JPH04345052A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04345052A JPH04345052A JP14996291A JP14996291A JPH04345052A JP H04345052 A JPH04345052 A JP H04345052A JP 14996291 A JP14996291 A JP 14996291A JP 14996291 A JP14996291 A JP 14996291A JP H04345052 A JPH04345052 A JP H04345052A
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- wiring
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- aluminum wiring
- wiring layer
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- Pending
Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 37
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 37
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置に関し、特
にその配線形成に関するものである。
にその配線形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の半導体装置の配線構造を示
す。図２（ａ） は平面パターン図であり、図２（ｂ）
はそのＩＩｂ−ＩＩｂ線に沿った断面図である。図に
おいて、１及び２は活性領域の拡散領域、３は各拡散領
域１，２を分離するための分離酸化膜、４は上記各拡散
領域１，２をコンタクトホール６を介して接続するアル
ミ配線５と下地間の層間酸化膜である。
す。図２（ａ） は平面パターン図であり、図２（ｂ）
はそのＩＩｂ−ＩＩｂ線に沿った断面図である。図に
おいて、１及び２は活性領域の拡散領域、３は各拡散領
域１，２を分離するための分離酸化膜、４は上記各拡散
領域１，２をコンタクトホール６を介して接続するアル
ミ配線５と下地間の層間酸化膜である。
【０００３】次に動作について説明する。以上のように
構成されたアルミ配線５に長期間電流を流し続けると、
その電流のストレスによりアルミ配線５は断線してしま
う。この現象をエレクトロマイグレーションというが、
断線に至るまでの期間は、アルミ配線５の電流密度に依
存し、例えば図２に示すように拡散領域１から拡散領域
２へ電流を流す時、その電流量が多いほど、エレクトロ
マイグレーション防止のためにアルミ配線５の幅Ｗを広
く設計しなければならない。
構成されたアルミ配線５に長期間電流を流し続けると、
その電流のストレスによりアルミ配線５は断線してしま
う。この現象をエレクトロマイグレーションというが、
断線に至るまでの期間は、アルミ配線５の電流密度に依
存し、例えば図２に示すように拡散領域１から拡散領域
２へ電流を流す時、その電流量が多いほど、エレクトロ
マイグレーション防止のためにアルミ配線５の幅Ｗを広
く設計しなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の配線層を備えた
半導体装置は以上のように構成されており、電流が多く
流れる配線は配線幅Ｗを広くしなければならないので、
特にアルミ配線形成時の熱処理によるヒロックと言われ
るアルミの突起物が発生しやすく、またパターン面積も
大きくなってしまう等の問題点があった。
半導体装置は以上のように構成されており、電流が多く
流れる配線は配線幅Ｗを広くしなければならないので、
特にアルミ配線形成時の熱処理によるヒロックと言われ
るアルミの突起物が発生しやすく、またパターン面積も
大きくなってしまう等の問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、配線の配線幅Ｗを広くすること
なく、エレクトロマイグレーションを防止することがで
きる配線を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、配線の配線幅Ｗを広くすること
なく、エレクトロマイグレーションを防止することがで
きる配線を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、主配線の上面，下面の少なくとも一方の面に該配
線層と並列に配置され該アルミ配線層とコンタクトホー
ルを介して電気的に接続される補助配線層を設けたもの
である。
置は、主配線の上面，下面の少なくとも一方の面に該配
線層と並列に配置され該アルミ配線層とコンタクトホー
ルを介して電気的に接続される補助配線層を設けたもの
である。
【０００７】
【作用】この発明においては並列接続された補助配線層
により、主配線の電流密度が減少する。
により、主配線の電流密度が減少する。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例による配線層を備
えた半導体装置を図１を用いて説明する。図１において
図２と同一符号は同一または相当部分を示し、７は第１
アルミ配線５と第２アルミ配線８との層間酸化膜、８は
第２アルミ配線、９は第１アルミ配線５と第２アルミ配
線８とをつなぐスルーホールである。
えた半導体装置を図１を用いて説明する。図１において
図２と同一符号は同一または相当部分を示し、７は第１
アルミ配線５と第２アルミ配線８との層間酸化膜、８は
第２アルミ配線、９は第１アルミ配線５と第２アルミ配
線８とをつなぐスルーホールである。
【０００９】次に作用効果について説明する。以上のよ
うに構成されたアルミ配線構造において、拡散領域１か
ら拡散領域２へ第１アルミ配線５を介して電流が流れる
とき、スルーホール９で第１アルミ配線５と並列に接続
された第２アルミ配線８にも電流が分岐して流れるので
第１アルミ配線５の電流密度が小さくなり、従って配線
幅を大きくすることなくマイグレーション耐性を向上さ
