JPH04328791A - アクティブｅｌマトリックスおよびその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はエレクトロルミネッセン
スによる発光装置に関し、特にアクティブ型の薄膜エレ
クトロルミネッセントマトリックスおよびその駆動方法
に関する。

【０００２】

【従来技術】エレクトロルミネッセンス素子はマンガン
を添加した硫化亜鉛等の半導体材料に駆動電圧を印加す
ると発光することを利用する発光素子（以下、ＥＬ素子
という）であるが、これは高い精度で一枚のガラス基板
等の上に集積化できるので、多数の素子を面状に配列し
たものは文字表示パネルとして利用でき、又一次元的に
配列して電子式印字装置の露光系として利用できる。こ
れらの発光装置は薄型軽量に製造できて空間利用率が高
いこと、又可搬型装置への組み込みが容易であること、
にじみのない見易い表示が得られることなどの多くの利
点を有するため、近年急速に研究が進められている。な
かでも各ＥＬ素子にその発光の制御に必要なスイッチン
グ素子、電源等を備えたものはアクティブ型と呼ばれ、
外部の制御装置が複雑にならないですむことから開発、
改良が進められている（”ＴＦＥＬ　Ｅｄｇｅ　Ｅｍｉ
ｔｔｅｒ　Ａｒｒａｙ　ｆｏｒ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｉｍ
ａｇｉｎｇ　Ｂａｒ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”，　
Ｚ．　Ｋ．　ＫＵＭ，　ｅｔ　ａｌ ．，　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＳＩＤ
，　Ｖｏｌ．　２８，　Ｊａｎ．　１９８７，　ｐｐ．
　８１−８５）

【０００３】多数のアクティブ型ＥＬ発光回路を要素と
する電気的マトリックスであるアクティブ型ＥＬマトリ
ックスは従来、図１に示すように交流電源で駆動される
ＥＬ素子を含む１ビット基本回路（以下、１ビットＥＬ
回路又は１ビット回路という）の集合からなる。これら
１ビット回路は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという
）等のスイッチング素子ＱＤ　により開閉される。スイ
ッチング素子ＱＤ　はそのゲートに接続されたデータ保
持用コンデンサＣｓと、別のＴＦＴスイッチング素子Ｑ
ｗとにより制御されている。各１ビット回路に送られた
データ信号ＤＡＴＡをＴＦＴスイッチング素子Ｑｗのオ
ン／オフによりデータ保持用コンデンサＣｓに書き込む
。 スイッチング素子Ｑｗのオン／オフは信号制御装置から
のストローブ信号ＳＴＲＯＢＥで行なわれる。データ信
号が当該ＥＬ素子を発光させる駆動信号のときは高電位
であり、コンデンサＣｓが高レベルに充電され、その充
電電圧がスイッチング素子ＱＤ　のゲート電圧となる結
果、スイッチング素子ＱＤ　が導通し、その結果ＥＬ素
子ＣＥＬおよび駆動用ＡＣ電源（駆動電圧Ｖａ）が直列
閉回路を構成し、駆動電源によってＥＬ素子ＣＥＬ駆動
されて発光する。信号が当該ＥＬ素子を駆動しないため
の信号であるときは低レベルであり、その信号がコンデ
ンサＣｓに書き込まれたときは素子ＱＤ　がオフ状態と
なるため、ＥＬ素子の駆動は停止される。従って各１ビ
ット回路のデータ保持コンデンサに順次に所望のデータ
を書き込む走査により、一走査時間を時間的一フレーム
としてＥＬマトリックスの所望の発光状態が得られる。 各発光ユニットには回路構成の簡単のため、通常共通の
駆動電圧が印加されている。

