JPH04349169A - 酸素濃淡電池 - Google Patents
酸素濃淡電池Info
- Publication number
- JPH04349169A JPH04349169A JP2418102A JP41810290A JPH04349169A JP H04349169 A JPH04349169 A JP H04349169A JP 2418102 A JP2418102 A JP 2418102A JP 41810290 A JP41810290 A JP 41810290A JP H04349169 A JPH04349169 A JP H04349169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zro2
- porcelain
- tetragonal
- crystal grains
- solid electrolyte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 122
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 104
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000446 fuel Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910002077 partially stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910002078 fully stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 platinum group metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910019714 Nb2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010987 cubic zirconia Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium(III) oxide Inorganic materials O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高強度でかつ特定温度領
域における長時間使用による経時劣化の極めて少ないZ
rO2 −Y2 O3 系のジルコニア磁器からなる固
体電解質を用いた酸素濃淡電池に関するものである。
域における長時間使用による経時劣化の極めて少ないZ
rO2 −Y2 O3 系のジルコニア磁器からなる固
体電解質を用いた酸素濃淡電池に関するものである。
【従来の技術】従来、ZrO2 −Y2 O3 系のジ
ルコニア磁器としては、立方晶のみより成る完全安定化
ジルコニア磁器と、立方晶と単斜晶より成る部分安定化
ジルコニア磁器が知られており、いずれも耐熱材料、固
体電解質等として利用されている。
ルコニア磁器としては、立方晶のみより成る完全安定化
ジルコニア磁器と、立方晶と単斜晶より成る部分安定化
ジルコニア磁器が知られており、いずれも耐熱材料、固
体電解質等として利用されている。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】完全安定化ジルコニア
磁器は、常温から約1500℃迄の温度範囲において安
定であり、長時間使用による経時劣化もほとんどないも
のであるが、強度が低いので例えば自動車排ガス中の酸
素濃度を検出する酸素センサー用固体電解質として利用
した場合、熱衝撃によって極めて破損しやすいという欠
点があった。一方立方晶と単斜晶よりなる部分安定化ジ
ルコニア磁器は、完全安定化ジルコニア磁器に較べると
強度は大きく耐熱衝撃性もよいものであるが、200
℃ないし300 ℃という特定温度域における強度の経
時劣化が極めて大きく、該温度で長時間使用した場合、
磁器表面に微細なクラックが多数発生して吸水性を示す
ようになり著しく強度が低下し、ついには破損するとい
う重大な欠点を有しているものであった。
磁器は、常温から約1500℃迄の温度範囲において安
定であり、長時間使用による経時劣化もほとんどないも
のであるが、強度が低いので例えば自動車排ガス中の酸
素濃度を検出する酸素センサー用固体電解質として利用
した場合、熱衝撃によって極めて破損しやすいという欠
点があった。一方立方晶と単斜晶よりなる部分安定化ジ
ルコニア磁器は、完全安定化ジルコニア磁器に較べると
強度は大きく耐熱衝撃性もよいものであるが、200
℃ないし300 ℃という特定温度域における強度の経
時劣化が極めて大きく、該温度で長時間使用した場合、
磁器表面に微細なクラックが多数発生して吸水性を示す
ようになり著しく強度が低下し、ついには破損するとい
う重大な欠点を有しているものであった。
【0003】これはZrO2 −Y2 O3 系部分安
定化ジルコニア磁器では約1500℃の焼成温度におい
て正方晶である結晶粒子が約1500℃から室温への冷
却中に500 ℃付近で単斜晶に相変態を起こし、その
際生ずる体積変化により磁器中に過大な応力が加わりそ
のため極めて微小なクラックが結晶粒子内に多数発生し
、このクラックが200 ℃ないし300 ℃の特定温
度領域に長時間おかれると拡大しやがて磁器破壊に至る
ものであると考えられる。
定化ジルコニア磁器では約1500℃の焼成温度におい
て正方晶である結晶粒子が約1500℃から室温への冷
却中に500 ℃付近で単斜晶に相変態を起こし、その
際生ずる体積変化により磁器中に過大な応力が加わりそ
のため極めて微小なクラックが結晶粒子内に多数発生し
、このクラックが200 ℃ないし300 ℃の特定温
度領域に長時間おかれると拡大しやがて磁器破壊に至る
ものであると考えられる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような部分
安定化ジルコニア磁器の欠点を解消し、優れた強度を有
するとともに200 ℃ないし300 ℃の特定温度領
域における強度の経時劣化を著しく改良したジルコニア
磁器を固体電解質として用い、該固体電解質に接して少
なくとも1対の電極を設けた酸素濃淡電池である。 第1発明 主としてZrO2 とY2 O3 より成り、Y2 O
3 /ZrO2 のモル比が2/98〜4/96の範囲
であって結晶粒子が主として正方晶の結晶粒子より成り
、正方晶の(200) 面、立方晶の(200) 面お
よび単斜晶の外8面(以下に示す外字は、
安定化ジルコニア磁器の欠点を解消し、優れた強度を有
するとともに200 ℃ないし300 ℃の特定温度領
域における強度の経時劣化を著しく改良したジルコニア
磁器を固体電解質として用い、該固体電解質に接して少
なくとも1対の電極を設けた酸素濃淡電池である。 第1発明 主としてZrO2 とY2 O3 より成り、Y2 O
3 /ZrO2 のモル比が2/98〜4/96の範囲
であって結晶粒子が主として正方晶の結晶粒子より成り
、正方晶の(200) 面、立方晶の(200) 面お
よび単斜晶の外8面(以下に示す外字は、
の欄の後に示すものである。)の各々のX線回折のピー
ク強度をT(200) 、C(200) およびM外9
としたとき次式 (M外10+C(200) )/T(200) ≦0.
