JPH04320849A - 記録ヘッド用基体および記録ヘッドの製造方法 - Google Patents

記録ヘッド用基体および記録ヘッドの製造方法

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JPH04320849A
JPH04320849A JP11522891A JP11522891A JPH04320849A JP H04320849 A JPH04320849 A JP H04320849A JP 11522891 A JP11522891 A JP 11522891A JP 11522891 A JP11522891 A JP 11522891A JP H04320849 A JPH04320849 A JP H04320849A
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秋野 豊
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繁幸 松本
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    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2202/00Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
    • B41J2202/01Embodiments of or processes related to ink-jet heads
    • B41J2202/13Heads having an integrated circuit

Landscapes

  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、記録ヘッド用基体の製
造方法および記録ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【背景技術の説明】近年、インクジェット記録装置は、
複写機,ファクシミリ,ワードプロセッサおよびホスト
コンピュータの出力用プリンタやビデオ出力プリンタな
どに使用され始めている。
【0003】図17は、インクジェット記録装置に用い
られるインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略構成
図である。
【0004】インクジェット記録ヘッド800 は、シ
リコンなどからなる基板801 と、電気熱変換素子ア
レイを構成する複数の電気熱変換素子802 と、電気
熱変換素子802 と電気熱変換素子802 の駆動用
機能素子(不図示)とをそれぞれ接続する配線電極80
3 と、電気熱変換素子802 を隔絶する複数のノズ
ル壁803 と、ノズル壁803 を介して基板801
 と互いに対向するよう設けられた天板804 とを有
し、前記駆動用機能素子で配線電極803 を介して電
気熱変換素子802 に通電し電気熱変換素子802 
上のインクを加熱することにより発生する発泡のエネル
ギーを利用して、インク液滴を吐出口808 から吐出
させるものである。なお、前記インクは供給管805お
よびコネクタ806 を介して不図示のインクタンクか
ら共通液室807 に供給され、毛管現象によりノズル
(基板801 とノズル壁803 と天板804 とで
囲まれた各空間)に供給される。
【0005】しかし、このインクジェット記録ヘッド8
00 では、前記駆動用機能素子は基板801 の外部
に配置され、電気熱変換素子802 と前記駆動用機能
素子との接続は、配線電極803 と前記駆動用機能素
子とをフレキシブルケーブルやワイヤードボンディング
などによって接続することにより行われているため、イ
ンクジェット記録ヘッドの構造の簡易化,製造工程で生
ずる不良の低減化,各素子の特性の均一化および再現性
の向上について若干問題がある。そこで、本出願人は、
この問題を解決するため、電気熱変換素子と駆動用機能
素子とを同一基板上に設けたインクジェット記録ヘッド
を特開昭57ー72867号公報において提案した。
【0006】図18は、特開昭57ー72867号公報
において提案した構成によるインクジェット記録ヘッド
用基体の一部分の縦構造を示す模式図である。
【0007】このインクジェット記録ヘッド用基体90
0 は、電気熱変換素子である発熱部920 と駆動用
機能素子であるバイポーラトランジスタ930 とをP
型シリコン基板901 上に形成したものである。
【0008】ここで、バイポーラトランジスタ930 
は、N型コレクタ埋込領域902 およびN型コレクタ
埋込領域902 を介してP型シリコン基板901 上
に形成された2つの高濃度N型コレクタ領域911 と
、N型コレクタ埋込領域902 およびP型ベース領域
905 を介して高濃度N型コレクタ領域911 の内
