JPH04338637A - 半導体装置の製造方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタ等の半導体装置を製造
する際、酸化性雰囲気中で加熱処理を施すことにより酸
化膜を形成したり、不純物を含んだ気体（例えば気化し
たＰ２Ｏ５）中で加熱処理を施すことにより不純物拡散
を行ったりしている。この場合、酸化炉あるいは拡散炉
として縦型のものを使用することがある。

【０００３】図４は従来のこのような縦型炉（酸化炉）
の一例を示したものである。この縦型炉では、石英から
なる縦型の反応管１が備えられている。反応管１の周囲
にはヒータ２が設けられている。反応管１の上部にはＨ
２ガス導入管３およびＯ２ガス導入管４が接続されてい
る。反応管１の内部には石英からなる基板ボード５が反
応管１の下部に設けられた開口部６を介して取り外し可
能に挿入されている。基板ボード５の下部には、反応管
１の開口部６を閉じるための蓋体７が設けられている。 基板ボード５には複数の半導体装置８が取り外し可能に
装着されるようになっている。そして、反応管１の内部
に挿入された基板ボード５が蓋体７と共に図示しないモ
ータ等によって回転され、Ｈ２ガス導入管３およびＯ２
ガス導入管４からＨ２ガスおよびＯ２ガスが反応管１の
内部に導入され、ヒータ２によって反応管１の内部が加
熱されると、半導体装置８の表面に酸化膜が形成される
。この場合、基板ボード５を回転させるのは、ガス導入
管３、４のガス導入口が固定されていることに起因して
反応管１内にガスの濃い部分と薄い部分が生じても、半
導体装置８の表面に対する酸化処理の均一性を高めるた
めである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような縦型炉を使用した半導体装置の製造方法では
、反応管１内において基板ボード５を蓋体７と共にただ
単に回転させているだけであるので、反応管１の中心軸
と半導体装置８の回転中心とが一致し、半導体装置８の
回転中心部が水平方向にほとんど移動せず、このため半
導体装置８の回転中心部と外周部とで処理ムラが生じて
しまうという問題があった。この発明の目的は、半導体
装置に処理ムラが生じにくいようにすることのできる半
導体装置の製造方法およびその装置を提供することにあ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体装置が装着された基板ボードを反応管内に装着し
て加熱処理を施す半導体装置の製造方法において、前記
基板ボードを前記反応管内の中心軸を中心として公転さ
せながら自転させるようにしたものである。請求項２記
載の発明は、半導体装置が装着された基板ボードを反応
管内に装着して加熱処理を施す半導体装置製造装置にお
いて、前記基板ボードを前記反応管内の中心軸を中心と
して公転させる公転手段と、この公転手段による公転動
作に連動して前記基板ボードを自転させる自転手段とを
具備するようにしたものである。

【０００６】

【作用】この発明によれば、基板ボードが反応管内の中
心軸を中心として公転しながら自転することになるので
、半導体装置の自転中心部を水平方向に大きく移動させ
ることができ、したがって半導体装置に処理ムラが生じ
にくいようにすることができる。

【０００７】

【実施例】図１および図２はこの発明の一実施例におけ
る半導体装置製造装置の要部を示したものである。この
半導体装置製造装置では、図示しないモータ等によって
回転される回転軸１１の上部に、同じく図示しない反応
管の下部開口部を閉じるための円板状の蓋体１２の中心
部が取り付けられている。蓋体１２の下面には有底円筒
状のボックス１３が取り付けられている。ボックス１３
の内周面には内歯１４が設けられている。ボックス１３
内における回転軸１１には太陽歯車１５が取り付けられ
ている。太陽歯車１５およびボックス１３の内歯１４に
は遊星歯車１６が噛合されている。遊星歯車１６の中心
部には軸１７が立設されている。軸１７は、蓋体１２の
所定の個所に形成された回転軸１１を中心とするリング
状のスリット１８を移動可能に貫通して蓋体１２の上方
に突出されている。軸１７の上部には基板ボード１９の
下部中心部が取り付けられている。