【０００４】この１ビット回路を多数含むアクティブＥ
Ｌマトリックスは駆動の便宜上ｍブロック（ｍは整数）
に分割し、各ブロックはｎ個（ｎは整数）の１ビット回
路を含む電気的ｎ×ｍマトリックスに構成することがで
きる（図３）。図５はこの場合のデータの書き込み方法
を表わすもので、１走査時間Ｔｓ（すべての１ビット回
路を一回走査するに必要な時間）かけてブロックごとに
ストローブ信号ＳＴＲＯＢＥ１ないしＳＴＲＯＢＥ　ｍ
　　のもとでｎ個の１ビット回路に駆動（発光）／非駆
動（非発光）の信号が書き込まれ、マトリックス全体の
発光状態が制御される。信号ＳＴＲＯＢＥ　　により発
光データの書き込みがされた１ビット回路はデータ書き
込み以後の当該走査期間中は駆動電源により駆動される
。従って、この場合各１ビット回路の駆動期間Ｔｄは走
査期間Ｔｓと同じでなければならない。すなわち一走査
期間において駆動状態にあったＥＬ素子が次の走査期間
で非駆動状態に変化したとするとこのＥＬ素子は非発光
期間移行後に発光量を減衰して行く（図７）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の駆動方法はこの
ように発光のための走査期間経過後に減衰を待つので、
発光のための走査期間（以下、発光走査期間という）と
発光の減衰を待つ走査期間（以下、非発光走査期間と言
う）との組み合わせが発光／非発光制御の実質的な周期
である。ＥＬ素子は通常約１ｍｓ程度の減衰時間を有す
る。それゆえ１走査期間がこの減衰時間よりも十分長く
てよい場合は問題はないが、発光、非発光の両走査期間
とも同じであるから、制御の実質的周期は２走査期間分
の長さとなり、少なくとも約２ｍｓの程度となる。これ
が走査の高速化を妨げている。ＥＬマトリックスを電子
式印字装置の露光系に用いる場合、印字の高速化は極め
て重要であるから、このような従来の駆動方法、装置は
重大な問題を含んでいる。

【０００６】そこで本発明はＥＬマトリックスにおける
この問題を解決することにより、ＥＬ装置の高速駆動方
法と高速ＥＬマトリックスを与えることを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そのための手段として、
本発明はアクティブ薄膜ＥＬマトリックスの各ＥＬ素子
を発光させる駆動と駆動停止後の発光減衰とを一走査期
間内で行なわせる。

【０００８】さらにこの手段を特定すると、各１ビット
回路へのデータの書き込み、発光時期の撰択、およびＥ
Ｌ素子駆動電源の作動時の適切な選択により、一走査期
間内で発光から発光停止までの動作を実質的に完了させ
る。すなわち一走査期間を実際の駆動周期とする。

【０００９】

【作用】本発明の上記手段によれば、従来のように発光
のための走査期間と別に発光減衰を待つ走査期間を設け
る必要がなくなり、発光と減衰とが一走査期間内でなさ
れるから、ＥＬマトリックスの駆動速度を高めることが
できる。

【００１０】

【実施例】本発明の第一実施例になるＥＬマトリックス
および駆動方法を説明する。図２（Ａ）は本発明の第一
実施例になる１ビット基本回路の構成を示す。この図に
示すように、この１ビット基本回路は一般に信号制御装
置の制御の下に交流駆動電源ＳからスイッチＳｗを介し
て電力が印加されるＥＬ素子ＣＥＬとスイッチング素子
ＱＤ　からなる直列回路を含んでいる。スイッチング素
子ＱＤ　は一般に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと言
う）であり、そのゲートＧはレジスタに接続される。こ
のレジスタは図２（Ａ）の例では、当該ＥＬ素子の発光
／非発光を指定するデータ信号ＤＡＴＡ　　を保持する
ためのコンデンサＣｓ１と、コンデンサＣｓ１にこのデ
ータを書き込むためのスイッチング素子Ｑｗと、前記デ
ータ信号を保持するための第２のコンデンサＣｓ２と、
コンデンサＣｓ２にこのデータ信号を書き込み、又は消
去するためのラッチ素子ＱＬ　とを含む。スイッチング
素子Ｑｗ、ラッチ素子ＱＬ　もＴＦＴである。

【００１１】データ線はスイッチング素子Ｑｗの入力端
に接続され、その出力端とグランドとの間に第一のデー
タ書き込み・保持用コンデンサＣｓ１が接続される。ス
イッチング素子Ｑｗのゲートは外部の信号制御装置のス
トローブ信号線に接続される。

