JPH0436035B2 - - Google Patents
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- JPH0436035B2 JPH0436035B2 JP63047509A JP4750988A JPH0436035B2 JP H0436035 B2 JPH0436035 B2 JP H0436035B2 JP 63047509 A JP63047509 A JP 63047509A JP 4750988 A JP4750988 A JP 4750988A JP H0436035 B2 JPH0436035 B2 JP H0436035B2
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- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 3
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Landscapes
- Electrotherapy Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロコンピユータ及び／又は、
デイジタル制御手段とトランスによる昇圧手段と
を有する生体刺激装置に関する。
デイジタル制御手段とトランスによる昇圧手段と
を有する生体刺激装置に関する。
近年マイコンを使用することによつて容易に
“もむ”“たたく”“おす”等の刺激モードを生成
し、人体表面に印加通電することが可能な低周波
治療器が提供されている。
“もむ”“たたく”“おす”等の刺激モードを生成
し、人体表面に印加通電することが可能な低周波
治療器が提供されている。
他方では、上述した電気刺激とは異なり、２つ
の高周波発振器を使用して２つの出力を人体に印
加することにより、人体内部に於いてこの高周波
電気エネルギーが交わつた箇所で、低周波且つ振
幅の高い刺激パルスを生じせしめる電気刺激装置
が提供されている。これらの電気刺激装置は何れ
もトランス等のコイルを利用して電源電圧を数十
倍に昇圧する機能を有するが、周波数に大差があ
り、しかも出力機構の違い等から同一装置に内に
於ける合体は行なわれなかつた。
の高周波発振器を使用して２つの出力を人体に印
加することにより、人体内部に於いてこの高周波
電気エネルギーが交わつた箇所で、低周波且つ振
幅の高い刺激パルスを生じせしめる電気刺激装置
が提供されている。これらの電気刺激装置は何れ
もトランス等のコイルを利用して電源電圧を数十
倍に昇圧する機能を有するが、周波数に大差があ
り、しかも出力機構の違い等から同一装置に内に
於ける合体は行なわれなかつた。
本発明は、トランスに対する通電遮断時の逆起
電圧による昇圧手段と巻線比による昇圧手段とを
１つのトランスで行なうことにより、合理的且つ
省エネルギー化した電気刺激装置の提供を目的と
する。
電圧による昇圧手段と巻線比による昇圧手段とを
１つのトランスで行なうことにより、合理的且つ
省エネルギー化した電気刺激装置の提供を目的と
する。
以下本発明の実施例を第１図から第３図を参照
して説明する。
して説明する。
第１図に示す実施例で、制御手段１から出力さ
れた低周波ドライブパルス信号dp１及び高周波
ドライブパルス信号dp２は、それぞれ電流増幅
回路２及び電流増幅回路３の入力へ接続され、そ
れらの出力は、ダイオード４及びダイオード５の
アノードに接続される。電流増幅回路２は制御手
段１から出力されたドライブパルス信号により、
電源電圧Ｖを断続する回路である。ダイオード４
のカソードは、トランス６−ａ及び負荷７に接続
され、ダイオード５のカソードは、トランス６−
ｂに接続される。トランス６−ｃは、負荷７の他
端及びグラウンドに接続される。
れた低周波ドライブパルス信号dp１及び高周波
ドライブパルス信号dp２は、それぞれ電流増幅
回路２及び電流増幅回路３の入力へ接続され、そ
れらの出力は、ダイオード４及びダイオード５の
アノードに接続される。電流増幅回路２は制御手
段１から出力されたドライブパルス信号により、
電源電圧Ｖを断続する回路である。ダイオード４
のカソードは、トランス６−ａ及び負荷７に接続
され、ダイオード５のカソードは、トランス６−
