＢＮ単結晶の幅広い
応用を考えるとき、大きな面積の、平滑なｃ−ＢＮ基板
を、安価に形成することができるのでなければならない
。

【０００９】以上はバルクのｃ−ＢＮの事である。ｃ−
ＢＮを成長させる基板であるから、ｃ−ＢＮを基板とす
るのが最も良い。しかしバルクのｃ−ＢＮができないの
で、ｃ−ＢＮ以外の物質を基板として、この上にｃ−Ｂ
Ｎの単結晶薄膜を形成するという事が次善の策として考
えられよう。

【００１０】従来から熱ＣＶＤ法、ＲＦプラズマＣＶＤ
法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法や、Ｉ
ＶＤ法（イオン蒸着：Ｉｏｎ　　Ｖａｐｏｒ　　Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンプレーティング法、活性化反
応性蒸着法、スパッタ法などのＰＶＤ法によってなんら
かの基板の上にｃ−ＢＮ薄膜を成長するという事が試み
られてきた。

【００１１】既に、ＳｉやＮａＣｌなどの単結晶基板上
にｃ−ＢＮ薄膜が形成できたという多くの報告がなされ
ている。しかしこれらは全体がｃ−ＢＮであるのではな
いし、いわんや全体が単結晶になっているのではない。 このような単結晶Ｓｉ、単結晶ＮａＣｌ基板の上にＣＶ
Ｄ法、ＰＶＤ法で成長させたものは、現在のところたか
だか直径数１００Åの微結晶ｃ−ＢＮからなる多結晶薄
膜にすぎない。現在なお大きな面積の平滑な単結晶薄膜
がＣＶＤ法、ＰＶＤ法によっても得られていない。しか
し、半導体素子を形成するための半導体材料であるため
には良好な単結晶、もしくは単結晶層であることが必要
である。特に半導体素子の特性向上のためには結晶欠陥
の少ない単結晶が不可欠である。

【００１２】ところが、単結晶バルクｃ−ＢＮは現在の
ところ高圧合成法で小さいものができるだけである。薄
膜単結晶ｃ−ＢＮは未だにできない。このため大面積の
ｃ−ＢＮ単結晶基板というものは未だに存在しない。ど
うしてＳｉ、ＮａＣｌ単結晶の上にｃ−ＢＮ単結晶が成
長しないのかというと、これは格子定数の違いが大きす
ぎるためである。ｃ−ＢＮは閃亜鉛鉱型の結晶構造で格
子定数が３．６１５Åである。Ｓｉはダイヤモンド型の
結晶構造で、ｃ−ＢＮとよく似ている。しかしＳｉの格
子定数は５．４３０１Åであって、格子定数が１．８Å
も違う。このため格子不整合が大きい。このような理由
でＳｉ単結晶の上にｃ−ＢＮをエピタキシャル成長させ
単結晶薄膜を得るということができない。

【００１３】ＮａＣｌはＮａＣｌ型の結晶構造を持ちｃ
−ＢＮとは全く違う。しかも格子定数が５．６２Åで、
ｃ−ＢＮの３．６１５Åと大きく異なっている。このた
めＮａＣｌ単結晶とｃ−ＢＮとは格子不整合が大きすぎ
て、ＮａＣｌ基板の上にｃ−ＢＮをエピタキシャル成長
させることができないのである。このような難点を解決
し、大面積の平滑なｃ−ＢＮ基板もしくは単結晶ｃ−Ｂ
Ｎ基板を大量かつ安価に提供する事が本発明の目的であ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のｃ−ＢＮ基板は
、Ｓｉ基板とその上に形成されたＣｕ基板とさらにその
上に形成されたｃ−ＢＮ層とよりなる。本発明に於いて
使用するＳｉ基板は、引き上げ法等の通常の方法により
製造されたインゴットから切り出した基板で良い。Ｓｉ
を使うのは高純度の単結晶がえやすいからである。これ
をＣｕ単結晶成長の為の基板として使う。Ｓｉ基板上に
中間層として形成するＣｕは真空蒸着法や分子線エピタ
キシャル法（ＭＢＥ）、その他のＰＶＤ法によって成長
させることができる。単結晶Ｃｕであることが望ましい
。多結晶であればできるだけＣｕ結晶粒径の大きなもの
が望ましい。格子定数を合わせるためであるからＣｕの
厚みは薄くて良い。

【００１５】Ｃｕ基板の上に形成するｃ−ＢＮは、前述
したような公知のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　Ｖａｐ
ｏｒ　　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＰＶＤ（Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌＶａｐｏｒ　　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によ
って形成できる。このｃ−ＢＮは単結晶である事がもち
ろん望ましい。しかしｃ−ＢＮは多結晶になる事もある
。この場合に於いても表面粗さが１０００Å程度か又は
それ以下である事が要求される。

