JPH04359529A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04359529A JPH04359529A JP3134877A JP13487791A JPH04359529A JP H04359529 A JPH04359529 A JP H04359529A JP 3134877 A JP3134877 A JP 3134877A JP 13487791 A JP13487791 A JP 13487791A JP H04359529 A JPH04359529 A JP H04359529A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
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- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特に、半導体ペレットを樹脂封止体で封止する
樹脂封止型半導体装置に適用して有効な技術に関するも
のである。
に関し、特に、半導体ペレットを樹脂封止体で封止する
樹脂封止型半導体装置に適用して有効な技術に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置例えばＬＯＣ（Ｌ
ｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ ）構造を採用する樹脂封止型
半導体装置は半導体ペレット（半導体チップ）を樹脂封
止体で封止する。半導体ペレットの素子形成面は、記憶
回路システムや論理回路システムが搭載されるとともに
、これらの回路システムと外部装置とを電気的に接続す
る外部端子（ボンディングパッド）が配列される。この
半導体ペレットの外部端子は、ボンディングワイヤを介
在して、リードのインナーリードに電気的に接続される
。インナーリードは、半導体ペレットと同様に樹脂封止
体で封止され、この樹脂封止体の外部に突出し配列され
るアウターリードに一体にかつ電気的に接続される。
ｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ ）構造を採用する樹脂封止型
半導体装置は半導体ペレット（半導体チップ）を樹脂封
止体で封止する。半導体ペレットの素子形成面は、記憶
回路システムや論理回路システムが搭載されるとともに
、これらの回路システムと外部装置とを電気的に接続す
る外部端子（ボンディングパッド）が配列される。この
半導体ペレットの外部端子は、ボンディングワイヤを介
在して、リードのインナーリードに電気的に接続される
。インナーリードは、半導体ペレットと同様に樹脂封止
体で封止され、この樹脂封止体の外部に突出し配列され
るアウターリードに一体にかつ電気的に接続される。
【０００３】前記ボンディングワイヤは、半導体ペレッ
トの外部端子に一端が接続され、この接続部から上方に
向って引き出され、折り返し下方に向う他端がインナー
リードに接続されるループ（軌跡）を描いて形成される
。このループを描くボンディングワイヤは、半導体ペレ
ットの外部端子、インナーリードとの間の接続経路にお
いて、半導体ペレットの周縁での短絡を防止できる。 現在、ボンディングワイヤのループの高さ（最低位置と
最高位置との差）は約１５０〜２５０［μｍ］に達する
。
トの外部端子に一端が接続され、この接続部から上方に
向って引き出され、折り返し下方に向う他端がインナー
リードに接続されるループ（軌跡）を描いて形成される
。このループを描くボンディングワイヤは、半導体ペレ
ットの外部端子、インナーリードとの間の接続経路にお
いて、半導体ペレットの周縁での短絡を防止できる。 現在、ボンディングワイヤのループの高さ（最低位置と
最高位置との差）は約１５０〜２５０［μｍ］に達する
。
【０００４】前記樹脂封止体は、例えばエポキシ系樹脂
が使用され、トランスファーモールド法において成型さ
れる。
が使用され、トランスファーモールド法において成型さ
れる。
【０００５】この種のＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型
半導体装置は、半導体ペレットの素子形成面上にインナ
ーリードを引き回すことができ、このインナーリードの
引き回しの占有面積に対して独立に半導体ペレットのサ
イズを大型化できる特徴がある。
半導体装置は、半導体ペレットの素子形成面上にインナ
ーリードを引き回すことができ、このインナーリードの
引き回しの占有面積に対して独立に半導体ペレットのサ
イズを大型化できる特徴がある。
【０００６】なお、樹脂封止型半導体装置について、例
えば、株式会社サイエンスフォーラム、超ＬＳＩデバイ
スハンドブック、昭和５８年１１月２８日発行、第２２
１頁乃至第２３１頁に記載される。
えば、株式会社サイエンスフォーラム、超ＬＳＩデバイ
スハンドブック、昭和５８年１１月２８日発行、第２２
１頁乃至第２３１頁に記載される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、樹脂封止
型半導体装置の開発に先立ち、下記の問題点が生じるこ
とを見出した。
型半導体装置の開発に先立ち、下記の問題点が生じるこ
とを見出した。
【０００８】（Ａ）前記樹脂封止型半導体装置は半導体
ペレットの外部端子とインナーリードとの間をボンディ
ングワイヤで電気的に接続する。このボンディングワイ
ヤは、前述のように約１５０〜２５０［μｍ］のループ
高さを有するので、このループ高さの方向と一致する方
向において、樹脂封止体の厚さが厚くなる。このため、
樹脂封止型半導体装置の小型化が図れない（実装高さを
小さくできない）。
ペレットの外部端子とインナーリードとの間をボンディ
ングワイヤで電気的に接続する。このボンディングワイ
ヤは、前述のように約１５０〜２５０［μｍ］のループ
高さを有するので、このループ高さの方向と一致する方
向において、樹脂封止体の厚さが厚くなる。このため、
樹脂封止型半導体装置の小型化が図れない（実装高さを
小さくできない）。
【０００９】（Ｂ）前記問題点（Ａ）の樹脂封止体の厚
さが厚くなると、樹脂封止型半導体装置の全体の重量が
重くなり、この樹脂封止型半導体装置の軽量化が図れな
い。
さが厚くなると、樹脂封止型半導体装置の全体の重量が
重くなり、この樹脂封止型半導体装置の軽量化が図れな
い。
【００１０】（Ｃ）前記問題点（Ａ）又は（Ｂ）の解決
には、前記樹脂封止体の半導体ペレットの素子形成面上
若しくはこの素子形成面と対向する裏面側を薄くすれば
よい。しかしながら、前記樹脂封止体が薄くなると、樹
脂封止体が変形し易くなり、例えば、樹脂封止型半導体