ｂに接続される。トランス６−ｃは、負荷７の他
端及びグラウンドに接続される。
制御手段１は、マイクロコンピユータ等の
ROM，RAMの記憶素子より読み出されたプロ
グラムに従つてドライブパルス信号のパルス幅、
パルス間隔を可変せしめた出力を行なうものであ
る。
ROM，RAMの記憶素子より読み出されたプロ
グラムに従つてドライブパルス信号のパルス幅、
パルス間隔を可変せしめた出力を行なうものであ
る。
尚、上記マイクロコンピユータのみならず、論
理素子を組み合わせ集積したカスタムIC，セミ
カスタムIC等のデイジタル信号処理手段であつ
てもよい。
理素子を組み合わせ集積したカスタムIC，セミ
カスタムIC等のデイジタル信号処理手段であつ
てもよい。
第２図、第３図は、第１図における各点での波
形を示す。
形を示す。
第１の昇圧手段でトランス６−ａに制御手段１
から低周波数のドライブパルス信号dp１（第２
図ａ）を印加することにより、トランス６への励
磁電流が断続され、出力には電源電圧Ｖの数十倍
に昇圧された逆起電圧（第２図ｂ）が生成され
る。
から低周波数のドライブパルス信号dp１（第２
図ａ）を印加することにより、トランス６への励
磁電流が断続され、出力には電源電圧Ｖの数十倍
に昇圧された逆起電圧（第２図ｂ）が生成され
る。
又、第２の昇圧手段では、制御手段１から高周
波数のドライブパルス信号dp２（第３図ａ）が
印加され、ドライブパルス信号dp２は、トラン
ス６の巻線比に従い昇圧されて出力される（第３
図ｂ）。
波数のドライブパルス信号dp２（第３図ａ）が
印加され、ドライブパルス信号dp２は、トラン
ス６の巻線比に従い昇圧されて出力される（第３
図ｂ）。
一方、本発明で第１図に示す回路構成に於いて
は前述の如く、制御をマイクロコンピユータ及
び／又は、デイジタル回路で行なう為、制御回路
の出力信号が矩形波（第１図ａ）となり、第２の
昇圧手段において、その信号でトランスを駆動し
た場合に、トランスの出力には高周波成分による
ピーク電流（第４図ｃ）が生成し、電流効率が悪
くなることが指摘されている。出力電流のピーク
成分は電力損失を生じさせるばかりでなく、回路
構成上、電流の最大許容値を大きくとる為、回路
を小型化する点で、これを阻むものであつた。従
つて、本発明ではピーク電流を除去する具体的構
成を次に示した。
は前述の如く、制御をマイクロコンピユータ及
び／又は、デイジタル回路で行なう為、制御回路
の出力信号が矩形波（第１図ａ）となり、第２の
昇圧手段において、その信号でトランスを駆動し
た場合に、トランスの出力には高周波成分による
ピーク電流（第４図ｃ）が生成し、電流効率が悪
くなることが指摘されている。出力電流のピーク
成分は電力損失を生じさせるばかりでなく、回路
構成上、電流の最大許容値を大きくとる為、回路
を小型化する点で、これを阻むものであつた。従
つて、本発明ではピーク電流を除去する具体的構
成を次に示した。
第５図、第６図を参照して詳細に説明する。
第５図に示す実施例で、制御手段１から出力さ
れたドライブパルス信号dp１及びドライブパル
ス信号dp２は、それぞれ電流増幅回路２及び電
流増幅回路３の入力へ接続され、その出力は、ダ
イオード４及びダイオード５のアノードに接続さ
れる。
れたドライブパルス信号dp１及びドライブパル
ス信号dp２は、それぞれ電流増幅回路２及び電
流増幅回路３の入力へ接続され、その出力は、ダ
イオード４及びダイオード５のアノードに接続さ
れる。
ダイオード４のカソードは、トランス６−ａ及
びコイル８に接続され、ダイオード５のカソード
は、トランス６−ｂに接続される。
びコイル８に接続され、ダイオード５のカソード
は、トランス６−ｂに接続される。
コイル８の他端は負荷７に接続され、トランス
６−ｃは負荷７の他端及びグラウンドに接続され
る。
６−ｃは負荷７の他端及びグラウンドに接続され
る。
第５図に本発明の実施例を示し、第６図に各点
での波形を示す。
での波形を示す。
本実施例で、コイル８を負荷と直列に接続した
時、出力端子間Obに於ける出力電流のピーク成
分が除去されていることがわかる（第６図）。
時、出力端子間Obに於ける出力電流のピーク成
分が除去されていることがわかる（第６図）。
実施例を第７図、第８図を参照して説明する。
第７図に示す実施例で、制御手段１から出力さ
