JPH04328866A - カラー固体撮像装置 - Google Patents
カラー固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04328866A JPH04328866A JP3099125A JP9912591A JPH04328866A JP H04328866 A JPH04328866 A JP H04328866A JP 3099125 A JP3099125 A JP 3099125A JP 9912591 A JP9912591 A JP 9912591A JP H04328866 A JPH04328866 A JP H04328866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- solid
- light
- sensing device
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、カラー固体撮像装置に
係わり、特に単板式のカラー固体撮像装置に関する。
係わり、特に単板式のカラー固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、カラー画像を撮像する場合、以下
の2つの手法が採用されている。一つは、光学系を使用
して色分解し色信号を取り出す、例えば入射光をダイク
ロイックミラー等によりR(赤),G(緑),B(青)
の3原色に分解し、各原色に対応して撮像素子を配列す
る所謂3板式の構成である。この方法は、光学系で3原
色に色分解しているため、光の損失がなく、カメラシス
テムとして高感度になること、色再現性に優れている利
点がある。しかし、光学系と撮像素子を3個使用するこ
とにより、カメラシステムが高価になることと、装置構
成が大型化することが問題である。
の2つの手法が採用されている。一つは、光学系を使用
して色分解し色信号を取り出す、例えば入射光をダイク
ロイックミラー等によりR(赤),G(緑),B(青)
の3原色に分解し、各原色に対応して撮像素子を配列す
る所謂3板式の構成である。この方法は、光学系で3原
色に色分解しているため、光の損失がなく、カメラシス
テムとして高感度になること、色再現性に優れている利
点がある。しかし、光学系と撮像素子を3個使用するこ
とにより、カメラシステムが高価になることと、装置構
成が大型化することが問題である。
【0003】もう一つの方法として、フォトダイオード
上に色分解フィルタを形成して色信号を取り出すものが
ある。この方法は、色分解する光学系が不要であること
、装置が1個で済むためカメラシステムが安価であるこ
と、小型であることが長所である。しかし、撮像素子上
に色分解フィルタを形成していることから、光利用効率
が100%ではなく、カメラシステムとして感度が悪い
。さらに、光利用効率を改善するために補色系フィルタ
を用いて色分解し信号処理系で3原色に信号を作る場合
、色再現性が前述の手法に比べて悪いという問題がある
。
上に色分解フィルタを形成して色信号を取り出すものが
ある。この方法は、色分解する光学系が不要であること
、装置が1個で済むためカメラシステムが安価であるこ
と、小型であることが長所である。しかし、撮像素子上
に色分解フィルタを形成していることから、光利用効率
が100%ではなく、カメラシステムとして感度が悪い
。さらに、光利用効率を改善するために補色系フィルタ
を用いて色分解し信号処理系で3原色に信号を作る場合
、色再現性が前述の手法に比べて悪いという問題がある
。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、3個
の撮像素子を用いてカラー画像を撮像する場合、カメラ
システムが高価で大型化するという問題がある。さらに
、1個の撮像素子でカラー画像を撮像する場合、フィル
タを用いることから光の利用効率が低下し、感度の低下
を招く問題があった。
の撮像素子を用いてカラー画像を撮像する場合、カメラ
システムが高価で大型化するという問題がある。さらに
、1個の撮像素子でカラー画像を撮像する場合、フィル
タを用いることから光の利用効率が低下し、感度の低下
を招く問題があった。
【0005】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、光の利用効率の低下を
招くことなく、1つの撮像素子を用いてカラー画像を撮
像することができ、装置構成の小型化及び製造コストの
低減化をはかり得るカラー固体撮像装置を提供すること
にある。
ので、その目的とするところは、光の利用効率の低下を
招くことなく、1つの撮像素子を用いてカラー画像を撮
像することができ、装置構成の小型化及び製造コストの