装置の実装時の赤外線半田リフロー工程において、樹脂
封止体と半導体ペレットの素子形成面若しくは裏面との
間の界面に剥離が生じる。この樹脂封止体と半導体ペレ
ットとの間の界面の剥離は樹脂封止体に発生するクラッ
クの原因となり、結果的に樹脂封止型半導体装置の小型
化を図れない。
には、前記樹脂封止体の半導体ペレットの素子形成面上
若しくはこの素子形成面と対向する裏面側を薄くすれば
よい。しかしながら、前記樹脂封止体が薄くなると、樹
脂封止体が変形し易くなり、例えば、樹脂封止型半導体
装置の実装時の赤外線半田リフロー工程において、樹脂
封止体と半導体ペレットの素子形成面若しくは裏面との
間の界面に剥離が生じる。この樹脂封止体と半導体ペレ
ットとの間の界面の剥離は樹脂封止体に発生するクラッ
クの原因となり、結果的に樹脂封止型半導体装置の小型
化を図れない。
【００１１】（Ｄ）前記樹脂封止型半導体装置がＩＣカ
ードに組込まれる場合、このＩＣカードは人為的な持ち
運びの際に曲げ応力、圧縮応力、衝撃応力等の外部応力
が加わる。現在、樹脂封止体は、エポキシ系樹脂で形成
される場合、例えば１３００〜１６００［Ｋｇ／ｍｍ２
］程度の高い（硬質の）曲げ弾性率を有する。このため
、前述の外部応力が加わると、樹脂封止体にクラックが
発生し、このクラックを防止するために樹脂封止体を厚
く形成しなくてはならないので、樹脂封止型半導体装置
の小型化を図れない。
ードに組込まれる場合、このＩＣカードは人為的な持ち
運びの際に曲げ応力、圧縮応力、衝撃応力等の外部応力
が加わる。現在、樹脂封止体は、エポキシ系樹脂で形成
される場合、例えば１３００〜１６００［Ｋｇ／ｍｍ２
］程度の高い（硬質の）曲げ弾性率を有する。このため
、前述の外部応力が加わると、樹脂封止体にクラックが
発生し、このクラックを防止するために樹脂封止体を厚
く形成しなくてはならないので、樹脂封止型半導体装置
の小型化を図れない。
【００１２】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
小型化を図ることが可能な技術を提供することにある。
小型化を図ることが可能な技術を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装
置の耐湿性を向上することが可能な技術を提供すること
にある。
置の耐湿性を向上することが可能な技術を提供すること
にある。
【００１４】本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装
置の軽量化を図ることが可能な技術を提供することにあ
る。
置の軽量化を図ることが可能な技術を提供することにあ
る。
【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１７】（１）半導体ペレットの素子形成面に配置
される外部端子にリードのインナーリードが電気的に接
続され、この半導体ペレット及びインナーリードが樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体ペレットの外部端子上を含む素子形成面の実質
的に全域に、絶縁性樹脂フィルム内に導電物質を埋込ん
だ構造の異方性導電フィルムを形成し、前記半導体ペレ
ットの外部端子に、前記異方性導電フィルムを介在し、
その導電物質を通して、リードのインナーリードを電気
的に接続する。
される外部端子にリードのインナーリードが電気的に接
続され、この半導体ペレット及びインナーリードが樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体ペレットの外部端子上を含む素子形成面の実質
的に全域に、絶縁性樹脂フィルム内に導電物質を埋込ん
だ構造の異方性導電フィルムを形成し、前記半導体ペレ
ットの外部端子に、前記異方性導電フィルムを介在し、
その導電物質を通して、リードのインナーリードを電気
的に接続する。
【００１８】（２）半導体ペレットの素子形成面に配置
される外部端子にリードのインナーリードが電気的に接
続され、この半導体ペレット及びインナーリードが樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体ペレットの素子形成面と対向する裏面に１個又
は複数個の凹部を構成し、この半導体ペレットの裏面の
凹部に樹脂封止体の一部を埋込む。
される外部端子にリードのインナーリードが電気的に接
続され、この半導体ペレット及びインナーリードが樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前
記半導体ペレットの素子形成面と対向する裏面に１個又
は複数個の凹部を構成し、この半導体ペレットの裏面の
凹部に樹脂封止体の一部を埋込む。
【００１９】（３）半導体ペレットの素子形成面に配置
される外部端子にリードのインナーリードが電気的に接
続され、この半導体ペレット及びインナーリードがトラ
ンスファーモールド法で成型した樹脂封止体で封止され
る樹脂封止型半導体装置において、前記半導体ペレット
の少なくとも素子形成面及び外部端子とインナーリード
との接続部を被覆する内部樹脂封止体を構成し、前記半
導体ペレット、インナーリード及び内部樹脂封止体を、
トランスファーモールド法で成型し、かつ前記内部樹脂
封止体に比べて曲げ弾性率が小さい外部樹脂封止体で封
止する。
される外部端子にリードのインナーリードが電気的に接
続され、この半導体ペレット及びインナーリードがトラ
ンスファーモールド法で成型した樹脂封止体で封止され
る樹脂封止型半導体装置において、前記半導体ペレット
の少なくとも素子形成面及び外部端子とインナーリード
との接続部を被覆する内部樹脂封止体を構成し、前記半
導体ペレット、インナーリード及び内部樹脂封止体を、
トランスファーモールド法で成型し、かつ前記内部樹脂
封止体に比べて曲げ弾性率が小さい外部樹脂封止体で封
止する。
【００２０】（４）半導体ペレットがトランスファーモ
ールド法で成型した樹脂封止体で封止される樹脂封止型
半導体装置において、前記樹脂封止体を１０００［Ｋｇ
／ｍｍ２］以下の曲げ弾性率で構成する。
ールド法で成型した樹脂封止体で封止される樹脂封止型
半導体装置において、前記樹脂封止体を１０００［Ｋｇ
／ｍｍ２］以下の曲げ弾性率で構成する。
【００２１】
【作用】上述した手段（１）によれば、以下の作用効果
を奏することができる。
を奏することができる。
【００２２】（Ａ）前記半導体ペレットの外部端子、リ
ードのインナーリードの夫々を接続するボンディングワ
イヤを廃止し、このボンディングワイヤのループ高さに
比べて、前記異方性導電フィルムの厚さを薄くできるの
で、前記樹脂封止体の厚さを薄くでき、樹脂封止型半導