4が成立し平均結晶粒子径が2ミクロン以下のジルコニ
ア磁器より成る固体電解質と該固体電解質に接して設け
られた少なくとも1対の電極とからなる酸素濃淡電池。 第2発明 主としてZrO2 とY2 O3 より成り、Y2 O
3 /ZrO2 のモル比が2/98〜7/93の範囲
であって結晶粒子が主として立方晶の結晶粒子および正
方晶の結晶粒子とより成り、正方晶の(200) 面、
立方晶の(200) 面および単斜晶の外11面の各々
のX線回折のピーク強度をT(200) 、C(200
) およびM外12としたとき次式T(200) /(
T(200) +C(200) )≧0.05M外13
/T(200) ≦1 M外14/(T(200) +C(200) )≦0.
4が成立し、平均結晶粒子径が2ミクロン以下 のジ
ルコニア磁器より成る固体電解質と該固体電解質に接し
て設けられた少なくとも1対の電極からなる酸素濃淡電
池。
ク強度をT(200) 、C(200) およびM外9
としたとき次式 (M外10+C(200) )/T(200) ≦0.
4が成立し平均結晶粒子径が2ミクロン以下のジルコニ
ア磁器より成る固体電解質と該固体電解質に接して設け
られた少なくとも1対の電極とからなる酸素濃淡電池。 第2発明 主としてZrO2 とY2 O3 より成り、Y2 O
3 /ZrO2 のモル比が2/98〜7/93の範囲
であって結晶粒子が主として立方晶の結晶粒子および正
方晶の結晶粒子とより成り、正方晶の(200) 面、
立方晶の(200) 面および単斜晶の外11面の各々
のX線回折のピーク強度をT(200) 、C(200
) およびM外12としたとき次式T(200) /(
T(200) +C(200) )≧0.05M外13
/T(200) ≦1 M外14/(T(200) +C(200) )≦0.
4が成立し、平均結晶粒子径が2ミクロン以下 のジ
ルコニア磁器より成る固体電解質と該固体電解質に接し
て設けられた少なくとも1対の電極からなる酸素濃淡電
池。
【0005】すなわち、本発明はZrO2 −Y2 O
3系ジルコニア磁器においてY2 O3 /ZrO2
のモル比を特定値とし、平均結晶粒子を特定値以下とす
ることにより従来約500 ℃以下では相変態を起して
不安定であった正方晶を500 ℃から室温迄の温度範
囲内で単斜晶に相変態させることなく安定に存在させた
ものおよび結晶粒子を主として正方晶の結晶粒子とする
かあるいは主として立方晶の結晶粒子と正方晶の結晶粒
子とすることにより極めて高強度でかつ特定温度領域に
おける経時劣化の極めて少ないジルコニア磁器を固体電
解質として用いこの固体電解質に接して少なくとも一対
の電極を設けた酸素濃淡電池である。
3系ジルコニア磁器においてY2 O3 /ZrO2
のモル比を特定値とし、平均結晶粒子を特定値以下とす
ることにより従来約500 ℃以下では相変態を起して
不安定であった正方晶を500 ℃から室温迄の温度範
囲内で単斜晶に相変態させることなく安定に存在させた
ものおよび結晶粒子を主として正方晶の結晶粒子とする
かあるいは主として立方晶の結晶粒子と正方晶の結晶粒
子とすることにより極めて高強度でかつ特定温度領域に
おける経時劣化の極めて少ないジルコニア磁器を固体電
解質として用いこの固体電解質に接して少なくとも一対
の電極を設けた酸素濃淡電池である。
【0006】
【作用】本発明を更に詳しく説明すれば、正方晶が安定
に存在するためには磁器の平均結晶粒子径が2μ以下好
ましくは1μ以下であることが極めて重要である。
に存在するためには磁器の平均結晶粒子径が2μ以下好
ましくは1μ以下であることが極めて重要である。
【0007】すなわち平均結晶粒子径と抗折強度の関係
は図1に示すとおり耐久試験前の曲線Aにおいては平均
結晶粒子径が2μ以上であっても強度の急激な低下は認
められないが、200 ℃〜300 ℃の特定温度領域
に1500時間保持した耐久試験後の曲線Bにおいては
、平均結晶粒子径が2μを越えると過剰の単斜晶の生成
により微細なクラックが内在されているため強度が急激
に低下し経時劣化が著しくなる。さらに後述の実施例の
記載のとおり、平均結晶粒子径が2μ以下、好ましくは
1μ以下であると200 ℃〜300 ℃の特定温度領
域に放置しても結晶相がほとんど変化せず、正方晶が安
定のまま存在する。 このように本発明において200 ℃ないし300 ℃
における耐久性に優れていると称するは200 ℃ない
し300 ℃の間の任意の温度において経時劣化が少な
いことを意味する。具体的な測定手段の一例としては実
施例で述べるように200 ℃ないし300 ℃のすべ
ての温度域を網羅するために、大気中で200 ℃ない
し300 ℃の間を10℃/分の昇降温速度で加熱冷却
を繰り返す耐久試験を行い、耐久前と耐久後の抗折強度
あるいは結晶相の変化を測定するのが良い。むろん一定
の温度域にさらして耐久試験を行っても良い。耐久時間
は長い程劣化の程度が増大するが、1500時間程度で
