JPH0432560A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPH0432560A JPH0432560A JP13707590A JP13707590A JPH0432560A JP H0432560 A JPH0432560 A JP H0432560A JP 13707590 A JP13707590 A JP 13707590A JP 13707590 A JP13707590 A JP 13707590A JP H0432560 A JPH0432560 A JP H0432560A
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- substrate
- ozone
- vacuum evaporation
- oxygen
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- Pending
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 235000014593 oils and fats Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はガラス、セラミック、プラスチック等の基板上
に金属膜あるいは誘電体多層膜をコーテングする真空蒸
着装置の改良に関する。
に金属膜あるいは誘電体多層膜をコーテングする真空蒸
着装置の改良に関する。
従来、ガラス、セラミック、プラスチック等の基板上に
金属膜あるいは誘電体多層膜をコーテングすることが行
われている。
金属膜あるいは誘電体多層膜をコーテングすることが行
われている。
同ガラス、セラミック、プラスチック等の基板上に金属
膜あるいは誘電体多層膜をコーテングするには、その前
処理として基板に対する膜の付着力を増大するために、
基板をプラズマ洗浄するか、あるいはイオンボンバード
等により処理することが行われている。
膜あるいは誘電体多層膜をコーテングするには、その前
処理として基板に対する膜の付着力を増大するために、
基板をプラズマ洗浄するか、あるいはイオンボンバード
等により処理することが行われている。
この前処理を行うと、基板の表面に付着している油脂等
の有機汚染物を分解除去できるだけでなく、基板の表面
はエツチングされ基板に対する金属膜あるいは誘電体多
層膜の付着力を強くすることができる。
の有機汚染物を分解除去できるだけでなく、基板の表面
はエツチングされ基板に対する金属膜あるいは誘電体多
層膜の付着力を強くすることができる。
ところで、従来の真空蒸着装置は、真空ポンプに接続し
てなる真空蒸着装置本体の上方内部に基板支持部を設け
、同真空蒸着装置本体の内部を所定の圧力まで排気し、
かかる後、ガスの導入を行い、プラズマ洗浄あるいはイ
オンボンバード処理し、次に薬品を蒸発源より蒸発し、
ガラス、セラミック、プラスチック等の基板上に金属膜
あるいは誘電体多層膜をコーテングすることが行われて
いる。
てなる真空蒸着装置本体の上方内部に基板支持部を設け
、同真空蒸着装置本体の内部を所定の圧力まで排気し、
かかる後、ガスの導入を行い、プラズマ洗浄あるいはイ
オンボンバード処理し、次に薬品を蒸発源より蒸発し、
ガラス、セラミック、プラスチック等の基板上に金属膜
あるいは誘電体多層膜をコーテングすることが行われて
いる。
しかし、上記した真空蒸着装置によると、真空蒸着装置
本体の内部を通常は約１０分程度かけてグロー放電が行
われる程度の圧力まで排気し、かかる後例えばアルゴン
ガスを封入して、約５分程度でプラズマ洗浄かイオンボ
ンバード処理し、次に電子銃で、薬品を噴射しコーテン
グするので、コーテング作業に長時間を要し能率が悪い
。
本体の内部を通常は約１０分程度かけてグロー放電が行
われる程度の圧力まで排気し、かかる後例えばアルゴン
ガスを封入して、約５分程度でプラズマ洗浄かイオンボ
ンバード処理し、次に電子銃で、薬品を噴射しコーテン
グするので、コーテング作業に長時間を要し能率が悪い
。
またガラス、セラミック、プラスチック等の基板の汚れ
がひどい場合は、真空蒸着装置とは別に設けたオゾン処
理槽で、基板の有機物を分解除去するため、真空蒸着装
置とは別にオゾン処理装置が必要となる。さらに折角オ
ゾン処理した基板を再度真空蒸着装置に収納し前記処理
するため、真空排気時に排気系の油回転ポンプから出る
微量の油脂分が再度付着してしまう欠点がある。
がひどい場合は、真空蒸着装置とは別に設けたオゾン処
理槽で、基板の有機物を分解除去するため、真空蒸着装
置とは別にオゾン処理装置が必要となる。さらに折角オ
ゾン処理した基板を再度真空蒸着装置に収納し前記処理