れたドライブパルス信号dp１及びドライブパル
ス信号dp２は、それぞれ電流増幅回路２及び電
流増幅回路３の入力へ接続され、それらの出力
は、ダイオード４及びダイオード５のアノードに
接続される。
れたドライブパルス信号dp１及びドライブパル
ス信号dp２は、それぞれ電流増幅回路２及び電
流増幅回路３の入力へ接続され、それらの出力
は、ダイオード４及びダイオード５のアノードに
接続される。
ダイオード４のカソードは、トランス６−ａ及
び負荷７へ接続される。ダイオード５のカソード
はコイル８に接続され、コイル８の他端はトラン
ス６−ｂに接続される。トランス６−ｃ及び負荷
７の他端は、共に回路のグラウンドへ接続され
る。
び負荷７へ接続される。ダイオード５のカソード
はコイル８に接続され、コイル８の他端はトラン
ス６−ｂに接続される。トランス６−ｃ及び負荷
７の他端は、共に回路のグラウンドへ接続され
る。
本実施例に於いてはドライブパルス信号dp１
は出力されないものとする。
は出力されないものとする。
第８図に各点での波形を示す。図中、ドライブ
パルス信号dp２に対する第７図に示す負荷７の
端子間電圧Ob（第８図ｄ）の出力電流波形に出力
電流のピーク成分が認められないことから、第２
の昇圧手段において、あらかじめコイル８を通し
てからトランス６に通電させることで、高周波成
分による影響を除去している。
パルス信号dp２に対する第７図に示す負荷７の
端子間電圧Ob（第８図ｄ）の出力電流波形に出力
電流のピーク成分が認められないことから、第２
の昇圧手段において、あらかじめコイル８を通し
てからトランス６に通電させることで、高周波成
分による影響を除去している。
更に、直流通電による不快な感覚を防ぐ為の実
施例を第９図、第１０図を参照して説明する。
施例を第９図、第１０図を参照して説明する。
第９図に示す実施例で、制御手段１から出力さ
たドライブパルス信号dp１及びドライブパルス
信号dp２は、それぞれ電流増幅回路２及び電流
増幅回路３の入力へ接続され、それらの出力は、
ダイオード４及びダイオード５のアノードに接続
される。
たドライブパルス信号dp１及びドライブパルス
信号dp２は、それぞれ電流増幅回路２及び電流
増幅回路３の入力へ接続され、それらの出力は、
ダイオード４及びダイオード５のアノードに接続
される。
ダイオード４のカソードは、FET１のドレイ
ン及びトランス６−ａに接続され、ダイオード５
のカソードはコイル８に接続され、コイル８の他
端はトランス６−ｂへ接続される。FET１のゲ
ートは抵抗R1に接続され、抵抗R1の他端は、コ
ンデンサC1及び抵抗R2に接続される。コンデン
サC1の他端は、FET１のソース及び抵抗R3と負
荷７に接続され、抵抗R2の他端は、抵抗R3の他
端及びダイオードD1のカソードへ接続される。
トランス６−ｃは、ダイオードD1のアノード及
び負荷７の他端へ接続される。
ン及びトランス６−ａに接続され、ダイオード５
のカソードはコイル８に接続され、コイル８の他
端はトランス６−ｂへ接続される。FET１のゲ
ートは抵抗R1に接続され、抵抗R1の他端は、コ
ンデンサC1及び抵抗R2に接続される。コンデン
サC1の他端は、FET１のソース及び抵抗R3と負
荷７に接続され、抵抗R2の他端は、抵抗R3の他
端及びダイオードD1のカソードへ接続される。
トランス６−ｃは、ダイオードD1のアノード及
び負荷７の他端へ接続される。
本実施例では、ドライブパルス信号dp２は出
力されないものとする。
力されないものとする。
第１０図は、各点での波形を示す。
第９図における第１の昇圧手段で、制御手段１
からドライブパルス信号dp１のパルスが出力さ
れ、電流増幅回路２で増幅されて、ダイオード４
を通りトランス６に励磁電流として通電される。
この時、ダイオードD1のアノード・カソード間
及びFET１のゲート・ソース間は同電位を保つ
為、FET１はOFF状態となり、電流は負荷７に
対して遮断される。
からドライブパルス信号dp１のパルスが出力さ
れ、電流増幅回路２で増幅されて、ダイオード４
を通りトランス６に励磁電流として通電される。
この時、ダイオードD1のアノード・カソード間
及びFET１のゲート・ソース間は同電位を保つ
為、FET１はOFF状態となり、電流は負荷７に
対して遮断される。
