JPH04346657A - 低融点金属の蒸着方法 - Google Patents
低融点金属の蒸着方法Info
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- JPH04346657A JPH04346657A JP11998691A JP11998691A JPH04346657A JP H04346657 A JPH04346657 A JP H04346657A JP 11998691 A JP11998691 A JP 11998691A JP 11998691 A JP11998691 A JP 11998691A JP H04346657 A JPH04346657 A JP H04346657A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子部品への低融
点金属の蒸着方法に関する。最近、セラミック基板等の
被蒸着体に対する低融点金属の薄膜形成作業が増加する
に伴って真空蒸着スピードの向上が要求されているが、
そのスピードは低融点金属の加熱による蒸気圧だけによ
り左右されて蒸着金属によっては蒸発スピードの非常に
遅いもの或いは蒸着できないものがあるので、加熱以外
の分子活動エネルギーを与えて蒸着スピードを向上する
ことができる新しい低融点金属の蒸着方法が要求されて
いる。
点金属の蒸着方法に関する。最近、セラミック基板等の
被蒸着体に対する低融点金属の薄膜形成作業が増加する
に伴って真空蒸着スピードの向上が要求されているが、
そのスピードは低融点金属の加熱による蒸気圧だけによ
り左右されて蒸着金属によっては蒸発スピードの非常に
遅いもの或いは蒸着できないものがあるので、加熱以外
の分子活動エネルギーを与えて蒸着スピードを向上する
ことができる新しい低融点金属の蒸着方法が要求されて
いる。
【０００２】
【従来の技術】従来広く使用されている真空蒸着装置は
、図２に示すように真空チャンバ１（ベルジャ）の内部
に、液体金属４が収容される例えばセラミックからなる
坩堝２を設置するとともに、低融点金属を液体金属４に
変態させるヒータ３が付設され、この坩堝２より２０〜
３０ｃｍの上部に低融点金属の蒸着膜６を形成する被蒸
着体５の支持台７を設け、この支持台７と上記坩堝２の
中間に蒸着膜６の形成を制御するシャッター８が配設さ
れている。
、図２に示すように真空チャンバ１（ベルジャ）の内部
に、液体金属４が収容される例えばセラミックからなる
坩堝２を設置するとともに、低融点金属を液体金属４に
変態させるヒータ３が付設され、この坩堝２より２０〜
３０ｃｍの上部に低融点金属の蒸着膜６を形成する被蒸
着体５の支持台７を設け、この支持台７と上記坩堝２の
中間に蒸着膜６の形成を制御するシャッター８が配設さ
れている。
【０００３】そして、低融点金属の蒸着方法は、形成さ
れる薄膜の低融点金属，例えば融点１８０°Ｃの共晶半
田を坩堝２内に投入するとともに上記支持台７の下面に
被蒸着体５を装着し、図示していないポンプにより真空
チャンバ１内の空気を排気して１０−５〜１０−６ｍｍ
Ｈｇの真空状態にして、ヒータ３により坩堝２を加熱す
ることで約１０００°Ｃの温度となった半田の液体金属
４を形成すると、その液体金属４の蒸気圧により半田の
蒸気が発生して坩堝２から上昇するから、この坩堝２の
上部に配設したシャッター８を制御することより被蒸着
体５の下面に所定膜厚の当該液体金属４，即ち半田の蒸
着膜６が形成されている。
れる薄膜の低融点金属，例えば融点１８０°Ｃの共晶半
田を坩堝２内に投入するとともに上記支持台７の下面に
被蒸着体５を装着し、図示していないポンプにより真空
チャンバ１内の空気を排気して１０−５〜１０−６ｍｍ
Ｈｇの真空状態にして、ヒータ３により坩堝２を加熱す
ることで約１０００°Ｃの温度となった半田の液体金属
４を形成すると、その液体金属４の蒸気圧により半田の
蒸気が発生して坩堝２から上昇するから、この坩堝２の
上部に配設したシャッター８を制御することより被蒸着
体５の下面に所定膜厚の当該液体金属４，即ち半田の蒸
着膜６が形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の低
融点金属の蒸着方法で問題となるのは、坩堝２内に投入
された低融点金属をヒータ３で加熱することで液体金属
４にし、その液体金属４の蒸気圧で上昇した金属蒸気で
被蒸着体５の表面に所定膜厚の蒸着膜６を形成している
から、この液体金属４の蒸発スピード，即ち蒸着膜６の
形成速度はその液体金属４の蒸気圧だけにより左右され
、蒸着金属によっては蒸発スピードの非常に遅いもの或
いは蒸着できないものがあるという問題が生じている。
融点金属の蒸着方法で問題となるのは、坩堝２内に投入
された低融点金属をヒータ３で加熱することで液体金属
４にし、その液体金属４の蒸気圧で上昇した金属蒸気で
被蒸着体５の表面に所定膜厚の蒸着膜６を形成している
から、この液体金属４の蒸発スピード，即ち蒸着膜６の
