JPH04341744A - 枚葉式プラズマエッチング装置の上部電極 - Google Patents
枚葉式プラズマエッチング装置の上部電極Info
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- JPH04341744A JPH04341744A JP3112995A JP11299591A JPH04341744A JP H04341744 A JPH04341744 A JP H04341744A JP 3112995 A JP3112995 A JP 3112995A JP 11299591 A JP11299591 A JP 11299591A JP H04341744 A JPH04341744 A JP H04341744A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
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- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32532—Electrodes
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-
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、枚葉式プラズマエッチ
ング装置の上部電極に関するものである。
ング装置の上部電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉式プラズマエッチング装置の
上部電極を図４（ａ），（ｂ）に示し、実際に従来上部
電極を用いてエッチングを行うときの様子を図４（ｃ）
に示す。図において、１は上部電極、２はガス噴出孔、
３はガスの流れ方向、４は被エッチング材料（ウェハー
）、５は下部電極である。
上部電極を図４（ａ），（ｂ）に示し、実際に従来上部
電極を用いてエッチングを行うときの様子を図４（ｃ）
に示す。図において、１は上部電極、２はガス噴出孔、
３はガスの流れ方向、４は被エッチング材料（ウェハー
）、５は下部電極である。
【０００３】従来の上部電極１は図４に示すとおり、平
行平板形状を有し、ガス噴出孔２は上部電極のほぼ全面
に位置している。また、ガス噴出孔２は、被エッチング
材料４に対して垂直に開口しているので、ガス３は被エ
ッチング材料４に向ってまっすぐに噴きつけられるよう
になっている。
行平板形状を有し、ガス噴出孔２は上部電極のほぼ全面
に位置している。また、ガス噴出孔２は、被エッチング
材料４に対して垂直に開口しているので、ガス３は被エ
ッチング材料４に向ってまっすぐに噴きつけられるよう
になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の上部電
極では、電極周辺部に比べて電極中央部において、ガス
の流れが遅く、ガス濃度が高いために高周波電圧（ＲＦ
）印加時のプラズマ密度が高くなり、使用時間に伴い被
エッチング材料側の上部電極面が中央部程、損耗する（
電極厚さ８ｍｍに対し１ｍｍ程度、電極厚さ２０ｍｍに
対し３ｍｍ程度の損耗）。その様子を図５に示す。図５
（ａ）は使用前、図５（ｂ）はＲＦの印加により損耗し
た上部電極を示す。また、ガス噴出孔２は、上部電極と
ラジカルとの反応により使用時間に伴い、電極中央部程
その開口部２ａの口径が大きくなる。このような上部電
極形状の経時変化は、エッチング特性に影響を与える。 その様子を図６に示す。図６（ａ）は電極を新品に交換
した直後のエッチレートのウェハー面内位置依存性を示
し、図６（ｂ）は長期使用により上部電極が図５（ｂ）
のように損耗した時のエッチレートのウェハー面内位置
依存性を示したものである。電極交換当初、図６（ａ）
アのようなエッチレートのウェハー面内分布を示してい
たものが、Ｇａｐ依存性の高い装置では、エッチングに
よる電極の損耗に伴って電極中央部程、電極厚さが薄く
なるためにＧａｐが広がり、図６（ｂ）イのようにエッ
チレートが低下し、エッチレートの均一性が悪くなる。 逆にＧａｐ依存性の低い装置では、ガス噴出孔開口部の
口径の拡大による影響を強く受け、電極中央部程、ガス
流量が多くなるために図６（ｂ）ウのようにエッチレー
トが上昇し、エッチレートの均一性が悪化する。
極では、電極周辺部に比べて電極中央部において、ガス
の流れが遅く、ガス濃度が高いために高周波電圧（ＲＦ
）印加時のプラズマ密度が高くなり、使用時間に伴い被
エッチング材料側の上部電極面が中央部程、損耗する（
電極厚さ８ｍｍに対し１ｍｍ程度、電極厚さ２０ｍｍに
対し３ｍｍ程度の損耗）。その様子を図５に示す。図５
（ａ）は使用前、図５（ｂ）はＲＦの印加により損耗し
た上部電極を示す。また、ガス噴出孔２は、上部電極と
ラジカルとの反応により使用時間に伴い、電極中央部程
その開口部２ａの口径が大きくなる。このような上部電
極形状の経時変化は、エッチング特性に影響を与える。 その様子を図６に示す。図６（ａ）は電極を新品に交換
した直後のエッチレートのウェハー面内位置依存性を示
し、図６（ｂ）は長期使用により上部電極が図５（ｂ）
のように損耗した時のエッチレートのウェハー面内位置
依存性を示したものである。電極交換当初、図６（ａ）
アのようなエッチレートのウェハー面内分布を示してい
たものが、Ｇａｐ依存性の高い装置では、エッチングに
よる電極の損耗に伴って電極中央部程、電極厚さが薄く
なるためにＧａｐが広がり、図６（ｂ）イのようにエッ