励磁電流の通電が停止した時、出力電圧には第
１０図ｂに示すように逆起電圧が発生し、FET
１のドレイン・ソース間には順方向電圧がかかる
為、導通して同電位になる。ここでダイオード
D1は順方向電圧がかかり、FET１をON状態にす
ると共にコンデンサC1を充電する。
１０図ｂに示すように逆起電圧が発生し、FET
１のドレイン・ソース間には順方向電圧がかかる
為、導通して同電位になる。ここでダイオード
D1は順方向電圧がかかり、FET１をON状態にす
ると共にコンデンサC1を充電する。
コンデンサC1に蓄積された電荷は、逆起電圧
が消失し、ダイオードD1がOFF状態となつた後
もC1，R2，R3で決まる時定数の間、FET１を
ON状態とする。よつて第１０図ｃに示すよう
に、負荷７にかかる端子間電圧Ocは、順方向電
圧が削除される。
が消失し、ダイオードD1がOFF状態となつた後
もC1，R2，R3で決まる時定数の間、FET１を
ON状態とする。よつて第１０図ｃに示すよう
に、負荷７にかかる端子間電圧Ocは、順方向電
圧が削除される。
次に、本発明による第１の昇圧手段と第２の昇
圧手段を１個のトランスで行なう生体刺激装置に
おいて、出力導子の極性切換を行なう実施例を参
照して説明する。
圧手段を１個のトランスで行なう生体刺激装置に
おいて、出力導子の極性切換を行なう実施例を参
照して説明する。
第１１図に示す実施例で、制御手段１から出力
されるドライブパルス信号１，４は低周波のドラ
イブパルス信号２，３は高周波の矩形波パルスで
ある。制御手段１から出力されたドライブパルス
信号dp１〜dp４は、それぞれ電流増幅回路２，
３，２′，３′の入力に接続され、それらの出力
は、ダイオード４，５，４′，５′のアノードに
各々接続される。ダイオード４のカソードは、ト
ランス６−ａ及び負荷７に接続され、ダイオード
５のカソードは、トランス８−ａに接続される。
ダイオード５′のカソードは、トランス８−ｂに
接続され、ダイオード４′のカソードは、トラン
ス９−ｅ及び負荷７に接続され、トランス６−ｃ
はグラウンドへ接続される。
されるドライブパルス信号１，４は低周波のドラ
イブパルス信号２，３は高周波の矩形波パルスで
ある。制御手段１から出力されたドライブパルス
信号dp１〜dp４は、それぞれ電流増幅回路２，
３，２′，３′の入力に接続され、それらの出力
は、ダイオード４，５，４′，５′のアノードに
各々接続される。ダイオード４のカソードは、ト
ランス６−ａ及び負荷７に接続され、ダイオード
５のカソードは、トランス８−ａに接続される。
ダイオード５′のカソードは、トランス８−ｂに
接続され、ダイオード４′のカソードは、トラン
ス９−ｅ及び負荷７に接続され、トランス６−ｃ
はグラウンドへ接続される。
本実施例は、本発明による生体刺激装置のトラ
ンス駆動回路を２回路用いて、１個のトランスを
駆動するもので、第１１図におけるトランス６
は、中間端子ｃをグラウンドへ接続し、高周波成
分による影響の除去は、トランス８のａ−ｃ及び
ｂ−ｄでそれぞれ行なつている。
ンス駆動回路を２回路用いて、１個のトランスを
駆動するもので、第１１図におけるトランス６
は、中間端子ｃをグラウンドへ接続し、高周波成
分による影響の除去は、トランス８のａ−ｃ及び
ｂ−ｄでそれぞれ行なつている。
他の実施例を第１２図に示す。
本実施例は、前記実施例（第１１図）の出力端
に励磁電流除去回路を付加したものである。
に励磁電流除去回路を付加したものである。
第１２図に示す実施例で、制御手段１から出力
されたドライブパルス信号dp１〜dp４は、それ
ぞれ電流増幅回路２，３，２′，３′の入力に接続
され、それらの出力は、ダイオード４，５，４′，
５′のアノードに接続される。ダイオード６のカ
ソードは、トランス６−ａ，ダイオードD1のア
ノード及びFET１のドレインに接続され、ダイ
オード５のカソードはトランス８−ａに接続され
る。ダイオード５′のカソードはトランス８−ｂ
に接続され、ダイオード４のカソードはトランス
６−ｅ、ダイオードD2のアノード及びFET２の
ドレインに接続される。トランス６−ｃはグラウ
ンドに接続される。
されたドライブパルス信号dp１〜dp４は、それ
ぞれ電流増幅回路２，３，２′，３′の入力に接続
され、それらの出力は、ダイオード４，５，４′，