側に形成された2つの高濃度P型ベース領域908 と
、N型コレクタ埋込領域902 およびP型ベース領域
905 を介して高濃度P型ベース領域908 に挟ま
れて形成された高濃度N型エミッタ領域910とにより
NPNトランジスタの構造を有するが、高濃度N型コレ
クタ領域911 と高濃度P型ベース領域908 とが
コレクタ・ベース共通電極912 により接続されるこ
とによりダイオードとして動作する。また、バイポーラ
トランジスタ930 に隣接して、素子分離領域として
のP型アイソレーション埋込領域903 ,P型アイソ
レーション領域906 および高濃度P型アイソレーシ
ョン領域909 が順次形成されている。また、発熱抵
抗層923 が、N型エピタキシャル領域904 ,蓄
熱層921 および層間膜922 を介してP型シリコ
ン基板901 上に形成されており、発熱抵抗層923
 上に形成された配線電極924 が切断されることに
より、発熱部920 が構成されている。なお、インク
ジェット記録ヘッド用基体900 の上面は第1の保護
膜925 で覆われており、また、バイポーラトランジ
スタ930 の高濃度N型エミッタ領域910 から発
熱部920 側の第1の保護膜925 は、第2の保護
膜926 で覆われている。このような構造を有するイ
ンクジェット記録ヘッド用基体900 は、公知のフォ
トリソグラフィによる半導体製造プロセスで製造するこ
とができる。
【0009】図19(A)〜(E)はそれぞれ、フォト
リソグラフィにより発熱部920 における配線電極の
材料層824 のエッチングを行うときの過程を示す模
式図である。発熱抵抗層923 上全面に配線電極の材
料層824 (たとえば、アルミニウム)を堆積し、配
線電極の材料層824 上全面にマスク用フォトレジス
ト1000を塗布し、マスクを用いてマスク用フォトレ
ジスト1000を露光したのち、マスク用フォトレジス
ト1000を現像することにより、配線電極の材料層8
24 をエッチングする部分のマスク用フォトレジスト
1000を除去する(同図(A))。その後、配線電極
用エッチング液で配線電極の材料層824 をエッチン
グすることにより、マスク用フォトレジスト1000が
除去された部分の配線電極の材料層824 が徐々にエ
ッチングされて、配線電極の材料層824 が切断され
て、配線電極924 が形成される(同図(B)〜(D
))。配線電極924 が形成されたのち、残っている
マスク用フォトレジスト1000が除去される(同図(
E))。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たインクジェット記録ヘッド用基体900 は、発熱部
920において形成された配線電極924 のエッジ部
9241が、図19(E)に示すようにほとんど垂直に
近い形状を有するため、以下に示すような問題が生じる
【0011】(1)発熱部920 に熱エネルギーを発
生させるため、高濃度N型エミッタ領域910 から配
線電極924 に電流を流すと、発熱部920 におけ
る配線電極924 から発熱抵抗層923 への電流の
流れは、図20に矢印で示すように、エッジ部9241
の下方に集中する。すなわち、一実験結果によると、エ
ッジ部9241の下方における電流密度は8.2×10
7 A/cm2 に達し、配線電極924 内の電流密
度1.7×106 A/cm2 および発熱部920 
における発熱抵抗層923 の中央部における電流密度
1.03×107 A/cm2 に比較して異常に大き
な値となる。その結果、エッジ部9241の下方におけ
る電流密度の集中が発熱抵抗層923 の一部切断を招
きインクジェット記録ヘッドの寿命を決定することが判
明した。
【0012】(2)発熱部920 におけるステップカ
バレージをよくするには、第1の保護膜925 の厚さ
をたとえば1.0μm程度とする必要があるため、第1
の保護膜925が発熱部920 で発生した熱エネルギ
ーがインクへ伝わる際の熱抵抗として介在し、発熱抵抗
層923 の駆動電力を大きくしなければならず、かつ
熱伝導遅延による周波数特性の劣化を招いており、イン
クジェット記録ヘッドの低消費電力化および高性能化を
妨げる一因となっていた。
【0013】本発明の目的は、耐久性に優れかつ低消費
電力化および高性能化が図れる記録ヘッド用基体および
記録ヘッドの製造方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の記録ヘッド用基
体の製造方法は、フォトリソグラフィにより、複数の電
気熱変換素子と、該各電気熱変換素子をそれぞれ駆動す
る複数の駆動用機能素子と、該各駆動用機能素子と前記
各電気熱変換素子とをそれぞれ接続する複数の配線電極
とを基板に形成する記録ヘッド用基体の製造方法におい
て、テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイ
ドを主成分とする、液温が30〜55℃のアルカリ性溶
