JPH04332999A - メモリの使用方法 - Google Patents
メモリの使用方法Info
- Publication number
- JPH04332999A JPH04332999A JP3101107A JP10110791A JPH04332999A JP H04332999 A JPH04332999 A JP H04332999A JP 3101107 A JP3101107 A JP 3101107A JP 10110791 A JP10110791 A JP 10110791A JP H04332999 A JPH04332999 A JP H04332999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- data
- memory
- written
- addresses
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリの使用方法に関
するものである。
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来よりメモリを使用する場合には、1
つのデータに対応する書き込み位置が1つ割り当てられ
ており、1つのデータに対しては常にメモリ内の同じ番
地が使用されている。
つのデータに対応する書き込み位置が1つ割り当てられ
ており、1つのデータに対しては常にメモリ内の同じ番
地が使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のメモリ使用方法
では、使用頻度の高いデータに割り当てられた番地は使
用頻度が高くなり、使用頻度の低いデータに割り当てら
れた番地は使用頻度が低くなるため、1つのメモリ内に
おける番地毎の使用頻度が不均一となる。このため、電
気的にデータの消去が可能なメモリ(以下EEPROM
とする)のように、データの消去、書き込み回数に制限
があるメモリの場合、使用頻度の高い番地の消去、書き
込み回数がすぐに制限を超えてしまい、他の番地をほと
んど使用していなくてもメモリが使用できなくなってし
まう。
では、使用頻度の高いデータに割り当てられた番地は使
用頻度が高くなり、使用頻度の低いデータに割り当てら
れた番地は使用頻度が低くなるため、1つのメモリ内に
おける番地毎の使用頻度が不均一となる。このため、電
気的にデータの消去が可能なメモリ(以下EEPROM
とする)のように、データの消去、書き込み回数に制限
があるメモリの場合、使用頻度の高い番地の消去、書き
込み回数がすぐに制限を超えてしまい、他の番地をほと
んど使用していなくてもメモリが使用できなくなってし
まう。
【0004】従って本発明の目的は、メモリ内の各番地
の使用頻度を均一化することにより、メモリの消去、書
き込み回数を最大限に利用することにある。
の使用頻度を均一化することにより、メモリの消去、書
き込み回数を最大限に利用することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明は使用頻度の高いデータには複数の番地を割り
当て、各番地の使用頻度を平均化するようにしたもので
ある。
、本発明は使用頻度の高いデータには複数の番地を割り
当て、各番地の使用頻度を平均化するようにしたもので
ある。
【0006】
【作用】上記のような方法でメモリを使用することによ
り、メモリ内の各番地の使用頻度を平均化することがで
きるため、メモリの全番地を最大限に利用することがで
きる。
り、メモリ内の各番地の使用頻度を平均化することがで
きるため、メモリの全番地を最大限に利用することがで
きる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図1を参照
して説明する。
して説明する。
【0008】図1において、EEPROMに書き込むデ
ータが2つあり、データAの使用頻度がデータB使用頻
度の2倍であると仮定する。ここで、データAには2つ
の番地、番地1及び番地2を割り当て、データBには1
つの番地、番地3を割り当てる。データCはEEPRO
Mに電源が供給される度に1が加算されるデータで、1
つの番地、すなわち番地4を割り当て、データCの値が
偶数のときはデータAを番地1に書き込み、データCの
値が奇数のときは番地2にデータAを書き込むようにす
る。
ータが2つあり、データAの使用頻度がデータB使用頻
度の2倍であると仮定する。ここで、データAには2つ
の番地、番地1及び番地2を割り当て、データBには1
つの番地、番地3を割り当てる。データCはEEPRO
Mに電源が供給される度に1が加算されるデータで、1
つの番地、すなわち番地4を割り当て、データCの値が
偶数のときはデータAを番地1に書き込み、データCの
値が奇数のときは番地2にデータAを書き込むようにす
る。
【0009】また、EEPROMの電源が遮断される直
前にデータAが番地1に書き込まれていた場合には、次
にEEPROMに電源が供給される際、番地1の値を番
地2に書き込み、データAが番地2に書き込まれていた
場合には、番地2の値を番地1に書き込むことにより、
電源のオフ、オンによってデータAの値が変化しないよ
うにする。
前にデータAが番地1に書き込まれていた場合には、次
にEEPROMに電源が供給される際、番地1の値を番
地2に書き込み、データAが番地2に書き込まれていた
場合には、番地2の値を番地1に書き込むことにより、
電源のオフ、オンによってデータAの値が変化しないよ
うにする。
【0010】仮に、EEPROMに電源が供給された時
のデータCの値が奇数であった場合には、データCの値
に1を加算して偶数とし、次にEEPROMの電源が遮
断されるまでデータAは番地1に書き込まれる。次に、
1度EEPOROMの電源が遮断され再び電源が供給さ
れたとき、データCの値は偶数に1を加算して奇数とな
り、データAの値は番地2に書き込まれる。なお、デー
タB発ねに番地3に書き込まれるため、最終的に番地1
、番地2、番地3の使用回数はほぼ同じである。
のデータCの値が奇数であった場合には、データCの値
に1を加算して偶数とし、次にEEPROMの電源が遮
断されるまでデータAは番地1に書き込まれる。次に、
1度EEPOROMの電源が遮断され再び電源が供給さ
れたとき、データCの値は偶数に1を加算して奇数とな
り、データAの値は番地2に書き込まれる。なお、デー
タB発ねに番地3に書き込まれるため、最終的に番地1
、番地2、番地3の使用回数はほぼ同じである。
【0011】データAの使用頻度がデータBの使用頻度
の3倍の場合には、データAにデータBの3倍の数の番
地を割り当てることにより、上記の場合と同様にメモリ
内の各番地の使用回数を平均化することができる。
の3倍の場合には、データAにデータBの3倍の数の番
地を割り当てることにより、上記の場合と同様にメモリ
内の各番地の使用回数を平均化することができる。
【0012】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればメ
モリ内の各番地の使用回数を平均化することができるた
め、EEPROMのようにデータの消去、書き込み回数
に限度がある場合には、その制限回数を最大限に利用す
ることができる。
モリ内の各番地の使用回数を平均化することができるた
め、EEPROMのようにデータの消去、書き込み回数
に限度がある場合には、その制限回数を最大限に利用す
ることができる。
【図1】 本発明のメモリ使用方法の一実施例である
EEPROMの番地割り当てを示す概略図である。
EEPROMの番地割り当てを示す概略図である。
1、2、3、4は番地である。
Claims (1)
- 【請求項1】 1つのデータに対して複数の番地を割
り当て、該データを書き込む際に、前記の割り当てられ
た番地の範囲内で、データを書き込む番地を逐次変更す
ることにより、メモリ内の全番地を均等に使用すること
を特徴とするメモリの使用方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3101107A JPH04332999A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | メモリの使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3101107A JPH04332999A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | メモリの使用方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04332999A true JPH04332999A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=14291854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3101107A Pending JPH04332999A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | メモリの使用方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04332999A (ja) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994023432A1 (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-13 | Cirrus Logic, Inc. | Flashmemory mass storage architecture |