低減化をはかり得るカラー固体撮像装置を提供すること
にある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、3板式
の固体撮像装置の特徴であるダイクロイックミラー等に
よる色分解方式を単板式の固体撮像装置に適用したこと
にある。
の固体撮像装置の特徴であるダイクロイックミラー等に
よる色分解方式を単板式の固体撮像装置に適用したこと
にある。
【0007】即ち本発明は、カラー画像を撮像するカラ
ー固体撮像装置において、2次元状に配置された複数の
光電変換素子と、これらの光電変換素子の少なくとも3
つを1組として各組内にそれぞれ設けられ、入射した光
を分光して同じ組内の光電変換素子に異なる波長成分の
光をそれぞれ導く色分解系と、各光電変換素子で検出さ
れた信号電荷を読出す信号読出し部とを設けたことを特
徴としている。
ー固体撮像装置において、2次元状に配置された複数の
光電変換素子と、これらの光電変換素子の少なくとも3
つを1組として各組内にそれぞれ設けられ、入射した光
を分光して同じ組内の光電変換素子に異なる波長成分の
光をそれぞれ導く色分解系と、各光電変換素子で検出さ
れた信号電荷を読出す信号読出し部とを設けたことを特
徴としている。
【0008】また、本発明の望ましい実施態様としては
、色分解系を、波長選択性を有する複数のダイクロイッ
クミラーと複数の全反射型反射ミラーとを組み合わせて
構成すること、さらにダイクロイックミラーを青色反射
型と赤色反射型で構成すること、等があげられる。
、色分解系を、波長選択性を有する複数のダイクロイッ
クミラーと複数の全反射型反射ミラーとを組み合わせて
構成すること、さらにダイクロイックミラーを青色反射
型と赤色反射型で構成すること、等があげられる。
【0009】
【作用】本発明によれば、複数のダイロイックミラーと
複数の全反射型ミラー等からなる色分解系を使用して色
分解を行うため、3板式と同様に入射光の損失を招くこ
となく、入射光を例えば3原色に色分解することができ
る。さらに、用いる撮像素子は1個で済むため、装置構
成の簡略化をはかることが可能となる。
複数の全反射型ミラー等からなる色分解系を使用して色
分解を行うため、3板式と同様に入射光の損失を招くこ
となく、入射光を例えば3原色に色分解することができ
る。さらに、用いる撮像素子は1個で済むため、装置構
成の簡略化をはかることが可能となる。
【0010】なお、色分解系は、3板式とは異なり少な
くとも3つを1組とした光電変換素子の各組毎に必要と
なるが、この色分解系は後述するように素子形成の際に
該素子と一体に作成することができる。従って、色分解
系が複数個必要となっても構成の複雑化や大型化を招く
ことはない。
くとも3つを1組とした光電変換素子の各組毎に必要と
なるが、この色分解系は後述するように素子形成の際に
該素子と一体に作成することができる。従って、色分解
系が複数個必要となっても構成の複雑化や大型化を招く
ことはない。
【0011】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【0012】図1は、本発明の一実施例に係わる固体撮
像装置の概略構成を示す断面図である。図2は、同装置
の要部構成を拡大して示す断面図であり、特に色分解系
の一つの単位であるフォトダイオード部構成を示してい
る。本実施例では、インターライン転送型のCCDイメ
ージセンサであるが、これに限らず、MOS型のイメー
ジセンサ或いは増幅型のイメージセンサに適用してもよ
い。
像装置の概略構成を示す断面図である。図2は、同装置
の要部構成を拡大して示す断面図であり、特に色分解系
の一つの単位であるフォトダイオード部構成を示してい
る。本実施例では、インターライン転送型のCCDイメ
ージセンサであるが、これに限らず、MOS型のイメー
ジセンサ或いは増幅型のイメージセンサに適用してもよ
い。
【0013】図1において、1はn型Si基板であり、
このSi基板1上にp型ウェル2が形成されている。p
型ウェル2の表面には、後述するフォトダイオード3が
マトリックス状に配列され、フォトダイオード3に隣接
して後述する垂直CCDレジスタ4が縦列方向に配列さ
れ、さらに各画素間には後述する素子分離領域5が設け
られている。また、CCDレジスタ4の上には転送電極
6が設けられており、これらの上に色分解系10,透明
絶縁層20及びマイクロレンズ31が形成されている。
このSi基板1上にp型ウェル2が形成されている。p
型ウェル2の表面には、後述するフォトダイオード3が
マトリックス状に配列され、フォトダイオード3に隣接
して後述する垂直CCDレジスタ4が縦列方向に配列さ
れ、さらに各画素間には後述する素子分離領域5が設け