体装置の小型化を図れる（実装高さを低くできる）。
ードのインナーリードの夫々を接続するボンディングワ
イヤを廃止し、このボンディングワイヤのループ高さに
比べて、前記異方性導電フィルムの厚さを薄くできるの
で、前記樹脂封止体の厚さを薄くでき、樹脂封止型半導
体装置の小型化を図れる（実装高さを低くできる）。
【００２３】（Ｂ）前記半導体ペレットの素子形成面の
全域を異方性導電フィルムの絶縁性樹脂フィルムで被覆
し、半導体ペレットの素子形成面と樹脂封止体との間の
接着を絶縁性樹脂フィルムと樹脂封止体との有機膜間の
接着にしたので、接着強度を向上し、半導体ペレットと
樹脂封止体との間の界面での剥離を防止できる。この結
果、実装時の半田リフロー工程等、温度サイクルに基づ
き発生する樹脂封止体のクラックを低減し、樹脂封止体
の半導体ペレットの素子形成面側を薄くできるので、さ
らに樹脂封止型半導体装置の小型化を図れる。
全域を異方性導電フィルムの絶縁性樹脂フィルムで被覆
し、半導体ペレットの素子形成面と樹脂封止体との間の
接着を絶縁性樹脂フィルムと樹脂封止体との有機膜間の
接着にしたので、接着強度を向上し、半導体ペレットと
樹脂封止体との間の界面での剥離を防止できる。この結
果、実装時の半田リフロー工程等、温度サイクルに基づ
き発生する樹脂封止体のクラックを低減し、樹脂封止体
の半導体ペレットの素子形成面側を薄くできるので、さ
らに樹脂封止型半導体装置の小型化を図れる。
【００２４】（Ｃ）前記半導体ペレットの素子形成面の
外部端子上、及びその領域を含む全域を異方性導電フィ
ルムの絶縁性樹脂フィルムで被覆し、この絶縁性樹脂フ
ィルムを水分に対する遮蔽膜として使用できるので、樹
脂封止型半導体装置の耐湿性を向上し、この樹脂封止型
半導体装置の信頼性を向上できる。
外部端子上、及びその領域を含む全域を異方性導電フィ
ルムの絶縁性樹脂フィルムで被覆し、この絶縁性樹脂フ
ィルムを水分に対する遮蔽膜として使用できるので、樹
脂封止型半導体装置の耐湿性を向上し、この樹脂封止型
半導体装置の信頼性を向上できる。
【００２５】上述した手段（２）によれば、以下の作用
効果を奏することができる。
効果を奏することができる。
【００２６】（Ａ）前記半導体ペレットの裏面の凹部の
側壁に相当する分、この半導体ペレットの裏面と樹脂封
止体との間の接着面積を増加し、接着強度を向上できる
ので、半導体ペレットと樹脂封止体との間の界面での剥
離を防止できる。この結果、実装時の半田リフロー工程
等、温度サイクルに基づき発生する樹脂封止体のクラッ
クを低減し、樹脂封止体の半導体ペレットの裏面側を薄
くできるので、樹脂封止型半導体装置の小型化を図れる
。
側壁に相当する分、この半導体ペレットの裏面と樹脂封
止体との間の接着面積を増加し、接着強度を向上できる
ので、半導体ペレットと樹脂封止体との間の界面での剥
離を防止できる。この結果、実装時の半田リフロー工程
等、温度サイクルに基づき発生する樹脂封止体のクラッ
クを低減し、樹脂封止体の半導体ペレットの裏面側を薄
くできるので、樹脂封止型半導体装置の小型化を図れる
。
【００２７】（Ｂ）前記半導体ペレットの裏面の一部を
取り除き、この半導体ペレットの裏面の取り除かれた凹
部内に、半導体ペレットの材質（珪素）に比べて比重の
軽い樹脂封止体を埋込んだので、半導体ペレットを封止
した樹脂封止体の全体の重量を軽減し、樹脂封止型半導
体装置の軽量化を図れる。
取り除き、この半導体ペレットの裏面の取り除かれた凹
部内に、半導体ペレットの材質（珪素）に比べて比重の
軽い樹脂封止体を埋込んだので、半導体ペレットを封止
した樹脂封止体の全体の重量を軽減し、樹脂封止型半導
体装置の軽量化を図れる。
【００２８】上述した手段（３）によれば、前記半導体
ペレットの素子形成面及び外部端子とインナーリードと
の接続部が曲げ弾性率が大きい内部樹脂封止体で強固に
保護され、素子形成面の損傷を低減でき、かつ外部端子
とインナーリードとの間の接続部の断線不良を低減でき
るとともに、半導体ペレットの内部樹脂封止体を介在し
た外周囲が曲げ弾性率が小さい（柔軟性がある）外部樹
脂封止体で保護され、この樹脂封止体に加わる外部応力
を吸収できるので、前記半導体ペレットの素子形成面の
損傷を低減でき、かつ前記接続部の断線不良を低減でき
る。この結果、前記内部樹脂封止体及び外部樹脂封止体
を含む全体の封止体のサイズを小さくできるので、樹脂
封止型半導体装置の小型化を図れる。
ペレットの素子形成面及び外部端子とインナーリードと
の接続部が曲げ弾性率が大きい内部樹脂封止体で強固に
保護され、素子形成面の損傷を低減でき、かつ外部端子
とインナーリードとの間の接続部の断線不良を低減でき
るとともに、半導体ペレットの内部樹脂封止体を介在し
た外周囲が曲げ弾性率が小さい（柔軟性がある）外部樹
脂封止体で保護され、この樹脂封止体に加わる外部応力
を吸収できるので、前記半導体ペレットの素子形成面の
損傷を低減でき、かつ前記接続部の断線不良を低減でき
る。この結果、前記内部樹脂封止体及び外部樹脂封止体
を含む全体の封止体のサイズを小さくできるので、樹脂
封止型半導体装置の小型化を図れる。
【００２９】上述した手段（４）によれば、前記樹脂封
止体に加わる外部応力を樹脂封止体で吸収し、前記半導
体ペレットの素子形成面の損傷を低減できるので、樹脂
封止体のサイズを小さくし、樹脂封止型半導体装置の小
型化を図れる。
止体に加わる外部応力を樹脂封止体で吸収し、前記半導
体ペレットの素子形成面の損傷を低減できるので、樹脂
封止体のサイズを小さくし、樹脂封止型半導体装置の小
型化を図れる。
【００３０】以下、本発明の構成について、ＬＯＣ構造
を採用する樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、
実施例とともに説明する。
を採用する樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、
実施例とともに説明する。
【００３１】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００３２】
（実 施 例 １）本発明の実施例１であるＬＯＣ構造
を採用する樹脂封止型半導体装置の構成を図１（断面図
）、図２（要部拡大断面図）及び図３（半導体ペレット
の裏面図）で示す。
を採用する樹脂封止型半導体装置の構成を図１（断面図
）、図２（要部拡大断面図）及び図３（半導体ペレット
の裏面図）で示す。
【００３３】図１に示すように、ＬＯＣ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１は、半導体ペレット２の素子形
成面に配置される外部端子２Ｊとリード３のインナーリ