液を用いて、前記配線電極の材料層のマスク用フォトレ
ジストをエッチング後退させながら前記配線電極の材料
層をエッチングして前記配線電極を形成する。
【0015】ここで、テトラ・メチル・アンモニウム・
ハイドロオキサイドを主成分とする、液温が30〜55
℃のアルカリ性溶液を用いて、マスク用フォトレジスト
の現像を行ってもよいし、配線電極の材料層がアルミニ
ウム層であってもよい。
【0016】本発明の記録ヘッドの製造方法は、フォト
リソグラフィにより、複数の電気熱変換素子、該各電気
熱変換素子をそれぞれ駆動する複数の駆動用機能素子、
および該各駆動用機能素子と前記各電気熱変換素子とを
それぞれ接続する複数の配線電極を基板に形成して記録
ヘッド用基体を作成する基体作成工程と、インクを吐出
するための複数の吐出口を有するインク吐出部を前記記
録ヘッド用基体上に作成するインク吐出部作成工程とを
含む記録ヘッドの製造方法において、前記基体作成工程
が、テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイ
ドを主成分とする、液温が30〜55℃のアルカリ性溶
液を用いて、前記配線電極の材料層のマスク用フォトレ
ジストをエッチング後退させながら前記配線電極の材料
層をエッチングして前記配線電極を形成する配線電極エ
ッチング工程を含む。ここで、基体作成工程が、テトラ
・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイドを主成分
とする、液温が30〜55℃のアルカリ性溶液を用いて
、マスク用フォトレジストの現像を行う現像工程を含ん
でもよいし、配線電極の材料層がアルミニウム層であっ
てもよい。
【0017】
【作用】本発明の記録ヘッド用基体の製造方法は、テト
ラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイドを主成
分とする、液温が30〜55℃のアルカリ性溶液を用い
て、配線電極の材料層のマスク用フォトレジストをエッ
チング後退させながら配線電極の材料層をエッチングす
ることにより、マスク用フォトレジストが後退する領域
における配線電極の材料層のエッチング量をほぼ直線的
に変化させることができるため、形成された配線電極の
エッジ部の形状を直線状のテーパーとすることができる
【0018】また、本発明の記録ヘッドの製造方法は、
基体作成工程が、テトラ・メチル・アンモニウム・ハイ
ドロオキサイドを主成分とする、液温が30〜55℃の
アルカリ性溶液を用いて、配線電極の材料層のマスク用
フォトレジストをエッチング後退させながら配線電極の
材料層をエッチングして配線電極を形成する配線電極エ
ッチング工程を含むことにより、耐久性に優れた記録ヘ
ッドを製造することができる。
【0019】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明について詳
細に説明するが、本発明は以下に示す実施例に限定され
ることはなく、本発明の目的が達成され得るものであれ
ばよい。
【0020】図1(A)〜(E)はそれぞれ、本発明の
記録ヘッド用基体の製造方法の第1の実施例を説明する
ための配線電極の材料層34がエッチングされる過程を
示す模式図である。
【0021】発熱抵抗層23上全面にアルミニウムから
なる配線電極の材料層34を堆積し、配線電極の材料層
34上全面にマスク用フォトレジスト100 (ポジ型
)を厚さ1.2μmだけ塗布し、マスクを用いてマスク
用フォトレジスト100 を露光したのち、マスク用フ
ォトレジスト100 を現像することにより、配線電極
の材料層34をエッチングする部分のマスク用フォトレ
ジスト100 を除去する(同図(A))。その後、配
線電極の材料層34とマスク用フォトレジスト100 
との密着性向上およびマスク用フォトレジスト100 
中の溶媒などを除却するため、ベークを125℃で22
5秒行ったのち、配線電極の材料層34のエッチング動
作を開始する。ここで、アルミニウムからなる配線電極
の材料層34のエッチングに用いる配線電極(アルミニ
ウム)用エッチング液としては、リン酸(H3PO4)
,硝酸(HNO3)および酢酸(CH3COOH)の混
合液が一般的に知られているが、この混合液ではマスク
用フォトレジスト100 をエッチングすることができ
ない。そこで、アルミニウムは両性金属でありアルカリ
可溶であること、また、アルカリ可溶性フェノール樹脂
とナフトキノンジアジドとの混合物で代表されるポジ型
のマスク用フォトレジスト100 も基本的には強いア
ルカリ水溶液に溶けることから、本実施例では、テトラ
・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド(以下、
「TMAH」と称する。)を主成分とする、液温が34
℃のアルカリ性溶液を使用して配線電極の材料層34の
エッチングを行う。前記アルカリ性溶液を用いて配線電