５′のアノードに接続される。ダイオード６のカ
ソードは、トランス６−ａ，ダイオードD1のア
ノード及びFET１のドレインに接続され、ダイ
オード５のカソードはトランス８−ａに接続され
る。ダイオード５′のカソードはトランス８−ｂ
に接続され、ダイオード４のカソードはトランス
６−ｅ、ダイオードD2のアノード及びFET２の
ドレインに接続される。トランス６−ｃはグラウ
ンドに接続される。
FET１のゲートは抵抗R1に接続され、抵抗R1
の他端は、コンデンサC1及び抵抗R3に接続され
る。抵抗R3の他端は、抵抗R2及びダイオードD2
のカソードに接続され、抵抗R2の他端はFET１
のソース、C1の他端、及び負荷７に接続される。
FET２のゲートは抵抗R4に接続され、抵抗R4の
他端は、コンデンサC2及び抵抗R5に接続される。
抵抗R5の他端は、抵抗R6及びダイオードD1のカ
ソードに接続され、抵抗R6の他端はFET２のソ
ース、コンデンサC2の他端、及び負荷７に接続
される。
の他端は、コンデンサC1及び抵抗R3に接続され
る。抵抗R3の他端は、抵抗R2及びダイオードD2
のカソードに接続され、抵抗R2の他端はFET１
のソース、C1の他端、及び負荷７に接続される。
FET２のゲートは抵抗R4に接続され、抵抗R4の
他端は、コンデンサC2及び抵抗R5に接続される。
抵抗R5の他端は、抵抗R6及びダイオードD1のカ
ソードに接続され、抵抗R6の他端はFET２のソ
ース、コンデンサC2の他端、及び負荷７に接続
される。
第１２図に示す励磁電流除去回路は、第四の実
施例と同様に制御手段１から出力されたドライブ
パルス信号dp１又はドライブパルス信号dp４に
従い、トランス６−ａ又はトランス６−ｅへ流さ
れる励磁電流をFET１又はFET２をOFF状態と
することで負荷と遮断し、直流通電による不快な
感覚を防いでいる。
施例と同様に制御手段１から出力されたドライブ
パルス信号dp１又はドライブパルス信号dp４に
従い、トランス６−ａ又はトランス６−ｅへ流さ
れる励磁電流をFET１又はFET２をOFF状態と
することで負荷と遮断し、直流通電による不快な
感覚を防いでいる。
尚、各上記実施例に示すドライブパルス信号
２，３を使用して高周波の昇圧パルスを出力する
機構は、更にこれと同一の機構を備え且つ、周波
数が幾分異なる高周波の昇圧パルスを出力する機
構を設けることにより使用される。これら２つの
実施例に示す機構から出力される２つの周波数が
異なつた高周波昇圧パルスが被治療者に、出力端
に接続した例えば導電性粘着ゲルと電流分散用電
極とよりなる導子を介して印加されることによ
り、生体内のこれら２つの高周波昇圧パルスが交
わる位置で低周波の干渉波が生じる。この干渉波
が生体内を刺激するものである。
２，３を使用して高周波の昇圧パルスを出力する
機構は、更にこれと同一の機構を備え且つ、周波
数が幾分異なる高周波の昇圧パルスを出力する機
構を設けることにより使用される。これら２つの
実施例に示す機構から出力される２つの周波数が
異なつた高周波昇圧パルスが被治療者に、出力端
に接続した例えば導電性粘着ゲルと電流分散用電
極とよりなる導子を介して印加されることによ
り、生体内のこれら２つの高周波昇圧パルスが交
わる位置で低周波の干渉波が生じる。この干渉波
が生体内を刺激するものである。
以上詳述の如く本発明は、トランスの複合的利
用により合理的且つ省エネルギー的に昇圧パルス
を出力することができる等の効果を有するもので
ある。
用により合理的且つ省エネルギー的に昇圧パルス
を出力することができる等の効果を有するもので
ある。
第１図、第５図、第７図、第９図、第１１図、
第１２図は、本発明の実施例を示す回路図、第２
図、第３図、第４図、第６図、第８図、第１０図
は、上記実施例を示す。 １……制御手段、２，３……電流増幅回路、
４，５……ダイオード、６……トランス、７……
負荷、８……コイル。
第１２図は、本発明の実施例を示す回路図、第２
図、第３図、第４図、第６図、第８図、第１０図
は、上記実施例を示す。 １……制御手段、２，３……電流増幅回路、
４，５……ダイオード、６……トランス、７……
負荷、８……コイル。
Claims (1)
- １ 所定のアルゴリズムに基づいて低周波パル
ス、並びに高周波パルスを出力するマイクロコン
ピユータ及び／又はデジタル信号処理手段、前記