チレートが低下し、エッチレートの均一性が悪くなる。 逆にＧａｐ依存性の低い装置では、ガス噴出孔開口部の
口径の拡大による影響を強く受け、電極中央部程、ガス
流量が多くなるために図６（ｂ）ウのようにエッチレー
トが上昇し、エッチレートの均一性が悪化する。
【０００５】実際の例としては、厚さ８ｍｍの上部電極
に対し、ＲＦ積算時間が３５０Ｈｒで電極損耗深さが１
〜２ｍｍ、均一性（Ｒ／Ｘ（バー）％）が１０％以上と
なる。
に対し、ＲＦ積算時間が３５０Ｈｒで電極損耗深さが１
〜２ｍｍ、均一性（Ｒ／Ｘ（バー）％）が１０％以上と
なる。
【０００６】本発明はこのような問題点に着目し、エッ
チング特性の経時変化を最小限に抑えることを目的とし
ている。
チング特性の経時変化を最小限に抑えることを目的とし
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る枚葉式プラズマエッチング装置の上部電
極においては、電極面と、ガス噴出孔とを有する枚葉式
プラズマエッチング装置の上部電極であって、電極面は
、上部電極の被エッチング材料に対向する面に位置し、
凹型球面形状を有するものであり、ガス噴出孔は、電極
面の凹型球面中央部を除いた周辺部に設けられたもので
あり、該ガス噴出孔は、その開口部が電極面の凹型球面
中央部側の内側を向いた傾斜姿勢に開口形成されたもの
である。
、本発明に係る枚葉式プラズマエッチング装置の上部電
極においては、電極面と、ガス噴出孔とを有する枚葉式
プラズマエッチング装置の上部電極であって、電極面は
、上部電極の被エッチング材料に対向する面に位置し、
凹型球面形状を有するものであり、ガス噴出孔は、電極
面の凹型球面中央部を除いた周辺部に設けられたもので
あり、該ガス噴出孔は、その開口部が電極面の凹型球面
中央部側の内側を向いた傾斜姿勢に開口形成されたもの
である。
【０００８】
【作用】このような目的を達成するために本発明の上部
電極は被エッチング材料側の電極面を凹型球面形状とし
、ガス噴出孔を電極周辺部にのみ配置し、ガス噴出孔に
任意の角度をつけることにより、エッチング特性の経時
変化を少なくしたものである。
電極は被エッチング材料側の電極面を凹型球面形状とし
、ガス噴出孔を電極周辺部にのみ配置し、ガス噴出孔に
任意の角度をつけることにより、エッチング特性の経時
変化を少なくしたものである。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１（ａ），（ｂ）は本発明の上部電極構
造を示し、図１（ｃ）は、実際に本発明の上部電極を用
いてエッチングを行うときの上部電極、被エッチング材
料（ウェハー）、下部電極の位置関係を示す。図１にお
いて、１は上部電極、２はガス噴出孔、３はガスの噴き
出し方向、４は被エッチング材料（ウェハー）、５は下
部電極である。本発明の上部電極１は図１に示すとおり
、被エッチング材料４側の電極面１ａが凹型球面形状で
あることにより、使用時間に伴って激しく損耗する電極
中央部程、Ｇａｐが広がりプラズマ密度を低下させて、
上部電極の損耗を防止している。また電極の使用時間及
び損耗に伴って電極中央部程、ガス噴出孔の口径が大き
くなり、エッチレートが増大するのを防ぐ目的で、電極
周辺部にのみガス噴出孔２を配置させてある。しかし、
これではＧａｐの拡大及び反応ガスの不足により電極中
央部のエッチレートがかなり低下するので、電極周辺部
に設けたガス噴出孔２は、その開口部２ａが電極面１ａ
の凹型球面中央部側を向いた傾斜姿勢に開口形成され、
被エッチング材料４の中心に向って任意の角度θを付け
ている。例えば、上部電極径ｖが２００ｍｍ、電極厚さ
ｙが８ｍｍ、Ｇａｐが６．５ｍｍの上部電極に対し、上
部電極の中央部と周辺部の厚さの差ｘは１〜２ｍｍ、ガ
ス噴出孔２がない中央部の径ｕは４０〜８０ｍｍ、ガス
噴出孔角度は３０°〜６０°である。図２に本発明の上
部電極を長時間使用したときの電極形状の経時変化を示
す。図２（ａ）は使用前、図２（ｂ）は長時間使用後の
上部電極形状である。電極中央部での損耗、ガス噴出孔
開口部２ａの口径の拡大はあるものの従来電極程の形状
の経時変化は見られない（ＲＦ積算時間３５０Ｈｒに対
し、電極損耗深さが０．２〜０．６ｍｍ）。また図３に
このときのエッチレートのウェハー面内位置依存性を示
す。図３（ａ）は新電極に交換直後のエッチレート、図
３（ｂ）は長時間使用後のエッチレートである。
造を示し、図１（ｃ）は、実際に本発明の上部電極を用
いてエッチングを行うときの上部電極、被エッチング材
料（ウェハー）、下部電極の位置関係を示す。図１にお
いて、１は上部電極、２はガス噴出孔、３はガスの噴き
出し方向、４は被エッチング材料（ウェハー）、５は下
部電極である。本発明の上部電極１は図１に示すとおり
、被エッチング材料４側の電極面１ａが凹型球面形状で
あることにより、使用時間に伴って激しく損耗する電極
中央部程、Ｇａｐが広がりプラズマ密度を低下させて、
上部電極の損耗を防止している。また電極の使用時間及
び損耗に伴って電極中央部程、ガス噴出孔の口径が大き
くなり、エッチレートが増大するのを防ぐ目的で、電極
周辺部にのみガス噴出孔２を配置させてある。しかし、
これではＧａｐの拡大及び反応ガスの不足により電極中
央部のエッチレートがかなり低下するので、電極周辺部
に設けたガス噴出孔２は、その開口部２ａが電極面１ａ
の凹型球面中央部側を向いた傾斜姿勢に開口形成され、
被エッチング材料４の中心に向って任意の角度θを付け
ている。例えば、上部電極径ｖが２００ｍｍ、電極厚さ