【００１２】スイッチング素子Ｑｗの出力端はさらにラ
ッチ素子ＱＬ　の入力端に接続され、ラッチ素子ＱＬ　
の出力端はスイッチング素子ＱＤ　のゲートＧに接続さ
れる。 ラッチ素子ＱＬ　の出力端とグランドとの間に第二のデ
ータ保持用コンデンサＣｓ２が接続される。

【００１３】これらのスイッチング素子Ｑｗ、ラッチ素
子ＱＬ　、および駆動電源Ｓはデータ信号ＤＡＴＡおよ
びストローブ信号と所望のタイミングで作動するように
外部の信号制御装置で制御される。

【００１４】ＥＬマトリックスはこの図２（Ａ）の１ビ
ット回路を単位とする多数のＥＬ素子を含むので、駆動
の便宜上ｎ個の１ビット回路を含むブロックｍ個（ｍは
整数）に分割し、図４（Ａ）に示すように各ブロックに
ｎ個のデータＤＡＴＡ１−　ＤＡＴＡｎ（ｎは整数）が
書き込めるようにし、ｎ×ｍの電気的マトリックスに構
成する。ｍブロックを同時に駆動する場合は、すべての
ブロックのすべてのＥＬ素子のラッチ素子のラッチ信号
を共通にする。電子式印字装置のイメージバー等として
使用する場合も同様のブロック構成で足りる。

【００１５】図４（Ｂ）は本発明の第二実施例になるＥ
Ｌマトリックスで、図２（Ｂ）はその１ビット回路の構
成を示す。この実施例は図１に示す従来例の１ビット回
路にさらに、データ書き込み・保持用コンデンサＣｓに
保持されたＥＬ駆動データを放電するためのリセット素
子ＱＲ　をコンデンサＣｓと並列に接続したものである
。 リセットスイッチＱＲ　もＴＦＴで構成でき、その電流
通過電極がデータ保持用コンデンサＣｓと並列に接続さ
れる。又そのゲートは信号制御装置に接続される。この
構成は第一実施例と較べてラッチＱＬ　が不要なことか
ら、その分構造上簡単である。

【００１６】図６（Ａ）を参照して上記の本発明の第一
実施例のＥＬマトリックスの作動を説明する。各ブロッ
クがただ１個の１ビット回路を含む場合は一次元マトリ
ックスとなるが、この場合も全く原理が同じであること
に注目されたい。

【００１７】任意の一走査期間Ｔｓにおいて信号制御装
置から送られたストローブ信号ＳＴＲＯＢＥ１ーｍによ
り各ブロック毎にデータ書き込み用のスイッチング素子
Ｑｗが導通され、各データ保持用コンデンサＣｓ１にデ
ータが書き込まれて行く。書き込みが終わるとＴＦＴＱ
ｗはオフにされ、データはこのコンデンサＣｓ１に保持
される。書き込まれたデータは信号制御装置からのラッ
チ信号ＬＡＴＣＨ　により各ラッチ素子ＱＬ　が導通す
るまでコンデンサＣｓ１に保持され、各スイッチング素
子ＱＤのゲートには出力されない。

【００１８】上記のデータ書き込みがすべてのブロック
について終了すると（図６（Ａ）の時間Ｔｗ経過時）す
べてのラッチ素子が信号制御装置から送られた共通のラ
ッチ信号ＬＡＴＣＨ　によりラッチ素子ＱＬ　が導通さ
れ、第一のデータ保持コンデンサＣｓ１に保持されてい
たＥＬ素子駆動データ（高電位の信号）が第二のデータ
保持コンデンサＣｓ２に出力され、このコンデンサＣｓ
２が充電される形でＥＬ素子駆動データがコンデンサＣ
ｓ２に保持される。この充電電圧によりスイッチング素
子ＱＤ　がオン状態になり、このときＥＬ素子は印加さ
れている交流電圧Ｖａにより駆動されて発光する。

【００１９】また当該ＥＬ素子を駆動させないデータ信
号（低電位信号）がデータ線に与えられたときは、スイ
ッチング素子Ｑｗとラッチ素子ＱＬ　の導通により、そ
れまでコンデンサＣｓ２に蓄積されていた電荷が放電さ
れて、スイッチング素子ＱＤ　をオフ状態にし、ＥＬ素
子の駆動が停止される。この実施例ではすべての１ビッ
ト素子が共通のラッチ信号に接続されており、すべての
ＥＬ素子が同時に駆動停止されるようになっている。