【００１６】

【作用】ｃ−ＢＮは閃亜鉛鉱型の結晶構造で格子定数は
３．６１５Åである。ＳｉやＮａＣｌなど格子定数がｃ
−ＢＮのそれと大きく異なるものを基板とせず、本発明
ではＳｉ基板上に中間層として平滑なＣｕ層を介在させ
る事により、その上に平滑ｃ−ＢＮを成長させる事に成
功している。Ｃｕの格子定数は３．６１４７Åであり、
ｃ−ＢＮの格子定数３．６１５Åに近い。結晶構造も面
心立方型で、ｃ−ＢＮの構造に近い。そこでＳｉ基板上
にエピタキシャル成長したＣｕ層上に、結晶構造や格子
定数の極めて近いｃ−ＢＮを成長させると平滑なｃ−Ｂ
Ｎが得られるものと考えられる。

【００１７】もしもＣｕが単結晶であれば、この上に成
長するｃ−ＢＮも単結晶になる確率が高い。また単結晶
にならないとしても、平滑なｃ−ＢＮが得られる。本発
明でいう平滑なｃ−ＢＮ層とは、その表面粗さが表面粗
さ計による測定でＲｍａｘ　が１０００Å程度以下のも
のである。このような平滑なｃ−ＢＮ層は、単結晶であ
るか、双晶を含む単結晶であるか、あるいは粒径が数μ
ｍ以上の多結晶からなる多結晶であると考えられる。こ
の中ではもちろん双晶を含まない単結晶であるのが望ま
しい。図１に本発明の基板の概略構造を示す。

【００１８】ここでｃ−ＢＮ層としてはノンド−プ層で
あってもよい。この上にさらにｐ型、ｎ型のｃ−ＢＮ層
をエピタキシャル成長して所望の活性層を作ればよいの
である。ノンド−プ層であれば、これは絶縁体であるの
で素子間分離がそれによってなされる。しかしノンド−
プ層に限定されるわけではない。Ｓｉ基板上にエピタキ
シャル成長したＣｕ層の上に形成するｃ−ＢＮ層は、Ｓ
ｉやＳをド−プしたｎ型半導体とすることもできる。あ
るいはＢｅをド−プしたｐ型半導体としてもよい。そう
すれば基板の一部を半導体デバイスの能動層の一部とし
て利用する事ができる。

【００１９】以上に説明したものは３層構造の基板であ
るが、Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長したＣｕ層の上
に、ノンド−プｃ−ＢＮを形成し、さらにその上にｐ型
又はｎ型不純物をド−ピングしたｃ−ＢＮ層を積層した
４層構造としてもよい。図２にこれを示す。さらに下地
基板であるＳｉ及びＣｕをエッチング又は研磨によって
除去することにより、ｃ−ＢＮのみからなる自立膜とす
ることもできる。図３にこれを示す。Ｃｕ層の上に形成
するｃ−ＢＮ層の膜厚は厚すぎると熱膨張係数の差によ
って基板の反りが生ずるので１０μｍ以下が望ましい。 しかし前述のようにＣｕ層をエッチング除去して、ｃ−
ＢＮの自立膜とする場合は、膜厚を１０μｍ以上にして
もよい。

【００２０】一方、形成するＣｕ中間層の膜厚は、薄す
ぎると中間層としての効果がなく中間層に平滑なｃ−Ｂ
Ｎ層が得られないため、少なくとも２０Å以上が好まし
い。又Ｃｕ中間層上に成長させるｃ−ＢＮ層を半導体デ
バイスの能動層として用いる場合には、下地基板界面か
ら発生する転位の影響を避ける為、少なくとも１０００
Å以上であることが望ましい。更に、ｃ−ＢＮ形成時の
基板温度は高すぎると中間層であるＣｕが蒸発してしま
うので、１０００℃以下が好ましい。

【００２１】

【実施例】

［実施例１］　　図１に示すような基板を次のように作
製した。シリコン基板の上にＣｕを成長させるのはＭＢ
Ｅ法、Ｃｕの上にｃ−ＢＮを成長させるのはマグネトロ
ンスパッタ法を用いた。基板は直径２インチ面方位（１
００）の単結晶Ｓｉである。バッフア−ドフツ酸により
表面酸化膜を除去したものを用いた。図４にＭＢＥ装置
の概略を示す。真空チャンバ１は超高真空に引くことの
できる容器である。真空チャンバ１の中央にマニピュレ
−タ２が設けられる。これは基板を保持し加熱回転する
ものである。マニピュレ−タの斜め下方に幾つかの分子
線セル３が設けられる。分子線セルは、るつぼ４、ヒ−
タ５、反射板６等を備える。原料融液７がるつぼ４の中
にあり加熱気化して分子線となり基板に向けて飛ぶ。基
板１０はマニピュレ−タ２に下向きに取り付けられてお
りヒ−タ９によって適当な温度に加熱されている。ここ
では基板としてＳｉ単結晶を用い分子線セルの原料とし
てＣｕを用いる。基板温度は３００℃とした。こうして
厚み２０００ÅのＣｕ薄膜を成長させた。