ード３Ｂとが電気的に接続され、これらを樹脂封止体５
で封止する。
樹脂封止型半導体装置１は、半導体ペレット２の素子形
成面に配置される外部端子２Ｊとリード３のインナーリ
ード３Ｂとが電気的に接続され、これらを樹脂封止体５
で封止する。
【００３４】前記半導体ペレット２は、図１乃至図３に
示すように、平面形状が方形状で形成される、単結晶珪
素からなる半導体基板２Ａを主体に構成される。この半
導体基板２Ａの主面（素子形成面）は、記憶回路システ
ム若しくは論理回路システムを構成する半導体素子が搭
載される。
示すように、平面形状が方形状で形成される、単結晶珪
素からなる半導体基板２Ａを主体に構成される。この半
導体基板２Ａの主面（素子形成面）は、記憶回路システ
ム若しくは論理回路システムを構成する半導体素子が搭
載される。
【００３５】前記半導体素子は、これに限定されないが
、図２に示すように、ＭＩＳＦＥＴ（Ｔｒ）が使用され
る。ＭＩＳＦＥＴ（Ｔｒ）は、素子分離絶縁膜２Ｄで周
囲を囲まれた活性領域内において、ゲート絶縁膜２Ｃ、
ゲート電極２Ｆ、ソース領域２Ｅ及びドレイン領域２Ｅ
を主体として構成される。ＭＩＳＦＥＴ（Ｔｒ）は複数
層の夫々の配線層に形成される配線２Ｈ、２Ｊを通して
電気的に結線される。ＭＩＳＦＥＴ（Ｔｒ）、配線２Ｈ
、２Ｊの夫々は、夫々の間に形成される層間絶縁膜２Ｇ
、２Ｉを介在して相互に電気的に分離される。前記半導
体基板２Ａの最上層の配線層に配置される配線２Ｊの表
面上の全域には最終保護膜（ファイナルパッシベーショ
ン膜）２Ｋが形成される。
、図２に示すように、ＭＩＳＦＥＴ（Ｔｒ）が使用され
る。ＭＩＳＦＥＴ（Ｔｒ）は、素子分離絶縁膜２Ｄで周
囲を囲まれた活性領域内において、ゲート絶縁膜２Ｃ、
ゲート電極２Ｆ、ソース領域２Ｅ及びドレイン領域２Ｅ
を主体として構成される。ＭＩＳＦＥＴ（Ｔｒ）は複数
層の夫々の配線層に形成される配線２Ｈ、２Ｊを通して
電気的に結線される。ＭＩＳＦＥＴ（Ｔｒ）、配線２Ｈ
、２Ｊの夫々は、夫々の間に形成される層間絶縁膜２Ｇ
、２Ｉを介在して相互に電気的に分離される。前記半導
体基板２Ａの最上層の配線層に配置される配線２Ｊの表
面上の全域には最終保護膜（ファイナルパッシベーショ
ン膜）２Ｋが形成される。
【００３６】半導体ペレット２の素子形成面に配置され
る外部端子２Ｊは、通常、半導体基板２Ａの最上層の配
線層に配置される配線２Ｊと同一配線層に形成される。 この外部端子２Ｊ、配線２Ｈ、２Ｊの夫々は例えばアル
ミニウム合金膜で形成される。前記最終保護膜２Ｋの外
部端子２Ｊ上には、外部端子２Ｊとインナーリード３Ｂ
との間を電気的に接続するボンディング開口（符号は付
けない）が構成される。最終保護膜２Ｋは、例えばプラ
ズマＣＶＤ法で堆積した窒化珪素膜、酸化珪素膜等の無
機膜、若しくは回転塗布法で塗布されたポリイミド系樹
脂膜等の有機膜で形成される。
る外部端子２Ｊは、通常、半導体基板２Ａの最上層の配
線層に配置される配線２Ｊと同一配線層に形成される。 この外部端子２Ｊ、配線２Ｈ、２Ｊの夫々は例えばアル
ミニウム合金膜で形成される。前記最終保護膜２Ｋの外
部端子２Ｊ上には、外部端子２Ｊとインナーリード３Ｂ
との間を電気的に接続するボンディング開口（符号は付
けない）が構成される。最終保護膜２Ｋは、例えばプラ
ズマＣＶＤ法で堆積した窒化珪素膜、酸化珪素膜等の無
機膜、若しくは回転塗布法で塗布されたポリイミド系樹
脂膜等の有機膜で形成される。
【００３７】前記半導体ペレット２の半導体基板２Ａの
素子形成面と対向する裏面には複数個配列された凹部２
Ｂが構成される。この凹部２Ｂは本実施例において平面
形状が方形状（具体的には正方形状）で構成される。半
導体基板２Ａの厚さが例えば１５０［μｍ］で構成され
る場合、凹部２Ｂは例えば１０〜２０［μｍ］の深さで
構成される。この凹部２Ｂは、例えばエッチング法を使
用し、半導体基板２Ａの裏面の一部を取り除くことによ
り形成される。
素子形成面と対向する裏面には複数個配列された凹部２
Ｂが構成される。この凹部２Ｂは本実施例において平面
形状が方形状（具体的には正方形状）で構成される。半
導体基板２Ａの厚さが例えば１５０［μｍ］で構成され
る場合、凹部２Ｂは例えば１０〜２０［μｍ］の深さで
構成される。この凹部２Ｂは、例えばエッチング法を使
用し、半導体基板２Ａの裏面の一部を取り除くことによ
り形成される。
【００３８】前記半導体基板２Ａの裏面の凹部２Ｂの内
部には樹脂封止体５の一部が埋込まれる。つまり、凹部
２Ｂの側壁に相当する分、半導体基板２Ａの裏面と樹脂
封止体５との間の接着面積が増加でき、接着強度を高め
られる。また、半導体基板２Ａの珪素の比重 ２．３３
［ｇ／ｃｍ３］に対して、後述するエポキシ系樹脂を使
用する樹脂封止体５の樹脂の比重は １．９［ｇ／ｃｍ
３］と軽いので、半導体基板２Ａは、裏面の凹部２Ｂの
内部に樹脂封止体５が埋込まれる分（前記比重差に相当
する分）、重量を軽くできる。
部には樹脂封止体５の一部が埋込まれる。つまり、凹部
２Ｂの側壁に相当する分、半導体基板２Ａの裏面と樹脂
封止体５との間の接着面積が増加でき、接着強度を高め
られる。また、半導体基板２Ａの珪素の比重 ２．３３
［ｇ／ｃｍ３］に対して、後述するエポキシ系樹脂を使
用する樹脂封止体５の樹脂の比重は １．９［ｇ／ｃｍ
３］と軽いので、半導体基板２Ａは、裏面の凹部２Ｂの
内部に樹脂封止体５が埋込まれる分（前記比重差に相当
する分）、重量を軽くできる。
【００３９】なお、前記半導体基板２Ａの裏面の凹部２
Ｂは、前述の方形状に限定されず、多角形状（例えば六
角形状すなわちハニカム形状）、円形状、楕円形状のい
ずれかの平面形状で構成してもよい。また、前記凹部２
Ｂは１個又は数個程度の少数の配置でもよい。
Ｂは、前述の方形状に限定されず、多角形状（例えば六
角形状すなわちハニカム形状）、円形状、楕円形状のい
ずれかの平面形状で構成してもよい。また、前記凹部２
Ｂは１個又は数個程度の少数の配置でもよい。
【００４０】前記半導体ペレット２の素子形成面の外部
端子２Ｊ上を含む実質的に全域には、図１及び図２に示
すように、異方性導電フィルム４が構成される。異方性
導電フィルム４は、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂
等、例えば２０〜３０［μｍ］の膜厚を有する絶縁性樹
脂フィルム４Ｂの内部に導電性物質が厚さ方向に間隔を
あけて埋込まれた構造のものを使用する。この異方性導
電フィルム４は、厚さ方向に導電性を、平面方向に絶縁
性を有するものである。
端子２Ｊ上を含む実質的に全域には、図１及び図２に示
すように、異方性導電フィルム４が構成される。異方性
導電フィルム４は、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂
等、例えば２０〜３０［μｍ］の膜厚を有する絶縁性樹
脂フィルム４Ｂの内部に導電性物質が厚さ方向に間隔を
あけて埋込まれた構造のものを使用する。この異方性導
電フィルム４は、厚さ方向に導電性を、平面方向に絶縁
性を有するものである。
【００４１】前記半導体ペレット２の素子形成面に配置
される外部端子２Ｊ、インナーリード３Ｂの夫々は、図
１及び図２に示すように、前記異方性導電フィルム４の
導電性領域４Ａを通して電気的に接続される。この外部
端子２Ｊ、インナーリード３Ｂの接続は例えば熱圧着法
で行う。この結果、樹脂封止型半導体装置１は、半導体
ペレット２の素子形成面上にインナーリード３Ｂが引き
回されるので、ＬＯＣ構造となる。
される外部端子２Ｊ、インナーリード３Ｂの夫々は、図
１及び図２に示すように、前記異方性導電フィルム４の
導電性領域４Ａを通して電気的に接続される。この外部
端子２Ｊ、インナーリード３Ｂの接続は例えば熱圧着法
で行う。この結果、樹脂封止型半導体装置１は、半導体
ペレット２の素子形成面上にインナーリード３Ｂが引き
回されるので、ＬＯＣ構造となる。
【００４２】前記リード３のアウターリード３Ａは、イ
ンナーリード３Ｂに一体に構成されかつ電気的に接続さ
れ、樹脂封止体５の外部に突出し配列される。
ンナーリード３Ｂに一体に構成されかつ電気的に接続さ
れ、樹脂封止体５の外部に突出し配列される。
【００４３】前記樹脂封止体５は、トランスファモール
ド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用
される。この熱硬化性エポキシ系樹脂は、１３００〜１
６００［Ｋｇ／ｍｍ２］程度の曲げ弾性率に設定するこ
とを目的としてフィラー（酸化珪素粒）、可撓材（例え
ばシリコーンゴム）等が添加され、紫外線の吸収、静電
気の防止などを目的としてカーボン粒が添加される。
ド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用
される。この熱硬化性エポキシ系樹脂は、１３００〜１
６００［Ｋｇ／ｍｍ２］程度の曲げ弾性率に設定するこ
とを目的としてフィラー（酸化珪素粒）、可撓材（例え
ばシリコーンゴム）等が添加され、紫外線の吸収、静電
気の防止などを目的としてカーボン粒が添加される。
【００４４】このように、半導体ペレット２の素子形成
面に配置される外部端子２Ｊにリード３のインナーリー
ド３Ｂが電気的に接続され、この半導体ペレット２及び
インナーリード３Ｂが樹脂封止体５で封止されるＬＯＣ
構造を採用する樹脂封止型半導体装置１において、前記
半導体ペレット２の外部端子２Ｊ上を含む素子形成面の
実質的に全域に異方性導電フィルム４を形成し、前記半
導体ペレット２の外部端子２Ｊに、前記異方性導電フィ
ルム４を介在し、その内部に混入される導電物質を通し
て、リード３のインナーリード３Ｂを電気的に接続する
。この構成により、（Ａ）前記半導体ペレット２の外部
端子２Ｊ、リード３のインナーリード３Ｂの夫々を接続
するボンディングワイヤを廃止し、このボンディングワ
イヤのループ高さに比べて、前記異方性導電フィルム４
の厚さを薄くできるので、前記樹脂封止体５の厚さを薄
くでき、樹脂封止型半導体装置１の小型化を図れる（実
装高さを低くできる）。（Ｂ）前記半導体ペレット２の
素子形成面の全域を異方性導電フィルム４の絶縁性樹脂
フィルム４Ｂで被覆し、半導体ペレット２の素子形成面
と樹脂封止体５との間の接着を絶縁性樹脂フィルム４Ｂ
と樹脂封止体５との有機膜間の接着にしたので、接着強
度を向上し、半導体ペレット２と樹脂封止体５との間の
界面での剥離を防止できる。この結果、実装時の半田リ
フロー工程等、温度サイクルに基づき発生する樹脂封止
体５のクラックを低減し、樹脂封止体５の半導体ペレッ
ト２の素子形成面側を薄くできるので、さらに樹脂封止
型半導体装置１の小型化を図れる。（Ｃ）前記半導体ペ
レット２の素子形成面の外部端子２Ｊ上、及びその領域
を含む全域を異方性導電フィルム４の絶縁性樹脂フィル
ム４Ｂで被覆し、この絶縁性樹脂フィルム４Ｂを水分に
対する遮蔽膜として使用できるので、樹脂封止型半導体
装置１の耐湿性を向上し、この樹脂封止型半導体装置１
の信頼性を向上できる。
面に配置される外部端子２Ｊにリード３のインナーリー
ド３Ｂが電気的に接続され、この半導体ペレット２及び
インナーリード３Ｂが樹脂封止体５で封止されるＬＯＣ
構造を採用する樹脂封止型半導体装置１において、前記
半導体ペレット２の外部端子２Ｊ上を含む素子形成面の
実質的に全域に異方性導電フィルム４を形成し、前記半
導体ペレット２の外部端子２Ｊに、前記異方性導電フィ
ルム４を介在し、その内部に混入される導電物質を通し
て、リード３のインナーリード３Ｂを電気的に接続する
。この構成により、（Ａ）前記半導体ペレット２の外部
端子２Ｊ、リード３のインナーリード３Ｂの夫々を接続
するボンディングワイヤを廃止し、このボンディングワ
イヤのループ高さに比べて、前記異方性導電フィルム４
の厚さを薄くできるので、前記樹脂封止体５の厚さを薄
くでき、樹脂封止型半導体装置１の小型化を図れる（実
装高さを低くできる）。（Ｂ）前記半導体ペレット２の
素子形成面の全域を異方性導電フィルム４の絶縁性樹脂
フィルム４Ｂで被覆し、半導体ペレット２の素子形成面
と樹脂封止体５との間の接着を絶縁性樹脂フィルム４Ｂ
と樹脂封止体５との有機膜間の接着にしたので、接着強
度を向上し、半導体ペレット２と樹脂封止体５との間の
界面での剥離を防止できる。この結果、実装時の半田リ
フロー工程等、温度サイクルに基づき発生する樹脂封止
体５のクラックを低減し、樹脂封止体５の半導体ペレッ
ト２の素子形成面側を薄くできるので、さらに樹脂封止
型半導体装置１の小型化を図れる。（Ｃ）前記半導体ペ
レット２の素子形成面の外部端子２Ｊ上、及びその領域
を含む全域を異方性導電フィルム４の絶縁性樹脂フィル
ム４Ｂで被覆し、この絶縁性樹脂フィルム４Ｂを水分に
対する遮蔽膜として使用できるので、樹脂封止型半導体
装置１の耐湿性を向上し、この樹脂封止型半導体装置１
の信頼性を向上できる。
【００４５】また、前記ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置１において、前記半導体ペレット２の素子
形成面と対向する裏面に複数個の凹部２Ｂを構成し、こ
の半導体ペレット２の裏面の凹部２Ｂに樹脂封止体５の
一部を埋込む。この構成により、（Ａ）前記半導体ペレ
ット２の裏面の凹部２Ｂの側壁に相当する分、この半導
体ペレット２の裏面と樹脂封止体５との間の接着面積を
増加し、接着強度を向上できるので、半導体ペレット２
と樹脂封止体５との間の界面での剥離を防止できる。こ
