JPH0432780A - 電気量記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、通電電気量を電圧として検出し、記憶する電
気量記憶装置に関する。

従来の技術 従来の電気量記憶装置は、銀イオン−電子混合導電体を
電極活物質として用い、その銀イオン電子混合導電体に
おける銀のケミカルポテンシャルが、混合導電体中の銀
の含有量によって変化する電気量記憶素子を用いたもの
である。さらに詳しくは下記に述べるような原理により
通電電気量を検出、記憶する。

すなわち素子に流れる電流は固体電解質中においては銀
イオンとして流れる。この流れた銀イオンにより混合導
電体中の銀の含有量が変化する。

それにより混合導電体における銀のケミカルポテンシャ
ルが変化し、その変化を電圧として検出。

記憶するものである。

上記のような素子としては、Ａｇ２Ｓｅ−Ａｇ３ＰＯ４
τし２ト０＋ｒミスＬ′） Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、ｖｏｌ、３．ｐ、
１２９．（１９７３））またはＡＣ１６Ｉ。ＷＯ４〔電
気化学、扁８．ｐ、５３５゜（１９７６））を銀イオン
導電性固体電解質層に用いた素子の提案がされていた。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のようなＡ　ｇ　２　Ｓ　ｅ　−Ａ　
ｇ　３Ｐ　Ｏ４で表わされる銀イオン−電子混合導電体
を動作極の材料に用いた場合、通電電気量と電極電位の
直線性が保たれる範囲は、ＯｍＶから約１００　ｍＶ壕
での範囲であり、通電電気量を検出、記憶できる範囲も
最大で１００ｍｖと小さなものであり、壕だ電極材料と
して用いられているセレン化物が高温で酸化されるため
高温で素子の特性が損なわれるといっだ課題を有してい
た。

それに対し、通電電気量を検出、記憶する範囲を１００
　ｍＷ以」二まで拡大し、高温でも安定な素子とするた
めに、動作極の電極材料として、Ａｇ２Ｓｅ−Ａｑ３Ｐ
○４　ニ代エテＡｑ　ｘ　Ｖ　２０　ｓ−ア（０，３５
（ｘ、ｙは酸素欠損）で表わされる複合酸化物を動作極
の電極材料として用いる提案が発明者らによってなされ
ている。

このような電気量記憶素子に必要とされる特性としては
、上にあげた通電電気量と電圧の直線性の他に、記憶電
圧の保持性が重要となっている。

上記の提案による電気量記憶素子は、電気化学反応を用
いた素子であるが故に、その特性は電池と共通するもの
が多く、素子の自己放電による電圧の低下や温度による
電圧の変化がある。自己放電は記憶電圧が時間とともに
失われてしまうことを酢味し、また温度の変化による電
圧の変化は記憶７こ圧の出力が温度によって変化するこ
とを意味する。

これらの課題のうち自己放電に関しては、」二層発明に
おいて電解質として採用されているヨウ化銀−タングス
テン銀糸の固体電解質が非常に電子伝導性の低い固体電
解質であることから、実用上は支障のないものとなって
いる。

一方、電圧の温度依存性は電池を初めとする電気化学素
子に共通の特性であるが、電気量記憶素−ｆのようにそ
の出力電圧の正確さが要求される素子に関しては、電圧
の温度依存性が小さなものであるか、または電圧の温度
依存性が電圧に対して直線的に変化し、簡単な温度補償
回路で校正できることが望ましい。

発明者らによる」−記発明によると、動作極と対極にい
ずれもＡｑ０．７ｖ２０５で表わされる複合酸化物を用
い、動作極と対極に同量のＡｑ０．７■２０５を用いる
ことが特に好ましいとしている。以上のようにして構成
した電気■−記憶素子について、記憶電圧の温度変化率
を測定したところ、２０℃で１００ｍＶ以Ｌ−で充電し
電圧を記憶させた際には、記憶電圧の温度変化率は約０
．３％／℃でほぼ一定であったが、１５０ｍＶで充電し
た場合には温度変化率は約０．４チ／℃であり、２００
　ｍＶで充電した際にはｅｏ’ｃ以下での温度変化率は
６０℃以上の変化率に比べ大きなものとな−、でおり、
約０．６チ／℃とな−〕ていた。