られている。また、CCDレジスタ4の上には転送電極
6が設けられており、これらの上に色分解系10,透明
絶縁層20及びマイクロレンズ31が形成されている。
【0014】本実施例では、隣接する3つのフォトダイ
オード3に対応する3つの画素を1組とし、各組毎に色
分解系10が設けられ、この色分解系に対応してマイク
ロレンズ31が設けられている。
オード3に対応する3つの画素を1組とし、各組毎に色
分解系10が設けられ、この色分解系に対応してマイク
ロレンズ31が設けられている。
【0015】1つの組内の構成を、図2に示す。他の組
も全く同様の構成である。フォトダイオード3はR,G
,Bに対応して3−B,3−G,3−Rの3個が設けら
れ、それぞれに対応してCCDレジスタ4−1,4−2
,4−3及び素子分離領域5−1,5−2,5−3が設
けられている。フォトダイオード3−Gの上方には青反
射型ダイクロイックミラー11と赤反射型ダイクロイッ
クミラー12が設置され、フォトダイオード3−Bの上
方には全反射ミラー13が設置され、フォトダイオード
3−Rの上方には全反射ミラー14が設置されている。 なお、ダイクロイックミラー11,12の分光透過特性
を、図3に示す。
も全く同様の構成である。フォトダイオード3はR,G
,Bに対応して3−B,3−G,3−Rの3個が設けら
れ、それぞれに対応してCCDレジスタ4−1,4−2
,4−3及び素子分離領域5−1,5−2,5−3が設
けられている。フォトダイオード3−Gの上方には青反
射型ダイクロイックミラー11と赤反射型ダイクロイッ
クミラー12が設置され、フォトダイオード3−Bの上
方には全反射ミラー13が設置され、フォトダイオード
3−Rの上方には全反射ミラー14が設置されている。 なお、ダイクロイックミラー11,12の分光透過特性
を、図3に示す。
【0016】これらのミラー7〜10の位置関係は、図
2に示すようになっており、入射光をR,G,Bの3原
色に分離する色分解系10を構成している。即ち、ミラ
ー11の反射光はミラー13で反射されてフォトダイオ
ード3−Bに入射し、ミラー11の透過光はミラー12
に照射される。ミラー12の反射光はミラー14で反射
されてフォトダイオード3−Rに照射される。さらに、
ミラー12の透過光はフォトダイオード3−Gに照射さ
れるものとなっている。
2に示すようになっており、入射光をR,G,Bの3原
色に分離する色分解系10を構成している。即ち、ミラ
ー11の反射光はミラー13で反射されてフォトダイオ
ード3−Bに入射し、ミラー11の透過光はミラー12
に照射される。ミラー12の反射光はミラー14で反射
されてフォトダイオード3−Rに照射される。さらに、
ミラー12の透過光はフォトダイオード3−Gに照射さ
れるものとなっている。
【0017】このような構成であれば、マイクロレンズ
31に入射した光は青反射型ダイクロイックミラー11
に集光される。ダイクロイックミラー11で反射された
青色光は全反射ミラー13で反射され、フォトダイオー
ド3−Bに入射して、青信号に変換される。一方、ダイ
クロイックミラー11を透過した光は、赤反射型ダイク
ロイックミラー12で赤色光が反射される。このため、
ダイクロイックミラー12を透過した光は緑色光となり
フォトダイオード3−Gに入射して、緑色信号に変換さ
れる。ダイクロイックミラー12で反射された赤色光は
全反射ミラー14で反射され、フォトダイオード3−R
に入射して、赤色信号に変換される。
31に入射した光は青反射型ダイクロイックミラー11
に集光される。ダイクロイックミラー11で反射された
青色光は全反射ミラー13で反射され、フォトダイオー
ド3−Bに入射して、青信号に変換される。一方、ダイ
クロイックミラー11を透過した光は、赤反射型ダイク
ロイックミラー12で赤色光が反射される。このため、
ダイクロイックミラー12を透過した光は緑色光となり
フォトダイオード3−Gに入射して、緑色信号に変換さ
れる。ダイクロイックミラー12で反射された赤色光は
全反射ミラー14で反射され、フォトダイオード3−R
に入射して、赤色信号に変換される。
【0018】このようにして入射光は、ミラー11〜1
4からなる色分解系10によりR,G,Bの3原色に分
解され、それぞれの色に対応するフォトダイオード3−
B,3−G,3−Rで受光される。従って、3つのフォ
トダイオード3−B,3−G,3−Rの出力信号からカ
ラー信号を得ることができ、さらにマトリックス配置さ
れたフォトダイオード3の各出力からカラー画像信号を
得ることができる。
4からなる色分解系10によりR,G,Bの3原色に分
解され、それぞれの色に対応するフォトダイオード3−
B,3−G,3−Rで受光される。従って、3つのフォ
トダイオード3−B,3−G,3−Rの出力信号からカ