の結果、実装時の半田リフロー工程等、温度サイクルに
基づき発生する樹脂封止体５のクラックを低減し、樹脂
封止体５の半導体ペレット２の裏面側を薄くできるので
、樹脂封止型半導体装置１の小型化を図れる。（Ｂ）前
記半導体ペレット２の裏面の一部を取り除き、この半導
体ペレット２の裏面の取り除かれた凹部２Ｂ内に、半導
体ペレット２の材質（珪素）に比べて比重の軽い樹脂封
止体５を埋込んだので、半導体ペレット２を封止した樹
脂封止体５の全体の重量を軽減し、樹脂封止型半導体装
置１の軽量化を図れる。
型半導体装置１において、前記半導体ペレット２の素子
形成面と対向する裏面に複数個の凹部２Ｂを構成し、こ
の半導体ペレット２の裏面の凹部２Ｂに樹脂封止体５の
一部を埋込む。この構成により、（Ａ）前記半導体ペレ
ット２の裏面の凹部２Ｂの側壁に相当する分、この半導
体ペレット２の裏面と樹脂封止体５との間の接着面積を
増加し、接着強度を向上できるので、半導体ペレット２
と樹脂封止体５との間の界面での剥離を防止できる。こ
の結果、実装時の半田リフロー工程等、温度サイクルに
基づき発生する樹脂封止体５のクラックを低減し、樹脂
封止体５の半導体ペレット２の裏面側を薄くできるので
、樹脂封止型半導体装置１の小型化を図れる。（Ｂ）前
記半導体ペレット２の裏面の一部を取り除き、この半導
体ペレット２の裏面の取り除かれた凹部２Ｂ内に、半導
体ペレット２の材質（珪素）に比べて比重の軽い樹脂封
止体５を埋込んだので、半導体ペレット２を封止した樹
脂封止体５の全体の重量を軽減し、樹脂封止型半導体装
置１の軽量化を図れる。
【００４６】前述のＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置１は、樹脂封止体５の半導体ペレット２の厚さ
方向と一致する方向の寸法を２００〜３００［μｍ］に
でき、超小型化ができる。また、ＬＯＣ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１は約３０［ｍｇ］の超軽量化が
できる。
導体装置１は、樹脂封止体５の半導体ペレット２の厚さ
方向と一致する方向の寸法を２００〜３００［μｍ］に
でき、超小型化ができる。また、ＬＯＣ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１は約３０［ｍｇ］の超軽量化が
できる。
【００４７】（実 施 例 ２）本実施例２は、前述の
ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、
外部応力に対する信頼性を向上した、本発明の第２実施
例である。
ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、
外部応力に対する信頼性を向上した、本発明の第２実施
例である。
【００４８】本発明の実施例２であるＬＯＣ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の構成を図４（断面図）で示
す。
する樹脂封止型半導体装置の構成を図４（断面図）で示
す。
【００４９】本実施例２の樹脂封止型半導体装置１は、
図４に示すように、半導体ペレット２、特に少なくとも
素子形成面及び外部端子２Ｊとインナーリード３Ｂとの
接続部分を被覆する内部樹脂封止体５Ａ及びこの内部樹
脂封止体５Ａを被覆する外部樹脂封止体５Ｂで樹脂封止
体５が構成される。
図４に示すように、半導体ペレット２、特に少なくとも
素子形成面及び外部端子２Ｊとインナーリード３Ｂとの
接続部分を被覆する内部樹脂封止体５Ａ及びこの内部樹
脂封止体５Ａを被覆する外部樹脂封止体５Ｂで樹脂封止
体５が構成される。
【００５０】前記内部樹脂封止体５Ａは、例えばポッテ
ィング技術（滴下塗布法）で塗布され、高品質でかつ硬
質のエポキシ系樹脂で形成する。このエポキシ系樹脂は
、例えば添加される可撓材の配合量（可撓材の添加量を
エポキシ系樹脂の全体の割合で割った値）を約１０［ｐ
ｈｒ］以下とし、１３００〜１６００［Ｋｇ／ｍｍ２］
以下の高い曲げ弾性率に設定される。
ィング技術（滴下塗布法）で塗布され、高品質でかつ硬
質のエポキシ系樹脂で形成する。このエポキシ系樹脂は
、例えば添加される可撓材の配合量（可撓材の添加量を
エポキシ系樹脂の全体の割合で割った値）を約１０［ｐ
ｈｒ］以下とし、１３００〜１６００［Ｋｇ／ｍｍ２］
以下の高い曲げ弾性率に設定される。
【００５１】外部樹脂封止体５Ｂは、例えばトランスフ
ァーモールド法で成型され、柔軟性に優れたエポキシ系
樹脂で形成する。このエポキシ系樹脂は、例えば可撓材
の配合量を約５０［ｐｈｒ］以上とし、１０００［Ｋｇ
／ｍｍ２］以下の低い曲げ弾性率に設定される。
ァーモールド法で成型され、柔軟性に優れたエポキシ系
樹脂で形成する。このエポキシ系樹脂は、例えば可撓材
の配合量を約５０［ｐｈｒ］以上とし、１０００［Ｋｇ
／ｍｍ２］以下の低い曲げ弾性率に設定される。
【００５２】また、前記樹脂封止体５は、前述のように
、２重構造とせずに、柔軟性に優れたつまり例えば１０
００［Ｋｇ／ｍｍ２］以下の低い曲げ弾性率を有する単
一構造としてもよい。
、２重構造とせずに、柔軟性に優れたつまり例えば１０
００［Ｋｇ／ｍｍ２］以下の低い曲げ弾性率を有する単
一構造としてもよい。
【００５３】このように、ＬＯＣ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置１において、半導体ペレット２の少なく
とも素子形成面及び外部端子２Ｊとインナーリード３Ｂ
との接続部を被覆する内部樹脂封止体５Ａを構成し、こ
の内部樹脂封止体５Ａをトランスファーモールド法で成
型し、かつ前記内部樹脂封止体５Ａに比べて曲げ弾性率
が小さい外部樹脂封止体５Ｂで封止する。この構成によ
り、前記半導体ペレット２の素子形成面及び外部端子２
Ｊとインナーリード３Ｂとの接続部が曲げ弾性率が大き
い内部樹脂封止体５Ａで強固に保護され、素子形成面の
損傷を低減でき、かつ前記接続部の断線不良を低減でき
るとともに、半導体ペレット２の内部樹脂封止体５Ａを
介在した外周囲が曲げ弾性率が小さい（柔軟性がある）
外部樹脂封止体５Ｂで保護され、この外部樹脂封止体５
Ｂに加わる外部応力を吸収できるので、前記半導体ペレ
ット２の素子形成面の損傷を低減でき、かつ前記接続部
の断線不良を低減できる。この結果、前記樹脂封止体５
の全体のサイズを小さくできるので、樹脂封止型半導体
装置１の小型化を図れる。
止型半導体装置１において、半導体ペレット２の少なく
とも素子形成面及び外部端子２Ｊとインナーリード３Ｂ
との接続部を被覆する内部樹脂封止体５Ａを構成し、こ
の内部樹脂封止体５Ａをトランスファーモールド法で成
型し、かつ前記内部樹脂封止体５Ａに比べて曲げ弾性率