せることができる。
うに構成されたアルミ配線構造において、拡散領域１か
ら拡散領域２へ第１アルミ配線５を介して電流が流れる
とき、スルーホール９で第１アルミ配線５と並列に接続
された第２アルミ配線８にも電流が分岐して流れるので
第１アルミ配線５の電流密度が小さくなり、従って配線
幅を大きくすることなくマイグレーション耐性を向上さ
せることができる。
【００１０】なお、上記実施例では第１アルミ配線５と
第２アルミ配線８とを接続する例を示したが、ゲート配
線等の他の配線と並列接続しても同様の効果が得られる
。図３を用いて詳述すると、活性領域１，２間の分離酸
化膜３上にゲート電極（ポリシリコン配線）１３が設け
られており、該ゲート１３と第１アルミ配線１とがスル
ーホールを介して接続され、また第１アルミ配線５とス
ルーホール９を介して接続されている第２アルミ配線８
の上方に層間酸化膜１２に設けられた第２のスルーホー
ル１１を介して、第３アルミ配線１０が接続されている
。このように構成することで第１アルミ配線５の電流密
度をさらに小さくすることができ、マイグレーション耐
性をさらに向上させることができる。
第２アルミ配線８とを接続する例を示したが、ゲート配
線等の他の配線と並列接続しても同様の効果が得られる
。図３を用いて詳述すると、活性領域１，２間の分離酸
化膜３上にゲート電極（ポリシリコン配線）１３が設け
られており、該ゲート１３と第１アルミ配線１とがスル
ーホールを介して接続され、また第１アルミ配線５とス
ルーホール９を介して接続されている第２アルミ配線８
の上方に層間酸化膜１２に設けられた第２のスルーホー
ル１１を介して、第３アルミ配線１０が接続されている
。このように構成することで第１アルミ配線５の電流密
度をさらに小さくすることができ、マイグレーション耐
性をさらに向上させることができる。
【００１１】また上記各実施例では補助配線層を複数の
コンタクトホールを用いて電気的に接続するようにした
が、単一の大きなコンタクトホールのみで接続するよう
にしてもよく、より電流密度を低減させることができる
。
コンタクトホールを用いて電気的に接続するようにした
が、単一の大きなコンタクトホールのみで接続するよう
にしてもよく、より電流密度を低減させることができる
。
【００１２】さらに上記実施例ではアルミの配線層を例
に挙げて説明したが、用いられる配線材料はアルミに限
られるものではなく、他の金属あるいは金属化合物等で
あってもかまわない。
に挙げて説明したが、用いられる配線材料はアルミに限
られるものではなく、他の金属あるいは金属化合物等で
あってもかまわない。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
置によれば、主配線の上面，下面の少なくとも一方の面
に該配線層と並列に配置され該配線層とコンタクトホー
ルを介して電気的に接続される補助配線層を設けたので
、通常用いられる簡単な手法で、主配線層の電流密度を
低減でき、配線を太くすることなくマイグレーションを
防止でき、その結果、長寿命な配線層を有する半導体装
置を得ることができるという効果がある。
置によれば、主配線の上面，下面の少なくとも一方の面
に該配線層と並列に配置され該配線層とコンタクトホー
ルを介して電気的に接続される補助配線層を設けたので
、通常用いられる簡単な手法で、主配線層の電流密度を
低減でき、配線を太くすることなくマイグレーションを
防止でき、その結果、長寿命な配線層を有する半導体装
置を得ることができるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の平面図
及び断面図。
及び断面図。
【図２】従来の一実施例による半導体装置の平面図及び
断面図。
断面図。
【図３】この発明の他の実施例による半導体装置の平面
図及び断面図。
図及び断面図。
１，２ 活性領域
３ 分離酸化膜
４，７ 層間酸化膜
６ コンタクトホール
５ 第１アルミ配線
８ 第２アルミ配線（補助配線層）
Claims (1)
- 【請求項１】 素子間または素子内に配線層を備えた
半導体装置において、当該配線層の上面，下面の少なく
とも一方の面に該配線層と並列に配置され、該配線層と
コンタクトホールを介して電気的に接続される補助配線
層を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14996291A JPH04345052A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14996291A JPH04345052A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04345052A true JPH04345052A (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=15486413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14996291A Pending JPH04345052A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04345052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6052301A (en) * | 1998-06-30 | 2000-04-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device |
-
1991
- 1991-05-22 JP JP14996291A patent/JPH04345052A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6052301A (en) * | 1998-06-30 | 2000-04-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device |
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