ラー信号を得ることができ、さらにマトリックス配置さ
れたフォトダイオード3の各出力からカラー画像信号を
得ることができる。
【0019】そしてこの場合、色フィルタを用いて色分
解を行う場合と異なり、入射光をカットすることなくほ
ぼ100%利用しているので、3板式と同様に感度が高
い。しかも、R,G,Bの3原色に分解できるため、高
感度で色再現性のよい撮像装置が実現できる。また、撮
像素子を1個用いた単板式であることから、小型ビデオ
カメラの実現が可能となり、その有用性は絶大である。 図4は、上記実施例装置の製造工程を示す断面図である
。
解を行う場合と異なり、入射光をカットすることなくほ
ぼ100%利用しているので、3板式と同様に感度が高
い。しかも、R,G,Bの3原色に分解できるため、高
感度で色再現性のよい撮像装置が実現できる。また、撮
像素子を1個用いた単板式であることから、小型ビデオ
カメラの実現が可能となり、その有用性は絶大である。 図4は、上記実施例装置の製造工程を示す断面図である
。
【0020】まず、図4(a)に示すように、pウェル
2の表面に前述したフォトダイオード3,CCDレジス
タ4及び素子分離領域5を形成し、さらにpウェル2上
に転送電極6を形成した基板上に、例えば低温で溶融す
る燐及びボロン添加SiO2膜21を形成して平坦化す
る。続いて、例えば38度の傾斜を付けてSiO2 膜
21をエッチングする。この傾斜エッチング後、例えば
ZnSとMgF2 を交互に例えば9層を膜厚183n
mで重ね合わせ形成し、赤色反射型ダイクロイックミラ
ー12を作り、その後にフォトダイオード3−G上だけ
に残るようにパターニングする。
2の表面に前述したフォトダイオード3,CCDレジス
タ4及び素子分離領域5を形成し、さらにpウェル2上
に転送電極6を形成した基板上に、例えば低温で溶融す
る燐及びボロン添加SiO2膜21を形成して平坦化す
る。続いて、例えば38度の傾斜を付けてSiO2 膜
21をエッチングする。この傾斜エッチング後、例えば
ZnSとMgF2 を交互に例えば9層を膜厚183n
mで重ね合わせ形成し、赤色反射型ダイクロイックミラ
ー12を作り、その後にフォトダイオード3−G上だけ
に残るようにパターニングする。
【0021】次いで、図4(b)に示すように、例えば
低温で溶融するSiO2 膜22を形成して平坦化し、
これを例えば38℃の傾斜エッチングする。続いて、全
反射ミラー14を例えばタングステンで形成し、このミ
ラー14がフォトダイオード3−R上に残るようにパタ
ーニングする。次いで、図4(c)に示すように、同様
にSiO2 膜23で平坦化・傾斜エッチングを行った
後、フォトダイオード3−G上にZnSとMgF2 の
膜厚96.5nmの層を交互9層重ね合わせ青色反射型
ダイクロイックミラー11を形成しパターニングする。
低温で溶融するSiO2 膜22を形成して平坦化し、
これを例えば38℃の傾斜エッチングする。続いて、全
反射ミラー14を例えばタングステンで形成し、このミ
ラー14がフォトダイオード3−R上に残るようにパタ
ーニングする。次いで、図4(c)に示すように、同様
にSiO2 膜23で平坦化・傾斜エッチングを行った
後、フォトダイオード3−G上にZnSとMgF2 の
膜厚96.5nmの層を交互9層重ね合わせ青色反射型
ダイクロイックミラー11を形成しパターニングする。
【0022】次いで、図4(d)に示すように、同様に
SiO2 膜24で平坦化・傾斜エッチングを行った後
、フォトダイオード3−B上に全反射ミラー13をタン
グステンで形成しパターニングする。これ以降は、Si
O2 膜を用いて同様に平坦化した後、マイクロレンズ
31を形成することにより、前述した図2に示す構造が
実現されることになる。
SiO2 膜24で平坦化・傾斜エッチングを行った後
、フォトダイオード3−B上に全反射ミラー13をタン
グステンで形成しパターニングする。これ以降は、Si
O2 膜を用いて同様に平坦化した後、マイクロレンズ
31を形成することにより、前述した図2に示す構造が
実現されることになる。
【0023】このようにして形成されるミラー11〜1
4からなる色分解系10は、3つのフォトダイオード毎
に1つ必要ではあるが、素子形成工程と同様にして作成
できるので、色分解系10が多数個必要になっても構成
が複雑化,大型化することはない。
4からなる色分解系10は、3つのフォトダイオード毎
に1つ必要ではあるが、素子形成工程と同様にして作成
できるので、色分解系10が多数個必要になっても構成
が複雑化,大型化することはない。
【0024】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。実施例では、入射光をR,G,Bの3