ｙが８ｍｍ、Ｇａｐが６．５ｍｍの上部電極に対し、上
部電極の中央部と周辺部の厚さの差ｘは１〜２ｍｍ、ガ
ス噴出孔２がない中央部の径ｕは４０〜８０ｍｍ、ガス
噴出孔角度は３０°〜６０°である。図２に本発明の上
部電極を長時間使用したときの電極形状の経時変化を示
す。図２（ａ）は使用前、図２（ｂ）は長時間使用後の
上部電極形状である。電極中央部での損耗、ガス噴出孔
開口部２ａの口径の拡大はあるものの従来電極程の形状
の経時変化は見られない（ＲＦ積算時間３５０Ｈｒに対
し、電極損耗深さが０．２〜０．６ｍｍ）。また図３に
このときのエッチレートのウェハー面内位置依存性を示
す。図３（ａ）は新電極に交換直後のエッチレート、図
３（ｂ）は長時間使用後のエッチレートである。
【００１１】図３（ａ）アの新電極交換直後のエッチレ
ート分布に対し、長時間使用後の図３（ｂ）では、Ｇａ
ｐ依存性の高いイの装置では、上部電極の損耗によりエ
ッチレートがやや低下し、Ｇａｐ依存性の低いウの装置
では、ガス噴出孔径の拡大により反応ガス流量が増大す
る影響を強く受け、電極中央部のエッチレートがやや増
加する。しかし、従来上部電極に比べ周辺部と中央部の
エッチレート差は小さく、３５０Ｈｒの使用時間で従来
上部電極の均一性（Ｒ／Ｘ（バー）％）が１０％を越え
るのに対し、本発明に係る上部電極の均一性は１０％以
内である。
ート分布に対し、長時間使用後の図３（ｂ）では、Ｇａ
ｐ依存性の高いイの装置では、上部電極の損耗によりエ
ッチレートがやや低下し、Ｇａｐ依存性の低いウの装置
では、ガス噴出孔径の拡大により反応ガス流量が増大す
る影響を強く受け、電極中央部のエッチレートがやや増
加する。しかし、従来上部電極に比べ周辺部と中央部の
エッチレート差は小さく、３５０Ｈｒの使用時間で従来
上部電極の均一性（Ｒ／Ｘ（バー）％）が１０％を越え
るのに対し、本発明に係る上部電極の均一性は１０％以
内である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、上部電極
形状の経時変化の影響を極力抑えることにより、エッチ
レート，均一性というエッチング特性が長期間にわたり
極めて安定するという効果を有する。また、安定したエ
ッチング特性を実現することで、高価な上部電極の使用
可能期間が著しく延びるいう効果も有する。
形状の経時変化の影響を極力抑えることにより、エッチ
レート，均一性というエッチング特性が長期間にわたり
極めて安定するという効果を有する。また、安定したエ
ッチング特性を実現することで、高価な上部電極の使用
可能期間が著しく延びるいう効果も有する。
【図１】（ａ）は本発明の上部電極構造を示す断面図、
（ｂ）は同底面図、（ｃ）はエッチング時の本発明上部
電極と、被エッチング材料及び下部電極の位置関係を示
す図である。
（ｂ）は同底面図、（ｃ）はエッチング時の本発明上部
電極と、被エッチング材料及び下部電極の位置関係を示
す図である。
【図２】（ａ）は使用前の本発明に係る上部電極を示す
断面図、（ｂ）は長期間使用後の本発明に係る上部電極
を示す断面図である。
断面図、（ｂ）は長期間使用後の本発明に係る上部電極
を示す断面図である。
【図３】（ａ）は本発明に係る上部電極新品時のエッチ
レートのウェハー面内位置依存性を示す図、（ｂ）は本
発明に係る上部電極を長期間使用したときのエッチレー
トのウェハー面内位置依存性を示す図である。
レートのウェハー面内位置依存性を示す図、（ｂ）は本
発明に係る上部電極を長期間使用したときのエッチレー
トのウェハー面内位置依存性を示す図である。
【図４】（ａ）は従来の上部電極構造を示す断面図、（
ｂ）は同底面図、（ｃ）はエッチング時の従来上部電極
と被エッチング材料及び下部電極の位置関係を示す図で
ある。
ｂ）は同底面図、（ｃ）はエッチング時の従来上部電極
と被エッチング材料及び下部電極の位置関係を示す図で
ある。
【図５】（ａ）は使用前の従来例に係る上部電極を示す
断面図、（ｂ）は長期間使用後の従来例に係る上部電極
を示す断面図である。
断面図、（ｂ）は長期間使用後の従来例に係る上部電極
を示す断面図である。
【図６】（ａ）は従来例に係る上部電極新品時のエッチ
レートのウェハー面内位置依存性を示す図、（ｂ）は従
来例に係る上部電極を長期間使用したときのエッチレー
トのウェハー面内位置依存性を示す図である。
レートのウェハー面内位置依存性を示す図、（ｂ）は従
来例に係る上部電極を長期間使用したときのエッチレー
トのウェハー面内位置依存性を示す図である。
１ 上部電極
２ ガス噴出孔
３ ガス流れ方向
４ 被エッチング材料
５ 下部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 電極面と、ガス噴出孔とを有する枚葉
式プラズマエッチング装置の上部電極であって、電極面
は、上部電極の被エッチング材料に対向する面に位置し
、凹型球面形状を有するものであり、ガス噴出孔は、電
極面の凹型球面中央部を除いた周辺部に設けられたもの
であり、該ガス噴出孔は、その開口部が電極面の凹型球
面中央部側の内側を向いた傾斜姿勢に開口形成されたも
のであることを特徴とする枚葉式プラズマエッチング装