ここで温度変化率とは、出力電圧が１度の温度変化あた
り記憶電圧の何パーセントにあたるかといった量であり
、便宜的に記憶電圧のＴ℃の際の出力電圧をＶ（Ｔ）と
した際の、出力電圧の温度変化ｄＶ　（Ｔ）／　ｄＴを
２０１１１：　ｆ　Ｅ憶すｔり電圧Ｖ（Ｔ−２０℃）で
規格化したもの（ｄｖ（Ｔ）／ｄＴ）／Ｖ（Ｔ＝２０℃
）と定義した。

このように、発明者らによる従来の電電ｊｉ’ｔ　Ｅ憶
素子は、記憶電圧が温度により変化し、またその変化率
も記憶電圧に対して一定の関係を満ださないため温度補
償回路による校正も困難であるといった課題を有してい
た。

本発明は以上の課題を解決し、記憶電圧の温度変化の小
さな、またはその温度変化率が一定で簡単な温度補償回
路により温度校正の可能な電気量記憶装置の提供を目的
とする。

課題を解決するだめの手段 上記の目的を達成するために本発明の電気量記憶装置は
銀イオン導電性固体電解質層を介して動作極と対極の一
対の電極を有し、前記動作極がＡ　ｇ　ｘ　Ｖ　２０　
ｓ−ｙ　（０−３５（ｘ　＋　ｙは酸素欠損）で表わさ
れる複合酸化物をＭモル含み、前記対極がＡｑｖＶ２０
６−、、（０，３５＜ｖ、ｗは酸素欠損）で表わされる
複合酸化物をＮモル含み、Ｘ≦０．７の時Ｑ１＝Ｍ（０
−２２ｘ−０−０６４）、ｘ≧０．７の時Ｑ１−〈 Ｍ（０、７４ｘ−０，４１２）とし、ｖ＝０．７の時Ｑ
２Ｎ（０，４３ｖ−０，１２６）、ｖ≧０．７の時Ｑ２
−Ｎ（−０，６２ｖ＋０．６１３）とした時、Ｑ１≧０
２を満たす電気量記憶素子と、その電気量記憶素子と直
列または並列に接続した電圧制御手段を設け、前記電気
量記憶素子に１６０ｍＶ以下の直流か圧を印加するか、
銀イオン導電性電解質層を介して動作極と対極の一対の
電極を有し、前記動作極がＡ　ｇ　ｘ　Ｖ　２０　ｓ−
ｙ　（０，３５＜　”　＋　ｙは酸素欠損）で表わされ
る複合酸化物を含み、前記対極が金属銀を含む電気量記
憶素子と、その電気量記憶素子と１Ｍ列または並列に接
続した電圧制御手段を設け、前記電気量記憶素子に１６
０ｍＶ以下の直流電圧を印加する構成とした。

作　　　用 発明者らは、上記のような充電電圧によって温度変化率
が変化し、高い電圧を記憶させた際にその変化率が大き
い原因を探った結果、以下の知見を得た。

（１）電気化学反応した銀とバナジウムよりなる複合酸
化物の２０℃における電位が銀に対してＥ（Ｔ＝２０℃
）（ｍＶ）であったとき、その電位の温度に対する変化
率ｄＥ／ｄＴ（ｍＶ／Ｋ）は２０℃における電位が約１
６０ｍＶ以下の時、近似的に次のような式で表わされる
。

ｄＥ／ｄＴ−３，２ｓＥ（Ｔ＝２ｏ℃）−０．３ｓ　　
・・・（１）（２）　　さらに責な電位領域まで、具体
的には２０℃における電位が約１ｅｏｍＶ以上となるま
で酸化反応を起こした状態の複合酸化物では、低温側に
温度変化率の大きな領域が現われ、電気量記憶素子が使
用されると思われる一２０℃以上の温度範囲でもこのよ
うな関係式が成り立たない。

これらの知見より、（１）式に表わされるような電位の
温度変化率を示す電位領域で電気化学反応を生じさせる
範囲では、電位の温度変化率は小さなものとなり、また
電位の温度変化も電圧に対して一定の関係を持つように
なることから、温度補償も容易なものとなると思われる
。すなわち、動作極および対極の電位が約１６０ｍＶを
超えない範囲で動作させることで、−２０℃以上の温度
範囲では素子の出力電圧の温度変化率は小さなものとな
り、また出力電圧の温度変化率も一定となり温度補償も
容易なものとなる。但し素子構成としては、下記の２つ
のうちのいずれかにする必要がある。