色に分離したが、他の色信号に分離してもよい。また、
1組の光電変換素子は3個に限るものではなく、それ以
上の数としてもよい。この場合、色分解する数も3個に
限るものではなく、光電変換素子の数に合わせて定めれ
ばよい。さらに、フォトダイオードに蓄積された信号電
荷を読出す手段としては、必ずしもCCDを用いた方式
に限るものではなく、MOSトランジスタ等のスイッチ
素子を利用してもよい。また、色分解系の製造方法は図
4に示す方法に何等限定されるものではなく、仕様に応
じて適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
るものではない。実施例では、入射光をR,G,Bの3
色に分離したが、他の色信号に分離してもよい。また、
1組の光電変換素子は3個に限るものではなく、それ以
上の数としてもよい。この場合、色分解する数も3個に
限るものではなく、光電変換素子の数に合わせて定めれ
ばよい。さらに、フォトダイオードに蓄積された信号電
荷を読出す手段としては、必ずしもCCDを用いた方式
に限るものではなく、MOSトランジスタ等のスイッチ
素子を利用してもよい。また、色分解系の製造方法は図
4に示す方法に何等限定されるものではなく、仕様に応
じて適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【0025】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、3
板式の固体撮像装置の特徴であるダイクロイックミラー
等による色分解方式を単板式の固体撮像装置に適用して
いるので、光の利用効率の低下を招くことなく、1つの
撮像素子を用いてカラー画像を撮像することができ、装
置構成の小型化及び製造コストの低減化をはかり得るカ
ラー固体撮像装置を実現することが可能となる。
板式の固体撮像装置の特徴であるダイクロイックミラー
等による色分解方式を単板式の固体撮像装置に適用して
いるので、光の利用効率の低下を招くことなく、1つの
撮像素子を用いてカラー画像を撮像することができ、装
置構成の小型化及び製造コストの低減化をはかり得るカ
ラー固体撮像装置を実現することが可能となる。
【図1】本発明の一実施例に係わる固体撮像装置の概略
構成を示す断面図、
構成を示す断面図、
【図2】実施例装置の要部構成を拡大して示す断面図、
【図3】ダイクロイックミラーの分光透過率を示す特性
図、
図、
【図4】実施例装置の製造工程を示す断面図。
1…n型Si基板、
2…p型ウェル、
3…フォトダイオード、
4…垂直CCDレジスタ、
5…素子分離領域、
6…転送電極、
10…色分解系、
11…青反射型ダイクロイックミラー、12…赤反射型
ダイクロイックミラー、13,14…全反射ミラー、 20…透明絶縁膜、 31…マイクロレンズ。
ダイクロイックミラー、13,14…全反射ミラー、 20…透明絶縁膜、 31…マイクロレンズ。
Claims (1)
- 【請求項1】2次元状に配置された複数の光電変換素子
と、これらの光電変換素子の少なくとも3つを1組とし
て各組内にそれぞれ設けられ、入射した光を分光して同
じ組内の光電変換素子に異なる波長成分の光をそれぞれ
導く色分解系と、前記各光電変換素子で検出された信号
電荷を読出す信号読出し部とを具備してなることを特徴
とするカラー固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3099125A JPH04328866A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | カラー固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3099125A JPH04328866A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | カラー固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04328866A true JPH04328866A (ja) | 1992-11-17 |
Family