【００２２】このＣｕ膜の結晶状態を高速反射電子線回
折により観察したところ、単結晶Ｃｕに対応したストリ
−ク状の回折パタ−ンが認められた。（１００）面を持
つ単結晶であることが確認された。また表面粗さ計によ
りＣｕ面を測定したところ、表面粗さの最大は１００Å
であった。次にこのＣｕ中間層の上にマグネトロンスパ
ッタ法により膜厚１μｍのｃ−ＢＮ層を形成した。マグ
ネトロンスパッタ装置は、図５に示すように反応室２２
の中に、下部電極２３、基板ホルダ２６（上部電極に当
たる）、ヒ−タ２７などを設けたものである。基板３４
はＳｉ基板の上にＣｕ薄膜を形成したものであるがこれ
が基板ホルダ２６に下向きに取り付けられる。ヒ−タ２
７は基板を適当な温度に加熱するためのものである。反
応室２２には排気口２５があり真空排気装置（図示せず
）につながっている。ガス導入口２８からは原料ガスを
導入できるようになっているがここでは窒素ガスを導入
する。コンダクタンスバルブ２９によって、圧力を調整
することができる。

【００２３】下部電極２３にはマグネット３２が設置さ
れている。この上にｈ−ＢＮのタ−ゲット２４が置かれ
ている。下部電極２３は第１の高周波電源発振器３０に
より高周波電力が供給される。基板ホルダ２６にも第２
の高周波電源発振器３１によって高周波電力が与えられ
る。スパッタリング装置であるので、窒素ガスなどを高
周波電力で励起してプラズマとする。マグネットの作用
でプラズマ励起密度が高まる。これをｈ−ＢＮのタ−ゲ
ットに当てて、衝撃力によりＢＮを飛び出させる。この
ＢＮが加熱された基板３４に当たるので、ｃ−ＢＮの薄
膜が基板３４の上に堆積される。基板温度は３００℃、
チャンバ内の圧力は２×１０−２Ｔｏｒｒであった。得
られた１μｍ厚のｃ−ＢＮ層の結晶状態を高速反射電子
線回折により観察した。その結果、若干の双晶を含むも
のの単結晶ｃ−ＢＮに対応するストリ−ク状の回折パタ
−ンが得られた。これは双晶を含んだ（１００）面をも
つｃ−ＢＮであることが分かった。表面粗さは最大で１
２０Åであった。

【００２４】［比較例１］実施例１と同じ単結晶Ｓｉ基
板上に、Ｃｕ中間層を形成することなく直接に実施例１
と同じ条件のマグネトロンスパッタ法によって１μｍの
ｃ−ＢＮを成長させた。得られた膜を高速反射電子線回
折により評価した結果ｃ−ＢＮに対応したリングパタ−
ンとなっており多結晶薄膜であることが分かった。表面
粗さは最大で１３００Åであった。

【００２５】［実施例２］　　用いる基板を（１１１）
面のＳｉ基板とした。その他の条件は実施例１と同様に
して２５００Å厚みのＣｕ薄膜をＳｉ基板の上にＭＢＥ
法で成長させた。高速電子線回折の結果このＣｕ層は単
結晶の（１１１）面を持つＣｕであることが分かった。 次にこのＣｕ中間層の上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法に
より膜厚２μｍのｃ−ＢＮ層を形成した。図６に装置の
概要を示す。導波管１１、誘電体窓１２を通ってマイク
ロ波がチャンバ１３の中に導入される。チャンバ１３に
は導入管１４から原料ガスが導入される。チャンバ１３
の外周にはコイル１５があってマイクロ波周波数に対し
て電子のサイクロトロン運動が共鳴できる大きさの磁場
をチャンバ内に形成している。チャンバ内には基板１６
を戴置したサセプタ１７が設けてある。サセプタ１７の
中にはヒ−タ１８があって基板１６を適当な温度に加熱
している。基板には高周波電源発振器２０によって高周
波バイアスが印加されている。