（１）　　対極としてＡｑ！ｖ２ｏ６で表わされる複合
酸化物を用いた場合、対極の容量、を動作極に比べて小
さなものとし、動作極が１６０ｍＶの電位を示すだけの
酸化反応の電気量に対応する還元反応により、対極がさ
らに低い電位、好捷しくは○ｍＶの電位を示すようにす
る。

この方法によると、対極が。ｍＶを示す際に動作極が１
６０ｍＶ以下の電位であることが必要となっている３、
動作極かＡｇ工Ｖ２ｏ６−ア（０，３５＜！、ｙは酸素
欠損）で表わされる複合酸化物をＭモル含み、対極がＡ
ｑｖｖ２０５−ｗ（０，３５＜ｖ、ｗは酸素欠損）で表
わされる複合酸化物をＮモル含む電気量記憶素子につい
て、ｘｓ、０．−ｒの時０１＝Ｍ（０．２２ｘ−０．ｏ
ｔｓ４）、ｘ；ｚ０．７の時Ｑ１＝Ｍ　（ｏ　、７４ｚ
　−０，４１２）とし、Ｖ≦０．７の時０２＝Ｎ　（０
、４３ｖ　−０、１２６）　、　ｖ＜０．７の時Ｑ　２
　二Ｎ　（−０，６２ｖ　＋　０　、６１３　）とじた
時、Ｑ１≧０２の条件とする。

（２）　　対極としてＡｑ！ｖ２ｏ５で表わされる複合
酸化物に代えて金属銀を用い、対極の電位を電気量記憶
素子の動作に対していつもＯｍＶの一定値とすることで
、動作極の動作電位範囲が０〜１６０ｍＶの時、素子の
出力電圧が０〜１６０ｍＶを示すようにする。

まだ、このような電極材料としてＡｇｘＶ２Ｏ６−アを
用いた、電気量記憶素子に用いられる銀イオン導電性の
固体電解質としてはどのような銀イオン導電性の固体電
解質を用いても素子を構成すルコトカ可能テ、Ｓ　ルア
５Ｅ、ＷＯ３，Ｓｉｏ２２ＭｏＯ３゜ｖ２０５から選１
ｄ’ｉル化合物トＡｇＸ　（Ｘ−Ｉ　、　Ｂ　ｒ　。

Ｃｌ）、Ａ（Ｊ２０から合成されたａＡｇＸ　−ｂＡｇ
２０−ＣＭｆｎｌｏｈｌ（ｘはＩ、Ｂｒ、Ｃｌより選ば
れる一種以上の元素、ＭはＷ、Ｍ０．Ｓｉ、Ｖ　よシ選
ばれる一種以上の元素）！、たはｐＡｇＸ−ｑＡｑＭｒ
ｎ２ｏｎ２（ＸはＩ、Ｂｒ、Ｃｌより選ばれる一種以上
の元素、ＭはＷ、Ｍｏ　、　Ｓ　ｉ　、Ｖより選ばれる
一種以上の元素）で表わされる固体電解質は、すべて吸
湿性をもたない材料から合成することになるため、材料
合成を乾燥雰囲気で行う必要がなく、また合成された固
体電解質も大気中の水分に対して安定であるため電気量
記憶素子の構成も大気中で行うことができることや、構
成された電気量記憶素子の耐候性の観点から好ましく用
いられる。なかでもＡｑ　Ｉ　、　Ａ（Ｊ２０　、ＷＯ
３から合成された４　Ａ　ｑ　Ｉ　−Ａ　ｇ　２ＷＯ４
は、熱的に結晶化し電気伝導度が低下するなどの問題が
ないことから、より好ましく用いられる。

またＣｒＯ２，Ｐ２Ｏ５，Ｂ２Ｏ３から選ばれる化合物
とＡｑＩ、Ａｇ２Ｏから合成されたａＡｇＸ−ｂＡｑ２
ｏ−ｃＭｍｌｏｎｌ（ｘはＩ　、Ｂｒ、Ｃｌより選ばれ
る一種以上の元素、ＭはＣｒ、Ｐ、Ｂ　より選ばれる一
種以上の元素）またはｐＡｇＸ−ｑＡｇＭｍ２Ｏｎ２（
ＸはＩ、Ｂｒ、Ｃｌより選ばれる一種以上、ＭはＣｒ、
Ｐ、Ｂ　　より選ばれる一種以−Ｆの元素）で表わされ
る固体電解質は、原材料として吸湿性のあるものを含ん
でいるが、合成された固体電解質は湿度に対し安定であ
ることから同様に好ましく用いられる。