【０００８】この半導体装置製造装置では、回転軸１１
と共に蓋体１２、ボックス１３および太陽歯車１５が図
２において反時計方向に回転すると、遊星歯車１６が太
陽歯車１５の周囲を同図において反時計方向に公転しな
がら同図において時計方向に自転する。遊星歯車１６が
公転しながら自転すると、基板ボード１９が回転軸１１
すなわち反応管内の中心軸を中心として公転しながら自
転することになる。

【０００９】このように、この半導体装置製造装置では
、基板ボード１９が回転軸１１すなわち反応管内の中心
軸を中心として公転しながら自転するので、基板ボード
１９の自転中心部を水平方向に大きく移動させることが
でき、したがって基板ボード１９に装着された半導体装
置（図示せず）に処理ムラが生じにくいようにすること
ができる。

【００１０】なお、上記実施例では、遊星歯車機構によ
り基板ボード１９を公転させながら自転させているが、
これに限定されるものではなく、例えば図３に示すよう
に構成してもよい。すなわち、図３に示す半導体装置製
造装置では、回転軸３１の上部が有底円筒状のボックス
３２の中心部を回転可能に貫通してボックス３２内に突
出されている。回転軸３１の上部には水平方向に延びる
アーム３３が設けられ、アーム３３の先端部には偏芯軸
３４が立設されている。偏芯軸３４にはピニオン３５が
回転可能に取り付けられている。ピニオン３５は、ボッ
クス３２の内周面に設けられた内歯３６と噛合されてい
る。ピニオン３５の上面中央部には軸３７が立設されて
いる。軸３７は、蓋体３８の所定の偏芯位置に形成され
た円孔３９を回転可能に貫通して蓋体３８の上方に突出
されている。軸３８の上部には基板ボード４０の下部中
心部が取り付けられている。

【００１１】この図３に示す半導体装置製造装置では、
非回転状態にあるボックス３２に対して回転軸３１と共
にアーム３３および偏芯軸３４が回転すると、ピニオン
３５が軸３７と共に公転しながら自転する。すると、公
転する軸３７と共に蓋体３８が回転軸３１を中心にして
回転し、また公転しながら自転する軸３７と共に基板ボ
ード４０が回転軸３１すなわち反応管内の中心軸を中心
として公転しながら自転することになる。したがって、
この場合も、基板ボード４０の自転中心部を水平方向に
大きく移動させることができ、したがって基板ボード４
０に装着された半導体装置（図示せず）に処理ムラが生
じにくいようにすることができる。

【００１２】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、基板ボードを反応管内の中心軸を中心として公転させ
ながら自転させているので、半導体装置の自転中心部を
水平方向に大きく移動させることができ、したがって半
導体装置に処理ムラが生じにくいようにすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例における半導体装置製造装
置の要部の縦断正面図。

【図２】この半導体装置製造装置の一部の概略平面図。

【図３】この発明の他の実施例における半導体装置製造
装置の要部の縦断正面図。

【図４】従来の縦型炉（酸化炉）の一例の概略構成図。

【符号の説明】

１１　　回転軸 １２　　蓋体 １３　　ボックス １４　　内歯 １５　　太陽歯車 １６　　遊星歯車 １７　　軸 １８　　スリット １９　　基板ボード

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　半導体装置が装着された基板ボードを
   反応管内に挿入して加熱処理を施す半導体装置の製造方
   法において、前記基板ボードを前記反応管内の中心軸を
   中心として公転させながら自転させることを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】　　半導体装置が装着された基板ボードを
   反応管内に挿入して加熱処理を施す半導体装置製造装置
   において、前記基板ボードを前記反応管内の中心軸を中
   心として公転させる公転手段と、この公転手段による公
   転動作に連動して前記基板ボードを自転させる自転手段
   とを具備することを特徴とする半導体装置製造装置。