【００２６】チャンバ内に縦方向に磁力線が形成されガ
ス中の電子がこの磁力線に捕らえられてサイクロトロン
運動する。これがマイクロ波と共鳴するかまたは共鳴に
近い条件で運動するのでマイクロ波のエネルギ−を吸収
し加速されガス分子に衝突するからプラズマ２１が高濃
度に励起される。これが気相反応を起こし反応生成物が
基板上に成長する。成長条件は： 　　　　　　　　　　　　　　　　原料ガス　　　　　
　Ｈ２　、Ｂ２　Ｈ６　、ＮＨ３　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｈ２　（希
釈ガス）　　　　１０　　　　ｓｃｃｍ　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＮＨ
３　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５ｓｃｃｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　Ｂ２　Ｈ６　　　　　　　　　　　　　　　
０．１ｓｃｃｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　基板温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　２５０　　℃　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　圧力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　３×１０−３Ｔｏｒｒ　　　　　　　　　　
　　　　　　　　マイクロ波パワ−　　　　　　　　　
　　　　　３００　　Ｗ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　ｃ−ＢＮ膜厚　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　２　　μｍ　　である。得られたｃ−ＢＮ層
について高速電子線回折を行った。これは若干の双晶を
含むものの単結晶ｃ−ＢＮに対応したストリ−ク状の回
折パタ−ンが得られた。双晶を含んだ（１１１）面の単
結晶ｃ−ＢＮであることが分かった。つまり最下層のＳ
ｉ基板の結晶方位に従う膜形成ができるということであ
る。表面粗さの最大値は１４０Åであった。十分に満足
できる平滑さである。

【００２７】

【発明の効果】本発明のｃ−ＢＮ基板は、平滑であって
大面積でありしかも単結晶である。この上に、ｃ−ＢＮ
薄膜を成長させる場合の基板として用いる事ができる。 従ってｃ−ＢＮ半導体素子を製造する際に極めて有利で
ある。さらにｃ−ＢＮを用いた工具を製作する場合にも
本発明のｃ−ＢＮ基板を用いることができる。この場合
、多結晶ｃ−ＢＮでよいのであるが平滑な面を持たなけ
ればならない。本発明はこれに答えて大面積の平滑な基
板を与えることができる。本発明によれば、半導体用途
や超硬工具用途などに有用な、面積の大きい平滑なｃ−
ＢＮ基板もしくは単結晶ｃ−ＢＮ基板を大量に安価に製
造することができ極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のｃ−ＢＮ基板の構造例を示す断面図。

【図２】本発明のｃ−ＢＮ基板の他の構造例を示す断面
図。

【図３】本発明のｃ−ＢＮ基板の第３の構造例を示す断
面図。

【図４】実施例１でＣｕ層を形成するために用いるＭＢ
Ｅ装置の概略断面図。

【図５】実施例１でｃ−ＢＮを成長させるために用いる
マグネトロンスパッタ装置の概略断面図。

【図６】実施例２でｃ−ＢＮを成長させるたに用いるＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置の概略断面図。

【符号の説明】

１　　真空チャンバ ２　　マニピュレ−タ ３　　分子線セル ４　　るつぼ ５　　ヒ−タ ６　　反射板 ７　　原料融液 ８　　液体窒素シュラウド ９　　ヒ−タ １０　　基板 １１　　導波管 １２　　誘電体窓 １３　　チャンバ １４　　導入管 １５　　コイル １６　　基板 １７　　サセプタ １８　　ヒ−タ １９　　排出口 ２０　　高周波電源発振器 ２１　　プラズマ ２２　　反応室 ２３　　下部電極 ２４　　ｈ−ＢＮタ−ゲット ２５　　排気口 ２６　　基板ホルダ ２７　　ヒ−タ ２８　　ガス導入口 ２９　　コンダクタンスバルブ ３０　　第１高周波電源発振器 ３１　　第２高周波電源発振器 ３２　　マグネット ３４　　基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上に形成された
   単結晶又は多結晶のＣｕ薄膜と、該Ｃｕ薄膜上に堆積さ
   れた立方晶窒化ホウ素薄膜とよりなる事を特徴とする立
   方晶窒化ホウ素基板。
2. 【請求項２】　　Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上に成長させた
   単結晶のＣｕ薄膜と、該Ｃｕ薄膜上に堆積されたノンド
   ープ立方晶窒化ホウ素薄膜と、該ノンドープ立方晶窒化
   ホウ素薄膜の上に堆積されたｐ型又はｎ型の立方晶窒化
   ホウ素薄膜よりなる事を特徴とする立方晶窒化ホウ素基
   板。
3. 【請求項３】　　単結晶Ｓｉ基板上に単結晶又は多結晶
   Ｃｕ薄膜と、立方晶窒化ホウ素膜を堆積する事を特徴と
   する立方晶窒化ホウ素基板の製造方法。
4. 【請求項４】　　単結晶Ｓｉ基板上に単結晶又は多結晶
   Ｃｕ薄膜と、立方晶窒化ホウ素膜を堆積し、その後Ｓｉ
   基板及びＣｕ基板を除去し、立方晶窒化ホウ素膜のみに
   する事を特徴とする立方晶窒化ホウ素基板の製造方法。