実施例 以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。

実施例１ ４ＡｇＩ・Ａｇ２ＷＯ４で表わされる銀イオン導電性固
体電解質層を介して動作極と対極がともにＡｑ０．７ｖ
２０５で表わされる複合酸化物を含む電気量記憶素子を
以下の方法で構成した。

先ず、用いられる固体電解質と複合酸化物を以下の方法
により合成した。

最初に、Ａ（ＦＩ、Ａ（Ｊ　Ｏ，ＷＯ３をモル比４：１
：１の比となるように秤量シ２、アルミナ乳鉢で混合し
た。この混合物を加圧成形しベレント状とした後、パイ
レックス管中に減圧封入し、４００℃で１７時間溶融、
反応させた。その反応物を乳鉢で２００メソシユ以下に
粉砕し、４ＡｇＩ・Ａｑ　ＷＯで表わされる銀イオン導
電性固体電解質を得た。

次に、銀とバナジウムの複合酸化物を以下の方法により
合成した。ｖ２０５とＡｑをモル比でに０．７　　とな
るよう秤量し、乳鉢で混合した。その混合物を同じくベ
レット状に加圧成形し、石英管中に減圧封入し、ｅｏｏ
℃で４８時間反応きせ、同じく２０ｏメソシユ以下に粉
砕し、Ａｑ０．７ｖ２０６で表わされる複合酸化物を得
た。

このようにして得た複合酸化物を用い、以１の方法で電
気量記憶素子Ａを構成した。

上記で得られた固体電解質と複合酸化物を重量比で１＝
１の比で混合し、電極材料を得た。この電極材料を２０
０　ｍｇ秤量し、４ｔｏｎ／ｉで１０ｍｍφに加圧成形
し動作極の電極ベレットを得、この電極材料を１００　
ｒｎｑ　４ｉ！Ｈ＆し、４　ｔ　ｏｎ／（ｙＪで１０ｍ
ｍφに加圧成形し対極の電極ベレッＩ・を得た。

以上のようにして得られた電極ベレットを固体電解質４
００　ｍｇを介して配し、全体を４ｔｏｎ／ｃＴＩで加
圧圧接し、さらに錫鍍金銅線のリードをカボンベースト
によシ接着し、全体をエポキシ系の樹脂で封じ電気量記
憶素子Ａを得だ。その断面図を第１図に、電気量記憶素
子Ａと直列に電圧制御手段を設け、１６０ｍＶ以下の直
流電圧を印加して負荷の電気量を測定する電気量記憶装
置の構成を第２図に示す。

第１図において、１　ハ４Ａｇ　Ｉ　−Ａｑ　２ＷＯ４
ノ銀イオン導電性固体電解質層であり、２がＡｑ０．７
■２０゜で表わされる複合酸化物を３．９８Ｘ１０　　
　モル含む動作極であり、３がＡｑ０．７ｖ２ｏ６で表
わされる複合酸化物を３．４８Ｘ１０　　　モル含む対
極である。４はカーボンペーストからなる電極であυ、
６はリード端子、６は素子を封止するだめの樹脂層であ
る。

第２図において、７が電気量記憶素子であり、８は前記
電気量記憶素子Ｔに直列に設けられた電圧制御手段であ
り、負荷９の電気量を測定する時、電気量記憶素子７に
印加される電圧Ｖを１６０ｍＶ以下とする。