【００２０】ラッチ信号が与えられてから時間Ｔｄが経
過すると駆動停止信号がすべての１ビット回路に与えら
れる。この場合時間（Ｔｗ＋Ｔｄ）は走査時間Ｔｓより
小さい。従って発光させる駆動信号を受けたＥＬ素子も
その走査期間内に発光を停止される。その後、次の走査
が開始されるまでの時間Ｔｒは駆動停止され、また、Ｃ
ｓ１およびＣｓ２の放電がなされる（図６（Ａ））。

【００２１】尚、ラッチＱＬ　によりいずれのＥＬ素子
も同時に駆動され同時に駆動停止されるので、印加電圧
Ｖａはこの駆動期間中のみ作動させるようにしてもよい
。

【００２２】一般にデータの書き込みは非常に短時間に
実行できるから、このように三種の作動を適当に同期さ
せることによって同一走査期間内に発光データの書き込
み、発光駆動、および発光駆動の停止まですべてを行な
うことができる。この点、本ＥＬマトリックス駆動方法
は図５の従来の駆動方法と非常に相異する。

【００２３】本発明の第二実施例になる図２（Ｂ）の１
ビット回路からなるＥＬマトリックスは以下のように作
動する。図６（Ｂ）は図２（Ｂ）の駆動方法に用いるタ
イミングを示す。駆動データ書き込みのときはリセット
スイッチをオフ状態にしておくことにより、従来例と同
様にデータの書き込みが行なわれる。ＥＬ素子が発光さ
れたときはその一定時間後にリセット信号ＲＳＴにより
リセットスイッチング素子ＱＲ　を導通させてスイッチ
ング素子ＱＤ　をオフ状態にする。これによりＥＬ素子
の駆動が停止される。ただし、このリセットは発光駆動
開始後、一走査時間よりも短い時間Ｔｄに行なわれる（
図６（Ｂ）のＴｄ１、Ｔｄ２等）。これらのＥＬ素子は
必ずしもすべて同時に発光させる必要はなく、一定の順
序で順次発光させればよい。従って時間Ｔｄ後の駆動停
止リセット信号として、他のＥＬ１ビット回路にデータ
を書き込む信号ＳＴＲＯＢＥ　　ｊを充てることができ
る。

【００２４】この駆動方法ではＥＬ駆動電源Ｓは走査期
間中、常に印加されている点が第一実施例と異なる。た
だし、各ＥＬ素子の発光条件を一様にするため、駆動電
源の位相とストローブ信号の位相の差を一定に保つこと
が望ましい。この駆動期間Ｔｄは一走査時間Ｔｓよりも
短いので、各ＥＬ素子の駆動期間は当該走査時間の一部
にわたってのみ行なわれ、駆動停止された後は当該走査
期間の終了時までの期間Ｔｒ＝Ｔｓ−　Ｔｄ、駆動停止
のまま減衰発光を行なう。従ってこのときの発光強度分
布曲線は図５に示すようにコンデンサの充電ー放電曲線
と類似の曲線となる。

【００２５】尚、図６（Ａ）に示したようにラッチ信号
による発光の前に駆動電源をとめた状態でデータ書き込
みを行なう期間Ｔｗがある場合、発光開始は各走査期間
開始からＴｗ後であるが、書き込み時間は非常に短いの
で、図８ではこれを無視してある。