が小さい外部樹脂封止体５Ｂで封止する。この構成によ
り、前記半導体ペレット２の素子形成面及び外部端子２
Ｊとインナーリード３Ｂとの接続部が曲げ弾性率が大き
い内部樹脂封止体５Ａで強固に保護され、素子形成面の
損傷を低減でき、かつ前記接続部の断線不良を低減でき
るとともに、半導体ペレット２の内部樹脂封止体５Ａを
介在した外周囲が曲げ弾性率が小さい（柔軟性がある）
外部樹脂封止体５Ｂで保護され、この外部樹脂封止体５
Ｂに加わる外部応力を吸収できるので、前記半導体ペレ
ット２の素子形成面の損傷を低減でき、かつ前記接続部
の断線不良を低減できる。この結果、前記樹脂封止体５
の全体のサイズを小さくできるので、樹脂封止型半導体
装置１の小型化を図れる。
【００５４】また、前記ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置１において、前記樹脂封止体５の全体を１
０００［Ｋｇ／ｍｍ２］以下の曲げ弾性率で構成する。 この構成により、前記樹脂封止体５に加わる外部応力を
樹脂封止体５で吸収し、前記半導体ペレット２の素子形
成面の損傷を低減できるので、樹脂封止体５のサイズを
小さくし、樹脂封止型半導体装置１の小型化を図れる。
型半導体装置１において、前記樹脂封止体５の全体を１
０００［Ｋｇ／ｍｍ２］以下の曲げ弾性率で構成する。 この構成により、前記樹脂封止体５に加わる外部応力を
樹脂封止体５で吸収し、前記半導体ペレット２の素子形
成面の損傷を低減できるので、樹脂封止体５のサイズを
小さくし、樹脂封止型半導体装置１の小型化を図れる。
【００５５】（実 施 例 ３）本実施例３は、前述の
ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、
耐熱性を向上した、本発明の第３実施例である。
ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、
耐熱性を向上した、本発明の第３実施例である。
【００５６】本発明の実施例３であるＬＯＣ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の構成を図５（側面図）、図
６（側面図）の夫々で示す。
する樹脂封止型半導体装置の構成を図５（側面図）、図
６（側面図）の夫々で示す。
【００５７】本実施例３のＬＯＣ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置１は、図５に示すように、少なくとも表
面側を黒色からそれに比べて赤外線の吸収率が低い白色
若しくは黄色に変えた樹脂封止体５Ｃで構成される。樹
脂封止体５Ｃは、エポキシ系樹脂で形成する場合、黒色
となるカーボン粒の添加量を低減するか若しくは添加し
ないことで形成できる。
止型半導体装置１は、図５に示すように、少なくとも表
面側を黒色からそれに比べて赤外線の吸収率が低い白色
若しくは黄色に変えた樹脂封止体５Ｃで構成される。樹
脂封止体５Ｃは、エポキシ系樹脂で形成する場合、黒色
となるカーボン粒の添加量を低減するか若しくは添加し
ないことで形成できる。
【００５８】また、図６に示すように、ＬＯＣ構造を採
用する樹脂封止型半導体装置１は、実装の際の赤外線半
田リフロー工程時、赤外線が照射される領域において、
黒色に形成された樹脂封止体５の表面に赤外線の吸収率
が樹脂封止体５に比べて低い、具体的には白色の赤外線
反射フィルム（テープ）５Ｄが構成される。
用する樹脂封止型半導体装置１は、実装の際の赤外線半
田リフロー工程時、赤外線が照射される領域において、
黒色に形成された樹脂封止体５の表面に赤外線の吸収率
が樹脂封止体５に比べて低い、具体的には白色の赤外線
反射フィルム（テープ）５Ｄが構成される。
【００５９】前記図５、図６の夫々の樹脂封止型半導体
装置１は、赤外線半田リフロー工程時において、アウタ
ーリード３Ａを選択的に加熱でき、樹脂封止体５Ｃ、５
の夫々の熱吸収によるクラックの発生を防止できる。
装置１は、赤外線半田リフロー工程時において、アウタ
ーリード３Ａを選択的に加熱でき、樹脂封止体５Ｃ、５
の夫々の熱吸収によるクラックの発生を防止できる。
【００６０】（実 施 例 ４）本実施例４は、前述の
ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、
軽量化を図った、本発明の第４実施例である。
ＬＯＣ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、
軽量化を図った、本発明の第４実施例である。
【００６１】本発明の実施例４であるＬＯＣ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体に添加されるフ
ィラーの構成を図７（斜視図）で示す。
する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体に添加されるフ
ィラーの構成を図７（斜視図）で示す。
【００６２】本実施例４のＬＯＣ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置１の樹脂封止体５に添加されるフィラー
５Ｅは、図７に示すように、中空の筒状で構成される。 樹脂封止体５の流動性（粘性）は大きく設定され、前記
フィラー５Ｅの中空内に基本的に樹脂封止体５が入り込
まない。この結果、フィラー５Ｅの内部に空間が存在し
、樹脂封止体５の重量が低減されるので、樹脂封止型半
導体装置１の軽量化を図れる。
止型半導体装置１の樹脂封止体５に添加されるフィラー
５Ｅは、図７に示すように、中空の筒状で構成される。 樹脂封止体５の流動性（粘性）は大きく設定され、前記
フィラー５Ｅの中空内に基本的に樹脂封止体５が入り込
まない。この結果、フィラー５Ｅの内部に空間が存在し
、樹脂封止体５の重量が低減されるので、樹脂封止型半
導体装置１の軽量化を図れる。
【００６３】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論である
。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論である
。
【００６４】例えば、本発明は、ＬＯＣ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置に限定されず、ＱＰＦ構造等、他
の構造を採用する樹脂封止型半導体装置に適用できる。
樹脂封止型半導体装置に限定されず、ＱＰＦ構造等、他
の構造を採用する樹脂封止型半導体装置に適用できる。
【００６５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００６６】樹脂封止型半導体装置の小型化を図れる。