電圧Ｖの経時変化を測定することによって負荷９の電気
量を測定することができる。

１ｏは電気量記憶素子７を充電する時に使用する直流電
源であり、１１は充電電圧を制御する手段、１２は充放
電切換の時使用するスイッチである。

電気量記憶素子Ａについては、Ｑ１＝３．９８Ｘ１０−
５０２＝３．４８Ｘ１０　　となっており、本発明によ
るＱ１≧Ｑ２の条件を満たす。

まだ、比較例として対極ベレットの重量を２００ｍｑと
した以外は上記と同様の方法で、電気量記憶素子Ｂを得
た。

得られた電気量記憶素子Ｂについては、Ｑ＝３．９８Ｘ
１０　　、Ｑ２＝６．９５Ｘ１０　　となっており、本
発明によるＱ１≧０２の条件を満たさない。

このようにして得た電気量記憶素子ＡおよびＢを２０℃
で５０．７５，１００，１２５，１５０ｍＶの電圧を示
すように電流を通じ、端子を開放状態とした後、恒温槽
中で温度を変化させ、その記憶電圧の温度依存性を測定
した。その結果を第３図（電気量記憶素子Ａ）、第４図
（電気量記憶素子Ｂ）に示す。また、得られた電圧の１
℃あたりの温度変化と２０℃における充電電圧の関係を
横軸に充電電圧（２０℃）、縦軸に電圧の１℃あたりの
変化率を第６図（電気量記憶素子Ａ）、第６図（電気量
記憶素子Ｂ）に示す。

比較例の電気量記憶素子Ｂでは充電電圧が１００ｍＶ以
上のとき温度変化率は大きな値をとり、また第４図にみ
られるような電圧の温度変化の大きな領域が現われてい
るが、本発明による電気量記憶素子Ａでは充電電圧が１
５０ｍＶとなっても電圧の温度変化率は充電電圧に対し
て直線的に変化しており、また電圧は温度に対して直線
的に変化している。以上の結果より、本発明によると記
憶電圧の温度変化が小さくまた記憶電圧の温度変化が電
圧に対して一定の関係を持つ動作電圧範囲の広い電気量
記憶素子が得られていることが分かる。

次に、電気量記憶素子Ａを第２図に示すように電圧制御
手段と直列につなぎ２０Ｕで直流電源で１ｅｏｍＶ以下
に充電後、負荷の電気量を１６０ｍＶ以下で測定すると
、従来より簡単な温度補償回路により温度校正をしなが
ら正確に電気量を測定することができた。

なお、電圧制御手段は電気記憶素子と並列につないでも
よい。

実施例２ 最初ニ、ＡｑＩ、Ａｇ２Ｏ，ｖ２ｏ６をモル比で６：３
：２の比となるように秤量し、アルミナ乳鉢で混合した
。この混合物をガラス状カーボン坩堝中で、加熱溶融反
応させた後、融液を直接液体窒素中に注ぎ込み急冷した
。以上のようにして得られだ反応物を乳鉢で２００メツ
シユ以下に粉砕し、ｓＡｇＩ・ａＡｇ　０・２ｖ２０６
で表わされる銀イオン導電性固体電解質を得た。

以」二のようにして得た銀イオン導電性固体電解質と、
実施例１で得た銀とバナジウムよりなる複合酸化物を用
い、以下の方法で電気量記憶素子Ｃを得た。

５Ａｑ　Ｉ　−３Ａｇ　０−２Ｖ２０６で表わサレル固
体電解質とＡｑ０．７ｖ２ｏ５で表わされる複合酸化物
を重量比で１：１の比で混合し、電極材料を得たこの電
極材料を２００　ｆｎｑ秤量し、４ｔｏｎ／ＣＦ！で１
０　ｍｍφ　に加圧成形し動作極の電極ベレットを得た
。

また、上記の銀イオン導電性固体電解質と金属銀粉末を
重量比で１：１に混合した電極材料を１００ｍｇ秤量し
、ａ　ｔ　ｏ　ｎ／ｃｒｌで１０ｍｚｉφに加圧成形し
対極の電極ベレットを得た。

以上のようにして得られた電極ベレットを固体電解質４
００　ｍｇを介して配し、全体を４ｔｏｎ／ｉで加圧圧
接し、さらに錫鍍金銅線のリードをカボンベーストによ
り接着し、全体をエポキシ系の樹脂で封じ電気量記憶素
子Ｃを得た。

このようにして得た電気量記憶素子Ｃの記憶電圧の温度
変化を実施例１と同様に測定した。その結果を第７図（
記憶電圧の温度依存性）および第８図（充電電圧とその
温度変化率との関係）に示す。

以上の結果より、本発明による電気量記憶素子Ｃでは充
電電圧が１５０ｍＶとなっても電圧の温度変化は充電電
圧に対して直線的に変化しており、また電圧は温度に対
して直線的に変化している。