ID=14239045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3099125A Pending JPH04328866A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | カラー固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04328866A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003078917A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2007259232A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US8941200B2 (en) | 2012-07-23 | 2015-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3099125A patent/JPH04328866A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003078917A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2007259232A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US8941200B2 (en) | 2012-07-23 | 2015-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5113249B2 (ja) | 撮像装置 | |
US9699393B2 (en) | Imaging systems for infrared and visible imaging with patterned infrared cutoff filters | |
US6171885B1 (en) | High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices | |
US7522341B2 (en) | Sharing of microlenses among pixels in image sensors | |
US20070238035A1 (en) | Method and apparatus defining a color filter array for an image sensor | |
JP2000151933A (ja) | 撮像素子及びその製造方法 | |
WO2008002390A1 (en) | Method and apparatus providing imager pixel array with grating structure and imager device containing the same | |
JP3083013B2 (ja) | イメージセンサ及び画像情報処理装置 | |
JP2007288294A (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
WO2010100897A1 (ja) | 固体撮像素子および撮像装置 | |
WO2013099151A1 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、および信号処理方法 | |
JP2005260318A (ja) | 2板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ | |
EP1090498A1 (en) | Infrared filterless pixel structure | |
WO2022111015A1 (zh) | 一种图像传感器及成像装置 | |
JP2005151077A (ja) | 2板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ | |
JPH04328866A (ja) | カラー固体撮像装置 | |
JP4027116B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JPH06163863A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2004193284A (ja) | 撮像装置 | |
JPS6089968A (ja) | 2層3段構造固体撮像装置 | |
JP2003234965A (ja) | 撮像素子 | |
JP2005175893A (ja) | 2板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ | |
JP2004172335A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4027115B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP3420555B2 (ja) | イメージセンサ及び画像情報処理装置 |