従来のジルコニア磁器と本発明のジルコニア磁器との差
が明瞭となる。このように結晶粒子径を小さくすると正
方晶より単斜晶への変態が起りにくい理由は、結晶粒子
が微小であると粒子の表面自由エネルギーの関係で単斜
晶より正方晶の方が安定になるものと考えられる。なお
、平均結晶粒子の測定は、次の方法で行なう。磁器の鏡
面研磨面を弗化水素酸でエッチング処理したものの電子
顕微鏡写真で粒子を50個以上含むような一定面積S内
にある粒子数nを数え、粒子1個あたりの平均面積sに
等しい面積の円の直径dを式d=(4s/π) 1/2
により計算する。そしてdを同一試料の3ケ所以上の
視野について求めその平均値を平均結晶粒子径とする。 粒子数nは一定面積Sに完全に含まれる粒子の数と一定
面積の境界線で切られる粒子の数の1/2との和とする
。
は図1に示すとおり耐久試験前の曲線Aにおいては平均
結晶粒子径が2μ以上であっても強度の急激な低下は認
められないが、200 ℃〜300 ℃の特定温度領域
に1500時間保持した耐久試験後の曲線Bにおいては
、平均結晶粒子径が2μを越えると過剰の単斜晶の生成
により微細なクラックが内在されているため強度が急激
に低下し経時劣化が著しくなる。さらに後述の実施例の
記載のとおり、平均結晶粒子径が2μ以下、好ましくは
1μ以下であると200 ℃〜300 ℃の特定温度領
域に放置しても結晶相がほとんど変化せず、正方晶が安
定のまま存在する。 このように本発明において200 ℃ないし300 ℃
における耐久性に優れていると称するは200 ℃ない
し300 ℃の間の任意の温度において経時劣化が少な
いことを意味する。具体的な測定手段の一例としては実
施例で述べるように200 ℃ないし300 ℃のすべ
ての温度域を網羅するために、大気中で200 ℃ない
し300 ℃の間を10℃/分の昇降温速度で加熱冷却
を繰り返す耐久試験を行い、耐久前と耐久後の抗折強度
あるいは結晶相の変化を測定するのが良い。むろん一定
の温度域にさらして耐久試験を行っても良い。耐久時間
は長い程劣化の程度が増大するが、1500時間程度で
従来のジルコニア磁器と本発明のジルコニア磁器との差
が明瞭となる。このように結晶粒子径を小さくすると正
方晶より単斜晶への変態が起りにくい理由は、結晶粒子
が微小であると粒子の表面自由エネルギーの関係で単斜
晶より正方晶の方が安定になるものと考えられる。なお
、平均結晶粒子の測定は、次の方法で行なう。磁器の鏡
面研磨面を弗化水素酸でエッチング処理したものの電子
顕微鏡写真で粒子を50個以上含むような一定面積S内
にある粒子数nを数え、粒子1個あたりの平均面積sに
等しい面積の円の直径dを式d=(4s/π) 1/2
により計算する。そしてdを同一試料の3ケ所以上の
視野について求めその平均値を平均結晶粒子径とする。 粒子数nは一定面積Sに完全に含まれる粒子の数と一定
面積の境界線で切られる粒子の数の1/2との和とする
。
【0008】そしてX線回折線ピーク強度比と抗折強度
との関係は図2に示すとおり、正方晶の(200) 面
、単斜晶の外15面、立方晶の(200) 面のX線回
折線の強度をそれぞれT(200) , M外16,C
(200) としたとき、本発明を構成する主として正
方晶の結晶粒子よりなるジルコニア磁器Cの強度は、従
来の立方晶の結晶粒子と単斜晶の結晶粒子よりなるジル
コニア磁器の劣化前の強度Dよりも大きく、また主とし
て立方晶の結晶粒子と正方晶の結晶粒子とよりなるジル
コニア磁器Eは立方晶の結晶粒子と単斜晶の結晶粒子と
よりなるジルコニア磁器の特定温度領域における経時劣
化後の強度Fよりも大である。また本発明のジルコニア
磁器CおよびEは立方晶のみよりなるジルコニア磁器G
よりも高強度であり、且つ正方晶が多くなるに従って強
度が向上する。
との関係は図2に示すとおり、正方晶の(200) 面
、単斜晶の外15面、立方晶の(200) 面のX線回
折線の強度をそれぞれT(200) , M外16,C
(200) としたとき、本発明を構成する主として正
方晶の結晶粒子よりなるジルコニア磁器Cの強度は、従
来の立方晶の結晶粒子と単斜晶の結晶粒子よりなるジル
コニア磁器の劣化前の強度Dよりも大きく、また主とし
て立方晶の結晶粒子と正方晶の結晶粒子とよりなるジル
コニア磁器Eは立方晶の結晶粒子と単斜晶の結晶粒子と
よりなるジルコニア磁器の特定温度領域における経時劣
化後の強度Fよりも大である。また本発明のジルコニア
磁器CおよびEは立方晶のみよりなるジルコニア磁器G
よりも高強度であり、且つ正方晶が多くなるに従って強
度が向上する。
【0009】なお、本発明で主として正方晶より成るジ
ルコニア磁器とは、正方晶のみよりなるものは勿論のこ
と(M外17+C(200))/T(200) のX線
回折線ピーク強度比が0.4 以下となるような単斜晶
および立方晶またはそのいずれか一方が存在するものも
含まれる。上記のX線ピーク強度比の範囲は単斜晶およ
び立方晶またはその一方が概略20容積パーセント以下