以上の結果より、本発明による記憶電圧の温度変化が小
さくまだ記憶電圧の温度変化が電圧に対して一定の関係
を持つ動作電圧範囲の広い電気量記憶素子が得られてい
ることが分かる。

この素子も素子Ａと同様の装置構成により正確に電気量
が測定できた。

実施例３ ■２０６と金属銀をモル比で１：０．４５となるよう秤
量し、実施例１と同様の方法でＡｑ０．４５ｖ２０６で
表わされる複合酸化物を得だ。

以上のようにして得た銀とバナジウムよりなる複合酸化
物と実施例１で得だ４　Ａ　ｇ　Ｉ　−Ａ　ｇ　２’Ｗ
Ｏ４で表わされる銀イオン導電性固体電解質を重量比で
１＝１の割合で混合し、電気量記憶素子の対極に用いら
れる電極材料を得た。この電極材料を１００ｍｇ秤量し
、４ｔＯｎ／ｃｒＩで１０ｍｍφ　に加圧成形し対極の
電極ベレットを得た。

以上のようにして得られた対極の電極ベレットを用いた
以外は、実施例１と同様の方法で電気量記憶素子りを得
だ。

得られた電気量記憶素子りについては、Ｑｌ−１，９９
Ｘ１０−５．Ｑ２＝１．４７Ｘ１０−”となっており、
本発明によるＱ１≧０２の条件を満たす。

このようにして得た電気量記憶素子りの記憶電圧の温度
変化を実施例１と同様に測定した。その結果、電気量記
憶素子りは、充電電圧が１６０ｍＶとなっても電圧の温
度変化率は実施例１と同程度の一定値をとっており、ま
た電圧は温度に対して直線的に変化していた。このこと
から、本発明によると記憶電圧の温度変化が小さくまた
記憶電圧の温度変化率の一定である動作電圧範囲の広い
電気量記憶素子が得られることが分かる。

この素子も素子Ａと同様の装置構成により正確に電気量
が測定できた。

実施例４ ｖ２ｏ５と金属銀をモル比で１：０．ｓ６となるように
秤量し、実施例１と同様の方法で ＡｑＶＯで表わされる複合酸化物を得九０．８５　２　
５ 以上のようにして得た銀とバナジウムよりなる複合酸化
物と実施例１で得た４ＡｇＩ・Ａｑ２ＷＯ４で表わされ
る銀イオン導電性固体電解質を重量比で１＝１の割合で
混合し、電気量記憶素子に用いられる電極材料を得た。

この電極材料を１０ｍｇ秤損し、４ｔｏｎ／、７で１０
ｍｍφに加圧成形し対極の電極ベレットを得た。

捷だ、実施例１で得たＡｑ０．７ｖ２０５で表わされる
複合酸化物と４ＡｇＩ・Ａｑ２ＷＯ４で表わされる銀イ
オン導電性固体電解質を重量比で１：１の比で混合し、
１００ｍｇを４ｔｏｎ／ｃｒＩで１０ｍｍφに加圧成形
し動作極の電極ベレットを得た。

以］−のようにし、で得られた動作極と対極の電極ベレ
ットとを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電気ｆ
１記憶累イＥを得た。

（４）られた電気量記憶素子Ｅについては、Ｑｌｌ、９
９Ｘ１０　　、Ｑ２＝１．６７Ｘ１０　　　となってお
り、本発明によるＱ１≧０２の条件を満たす。

このようにして得た電気量記憶素子Ｅの記憶電圧の温度
変化を実施例１と同様に測定した。その結果、電気量記
憶素子Ｅは、充電電圧が１６０ｍＶとなっても電圧の温
度変化率は実施例１と同程度の一定値をとっておド、ま
た電圧は温度に対して直線的に変化していた。このこと
から、本発明によると記憶電圧の温度変化が小さくまだ
記憶電圧の温度変化率の一定である動作電圧範囲の広い
電気量記憶素子が得られることが分かる。