【００２６】以上述べたように、各ＥＬ素子の駆動と駆
動の停止を一走査時間内に含めると、図８に示すように
、駆動中の発光と駆動停止後の発光とが共にＥＬ素子の
発光を目的とする一走査時間（図７および図８の「発光
区間」）内に存在する。発光区間で利用すべき光量Ｌｏ
ｎは、例えばＥＬバーの場合、発光開始後の一走査時間
Ｔｓ内の発光強度Ｉを時間ゼロから時間Ｔｓまで積分し
た積分量である。これに続く発光を目的としない一走査
期間（図８の「非走査区間」）Ｔｓにおける発光強度Ｉ
の時間積分量Ｌｏｆｆはこの場合不要のものである。 従ってＥＬマトリックスとしての有意義な信号比はＬｏ
ｎ／Ｌｏｆｆであるから、Ｌｏｎを許容限界内に保ちつ
つ駆動時間Ｔｄを短縮し、かつ比Ｌｏｎ／Ｌｏｆｆを大
きくすることが要求される。ところで本発明の駆動方法
の場合、従来の駆動方法（図７）におけるＬｏｆｆの主
要部分を本駆動方法のＬｏｎに取り込んでいることに注
目されたい。従って本駆動方法では駆動時間Ｔｄを短縮
することにより直ちに上記比Ｌｏｎ／Ｌｏｆｆが自動的
に大きく改善される。従って残る問題はＬｏｎを許容限
界内に保ちつつ駆動時間Ｔｄを短縮することだけである
。そのためには撰択したＥＬ素子の発光特性Ｉに応じて
パラメータＴｓおよびＴｄの適当な値を撰択すればよい
。駆動期間Ｔｄ、走査期間Ｔｓおよび比Ｌｏｎ／Ｌｏｆ
ｆの間の定性的な関係は図９に示してある。上記パラメ
ータの選択は、選択したＥＬ材料について図９のような
特性図を求めておくと容易に求められる。例えば、Ｌｏ
ｎ／Ｌｏｆｆの許容される範囲とＴｓの許容できる範囲
とを指定すると、図９上に一定領域ができる。そこでこ
の領域を通過する特性曲線群の内から適当な曲線、すな
わち適当なＴｄ、を選択すれば良いことがわかる。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、レジスタ
でオン／オフ制御されるスイッチング素子を各マトリッ
クス点として含むアクティブ薄膜ＥＬマトリックスの駆
動方法において、前記アクティブＥＬマトリックスを走
査して前記スイッチング素子を選択的に導通するデータ
信号を前記レジスタに与えると共に前記走査開始時を基
準にして、かつ該走査の終了前に、前記選択されたスイ
ッチング素子各々を不導通にするようにしたので、同一
走査期間内に発光データの書き込み、発光駆動、および
発光駆動の停止まですべてを行なうことができる。その
結果、従来例による駆動方法にない高い速度でＥＬマト
リックスの駆動ができる。

【００２８】またこの駆動方法では一走査期間内の駆動
時間とこれに続く駆動停止期間との比を選択することに
より、有効発光信号比Ｌｏｎ／Ｌｏｆｆを容易に選択で
きる。

【００２９】また本発明は上記のアクティブ薄膜ＥＬマ
トリックス駆動方法において、さらに前記走査の開始時
および前記レジスタの作動時を基準として前記交流電源
を作動させ又は作動停止させるようにできるので、各Ｅ
Ｌ素子は同一位相の電圧で駆動でき、マトリックス全体
の発光むらがない。

【００３０】さらにまた上記アクティブＥＬマトリック
スの上記駆動方法を実現する手段として、該レジスタが
、データ信号を保持する少なくとも一つのコンデンサと
、該コンデンサに接続されて信号制御装置から受信した
信号により該コンデンサに該データを書き込み、又は消
去する少なくとも二つのスイッチング素子とを含む用に
したので、容易に上記ＥＬマトリックス駆動方法を実現
することができる。

【００３１】また、本発明では上記スイッチング素子を
薄膜トランジスタとすることができるので、作動効率が
高く、軽量小型で、ＥＬ素子密度の高いＥＬマトリック
スが実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例のＥＬマトリックスの１ビット回路を示
す図である。