と相当する。
ルコニア磁器とは、正方晶のみよりなるものは勿論のこ
と(M外17+C(200))/T(200) のX線
回折線ピーク強度比が0.4 以下となるような単斜晶
および立方晶またはそのいずれか一方が存在するものも
含まれる。上記のX線ピーク強度比の範囲は単斜晶およ
び立方晶またはその一方が概略20容積パーセント以下
と相当する。
【0010】また主として立方晶の結晶粒子と正方晶の
結晶粒子とより成るジルコニア磁器とは、正方晶の結晶
粒子と立方晶の結晶粒子のみよりなるものは勿論のこと
T(200) /(T(200) +C(200))の
強度比が0.05以上で、M外18)/T(200)
の強度比が1以下、M外19) /(T(200) +
C(200))の強度比が0.4 以下となるような単
斜晶が存在するものも含まれる。上記のX線ピーク強度
比の範囲は、単斜晶の量が全体の概略20容積パーセン
ト以下に相当する。
結晶粒子とより成るジルコニア磁器とは、正方晶の結晶
粒子と立方晶の結晶粒子のみよりなるものは勿論のこと
T(200) /(T(200) +C(200))の
強度比が0.05以上で、M外18)/T(200)
の強度比が1以下、M外19) /(T(200) +
C(200))の強度比が0.4 以下となるような単
斜晶が存在するものも含まれる。上記のX線ピーク強度
比の範囲は、単斜晶の量が全体の概略20容積パーセン
ト以下に相当する。
【0011】又本発明において主としてZrO2 とY
2 O3 より成るジルコニア磁器というのは、ZrO
2 の安定化剤としてY2 O3 を主体として用いた
ジルコニア磁器を意味し、Y2 O3 の約30モル%
以下を他の稀土類元素酸化物、例えばYb2 O3 ,
Sc2 O3 , Nb2 O3 , Sm2 O3
, CeO2 等あるいはCa O, MgOで置換し
たものでもよい。また本発明によるジルコニア磁器はS
i O2 ,Al2 O3 , 粘土等の焼結助剤を磁
器全体の30重量%以下含有するものでもよい。なお磁
器を構成している結晶相は磁器表面を研磨し、鏡面とし
た面を用いてX線回折法によって同定する。
2 O3 より成るジルコニア磁器というのは、ZrO
2 の安定化剤としてY2 O3 を主体として用いた
ジルコニア磁器を意味し、Y2 O3 の約30モル%
以下を他の稀土類元素酸化物、例えばYb2 O3 ,
Sc2 O3 , Nb2 O3 , Sm2 O3
, CeO2 等あるいはCa O, MgOで置換し
たものでもよい。また本発明によるジルコニア磁器はS
i O2 ,Al2 O3 , 粘土等の焼結助剤を磁
器全体の30重量%以下含有するものでもよい。なお磁
器を構成している結晶相は磁器表面を研磨し、鏡面とし
た面を用いてX線回折法によって同定する。
【0012】200 ℃ないし300 ℃の温度域に曝
した後の磁器も再度研磨し、鏡面とした面を用いてX線
回折を行う。
した後の磁器も再度研磨し、鏡面とした面を用いてX線
回折を行う。
【0013】また抗折強度は通常行われている3点曲げ
法あるいは4点曲げ法によるが、初期の測定と200
℃ないし300 ℃の温度域に曝した後の測定とは同一
方法によるものであり、所定のテストピース形状にした
後、200 ℃ないし300 ℃の温度域に曝すように
したものである。
法あるいは4点曲げ法によるが、初期の測定と200
℃ないし300 ℃の温度域に曝した後の測定とは同一
方法によるものであり、所定のテストピース形状にした
後、200 ℃ないし300 ℃の温度域に曝すように
したものである。
【0014】本発明の数値限定理由は以下のとおりであ
る。Y2 O3 /ZrO2 のモル比は2/98未満
では正方晶のジルコニア磁器は得られず、また7/93
を越えると正方晶がほとんど含まれなくなり立方晶のジ
ルコニア磁器となる。また2/98〜4/96の範囲外
では主として正方晶のジルコニア磁器は得られない。
る。Y2 O3 /ZrO2 のモル比は2/98未満
では正方晶のジルコニア磁器は得られず、また7/93
を越えると正方晶がほとんど含まれなくなり立方晶のジ
ルコニア磁器となる。また2/98〜4/96の範囲外
では主として正方晶のジルコニア磁器は得られない。
【0015】本発明において電極としてはPt , R
h, Pd等の白金族金属あるいはLa1−x Ax
BO3 (Aはアルカリ土類金属、Bは遷移金属の1種
または複数種)で表わされるペロブスカイト型複合酸化
物電極、あるいは前記白金族金属とZrO2 ,Al
2 O3 等のセラミックスとのサーメット電極を利用
すれば良く、形成方法はスクリーン印刷法、焼付け法、
メッキ等を用いれば良い。
h, Pd等の白金族金属あるいはLa1−x Ax
BO3 (Aはアルカリ土類金属、Bは遷移金属の1種
または複数種)で表わされるペロブスカイト型複合酸化
物電極、あるいは前記白金族金属とZrO2 ,Al
2 O3 等のセラミックスとのサーメット電極を利用
すれば良く、形成方法はスクリーン印刷法、焼付け法、