極の材料層34のエッチングを開始した時点では、配線
電極の材料層34のみが主にエッチングされる(同図(
B))が、時間が経過するにつれてマスク用フォトレジ
スト100 もエッチングされるため、マスク用フォト
レジスト100がエッチング後退されながら配線電極の
材料層34がエッチングされる(同図(C))。したが
って、マスク用フォトレジスト100 が後退した領域
における配線電極の材料層34のエッチング量はほぼ直
線的に変化するため、配線電極の材料層34のエッチン
グ動作が終了して配線電極24が形成されたときには、
同図(D)に示すように、配線電極24のエッジ部24
1 の形状は直線状のテーパーとなる。以上のようにし
て配線電極24の形成が終了すると、残っているマスク
用フォトレジスト100 を除去する(同図(E))。 なお、液温が34℃でTMAH濃度が2.38%の前記
アルカリ性溶液を用いて10分間配線電極の材料層34
のエッチングを行った一実験結果では、マスク用フォト
レジスト100のエッチング後退量(パターン寸法シフ
ト量)は約1.3μmであり、図2(A)に示す配線電
極24のエッジ部241 のテーパーの角度(配線電極
24の表面の法線に対する角度)θは約60度であった
【0022】また、図1に示すようにして配線電極の材
料層34をエッチングすると、形成された配線電極24
の両側面(紙面の手前および後方側の面)242 の形
状も、図2(B)に示すように、直線状のテーパーとな
る。
【0023】図3は、図1に示した製造方法により製造
したインクジェット記録ヘッド用基体40の一部分の縦
構造を示す模式図である。
【0024】このインクジェット記録ヘッド用基体40
が図18に示したインクジェット記録ヘッド用基体90
0 と異なる点は、配線電極24のエッジ部241 お
よび両側面242 の形状が直線状のテーパーとなって
いることと、コレクタ・ベース共通電極12,エミッタ
電極13およびアイソレーション電極14のエッジ部,
両側面の形状も、図4(A),(B)にそれぞれ示すよ
うに、直線状のテーパーとなっていることである。
【0025】したがって、このインクジェット記録ヘッ
ド用基体40では、発熱部20における電流の流れは、
図5に示すように、配線電極24のエッジ部241 の
下方に集中することがない。たとえば、一実験結果によ
ると、配線電極24のエッジ部241 の下方における
電流密度をエッジ部241 の形状がほぼ垂直なときの
8.2×107 A/cm2 から2.6×107 A
/cm2 にまで低減することができる。その結果、発
熱抵抗層23の一部切断を防止することができるため、
たとえばインクジェット記録ヘッド用基体40を用いて
インクジェット記録ヘッドを構成した一実験結果による
と、インクジェット記録ヘッドの耐久性を7×107 
パルスから1×109 パルスにまで大幅に延ばすこと
ができた。
【0026】また、第1の保護膜25(図3参照)にお
けるステップカバレージ性も極めて良好にすることがで
きるため、第1の保護膜25の厚さをエッジ部241 
の形状がほぼ垂直なときよりも薄く(たとえば、1.0
μmから0.6μm)することができた。その結果、発
熱部20で発生した熱エネルギーを効率的にかつ高速に
インクに伝達することができるとともに、第1の保護膜
25を形成する装置のスループットを約2倍にすること
ができた。
【0027】次に、図3に示したインクジェット記録ヘ
ッド用基体40の製造工程について説明する。
【0028】図6に示すように、P型シリコン基板1(
不純物濃度1×1012〜1×1016cmー3程度)
の表面に、8000Å程度のシリコン酸化膜を形成した
のち、各セル(各バイポーラトランジスタ30)のN型
コレクタ埋込領域2を形成する部分のシリコン酸化膜を
フォトリソグラフィーにより除去した。シリコン酸化膜
を形成したのち、N型不純物(たとえば、P,Asなど
)をイオン注入し、熱拡散により不純物濃度1×101
8cmー3以上のN型コレクタ埋込領域2を厚さ2〜6
μmほど形成し、シート抵抗が30Ω/□以下の低抵抗
となるようにした。続いて、P型アイソレーション埋込
領域3を形成する領域のシリコン酸化膜を除去し、10
00Å程度のシリコン酸化膜を形成したのち、P型不純
物(たとえば、Bなど)をイオン注入し、熱拡散により
不純物濃度1×1015〜1×1017cmー3以上の
P型アイソレーション埋込領域3を形成した。
【0029】図7に示すように、全面のシリコン酸化膜
を除去したのち、N型エピタキシャル領域4(不純物濃
度1×1013〜1×1015cmー3程度)を厚さ5
〜20μmほどエピタキシャル成長させた。
【0030】図8に示すように、N型エピタキシャル領
域4の表面に1000Å程度のシリコン酸化膜を形成し
、レジストを塗布し、パターニングを行い、低濃度のP
型ベース領域5を形成する部分にのみP型不純物をイオ
ン注入した。レジスト除去後、熱拡散によって低濃度の