US5838614A (en) * | 1995-07-31 | 1998-11-17 | Lexar Microsystems, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US5907856A (en) * | 1995-07-31 | 1999-05-25 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US5930815A (en) * | 1995-07-31 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US5928370A (en) * | 1997-02-05 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure |
US6034897A (en) * | 1999-04-01 | 2000-03-07 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6040997A (en) * | 1998-03-25 | 2000-03-21 | Lexar Media, Inc. | Flash memory leveling architecture having no external latch |
US6076137A (en) * | 1997-12-11 | 2000-06-13 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices |
US6115785A (en) * | 1995-07-31 | 2000-09-05 | Lexar Media, Inc. | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US6122195A (en) * | 1997-03-31 | 2000-09-19 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory |
US6125435A (en) * | 1995-09-13 | 2000-09-26 | Lexar Media, Inc. | Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory |
US6141249A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-31 | Lexar Media, Inc. | Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time |
US6172906B1 (en) | 1995-07-31 | 2001-01-09 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6262918B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-07-17 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6374337B1 (en) | 1998-11-17 | 2002-04-16 | Lexar Media, Inc. | Data pipelining method and apparatus for memory control circuit |
US6411546B1 (en) | 1997-03-31 | 2002-06-25 | Lexar Media, Inc. | Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same |
US6567307B1 (en) | 2000-07-21 | 2003-05-20 | Lexar Media, Inc. | Block management for mass storage |
US6728851B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-04-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6757800B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-06-29 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6801979B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-10-05 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for memory control circuit |
US6813678B1 (en) | 1998-01-22 | 2004-11-02 | Lexar Media, Inc. | Flash memory system |
US6898662B2 (en) | 2001-09-28 | 2005-05-24 | Lexar Media, Inc. | Memory system sectors |
JP2006260981A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | バッテリコントローラ |
US8307189B2 (en) | 2009-09-30 | 2012-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information processing apparatus and semiconductor storage device |
US9032134B2 (en) | 2001-09-28 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating a memory system that include outputting a data pattern from a sector allocation table to a host if a logical sector is indicated as being erased |
US9213606B2 (en) | 2002-02-22 | 2015-12-15 | Micron Technology, Inc. | Image rescue |
US9576154B2 (en) | 2004-04-30 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed |
-
1991
- 1991-05-07 JP JP3101107A patent/JPH04332999A/ja active Pending
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994023432A1 (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-13 | Cirrus Logic, Inc. | Flashmemory mass storage architecture |
US5388083A (en) * | 1993-03-26 | 1995-02-07 | Cirrus Logic, Inc. | Flash memory mass storage architecture |
US6801979B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-10-05 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for memory control circuit |
US6172906B1 (en) | 1995-07-31 | 2001-01-09 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US9026721B2 (en) | 1995-07-31 | 2015-05-05 | Micron Technology, Inc. | Managing defective areas of memory |
US6912618B2 (en) | 1995-07-31 | 2005-06-28 | Lexar Media, Inc. | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US5838614A (en) * | 1995-07-31 | 1998-11-17 | Lexar Microsystems, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US6757800B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-06-29 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6728851B1 (en) | 1995-07-31 | 2004-04-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6115785A (en) * | 1995-07-31 | 2000-09-05 | Lexar Media, Inc. | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US6393513B2 (en) | 1995-07-31 | 2002-05-21 | Lexar Media, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US5907856A (en) * | 1995-07-31 | 1999-05-25 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US6128695A (en) * | 1995-07-31 | 2000-10-03 | Lexar Media, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory |
US5930815A (en) * | 1995-07-31 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US6223308B1 (en) | 1995-07-31 | 2001-04-24 | Lexar Media, Inc. | Identification and verification of a sector within a block of mass STO rage flash memory |
US6145051A (en) * | 1995-07-31 | 2000-11-07 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US6125435A (en) * | 1995-09-13 | 2000-09-26 | Lexar Media, Inc. | Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory |
US5928370A (en) * | 1997-02-05 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure |
US6122195A (en) * | 1997-03-31 | 2000-09-19 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory |
US6411546B1 (en) | 1997-03-31 | 2002-06-25 | Lexar Media, Inc. | Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same |
US6587382B1 (en) | 1997-03-31 | 2003-07-01 | Lexar Media, Inc. | Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same |
US6327639B1 (en) | 1997-12-11 | 2001-12-04 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices |
US6076137A (en) * | 1997-12-11 | 2000-06-13 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices |
US6813678B1 (en) | 1998-01-22 | 2004-11-02 | Lexar Media, Inc. | Flash memory system |
US6040997A (en) * | 1998-03-25 | 2000-03-21 | Lexar Media, Inc. | Flash memory leveling architecture having no external latch |
US6374337B1 (en) | 1998-11-17 | 2002-04-16 | Lexar Media, Inc. | Data pipelining method and apparatus for memory control circuit |
US6034897A (en) * | 1999-04-01 | 2000-03-07 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6141249A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-31 | Lexar Media, Inc. | Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time |
US6134151A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-17 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6262918B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-07-17 | Lexar Media, Inc. | Space management for managing high capacity nonvolatile memory |
US6567307B1 (en) | 2000-07-21 | 2003-05-20 | Lexar Media, Inc. | Block management for mass storage |
US6898662B2 (en) | 2001-09-28 | 2005-05-24 | Lexar Media, Inc. | Memory system sectors |
US9032134B2 (en) | 2001-09-28 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating a memory system that include outputting a data pattern from a sector allocation table to a host if a logical sector is indicated as being erased |
US9213606B2 (en) | 2002-02-22 | 2015-12-15 | Micron Technology, Inc. | Image rescue |
US9576154B2 (en) | 2004-04-30 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed |
US10049207B2 (en) | 2004-04-30 | 2018-08-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating storage systems including encrypting a key salt |
JP2006260981A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | バッテリコントローラ |
US8307189B2 (en) | 2009-09-30 | 2012-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information processing apparatus and semiconductor storage device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04332999A (ja) | メモリの使用方法 | |
US7325089B2 (en) | Controller for refreshing memories | |
US8769190B1 (en) | System and method for reducing contentions in solid-state memory access | |
US20170220462A1 (en) | Data storage method and system thereof | |
WO1981000321A1 (en) | Data processing system utilizing hierarchical memory | |
KR20200052558A (ko) | 컴퓨팅 시스템 및 컴퓨팅 시스템의 동작 방법 | |
TW201807578A (zh) | 儲存系統及其位址映射方法和存取方法 | |
JP3177015B2 (ja) | 半導体メモリ装置の制御方法 | |
JP2651037B2 (ja) | アドレスバス制御装置 | |
JPS6126152A (ja) | アドレスチエツク方式 | |
WO2019136986A1 (zh) | 用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法 | |
JPH06338195A (ja) | 電気的消去可能な不揮発性メモリの書き込み回数管理装置 | |
US11042308B2 (en) | Memory management apparatus and memory management method | |
CN113031854B (zh) | 一次性可编程存储器装置及其容错方法 | |
CN110209352B (zh) | 一种存储器的控制方法、存储器控制器、电子设备及存储介质 | |
JPH0148570B2 (ja) | ||
CN106649136B (zh) | 一种数据存储方法和存储装置 | |
KR20190080120A (ko) | 메모리 장치 및 그 데이터 처리 방법 | |
US7594090B2 (en) | Efficient data storage | |
JPH06175917A (ja) | フラッシュメモリ | |
JPS6016661B2 (ja) | 主メモリ割付方式 | |
JPH01171043A (ja) | メモリバンク制御方式 | |
JP3655658B2 (ja) | 数値制御装置 | |
JPH03257642A (ja) | ユーザ共通領域の割付け方式 | |
JP2943401B2 (ja) | 仮想計算機の外部記憶装置割当処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001219 |