【図２】（Ａ）は本発明の第一実施例によるＥＬマトリ
ックスの１ビット回路である。（Ｂ）は第二実施例によ
るＥＬマトリックスの１ビット回路である。

【図３】従来例のＥＬマトリックスにおけるマトリック
ス構成図である。

【図４】本発明第一実施例および第二実施例のＥＬマト
リックスにおけるマトリックス構成図である。

【図５】従来例の信号タイミング図である。

【図６】本発明第一実施例および第二実施例の信号タイ
ミング図である。

【図７】従来例のＥＬマトリックスの発光強度分布を示
す図である。

【図８】本発明によるＥＬマトリックスの発光強度分布
を示す図である。

【図９】本発明によるＥＬマトリックスの有効発光信号
比と走査時間との関係を示す図である。

【符号の説明】

ＣＥＬ　　　　ＥＬ素子　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　Ｓ　　　　　　ＥＬ素子駆動
電源 Ｓｗ　　　　　　ＥＬ素子駆動電源スイッチ　　　　　
　　　Ｖａ　　　　ＥＬ素子駆動電源電圧 ＱＤ　　　　　　　１ビット回路スイッチング素子Ｑｗ
　　　　　　データ書き込みスイッチング素子　　ＱＬ
　　　　　ラッチ素子 Ｃｓ１　　　　第一のデータ保持用コンデンサＣｓ２　
　　　第二のデータ保持用コンデンサ　　　　ＤＡＴＡ
　　　　　データ信号 ＳＴＲＯＢＥ　　　　　　ストローブ信号　　　　　　
　　　　　　　　　ＬＡＴＣＨ　　　　ラッチ信号 ＲＳＴ　　　　　　　　　リセット信号　　　　　　　
　　　　　　　　　　　Ｔｓ　　　　　　走査時間 Ｔｄ　　　　　　　　駆動時間　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　Ｔｗデータ書き込み時間 Ｔｒ　　　　　　　　非駆動時間　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　Ｌｏｎ駆動時発光量 Ｌｏｆｆ　　　　非駆動時発光量

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　レジスタで導通／不導通にされるスイ
   ッチング素子と駆動電源とに直列接続されたＥＬ素子を
   含んだ１ビットＥＬ回路を各マトリックス点とするアク
   ティブＥＬマトリックスにおいて、該レジスタが該ＥＬ
   素子の駆動／非駆動を表わすデータを保持する第一のデ
   ータ保持部と、信号制御装置から該データを表わすデー
   タ信号を受けたとき該データを該第一データ保持部に書
   き込むデータ書き込み部と、信号制御装置からラッチ信
   号を受けるまで該データを該第一信号保持部にとどめて
   おくラッチ部と、該ラッチ部と該ＥＬスイッチング素子
   に接続された第二のデータ保持部とを有し、次のデータ
   信号の書き込みが行なわれるまで、該データ保持部に保
   持された該データに基づいて前記スイッチング素子を導
   通又は不導通に保持することを特徴とするアクティブＥ
   Ｌマトリックス。
2. 【請求項２】レジスタで導通／不導通にされるスイッチ
   ング素子と駆動電源とに直列接続されたＥＬ素子を含ん
   だ１ビットＥＬ回路を各マトリックス点とするアクティ
   ブＥＬマトリックスにおいて、該レジスタが該ＥＬ素子
   の駆動／非駆動を表わすデータを保持するデータ保持部
   と、信号制御装置から該データを表わすデータ信号を受
   けたとき該データを該データ保持部に書き込むデータ信
   号書き込み部と、信号制御装置からリセット信号を受け
   たとき該スイッチング素子をオフにすべく該データ保持
   部のリセットを行なうリセット部とを有し、該データ保
   持部に保持された該データに基づいて前記スイッチング
   素子を導通又は不導通に保持することを特徴とするアク
   ティブＥＬマトリックス。
3. 【請求項３】レジスタで導通／不導通にされるスイッチ
   ング素子と駆動電源とに直列接続されたＥＬ素子を含ん
   だ１ビットＥＬ回路を各マトリックス点とするアクティ
   ブＥＬマトリックスの駆動方法において、前記スイッチ
   ング素子を選択的に導通させる制御信号を信号制御装置
   から前記レジスタに与える走査ステップと、該走査開始
   後の所定時刻に該制御信号に基づいて該選択されたスイ
   ッチング素子を導通させるステップと、該制御信号に基
   づいて該走査開始後の所定時刻に、かつ次の走査の開始
   前に、該導通されたスイッチング素子各々を不導通にす
   るステップと、を含むことを特徴とするアクティブＥＬ
   マトリックス駆動方法。