この素子も素子Ａと同様の装置構成により正確に電電量
が測定できた。

なお本発明における実施例では、銀イオン導電性固体電
解質として、ＷＯ３またはＰ２Ｏ６とＡｇＩ。

Ａｇ２Ｏより々る銀イオン導電性固体電解質を用いたが
、ＷＯ３またはＰ２Ｏ５に代えて、Ｍ　ｏ　Ｏ３゜Ｓ　
ｉ０２　、　Ｃｒ○３．Ｐ２Ｏ６，Ｂ２Ｏ３より選ばれ
る化合物またはそれらの複合体を用いた場合にも同様の
結果が得られることはいうまでもない。

発明の効果 以上のように本発明によると、従来より通電電気量の検
出、記憶する範囲が広く、記憶電圧の温度変化の小さな
、１だその温度変化率が一定で簡単な温度補償回路によ
り温度校正の可能な電気量記憶装置を得ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電気量記憶装置に用いる電気量記憶素
子の一実施例の断面図、第２図は本発明による電気量記
憶装置の電気回路図、第３図および第７図は電気量記憶
素子の記憶電圧の温度による変化を示した特性図、第６
図および第８図は同じく電気量記憶素子の記憶電圧の温
度に対する変化率と充電電圧との関係を示した特性図、
第４図および第６図は比較例の特性図である。 １・・・・・・銀イオン導電性固体電解質層、２・・・
・・・動作極、３・・・・・・対極、７・・・・・・電
気量記憶素子、８・・・・・電圧制御手段。 代理人の氏名　弁理士　粟駄ト　重　孝　ほか１名実　
１　図 数ケ」を４引ｔ４ｒ−暉０ ンー１Ｘ↑憑 ３−丈Ｔｉ 第　３　図 Ｊミ Ｌ 主 叉 第 図 第 図 〜 （ｌこ） 潅 ス （Ｃ） 第 図 第 図 支（（巳（館ｌ 第 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）銀イオン導電性固体電解質層を介して動作極と対
   極の電極を有し、前記動作極がＡｇ＿ｘＶ＿２Ｏ＿５＿
   −＿ｙ（０．３５＜ｘ、ｙは酸素欠損）で表わされる複
   合酸化物をＭモル含み、前記対極がＡｇ＿ｖＶ＿２Ｏ＿
   ５＿−＿ｗ（０．３６＜ｖ、ｗは酸素欠損）で表わされ
   る複合酸化物をＮモル含み、ｘ≦０．７の時Ｑ＿１＝Ｍ
   （０．２２ｘ−０．０５４）、ｘ≧０．７の時Ｑ＿１＝
   Ｍ（０．７４ｘ−０．４、とし、ｖ≦０．７の時Ｑ＿２
   ＝Ｎ（０．４３ｖ−０．１２６）、ｖ≧０．７の時Ｑ＿
   ２＝Ｎ（−０．６２ｖ＋０．６１３）とした時、Ｑ＿１
   ≧Ｑ＿２を満たす電気量記憶素子と、その電気量記憶素
   子と直列または並列に接続した電圧制御手段とを設け、
   前記電気量記憶素子に１６０ｍＶ以下の直流電圧を印加
   する電気量記憶装置。
2. （２）銀イオン導電性固体電解質層を介して動作極と対
   極の一対の電極を有し、前記動作極が Ａｇ＿ｘＶ＿２Ｏ＿５＿−＿ｙ（０．３５＜ｘ、ｙは酸
   素欠損）で表わされる複合酸化物を含み、前記対極が金
   属銀を含む電気量記憶素子と、その電気量記憶素子と直
   列または並列に接続した電圧制御手段とを設け、前記電
   気量記憶素子に１６０ｍＶ以下の直流電圧を印加する電
   気量記憶装置。
3. （３）銀イオン導電性固体電解質が、 ａＡｇＸ−ｂＡｇ＿２Ｏ−ｃＭ＿ｍ＿１Ｏ＿ｎ＿１（Ｘ
   はＩ、Ｂｒ３Ｃｌより選ばれる一種以上の元素、ＭはＷ
   、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｐ、Ｂより選ばれる一種以上
   の元素）またはｐＡｇＸ−ｑＡｇＭ＿ｍ＿２Ｏ＿ｎ＿２
   （ＸはＩ、Ｂｒ、Ｃｌより選ばれる一種以上の元素、Ｍ
   はＷ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｐ、Ｂより選ばれる一種
   以上の元素）で表わされる銀イオン導電性固体電解質で
   ある請求項１または２記載の電気量記憶装置。