するため、真空排気時に排気系の油回転ポンプから出る
微量の油脂分が再度付着してしまう欠点がある。
本発明は上記の諸点に鑑み発明したものであって、コー
テング作業が短縮して作業能率が向上し、また装置は簡
単となり、さらに基板に油脂分が再度付着することのな
い真空蒸着装置を提供することを目的とする。
テング作業が短縮して作業能率が向上し、また装置は簡
単となり、さらに基板に油脂分が再度付着することのな
い真空蒸着装置を提供することを目的とする。
本発明は上記の課題を解決するために次の構成とする。
つまり、真空蒸着装置を、真空ポンプに接続してなる真
空蒸着装置本体と、真空蒸着装置本体の上方内部に収納
してなる基板と、薬品を蒸発する蒸発源と、酸素供給体
と、オゾン発生光源とを有して構成し、装置内部を排気
しつつオゾンで基板を処理し、排気と基板の洗浄を一緒
に行うように構成する。
空蒸着装置本体と、真空蒸着装置本体の上方内部に収納
してなる基板と、薬品を蒸発する蒸発源と、酸素供給体
と、オゾン発生光源とを有して構成し、装置内部を排気
しつつオゾンで基板を処理し、排気と基板の洗浄を一緒
に行うように構成する。
上記した構造の真空蒸着装置によると、真空蒸着装置本
体の内部において、装置内部を排気しつつオゾンで基板
を処理し、基板の洗浄と排気を一緒に行うので、作業時
間が短縮して作業能率が向上する。
体の内部において、装置内部を排気しつつオゾンで基板
を処理し、基板の洗浄と排気を一緒に行うので、作業時
間が短縮して作業能率が向上する。
また真空蒸着装置と別々にオゾン処理装置を設ける必要
がなく、さらに装置内部を排気しつつ同一装置でオゾン
で基板を処理するので、−塵処理したものに再度油脂骨
が再度付着する不合理はなし１６ 〔実施例〕 以下本発明を第１図及び第２図について説明する。図に
おいて、１は真空蒸着装置本体であって、真空ポンプ（
図示せず）に接続しである。２は真空蒸着装置本体１の
上方内部に収納してなる基板支持体であって、例えば回
転自在に構成しである。
がなく、さらに装置内部を排気しつつ同一装置でオゾン
で基板を処理するので、−塵処理したものに再度油脂骨
が再度付着する不合理はなし１６ 〔実施例〕 以下本発明を第１図及び第２図について説明する。図に
おいて、１は真空蒸着装置本体であって、真空ポンプ（
図示せず）に接続しである。２は真空蒸着装置本体１の
上方内部に収納してなる基板支持体であって、例えば回
転自在に構成しである。
また同基板支持体２に、ガラスやセラミックやプラスチ
ック等で構成してなる多数の基板を支持する。３は真空
蒸着装置本体１の内底部に設けてなるオゾン発生光源で
あって、例えば低圧水銀灯を用いる。
ック等で構成してなる多数の基板を支持する。３は真空
蒸着装置本体１の内底部に設けてなるオゾン発生光源で
あって、例えば低圧水銀灯を用いる。
また同オゾン発生光源は第２図に示すように、真空蒸着
装置本体１から突出して構成してもよい。
装置本体１から突出して構成してもよい。
４は薬品を蒸発する蒸発源であって、例えば電子銃、薬
品としては例えば二酸化珪素（ＳｉＣ２）あるいはフッ
化マグネシウム（ＭｇＦ２）を使用する。
品としては例えば二酸化珪素（ＳｉＣ２）あるいはフッ
化マグネシウム（ＭｇＦ２）を使用する。
５は酸素供給部であって、酸素供給体（図示せず）に接
続し、酸素からオゾンを発生させる。
続し、酸素からオゾンを発生させる。
同真空蒸着装置によると、次の順序で作業をおこなう。
■装置内部をグロー放電が行われる圧力まで排気しつつ
オゾン発生光源を点灯する。
オゾン発生光源を点灯する。
■装置内部が排気された後、グロー放電が開始される１
０−２乃至１０−３程度の圧力になるように、酸素供給
体より酸素を供給する。
０−２乃至１０−３程度の圧力になるように、酸素供給
体より酸素を供給する。
ここで、オゾン発生光源から１８４．９ｎｍと２５３．
７ｎｍの紫外線が生成され、１８４．９ｎｍはオゾン発
生、２５３゜７ｎｍはそのオゾンの分解を促し、且つ活
性酸素を発生させ、そのオゾンから分離した活性酸素の
酸化作用で有機物を揮発性物質（例えばＨ２Ｏ、ＣＯ２
、Ｃ○、ＮＯ２等）に分解変化させて除去する。
７ｎｍの紫外線が生成され、１８４．９ｎｍはオゾン発
生、２５３゜７ｎｍはそのオゾンの分解を促し、且つ活
性酸素を発生させ、そのオゾンから分離した活性酸素の
酸化作用で有機物を揮発性物質（例えばＨ２Ｏ、ＣＯ２
、Ｃ○、ＮＯ２等）に分解変化させて除去する。
■さらに装置内部の圧力が蒸発可能な１例えば１０−４
程度になり、基板の有機物が分解除去されたときに、電
子銃より薬品を蒸発し、基板に蒸着させる。この膜は必
要に応じて、例えば数十層構成する。
程度になり、基板の有機物が分解除去されたときに、電
子銃より薬品を蒸発し、基板に蒸着させる。この膜は必