メッキ等を用いれば良い。
【0016】固体電解質とするジルコニア磁器の形状は
円筒状、袋管状、平板状等どの様な形態であっても良い
が、円筒状のものはジルコニア粉末をプレス圧縮成形し
、平板状のものはジルコニア粉末を有機バインダーと有
機溶剤とに混練したスラリーとしてこれをドクターブレ
ード法等により成形すれば良い。
円筒状、袋管状、平板状等どの様な形態であっても良い
が、円筒状のものはジルコニア粉末をプレス圧縮成形し
、平板状のものはジルコニア粉末を有機バインダーと有
機溶剤とに混練したスラリーとしてこれをドクターブレ
ード法等により成形すれば良い。
【0017】本発明の酸素濃淡電池を構成する1対の電
極が還元性のガスに曝される場合は、該電極を多孔質な
セラミックス層によって被覆し直接還元性のガスが電極
に接しない様にすることが望ましい。該多孔質保護層は
ジルコニア、アルミナ、スピネル等のセラミックスであ
れば良く、プラズマ溶射法により形成するか、あるいは
スクリーン印刷法、ドクターブレード法等により平板状
の基板に形成した後焼き付ける等により形成すれば良い
。
極が還元性のガスに曝される場合は、該電極を多孔質な
セラミックス層によって被覆し直接還元性のガスが電極
に接しない様にすることが望ましい。該多孔質保護層は
ジルコニア、アルミナ、スピネル等のセラミックスであ
れば良く、プラズマ溶射法により形成するか、あるいは
スクリーン印刷法、ドクターブレード法等により平板状
の基板に形成した後焼き付ける等により形成すれば良い
。
【0018】なお本発明の酸素濃淡電池の固体電解質を
構成する主として正方晶の結晶粒子または主として立方
晶の結晶粒子および正方晶の結晶粒子より成る特定値以
下の平均結晶粒子径をもつ200 ℃ないし300 ℃
における耐久性の優れたジルコニア磁器をつくるには組
成はもとより使用する原料、原料粒度、焼成条件、冷却
条件等を選択することにより容易に実施できるものであ
る。
構成する主として正方晶の結晶粒子または主として立方
晶の結晶粒子および正方晶の結晶粒子より成る特定値以
下の平均結晶粒子径をもつ200 ℃ないし300 ℃
における耐久性の優れたジルコニア磁器をつくるには組
成はもとより使用する原料、原料粒度、焼成条件、冷却
条件等を選択することにより容易に実施できるものであ
る。
【0019】本発明の主として正方晶より成るジルコニ
ア磁器および主として立方晶の結晶粒子および正方晶の
結晶粒子とよりなるジルコニア磁器を用いた酸素濃淡電
池は固体電解質のイオン輸率がほぼ1で理論値通りの起
電力が得られる為、酸素センサとされるほか、酸素イオ
ン導電性である為、酸素ポンプあるいは固体電解質燃料
電池とされるものである。次に実施例を述べる。
ア磁器および主として立方晶の結晶粒子および正方晶の
結晶粒子とよりなるジルコニア磁器を用いた酸素濃淡電
池は固体電解質のイオン輸率がほぼ1で理論値通りの起
電力が得られる為、酸素センサとされるほか、酸素イオ
ン導電性である為、酸素ポンプあるいは固体電解質燃料
電池とされるものである。次に実施例を述べる。
【0020】
実施例1
酸素濃淡電池を構成する固体電解質のジルコニア磁器と
しての性質を最初に比較した。
しての性質を最初に比較した。
【0021】表1乃至表4に示す組成となるようにZr
O2 , Y2 O3 又はその化合物を調合しボ
ールミル混合した。その混合物を800 ℃で仮焼し、
ボールミルにて湿式粉砕し、乾燥した後その粉末をプレ
ス成形し、1000℃ないし1400℃にて1時間ない
し3時間焼成して本発明の酸素濃淡電池に使用するジル
コニア磁器を得た。そしてこれらの磁器について平均結
晶粒子径、X線回折線強度、抗折強度、体積抵抗率を比
較測定した。なおX線回折線強度比は立方晶の(200
) 面、正方晶の(200) 面および単斜晶の外20
面でのX線回折線ピーク高さの比とした。抗折強度は磁
器を3.5 ×3.5 ×50mmの棒状に仕上げ3点
曲げ法にて求めた。体積抵抗率は4端子法により、大気
中400 ℃にて測定した。
O2 , Y2 O3 又はその化合物を調合しボ
ールミル混合した。その混合物を800 ℃で仮焼し、
ボールミルにて湿式粉砕し、乾燥した後その粉末をプレ
ス成形し、1000℃ないし1400℃にて1時間ない
し3時間焼成して本発明の酸素濃淡電池に使用するジル
コニア磁器を得た。そしてこれらの磁器について平均結
晶粒子径、X線回折線強度、抗折強度、体積抵抗率を比
較測定した。なおX線回折線強度比は立方晶の(200
) 面、正方晶の(200) 面および単斜晶の外20
面でのX線回折線ピーク高さの比とした。抗折強度は磁
器を3.5 ×3.5 ×50mmの棒状に仕上げ3点
曲げ法にて求めた。体積抵抗率は4端子法により、大気
中400 ℃にて測定した。
【0022】なお表1乃至表4中200 ℃〜300
℃耐久とあるのは200 ℃〜300 ℃の間を、10
℃/分の昇降温度速度で加熱、冷却を繰り返した耐久試