形成速度はその液体金属４の蒸気圧だけにより左右され
、蒸着金属によっては蒸発スピードの非常に遅いもの或
いは蒸着できないものがあるという問題が生じている。
【０００５】本発明は上記のような問題点に鑑み、簡単
且つ、安価な方法で蒸着スピードを向上することができ
る新しい低融点金属の蒸着方法の提供を目的とする。
且つ、安価な方法で蒸着スピードを向上することができ
る新しい低融点金属の蒸着方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うに真空チャンバ１内の真空状態でヒータ３の加熱によ
り坩堝２内に液体金属４を形成し、当該液体金属４の蒸
気圧により被蒸着体５の表面に該液体金属４の蒸着膜６
を形成する真空蒸着法において、前記加熱により溶融し
た上記坩堝２内の該液体金属４に超音波振動子１１によ
り超音波を付与する。
うに真空チャンバ１内の真空状態でヒータ３の加熱によ
り坩堝２内に液体金属４を形成し、当該液体金属４の蒸
気圧により被蒸着体５の表面に該液体金属４の蒸着膜６
を形成する真空蒸着法において、前記加熱により溶融し
た上記坩堝２内の該液体金属４に超音波振動子１１によ
り超音波を付与する。
【０００７】
【作用】本発明では、加熱により坩堝２内で溶融した液
体金属４に超音波振動子１１から超音波を発信すると、
その液体金属４の分子活動が増加して蒸気圧が高くなる
から蒸着スピードを向上，即ち被蒸着体５に対する蒸着
膜６の形成スピードを速くすることが可能となる。
体金属４に超音波振動子１１から超音波を発信すると、
その液体金属４の分子活動が増加して蒸気圧が高くなる
から蒸着スピードを向上，即ち被蒸着体５に対する蒸着
膜６の形成スピードを速くすることが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下図面に示した実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。第１図は本実施例による低融点金属の
蒸着方法の模式図を示し、図中において図２と同一部材
には同一記号が付してあるが、その他の１１は超音波発
信器の振動子である。
詳細に説明する。第１図は本実施例による低融点金属の
蒸着方法の模式図を示し、図中において図２と同一部材
には同一記号が付してあるが、その他の１１は超音波発
信器の振動子である。
【０００９】超音波振動子１１は、図示していない超音
波発信器に接続されて，例えば４０ｋＨＺの超音波を発
信する汎用の超音波振動子である。上記部材を使用した
真空蒸着装置は、図１に示すように真空チャンバ１の内
部には、液体金属４を収容するヒータ３が付設された坩
堝２を設置するとともに坩堝２の上部に低融点金属の蒸
着膜６が形成される被蒸着体５の支持台７を設け、この
支持台７と上記坩堝２の中間に蒸着膜６の形成を制御す
るシャッター８が従来と同様に配設して、図示していな
い超音波発信器と接続された超音波振動子１１を上記坩
堝２の底部に内設している。
波発信器に接続されて，例えば４０ｋＨＺの超音波を発
信する汎用の超音波振動子である。上記部材を使用した
真空蒸着装置は、図１に示すように真空チャンバ１の内
部には、液体金属４を収容するヒータ３が付設された坩
堝２を設置するとともに坩堝２の上部に低融点金属の蒸
着膜６が形成される被蒸着体５の支持台７を設け、この
支持台７と上記坩堝２の中間に蒸着膜６の形成を制御す
るシャッター８が従来と同様に配設して、図示していな
い超音波発信器と接続された超音波振動子１１を上記坩
堝２の底部に内設している。
【００１０】そして、低融点金属の蒸着方法は、従来と
同様に低融点金属の半田を坩堝２内に投入するとともに
真空チャンバ１内を１０−５〜１０−６ｍｍＨｇの真空
状態にして、ヒータ３の加熱により約１０００°Ｃの半
田の液体金属４を坩堝２内に形成した後に、前記超音波
発信器を駆動させて上記超音波振動子１１から例えば４
０ｋＨＺの超音波を液体金属４に発信することにより半
田の蒸気を発生させ、この坩堝２の上部に配設したシャ
ッター８を制御して被蒸着体５の下面に所定膜厚の当該
液体金属４の蒸着膜６を形成している。
同様に低融点金属の半田を坩堝２内に投入するとともに
真空チャンバ１内を１０−５〜１０−６ｍｍＨｇの真空
状態にして、ヒータ３の加熱により約１０００°Ｃの半
田の液体金属４を坩堝２内に形成した後に、前記超音波
発信器を駆動させて上記超音波振動子１１から例えば４
０ｋＨＺの超音波を液体金属４に発信することにより半
田の蒸気を発生させ、この坩堝２の上部に配設したシャ
ッター８を制御して被蒸着体５の下面に所定膜厚の当該
液体金属４の蒸着膜６を形成している。
【００１１】その結果、超音波振動子１１から発信する
超音波により液体金属４の分子活動が増加して蒸気圧が
高くなるから被蒸着体５に対して金属蒸着膜６の形成ス
ピードを速くすることができる。
超音波により液体金属４の分子活動が増加して蒸気圧が
高くなるから被蒸着体５に対して金属蒸着膜６の形成ス