要に応じて、例えば数十層構成する。
本発明は上記したように、真空ポンプに接続してなる真
空蒸着装置本体と、真空蒸着装置本体の上方内部に収納
してなる基板と、薬品を蒸発する蒸発源と、酸素供給体
と、オゾン発生光源とを有して構成し、真空装置内部を
排気しつつオゾンで基板を処理し、排気と基板の洗浄を
一緒に行うように構成しであるので、作業を短時間で能
率よく行うことができる。
空蒸着装置本体と、真空蒸着装置本体の上方内部に収納
してなる基板と、薬品を蒸発する蒸発源と、酸素供給体
と、オゾン発生光源とを有して構成し、真空装置内部を
排気しつつオゾンで基板を処理し、排気と基板の洗浄を
一緒に行うように構成しであるので、作業を短時間で能
率よく行うことができる。
また真空蒸着装置と別々にオゾン処理装置を設ける必要
がなく装置は簡単となり、しかも装置内部を排気しつつ
オゾンで基板を処理するので、従来の装置のように一度
処理したものに再度油脂分が付着することがない特有な
効果を有する。
がなく装置は簡単となり、しかも装置内部を排気しつつ
オゾンで基板を処理するので、従来の装置のように一度
処理したものに再度油脂分が付着することがない特有な
効果を有する。
第１図は本発明に係る真空蒸着装置の側面図、第２図は
他の実施例を示す真空蒸着装置の側面図である。 １・・・ ２・・・ ３・・・ ４・・・ ５・・・ 真空蒸着装置本体 基板支持体 オゾン発生光源 蒸発源 酸素供給部
他の実施例を示す真空蒸着装置の側面図である。 １・・・ ２・・・ ３・・・ ４・・・ ５・・・ 真空蒸着装置本体 基板支持体 オゾン発生光源 蒸発源 酸素供給部
Claims (1)
- １．真空ポンプに接続してなる真空蒸着装置本体と、 真空蒸着装置本体の上方内部に収納してなる基板と、 薬品の蒸発源と、 酸素を真空装置本体内へ供給する酸素供給体と、オゾン
発生光源とを有し、 装置内部を排気しつつオゾンで基板を処理し、排気と基
板の洗浄を一緒に行い得るように構成したことを特徴と
する真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13707590A JPH0432560A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13707590A JPH0432560A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432560A true JPH0432560A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15190320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13707590A Pending JPH0432560A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432560A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106352A (en) * | 1998-03-18 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for fabrication of organic electroluminescent device |
| JP2012026000A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Utec:Kk | 被成膜基材の前処理方法、被成膜基材への薄膜の成膜方法、プラズマｃｖｄ装置、蒸着装置、スパッタ装置及びプラスチック基材 |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP13707590A patent/JPH0432560A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106352A (en) * | 1998-03-18 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for fabrication of organic electroluminescent device |
| JP2012026000A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Utec:Kk | 被成膜基材の前処理方法、被成膜基材への薄膜の成膜方法、プラズマｃｖｄ装置、蒸着装置、スパッタ装置及びプラスチック基材 |
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