置の上部電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11299591A JP3149454B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 枚葉式プラズマエッチング装置の上部電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11299591A JP3149454B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 枚葉式プラズマエッチング装置の上部電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341744A true JPH04341744A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3149454B2 JP3149454B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=14600790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11299591A Expired - Fee Related JP3149454B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 枚葉式プラズマエッチング装置の上部電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149454B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6010636A (en) * | 1995-12-29 | 2000-01-04 | Lam Research Corporation | Electrode with domes for plasma focusing |
| CN103515178A (zh) * | 2012-06-26 | 2014-01-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀装置 |
| CN104282521A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 朗姆研究公司 | 离子束蚀刻系统 |
| US9431269B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
| US9633846B2 (en) | 2013-04-05 | 2017-04-25 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication |
| US9793126B2 (en) | 2010-08-04 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor |
| US10224221B2 (en) | 2013-04-05 | 2019-03-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11299591A patent/JP3149454B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6010636A (en) * | 1995-12-29 | 2000-01-04 | Lam Research Corporation | Electrode with domes for plasma focusing |
| US9793126B2 (en) | 2010-08-04 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor |
| CN103515178A (zh) * | 2012-06-26 | 2014-01-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀装置 |
| US9633846B2 (en) | 2013-04-05 | 2017-04-25 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication |
| US10224221B2 (en) | 2013-04-05 | 2019-03-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
| US11171021B2 (en) | 2013-04-05 | 2021-11-09 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
| CN104282521A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 朗姆研究公司 | 离子束蚀刻系统 |
| CN107293468A (zh) * | 2013-07-08 | 2017-10-24 | 朗姆研究公司 | 离子束蚀刻系统 |
| CN107293468B (zh) * | 2013-07-08 | 2020-02-11 | 朗姆研究公司 | 离子束蚀刻系统 |
| US9431269B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
| US10134605B2 (en) | 2013-07-11 | 2018-11-20 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3149454B2 (ja) | 2001-03-26 |
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