験である。各種組成による測定結果を表1乃至表4に示
す。表1乃至表4には200 ℃〜300 ℃の耐久試
験後のX線回折線強度比も記載する。さらに表1乃至表
4中「B/A×100 」の欄は耐久試験後の抗折強度
を初期の抗折強度に比較した割合をパーセントで示し、
「C/D」の欄はX線回折線強度比において単斜晶外2
1面/正方晶(200)面の耐久試験後の値に対する初
期値の割合、すなわち耐久試験による正方晶から単斜晶
への相変態の程度、さらに換言すれば耐久試験による正
方晶の減少率を意味し、これが1に近い程正方晶が安定
であることを示す。表1乃至表4には本発明の数値限定
範囲外の例を参考例として合わせ記載した。
℃耐久とあるのは200 ℃〜300 ℃の間を、10
℃/分の昇降温度速度で加熱、冷却を繰り返した耐久試
験である。各種組成による測定結果を表1乃至表4に示
す。表1乃至表4には200 ℃〜300 ℃の耐久試
験後のX線回折線強度比も記載する。さらに表1乃至表
4中「B/A×100 」の欄は耐久試験後の抗折強度
を初期の抗折強度に比較した割合をパーセントで示し、
「C/D」の欄はX線回折線強度比において単斜晶外2
1面/正方晶(200)面の耐久試験後の値に対する初
期値の割合、すなわち耐久試験による正方晶から単斜晶
への相変態の程度、さらに換言すれば耐久試験による正
方晶の減少率を意味し、これが1に近い程正方晶が安定
であることを示す。表1乃至表4には本発明の数値限定
範囲外の例を参考例として合わせ記載した。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】注1)焼結助剤の添加量とは磁器全体に対
する焼結助剤の重量%である 注2)T.C.M とはそれぞれ正方晶(Tetrag
onal)、立方晶(Cubic) 、単斜晶(Mon
oclinic)を示す注3)C(200),T(20
0) とは立方晶の(200) 面、正方晶の(200
) 面のX線回折線強度を示す注4)M外22は単斜晶
の外23面のX線回折線強度を示す注5)耐久試験は
200℃ないし 300℃の間を10℃/分の昇降温度
速度で加熱、冷却を繰り返し1500時間経過したもの
である
する焼結助剤の重量%である 注2)T.C.M とはそれぞれ正方晶(Tetrag
onal)、立方晶(Cubic) 、単斜晶(Mon
oclinic)を示す注3)C(200),T(20
0) とは立方晶の(200) 面、正方晶の(200
) 面のX線回折線強度を示す注4)M外22は単斜晶
の外23面のX線回折線強度を示す注5)耐久試験は
200℃ないし 300℃の間を10℃/分の昇降温度
速度で加熱、冷却を繰り返し1500時間経過したもの
である
【0026】
【表3】
【0027】
【表4】
【0028】図3には表1乃至表4中に記載の例につい
て平均結晶粒子径に対するC/Dの値を図示し、図4に
は同様に平均結晶粒子に対するB/A×100 の値を
図示する。図3、図4中の各点についている数字は実施
例のNo. を示す。
て平均結晶粒子径に対するC/Dの値を図示し、図4に
は同様に平均結晶粒子に対するB/A×100 の値を
図示する。図3、図4中の各点についている数字は実施
例のNo. を示す。
【0029】表1乃至表4、図3、図4から明らかなと
おり、本発明のジルコニア磁器は高強度で、かつ200
℃〜300 ℃という特定の温度領域に放置しても結
晶相、抗折強度ともほとんど変化がない。
おり、本発明のジルコニア磁器は高強度で、かつ200
℃〜300 ℃という特定の温度領域に放置しても結
晶相、抗折強度ともほとんど変化がない。
【0030】さらにこのように特定温度領域で安定であ
るためには磁器の平均結晶粒子径が2μ以下、好ましく
は1μ以下であることが必要であると判明した。さらに
体積抵抗率も低いものであることが確認された。
るためには磁器の平均結晶粒子径が2μ以下、好ましく
は1μ以下であることが必要であると判明した。さらに
体積抵抗率も低いものであることが確認された。
【0031】実施例2
表1乃至表4No. 16で調製したジルコニア粉末を
プレス成形し、1400℃にて3時間焼成して図5に示
される固体電解質管2を形成し、該固体電解質管2の内
外面にPtメッキ法によって基準電極1と測定電極3を
設け、更に測定電極3の外側にプラズマ溶射法により多
孔質保護層4を設け、酸素センサ素子20を10本得た
。
プレス成形し、1400℃にて3時間焼成して図5に示
される固体電解質管2を形成し、該固体電解質管2の内
外面にPtメッキ法によって基準電極1と測定電極3を
設け、更に測定電極3の外側にプラズマ溶射法により多
孔質保護層4を設け、酸素センサ素子20を10本得た
。
【0032】酸素センサ素子20の温度を600 Kに
保ちながら内側雰囲気10を空気、外側雰囲気11をH
2 : 10%、H2 O: 1%残りN2 よりなる
混合ガスにさらし、基準電極1および測定電極3との間
に発生する起電力を測定した所、10本全てのセンサが