マイクロコンピユータ及び／又はデジタル信号処
理手段から出力される低周波パルスに基づいて、
コイルへ流れる電流を断続し、その結果、コイル
に生ずる逆起電圧を出力する第１の昇圧手段、入
力側と出力側の巻数比を変える様設定された前記
コイルの入力側に前記マイクロコンピユータ及
び／又はデジタル信号処理手段から出力される高
周波パルスに基づいて断続した電流を供給し、巻
数比に応じた高周波昇圧パルスを２次側に出力す
る第２の昇圧手段よりなることを特徴とする電気
刺激装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4750988A JPH01223976A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 生体刺激装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4750988A JPH01223976A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 生体刺激装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223976A JPH01223976A (ja) | 1989-09-07 |
| JPH0436035B2 true JPH0436035B2 (ja) | 1992-06-12 |
Family
ID=12777079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4750988A Granted JPH01223976A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 生体刺激装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01223976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11197256A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-27 | Tomoo Ueda | 低周波治療器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09182805A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Advance Co Ltd | 筋肉増強用電気刺激装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58112553A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-05 | 株式会社アドバンス | 電気刺激装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53133493U (ja) * | 1977-03-29 | 1978-10-23 |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP4750988A patent/JPH01223976A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58112553A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-05 | 株式会社アドバンス | 電気刺激装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11197256A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-27 | Tomoo Ueda | 低周波治療器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01223976A (ja) | 1989-09-07 |
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