【００６７】樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上でき
る。
る。
【００６８】樹脂封止型半導体装置の軽量化を図れる。
【図１】本発明の実施例１であるＬＯＣ構造の樹脂封止
型半導体装置の断面図。
型半導体装置の断面図。
【図２】前記樹脂封止型半導体装置の要部拡大断面図。
【図３】前記樹脂封止型半導体装置の半導体ペレットの
裏面図。
裏面図。
【図４】本発明の実施例２であるＬＯＣ構造の樹脂封止
型半導体装置の断面図。
型半導体装置の断面図。
【図５】本発明の実施例３であるＬＯＣ構造の樹脂封止
型半導体装置の側面図。
型半導体装置の側面図。
【図６】本発明の実施例３の他の実施例であるＬＯＣ構
造の樹脂封止型半導体装置の側面図。
造の樹脂封止型半導体装置の側面図。
【図７】本発明の実施例４であるＬＯＣ構造の樹脂封止
型半導体装置の封止体に添加されるフィラーの斜視図。
型半導体装置の封止体に添加されるフィラーの斜視図。
１…樹脂封止型半導体装置、２…半導体ペレット、２Ａ
…半導体基板、２Ｂ…凹部、２Ｊ…外部端子、３…リー
ド、３Ｂ…インナーリード、４…異方性導電フィルム、
４Ａ…導電性領域、４Ｂ…絶縁性樹脂フィルム、５，５
Ａ，５Ｂ，５Ｃ…樹脂封止体、５Ｅ…フィラー。
…半導体基板、２Ｂ…凹部、２Ｊ…外部端子、３…リー
ド、３Ｂ…インナーリード、４…異方性導電フィルム、
４Ａ…導電性領域、４Ｂ…絶縁性樹脂フィルム、５，５
Ａ，５Ｂ，５Ｃ…樹脂封止体、５Ｅ…フィラー。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ペレットの素子形成面に配置さ
れる外部端子にリードのインナーリードが電気的に接続
され、この半導体ペレット及びインナーリードが樹脂封
止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前記
半導体ペレットの外部端子上を含む素子形成面の実質的
に全域に、絶縁性樹脂フィルム内に導電物質を埋込んだ
構造の異方性導電フィルムを形成し、前記半導体ペレッ
トの外部端子に、前記異方性導電フィルムを介在し、そ
の導電物質を通して、リードのインナーリードが電気的
に接続されることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 半導体ペレットの素子形成面に配置さ
れる外部端子にリードのインナーリードが電気的に接続
され、この半導体ペレット及びインナーリードが樹脂封
止体で封止される樹脂封止型半導体装置において、前記
半導体ペレットの素子形成面と対向する裏面に１個又は
複数個の凹部を構成し、この半導体ペレットの裏面の凹
部に樹脂封止体の一部を埋込んだことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項３】 半導体ペレットの素子形成面に配置さ
れる外部端子にリードのインナーリードが電気的に接続
され、この半導体ペレット及びインナーリードがトラン
スファーモールド法で成型した樹脂封止体で封止される
樹脂封止型半導体装置において、前記半導体ペレットの
少なくとも素子形成面及び外部端子とインナーリードと
の接続部を被覆する内部樹脂封止体を構成し、前記半導
体ペレット、インナーリード及び内部樹脂封止体を、ト
ランスファーモールド法で成型し、かつ前記内部樹脂封
止体に比べて曲げ弾性率が小さい外部樹脂封止体で封止
したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 半導体ペレットがトランスファーモー
ルド法で成型した樹脂封止体で封止される樹脂封止型半
導体装置において、前記樹脂封止体が１０００［Ｋｇ／
ｍｍ２］以下の曲げ弾性率で構成されたことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134877A JPH04359529A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3134877A JPH04359529A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359529A true JPH04359529A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15138584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3134877A Pending JPH04359529A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04359529A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264683A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-11 | Siemens Ag | 樹脂モールド被覆を備えた半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2011139088A (ja) * | 2004-06-03 | 2011-07-14 | Internatl Rectifier Corp | マルチチップモジュールパッケージの製造方法 |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP3134877A patent/JPH04359529A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264683A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-11 | Siemens Ag | 樹脂モールド被覆を備えた半導体デバイス及びその製造方法 |
| US5742098A (en) * | 1995-03-15 | 1998-04-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor component with plastic sheath and method for producing the same |
| JP2011139088A (ja) * | 2004-06-03 | 2011-07-14 | Internatl Rectifier Corp | マルチチップモジュールパッケージの製造方法 |
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