1.14±0.02Vとなりほぼ理論通りの起電力を発
生した。
保ちながら内側雰囲気10を空気、外側雰囲気11をH
2 : 10%、H2 O: 1%残りN2 よりなる
混合ガスにさらし、基準電極1および測定電極3との間
に発生する起電力を測定した所、10本全てのセンサが
1.14±0.02Vとなりほぼ理論通りの起電力を発
生した。
【0033】また測定電極3の雰囲気を前記H2 雰囲
気から空気雰囲気に急激に変化させた所約2秒で起電力
がほぼ0(ゼロ)になった。
気から空気雰囲気に急激に変化させた所約2秒で起電力
がほぼ0(ゼロ)になった。
【0034】これは、本発明の酸素濃淡電池が酸素セン
サとして利用できることを示すものである。
サとして利用できることを示すものである。
【0035】
【発明の効果】以上述べたとおり本発明の酸素濃淡電池
は、固体電解質としてジルコニア磁器を利用しており該
ジルコニア磁器は特定のY2 O3/ZrO2 のモル
比において主として正方晶の結晶粒子または主として正
方晶の結晶粒子および立方晶の結晶粒子とより成り、か
つその結晶粒子径が特定値以下であることにより極めて
高強度でかつ200 ℃〜300℃の特定温度域におけ
る経時劣化も著しく少ないものとなるので、高強度かつ
耐熱特性が要求される自動車用酸素センサ、鉄鋼用の酸
素メーター、発電用燃料電池などとして利用されるもの
であり、産業上極めて有用なものである。
は、固体電解質としてジルコニア磁器を利用しており該
ジルコニア磁器は特定のY2 O3/ZrO2 のモル
比において主として正方晶の結晶粒子または主として正
方晶の結晶粒子および立方晶の結晶粒子とより成り、か
つその結晶粒子径が特定値以下であることにより極めて
高強度でかつ200 ℃〜300℃の特定温度域におけ
る経時劣化も著しく少ないものとなるので、高強度かつ
耐熱特性が要求される自動車用酸素センサ、鉄鋼用の酸
素メーター、発電用燃料電池などとして利用されるもの
であり、産業上極めて有用なものである。
【図1】図1は酸素濃淡電池を構成する固体電解質とし
てのジルコニア磁器の平均結晶粒子径と抗折強度との耐
久試験前後の関係を示す説明図である。
てのジルコニア磁器の平均結晶粒子径と抗折強度との耐
久試験前後の関係を示す説明図である。
【図2】図2は立方晶(200) 面と正方晶(200
) 面のX線回折線の強度比と抗折強度との関係および
立方晶(200) 面と単斜晶外20面のX線回折線の
強度比と経時劣化前後の抗折強度との関係を示す説明図
である。
) 面のX線回折線の強度比と抗折強度との関係および
立方晶(200) 面と単斜晶外20面のX線回折線の
強度比と経時劣化前後の抗折強度との関係を示す説明図
である。
【図3】図3は本発明の酸素濃淡電池を構成する固体電
解質としてのジルコニア磁器のX線回折線強度比の初期
値(C)と耐久試験後の値(D)との比(C/D)と平
均結晶粒子径との関係を示す特性図である。
解質としてのジルコニア磁器のX線回折線強度比の初期
値(C)と耐久試験後の値(D)との比(C/D)と平
均結晶粒子径との関係を示す特性図である。
【図4】図4は同じく本発明の酸素濃淡電池を構成する
固体電解質としてのジルコニア磁器の抗折強度(A)と
耐久試験後の抗折強度(B)とのB/A×100 %と
平均結晶粒子径との関係を示す特性図である。
固体電解質としてのジルコニア磁器の抗折強度(A)と
耐久試験後の抗折強度(B)とのB/A×100 %と
平均結晶粒子径との関係を示す特性図である。
【図5】図5は本発明の酸素濃淡電池の1つである酸素
センサの先端部の断面図である。
センサの先端部の断面図である。
Claims (1)
- 1. 主としてZrO2 とY2 O3 より成り、
Y2 O3 /ZrO2 のモル比が2/98〜4/9
6の範囲であって結晶粒子が主として正方晶の結晶粒子
より成り、正方晶の(200) 面、立方晶の(200
) 面および単斜晶の外1面の各々のX線回折のピーク
強度をT(200) 、C(200) およびM外2と
したとき次式 (M外3+C(200) )/T(200) ≦0.4
が成立し平均結晶粒子径が2ミクロン以下のジルコニア
磁器より成る固体電解質と該固体電解質に接して設けら
れた少なくとも1対の電極とからなる酸素濃淡電池。2
. 主としてZrO2 とY2 O3 より成り、Y
2 O3 /ZrO2 のモル比が2/98〜7/93
の範囲であって結晶粒子が主として立方晶の結晶粒子お
よび正方晶の結晶粒子とより成り、正方晶の(200)
面、立方晶の(200) 面および単斜晶の外4面の
各々のX線回折のピーク強度をT(200) 、C(2
00) およびM外5としたとき次式T(200) /
(T(200) +C(200) )≧0.05M外6
/T(200) ≦1 M外7/(T(200) +C(200) )≦0.4
が成立し、平均結晶粒子径が2ミクロン以下 のジル
コニア磁器より成る固体電解質と該固体電解質に接して