ピードを速くすることができる。
【００１２】以上、図示実施例に基づき説明したが、本
発明は上記実施例の態様のみに限定されるものでなく、
例えば超音波振動子１１を坩堝２の外部に配置しても良
く、坩堝２の内部に限定しなくても良い。
発明は上記実施例の態様のみに限定されるものでなく、
例えば超音波振動子１１を坩堝２の外部に配置しても良
く、坩堝２の内部に限定しなくても良い。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば極めて簡単な方法で、液体金属の蒸発スピードが
速くなって蒸着膜の形成能率が向上できる等の利点があ
り、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる
低融点金属の蒸着方法を提供することができる。
よれば極めて簡単な方法で、液体金属の蒸発スピードが
速くなって蒸着膜の形成能率が向上できる等の利点があ
り、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる
低融点金属の蒸着方法を提供することができる。
【図１】 本発明の一実施例による低融点金属の蒸着
方法を示す模式図である。
方法を示す模式図である。
【図２】 従来の低融点金属の蒸着方法を示す模式図
である。
である。
１は真空チャンバ、
２は坩堝、
３はヒータ、
４は液体金属、
５は被蒸着体、
６は蒸着膜、
７は支持台、、
８はシャッター、
１１は超音波振動子、
Claims (1)
- 【請求項１】 真空状態でヒータ（３） の加熱
により坩堝（２） 内に液体金属（４） を形成し、当
該液体金属（４） の蒸気圧により被蒸着体（５） の
表面に該液体金属（４） の蒸着膜（６） を形成する
真空蒸着法において、前記加熱により溶融した上記坩堝
（２） 内の該液体金属（４） に超音波振動子（１１
）から超音波を付与したことを特徴とする低融点金属の
蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11998691A JPH04346657A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 低融点金属の蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11998691A JPH04346657A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 低融点金属の蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346657A true JPH04346657A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14775082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11998691A Withdrawn JPH04346657A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 低融点金属の蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019066087A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着装置、有機ｅｌパネルの製造装置、有機ｅｌパネルの製造方法 |
| CN112670028A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-16 | 东莞理工学院 | 一种基于原子组装法制备镓基铟锡导电薄膜的方法 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP11998691A patent/JPH04346657A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019066087A1 (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着装置、有機ｅｌパネルの製造装置、有機ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2019059973A (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着装置、有機ｅｌパネルの製造装置、有機ｅｌパネルの製造方法 |
| CN112670028A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-16 | 东莞理工学院 | 一种基于原子组装法制备镓基铟锡导电薄膜的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |