JPH043371B2 - - Google Patents

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JPH043371B2
JPH043371B2 JP58220186A JP22018683A JPH043371B2 JP H043371 B2 JPH043371 B2 JP H043371B2 JP 58220186 A JP58220186 A JP 58220186A JP 22018683 A JP22018683 A JP 22018683A JP H043371 B2 JPH043371 B2 JP H043371B2
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、一般式() 〔式中、R1は低級アルキル基、低級アルコキ
シル基、塩素原子、フツ素原子またはフツ素置換
低級アルコキシル基を表わし、R2は水素原子、
塩素原子、低級アルキル基または低級アルコキシ
ル基を表わし、またR1とR2が一諸になつてメチ
レンジオキシ基またはトリメチレン基を表わす。 R3およびR4は夫々メチル基を表わすか、R3
R4とでエチレン基を表わす。R5は水素原子また
はフツ素原子を表わし、R6は水素原子、フツ素
原子または塩素原子を表わす。〕 で示される炭化水素系化合物の製造法に関する。 本発明者らは、新規農薬の開発研究を進める中
で、前記一般式()で示される炭化水素系化合
物が、高い殺虫活性を有することを見出し、さら
に該化合物の製造法につき鋭意検討した結果、一
般式() 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は前述
と同じ意味を有する。〕 で示されるアセテートを接触還元することによ
り、一般式()で示される炭化水素系化合物
が、容易にかつ収率よく得られることを見出し本
発明に至つた。 本発明方法において、接触還元反応は、通常、
不活性溶媒中で行なわれ、そのような溶媒として
は、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、シクロヘキ
サンなどの炭化水素系溶媒、エタノール、メタノ
ール、酢酸などのプロトン性極性溶媒、エーテル
などのエーテル系溶媒、酢酸エチルなどのエステ
ル系溶媒などが挙げられる。 還元触媒としては、パラジウム触媒、白金触
媒、ニツケル触媒が挙げられ、具体的にはパラジ
ウム−炭素、酸化白金などが例示される。 このような還元触媒の使用量は、原料のアセテ
ートに対し0.3〜50%(重量)の範囲で任意であ
るが、通常1〜30%の範囲である。 また、反応温度は0〜100℃の範囲、通常10〜
40℃の範囲で充分その目的が達成され、反応時間
は反応温度によつても変わり得るが、通常1〜15
時間である。 尚、本発明の製造法において、原料となるアセ
テートは、一般式() 〔式中、R1、R2、R3およびR4は前述と同じ意
味を有する。〕 で示されるアセチレン化合物を、塩素の存在下
に、一般式() 〔式中、R5およびR6は前述と同じ意味を有す
る。〕 で示されるアルデヒドとを反応させることにより
得られる一般式() 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は前述
と同じ意味を表わす。〕 で示されるカルビノールを、アセチル化すること
により製造することができる。 上記製造方法において、一般式()で示され
るアセチレン化合物と、一般式()で示される
アルデヒドとの反応は、通常、不活性溶媒の存在
下で行なわれ、そのような溶媒としては、ヘキサ
ン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素系溶媒、
テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルなどのエ
ーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒などが
挙げられる。反応温度は−78℃〜100℃の範囲で
任意であるが、通常は−40〜40℃の範囲で行なわ
れる。また、反応時間は反応温度によつて変わる
が、通常1〜15時間である。本反応で用いられる
塩基としては、代表的には、n−ブチルリチウ
ム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ナトリ
ウム、エチルマグネシウムリチウムなどが挙げら
れる。 また、これらの反応試剤のモル比については、
アセチレン化合物は、アルデヒドに対し、0.5〜
1.5倍モル、通常は0.8〜1.2倍モルであり、また、
塩基はアセチレン化合物に対し、通常、0.9〜1.1
倍モルの範囲である。 次に、このようにして得られるカルビノールを
アセチル化するに際しては、該カルビノールに対
し、当モル〜1.5倍モルのアセチルクロリドまた
は無水酢酸を、ピリジン、トリエチルアミンなど
の第三級アミンの存在下に反応させることにより
容易に、そのアセチル化物が得られる。該反応に
おいて反応溶媒は必ずしも必要ではないが、トル
エン、ベンゼンなどの炭化水素系溶媒を用いるこ
ともできる。また、上記のような第三級アミンの
使用量は0.1〜3倍モルの範囲で任意であるが、
通常、当モル〜1.5倍モルである。反応温度は0
〜100℃の範囲で任意であるが、通常15〜40℃で
充分目的が達せられ、反応時間は通常1〜12時間
である。 尚、一般式()で示されるアセチレン化合物
は、一般式() 〔式中、R1、R2、R3およびR4は前述と同じ意
味を有する。〕 で示されるアルデヒドから、例えばTetrahedron
Letters,36,3769(1972)に記載の方法により得
ることができる。 以下に、実施例および参考例で本発明をさらに
詳細に説明する。 実施例 1 4−メチル−4−(4−エトキシフエニル)−1
−(3−フエノキシフエニル)ペント−2−イン
−1−アセテート1.1gを酢酸50mlに加え、これ
に5%パラジウム−炭素100mgを加えた後、室温
で常圧下に振盪しながら、接触水素添加反応を行
なつた。 理論量の水素を吸収させた後、反応液を過
し、液を水に注加し、酢酸エチルで抽出した。
抽出液を水、炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水
で順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
溶媒を留去した。残渣シリカゲルカラムクロマト
グラフイーにて精製し、目的する1−(3−フエ
ノキシフエニル)−4−メチル−4−(4−エトキ
シフエニル)ペンタン0.82gを得た。 屈折率 1.5641(26℃) NMR(CDCl3、δ値) 1.22(s,6H)、1.35(t,3H)、 1.5(m,4H)、2.44(t,2H)、 3.95(q,2H)、6.7〜7.4(m,13H) 実施例 2 1−(4−エトキシフエニル)−1−〔3−(3−
フエノキシフエニル)−3−アセトキシ−1−プ
ロピン〕シクロプロパン1.0g酢酸50mlに加え、
これに5%パラジウム−炭素150mgを加えた後、
室温で常圧下に振盪しながら、接触水素添加反応
を行なつた。 理論量の水素を吸収させた後、反応液を実施例
1と同様に処理し、目的とする1−(4−エトキ
シフエニル)−1−〔3−(3−フエノキシフエニ
ル)プロピル〕シクロプロパン0.83gを得た。 屈折率 1.5713(23℃) NMR(CDCl3、δ値) 0.7(m,4H)、1.39(t,3H)、 1.5(m,4H)、2.44(m,2H)、 4.0(q,2H)、6.7〜7.4(m,13H) 上記と同様にして合成される化合物を下表に記
載する。
【表】 参考例 1 2−メチル−2−(4−エトキシフエニル)プ
ロピオンアルデヒド570mg、トリフエニルフオス
フイン1.9gをジクロロメタン20mlに加えた後、
これに窒素気流下に−20℃で四臭化炭素1.2gを
加えた。同温で3時間、20℃で12時間かきまぜた
後、反応液にn−ヘキサン30mlを加え過し、
液を濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイーに付し、目的物である、1,1−ジ
ブロモ−3−メチル−3−(4−エトキシフエニ
ル)−1−ブテン620mgを得た。このジブロミドを
テトラヒドロフラン10mlに加えた後、これに窒素
気流下に−40℃でn−ブチルリチウム2.7ml
(1.4mmol/ml)を加え、同温で1時間、0℃で
1時間かくはんの後、反応液を希塩酸にあけ酢酸
エチルで抽出した。酢酸エチル層を食塩水洗浄の
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去
した。残渣シリカゲルカラムクロマトグラフイー
にて精製し、目的の3−メチル−3−(4−エト
キシフエニル)−1−ブチン270mgを得た。 屈折率 1.5173(24℃)、NMR(CDCl3,δ) 1.50(6H,s)、2.25(1H,s,メチンプロト
ン) 参考例 2 3−メチル−3−(4−エトキシフエニル)−1
−ブチン1.0gを無水テトラヒドロフラン20mlに
溶解し、窒素気流下で−40℃でn−ブチルリチウ
ム/ヘキサン溶液3.8ml(1.40mmol/1ml)を滴
下し、同温で1時間、0℃で1時間かきまぜた。
−40℃に再び冷却の後、3−フエノキシベンズア
ルデヒド1.16g(1.1倍モル)を加え同温で1時
間、20℃で12時間かきまぜた。反応液を5%塩酸
水にあけ、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層
を食塩水で洗浄の後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥の後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフイーで精製し(展開溶媒n−ヘ
キサン:酢酸エチル=3:1)、1.77gの4−メ
チル−4−(4−エトキシフエニル)−1−(3−
フエノキシフエニル)ペント−2−イン−1−オ
ールを淡黄色オイルとして得た。 NMRデータ(CDCl3、δ値) 1.52(s,6H)、1.3〜1.6(t,3H)、 2.45(broad d,1H,水酸基)、4(q,
2H)、5.4(broad d,1H)、6.7〜7.5(ベンゼ
ン環、13H) 屈折率 1.5897(23℃) 参考例 3 4−メチル−4−(4−エトキシフエニル)−1
−(3−フエノキシフエニル)ペント−2−イン
−1−オール1.0g、ピリジン0.5gおよび無水酢
酸0.6gを反応フラスコに入れ、20℃で12時間撹
拌した。次いでこれに水10mlを加え、20℃で1時
間撹拌した後、酢酸エチルで抽出した。抽出液を
水、塩酸水、炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水
で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。次に溶媒を留去し、残渣シリカゲルカラムク
ロマトグラフイーにて精製し、目的物である4−
メチル−4−(4−エトキシフエニル)−1−(3
−フエノキシフエニル)ペント−2−イン−1−
アセテート1.02gを得た。 屈折率 1.5767(23℃)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中、R1は低級アルキル基、低級アルコキ
    シル基、塩素原子、フツ素原子またはフツ素置換
    低級アルコキシル基を表わし、R2は水素原子、
    塩素原子、フツ素原子、低級アルキル基または低
    級アルコキシル基を表わし、またR1とR2とが一
    諸になつてメチレンジオキシ基またはトリメチレ
    ン基を表わす。 R3およびR4は夫々メチル基を表わすか、R3
    R4とでエチレン基を表わす。R5は水素原子また
    はフツ素原子を表わし、R6は水素原子、フツ素
    原子または塩素原子を表わす。〕 で示されるアセテートを、接触還元することを特
    徴とする一般式 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は前述
    と同じ意味を有する。〕 で示される炭化水素系化合物の製造法。
JP58220186A 1983-11-14 1983-11-22 炭化水素系化合物の製造法 Granted JPS60112732A (ja)

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KR1019840007119A KR850004087A (ko) 1983-11-14 1984-11-14 탄화 수소계 화합물의 제조방법

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JPS60112732A JPS60112732A (ja) 1985-06-19
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