設けられた少なくとも1対の電極からなる酸素濃淡電池
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2418102A JPH04349169A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 酸素濃淡電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2418102A JPH04349169A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 酸素濃淡電池 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63278551A Division JPH01157072A (ja) | 1988-11-05 | 1988-11-05 | ジルコニア磁器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04349169A true JPH04349169A (ja) | 1992-12-03 |
JPH0555464B2 JPH0555464B2 (ja) | 1993-08-17 |
Family
ID=18526043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2418102A Granted JPH04349169A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 酸素濃淡電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04349169A (ja) |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2418102A patent/JPH04349169A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0555464B2 (ja) | 1993-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0036786B1 (en) | Zirconia ceramics and a method of producing the same | |
US4507394A (en) | High electric resistant zirconia and/or hafnia ceramics | |
JPS6116125B2 (ja) | ||
JPS6121184B2 (ja) | ||
JP2617204B2 (ja) | 固体電解質の製造方法 | |
JP3934750B2 (ja) | 酸化物イオン導電性セラミックス及びその製造方法 | |
JPH08208333A (ja) | 酸素イオン導電体及びその製造方法 | |
JPH07126061A (ja) | マグネシア系焼結体及びその製造方法 | |
JPH04349169A (ja) | 酸素濃淡電池 | |
JPH0258232B2 (ja) | ||
JPH01157072A (ja) | ジルコニア磁器 | |
CN114478006A (zh) | 一种KNNS-BNZ+CuO压电陶瓷材料及其制备方法、应用 | |
WO2002013296A1 (fr) | Oxyde composite pour electrode oxydoreductrice et materiau de collecteur de pile a combustible a electrolyte solide, procede de preparation de ceux-ci et pile a combustible a electrolyte solide | |
JP4337436B2 (ja) | サーミスタ素子の製造方法 | |
JPH11240755A (ja) | 酸素センサ素子の製造方法 | |
EP0345824B1 (en) | Method for producing ceramics | |
JP3323923B2 (ja) | ジルコニア多結晶体薄膜及びその製造方法 | |
JP7389307B1 (ja) | 温度センサ素子および温度センサ | |
WO2024004870A1 (ja) | 温度センサ素子および温度センサ | |
JPH0463024B2 (ja) | ||
JP3362644B2 (ja) | サーミスタ素子とその製造方法及びそのサーミスタ素子を用いた温度センサ | |
JPH034505B2 (ja) | ||
JP3121967B2 (ja) | セラミック製発熱素子 | |
JPH09196098A (ja) | 耐熱導電性セラミックス | |
JPH06316457A (ja) | セラミック製発熱素子 |