P型ベース領域5(不純物濃度5×1014〜5×10
17cmー3程度)を厚さ5〜10μmほど形成した。 その後、再びシリコン酸化膜を全面除去し、8000Å
程度のシリコン酸化膜を形成したのち、P型アイソレー
ション領域6を形成する部分のシリコン酸化膜を除去し
、BSG膜を全面にCVD法を用いて堆積し、さらに、
熱拡散によって、P型アイソレーション埋込領域3に届
くように、P型アイソレーション領域6(不純物濃度1
×1018〜1×1020cmー3程度)を厚さ10μ
mほど形成した。このとき、BBr3 を拡散源として
用いてP型アイソレーション領域6を形成することも可
能である。
【0031】図9に示すように、BSG膜を除去し、8
000Å程度のシリコン酸化膜を形成し、さらに、N型
コレクタ領域7を形成する部分のみシリコン酸化膜を除
去したのち、N型の固相拡散およびリンイオンを注入し
あるいは熱拡散によって、N型コレクタ埋込領域2に届
きかつシート抵抗が10Ω/□以下の低抵抗となるよう
にN型コレクタ領域7(不純物濃度1×1018〜1×
1020cmー3程度)を厚さ10μmほど形成した。 続いて、12500Å程度のシリコン酸化膜を形成し、
蓄熱層21(図10参照)を形成したのち、セル領域の
シリコン酸化膜を選択的に除去し、2000Å程度のシ
リコン酸化膜を形成した。レジストパターニングを行い
、高濃度ベース領域8および高濃度アイソレーション領
域9を形成する部分にのみP型不純物の注入を行った。 レジストを除去したのち、高濃度N型エミッタ領域10
および高濃度N型コレク領域11を形成する部分のシリ
コン酸化膜を除去し、熱酸化膜を全面に形成し、N型不
純物を注入して、熱拡散によって高濃度N型エミッタ領
域10および高濃度N型コレク領域11を同時に形成し
た。 なお、高濃度N型エミッタ領域10および高濃度N型コ
レク領域11の厚さは1.0μm以下、不純物濃度は1
×1018〜1×1020cmー3程度とした。
【0032】次に、図10に示すように、一部電極の接
続箇所のシリコン酸化膜を除去したのち、Al(アルミ
ニウム)を全面堆積して、コレクタ・ベース共通電極1
2,エミッタ電極13およびアイソレーション電極14
の領域以外のAlを除去した。このとき、コレクタ・ベ
ース共通電極12,エミッタ電極13およびアイソレー
ション電極14のエッジ部,両側面の形状が垂直ではな
く、法線に対して30度〜75度の角度になるように、
図1に示したようにレジストをエッチング後退させなが
らAlをエッチングした。
【0033】続いて、図11に示すように、スパッタリ
ング法により蓄熱層としての機能も有する層間膜22と
なるSiO2 膜を全面に0.6〜1.0μmほど形成
した。SiO2 膜はCVD法によるものであってもよ
い。 また、SiO2 膜に限らずSiO膜またはSiON膜
であってもよい。その後、電気的接続をとるために、エ
ミッタ電極13およびコレクタ・ベース共通電極12の
上部にあたる層間膜22の一部をフォトリソグラフィに
より開口し、スルーホールTHを形成した。
【0034】次に、図12に示すように、エミッタ電極
13およびコレクタ・ベース共通電極12上と層間膜2
2(SiO2 膜)上とに、発熱抵抗層23としてをス
ルーホールTHを通してHfB2 を1000Åほど堆
積した。発熱抵抗層23上に、電気熱変換素子の一対の
配線電極24(ダイオードのカソード配線電極に相当)
およびダイオードのアノード配線電極15を形成するた
めの配線電極の材料層であるAl層を約5000Åほど
堆積したのち、配線電極24のエッジ部241 および
両側面の形状が垂直ではなく、法線に対して30度〜7
5度の角度になるように、図1に示したようにマスク用
フォトレジストをエッチング後退させながらAlをエッ
チングした。
【0035】その後、図13に示すように、スパッタリ
ング法またはCVD法により、電気熱変換素子の保護層
およびAl層間の絶縁層としての第1の保護膜25(S
iO2 膜)を約6000Åほど堆積したのち、耐キャ
ビテーションのための第2の保護膜26としてTaを電
気熱変換体の発熱部20上部に約2000Åほど堆積し
た。このようにして作成された電気熱変換素子,Taお
よびSiO2 膜を部分的に除去し、ボンディング用の
パッドPを形成した。なお、第1の保護膜25はSiO
2 以外にSiONまたはSiNでもよい。
【0036】次に、図3に示したインクジェット記録ヘ
ッド用基体40の駆動用機能素子であるバイポーラトラ
ンジスタ30の基本動作について、図14を用いて説明
する。
【0037】バイポーラトランジスタ30では、コレク
タ・ベース共通電極12がダイオードのアノード電極に
対応し、エミッタ電極13がダイオードのカソード電極
に対応している。すなわち、コレクタ・ベース共通電極
12に正電位のバイアスVH1を印加することにより、
セル内のNPNトランジスタがターンオンし、バイアス
電流がコレクタ電流およびベース電流としてエミッタ電
極13から流出する。また、ベースとコレクタとを短絡
した構成にした結果、電気熱変換素子の熱の立上がりお
よび立下がり特性が良好となり膜沸騰現象の生起、それ
に伴う気泡の成長収縮の制御性がよくなり安定したイン
クの吐出を行うことができる。これは、熱エネルギーを
利用するインクジェット記録ヘッドではトランジスタの
特性と膜沸騰の特性との結び付きが深く、トランジスタ
における少数キャリアの蓄積が少ないためスイッチング
特性が速く立上がり特性がよくなることが予想以上に大
きく影響しているものと考えられる。また、比較的寄生
効果が少なく、素子間のバラツキがなく、安定した駆動
電流が得られるものでもある。さらに、アイソレーショ
ン電極14を接地することにより、隣接する他のセルへ
の電荷の流入を防ぐことができ、他の素子の誤動作とい
う問題を防ぐことができる。
【0038】このような半導体装置においては、N型コ
レクタ埋込領域2の濃度を1×1018cmー3以上と
すること、ベース領域5の濃度を5×1014〜5×1
017cmー3とすること、さらには、高濃度ベース領
域8と電極との接合面の面積をなるべく小さくすること
が望ましい。このようにすれば、NPNトランジスタか
らP型シリコン基板1およびアイソレーション領域を経
てグランドにおちる漏れ電流の発生を防止することがで
きる。
【0039】図14には、2つのダイオードセルSH1
,SH2が示されているだけであるが、実際には、この
ような駆動用機能素子がたとえば128個の電気熱変換
素子に対応して同数等間隔に配置され、ブロック駆動が
可能なように電気的にマトリックス接続されている。 ここでは、説明の簡単のため、同一グループに2つのセ
グメントとしての電気熱変換素子RH1,RH2の駆動
について説明する。
【0040】電気熱変換素子RH1を駆動するためには
、まずスイッチング信号G1によりグループの選択がな
されるとともに、スイッチング信号S1により電気熱変
換素子RH1が選択される。すると、トランジスタ構成
のダイオードセルSH1は正バイアスされ、電流が供給
されて電気熱変換素子RH1は発熱する。この熱エネル
ギーが液体(インク)に状態変化を生起させて気泡を発
生させ、吐出口より液体を吐出させる。同様に、電気熱
変換素子RH2を駆動する場合にも、スイッチング信号
G1およびスイッチング信号S2により電気熱変換素子
RH2を選択して、ダイオードセルSH2を駆動して電
気熱変換素子RH2に電流を供給する。このとき、P型
シリコン基板1はアイソレーション領域を介して接地さ
れている。このように各半導体素子(セル)のアイソレ
ーション領域が接地されることにより各半導体素子間の
電気的な干渉による誤動作を防止している。
【0041】次に、本発明の記録ヘッドの製造方法の一
実施例について説明する。
【0042】図3に示したインクジェット記録ヘッド用
基体40を有する、図17に示したような構造をもつイ
ンクジェット記録ヘッドを製造するためには、配線電極
の材料層34のマスク用フォトレジスト100をエッチ
ング後退させながら配線電極の材料層34をエッチング
して配線電極24を形成する図1に示した配線電極エッ
チング工程を有する、図6から図13に示した基体作成
工程に続いて、インクを吐出するための複数の吐出口を
有するインク吐出部をインクジェット記録ヘッド用基体
40上に作成するインク吐出部作成工程(図15に示す
ように、インクジェット記録ヘッド用基体40上に、吐
出口208 を形成するための複数のノズル壁(図17
参照)および天板204 を設ける工程)や、天板20
4 にコネクタ(図17参照)を設ける工程などを追加
すればよい。
【0043】このようにして製造したインクジェット記
録ヘッドについて、電気熱変換素子をブロック駆動し、
記録,動作試験を行った。動作試験では、一つのセグメ
ントに8個の半導体ダイオードを接続し、各半導体ダイ
オードに300mA(計2.4A)の電流を流したが、
他の半導体ダイオードは誤動作せず、良好な吐出を行う
ことができた。また、上記インクジェット記録ヘッドは
熱伝達効率がよいため、駆動電力が従来の80%ですみ
、かつ高周波応答性に優れたものであった。さらに、寿
命,均一性に関しても優れた特性が得られた。
【0044】表1に、配線電極24のエッジ部241 
の直線状のテーパーの角度θを変えてインクジェット記
録ヘッドの耐久試験を行ったときの評価結果の一例を示
す。
【0045】
【表1】 この評価結果から、配線電極24のエッジ部241 の
直線状のテーパーの角度θを30度から75度の間にす
ることにより、インクジェット記録ヘッドの耐久性が向
上することがわかった。
【0046】また、表2に、TMAHを主成分とするア
ルカリ性溶液の液温と、配線電極24のエッジ部241
 のテーパーの角度θとの関係を調べた一実験結果を示
す。
【0047】
【表2】 表2に示した実験結果より、TMAHを主成分とするア
ルカリ性溶液の液温を変えることにより、配線電極24
のエッジ部241 のテーパーの角度θを所望の角度に
設定することができるとともに、TMAHを主成分とす
るアルカリ性溶液の液温を30〜55℃とすることによ
り、配線電極24のエッジ部241 のテーパーの角度
θを30度から75度の間にすることができることがわ
かった。
【0048】次に、本発明の記録ヘッド用基体の製造方
法の第2の実施例について説明する。
【0049】本実施例の記録ヘッド用基体の製造方法は
、TMAHを主成分とするアルカリ性溶液がポジ型のレ
ジストの現像液としても使用できることに着目し、マス
ク用フォトレジスト100 を現像して、配線電極の材
料層34をエッチングする部分のマスク用フォトレジス
ト100 を図1(A)に示すように除去する際に、T
MAHを主成分とする、液温が30〜55℃のアルカリ
性溶液を現像液として使用する点が、図1に示したもの
と異なる。したがって、本実施例では、マスク用フォト
レジスト100 の現像工程と配線電極エッチング工程
とを連続して行うことができるため、基体作成工程の短
縮化が進みスループットが向上が図れる。
【0050】なお、TMAHを主成分とする、液温が4
0℃のアルカリ性溶液を使用して、マスク用フォトレジ
スト100 を現像したのち、連続してマスク用フォト
レジスト100 をエッチング後退させながら配線電極
の材料層34をエッチングした一実験結果では、配線電
極24のエッジ部241 の直線状のテーパーの角度θ
を約75度にすることができた。
【0051】次に、本発明の記録ヘッド用基体の製造方
法の第3の実施例について説明する。
【0052】図1に示した実施例では、配線電極24の
両側面242(図2(B)参照)の形状も直線状のテー
パーとしたが、発熱部20における電流密度の低減のみ
を達成するためには、配線電極24の両側面242 の
形状は、図16(B),(C)にそれぞれ示すようにほ
ぼ垂直のままであってもよい。
【0053】この場合には、配線電極24を形成するた
めの配線電極の材料層34のエッチングと、配線電極2
4のエッジ部241 の形状を直線状のテーパーとする
ための配線電極24のエッジ部241 のエッチングと
を分けて行えばよい。すなわち、まず、配線電極の材料
層34全面上にレジストを塗布し、従来のウエットエッ
チング法またはCl系のガスによるRIEなどによるド
ライエッチング法を用いて配線電極の材料層34をエッ
チングすることにより、配線電極24を形成する。この
とき、配線電極24の両側面の形状は従来と同様にほぼ
垂直となる。その後、図16(A)に示すように、マス
ク用フォトレジスト50で発熱部20以外を覆ったのち
、図1に示した方法により配線電極24をエッチングし
て、同図(B),(C)に示すように、配線電極24の
エッジ部241 の形状のみを直線状のテーパーとする
ことができる。
【0054】以上の説明においては、インクジェット記
録ヘッド用基体およびインクジェット記録ヘッドについ
て説明したが、本発明により製造される記録ヘッド用基
体および記録ヘッドは、たとえば、サーマルヘッド用基
体およびサーマルヘッドにも応用できるものである。ま
た、図3に示した発熱抵抗層23を構成する材料として
は、Ta,ZrB2,Ti−W,Ni −Cr,Ta−
Al,Ta−Si,Ta−Mo,Ta−W,Ta−Cu
,Ta−Ni,Ta−Ni−Al,Ta−Mo−Al,
Ta−Mo−Ni,Ta−W−Ni,Ta−Si−Al
,Ta−W−Al−Niなどがある。
【0055】図21は、本発明の記録ヘッドの製造方法
により製造したインクジェット記録ヘッド(以下、「記
録ヘッド」と称する。)510 が搭載されたインクジ
ェット記録装置700 の一構成例を示す概略構成図で
ある。
【0056】記録ヘッド510 は、駆動モータ701
 の正逆回転に連動して駆動力伝達ギア702,703
 を介して回転するリードスクリュー704 の螺旋溝
721 に対して係合するキャリッジ720 上に搭載
されており、駆動モータ701 の動力によってキャリ
ッジ720 とともにガイド719 に沿って矢印a,
b方向に往復移動される。図示しない記録媒体給送装置
によってプラテン706 上に搬送される記録用紙P用
の紙押え板705 は、キャリッジ移動方向にわたって
記録用紙Pをプラテン706 に対して押圧する。
【0057】フォトカプラ707,708は、キャリッ
ジ720 のレバー709 のこの域での存在を確認し
て駆動モータ701 の回転方向切換などを行うための
ホームポジション検知手段である。支持部材710 は
、前述の記録ヘッド510 の全面をキャップするキャ
ップ部材711 を支持する。また、吸引手段712 
は、キャップ部材711内を吸引し、キャップ内開口7
13 を介して記録ヘッド510 の吸引回復を行う。 移動部材715 はクリーニングブレード714 を前
後方向に移動可能にするものである。移動部材715 
およびクリーニングブレード714 は本体支持板71
6 により支持されている。クリーニングブレード71
4 は、この形態でなく周知のクリーニングブレードが
本例に適用できることはいうまでもない。また、吸引回
復の吸引を開始するためのレバー717 は、キャリッ
ジ720 と係合するカム718 の移動に伴って移動
し、駆動モータ701 からの駆動力がクラッチ切換な
どの公知の伝達手段で移動制御される。記録ヘッド51
0 に設けられた発熱部に信号を付与したり、前述した
各機構の駆動制御を司ったりする印字制御部は、装置本
体側に設けられている(不図示)。
【0058】上述のような構成のインクジェット記録装
置700 は、前記記録媒体給送装置によってプラテン
706 上に搬送される記録用紙Pに対し、記録ヘッド
510 が記録用紙Pの全幅にわたって往復移動しなが
ら記録を行うものであり、記録ヘッド510は、前述し
たような方法で製造したものを用いているため、高精度
で高速な記録が可能である。
【0059】本発明は、特にインクジェット記録方式の
中でもキヤノン(株)の提唱する、熱エネルギーを利用
してインクを吐出する方式のインクジェット記録ヘッド
(以下、「記録ヘッド」と称する。)およびインクジェ
ット記録装置(以下、「記録装置」と称する。)におい
て、優れた効果をもたらすものである。
【0060】その代表的な構成や原理については、例え
ば、米国特許第4,723,129号明細書、同第4,
740,796号明細書に開示されている基本的な原理
を用いて行なうものが好ましい。この方式はいわゆるオ
ンデマンド型、コンティニュアス型のいずれにも適用可
能であるが、特に、オンデマンド型の場合には、液体(
インク)が保持されているシートや液路に対応して配置
されている電気熱変換体に、記録情報に対応していて核
沸騰を越える急速な温度上昇を与える少なくとも一つの
駆動信号を印加することによって、電気熱変換体に熱エ
ネルギーを発生せしめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰
させて、結果的にこの駆動信号に一対一対応し液体(イ
ンク)内の気泡を形成出来るので有効である。この気泡
の成長、収縮により吐出用開口を介して液体(インク)
を吐出させて、少なくとも一つの滴を形成する。この駆
動信号をパルス形状とすると、即時適切に気泡の成長収
縮が行なわれるので、特に応答性に優れた液体(インク
)の吐出が達成でき、より好ましい。このパルス形状の
駆動信号としては、米国特許第4,463,359号明
細書、同第4,345,262号明細書に記載されてい
るようなものが適している。なお、上記熱作用面の温度
上昇率に関する発明の米国特許第4,313,124号
明細書に記載されている条件を採用すると、さらに優れ
た記録を行なうことができる。
【0061】記録ヘッドの構成としては、上述の各明細
書に開示されているような吐出口、液路、電気熱変換体
の組み合わせ構成(直線状液流路または直角液流路)の
他に熱作用部が屈曲する領域に配置されている構成を開
示する米国特許第4,558,333号明細書、米国特
許第4,459,600号明細書を用いた構成も本発明
に含まれるものである。加えて、複数の電気熱変換体に
対して、共通するスリットを電気熱変換体の吐出部とす
る構成を開示する特開昭59年第123670号公報や
熱エネルギーの圧力波を吸収する開口を吐出部に対応さ
せる構成を開示する特開昭59年第138461号公報
に基づいた構成としても本発明は有効である。
【0062】さらに、記録装置が記録できる最大記録媒
体の幅に対応した長さを有するフルラインタイプの記録
ヘッドとしては、上述した明細書に開示されているよう
な複数記録ヘッドの組み合わせによって、その長さを満
たす構成や一体的に形成された一個の記録ヘッドとして
の構成のいずれでもよいが、本発明は、上述した効果を
一層有効に発揮することができる。
【0063】加えて、装置本体に装着されることで、装
置本体との電気的な接続や装置本体からのインクの供給
が可能になる交換自在のチップタイプの記録ヘッド、あ
るいは記録ヘッド自体に一体的に設けられたカートリッ
ジタイプの記録ヘッドを用いた場合にも本発明は有効で
ある。
【0064】また、本発明の記録装置の構成として設け
られる、記録ヘッドに対しての回復手段、予備的な補助
手段などを付加することは本発明の効果を一層安定化で
きるので好ましいものである。これらを具体的に挙げれ
ば、記録ヘッドに対しての、キャッピング手段、クリー
ニング手段、加圧あるいは吸引手段、電気熱変換体ある
いはこれとは別の加熱素子あるいはこれらの組み合わせ
による予備加熱手段、記録とは別の吐出を行なう予備吐
出モードを行なうことも安定した記録を行なうために有
効である。
【0065】さらに、記録装置の記録モードとしては黒
色等の主流色のみの記録モードだけではなく、記録ヘッ
ドを一体的に構成するか複数個の組み合わせによってで
もよいが、異なる色の複色カラーまたは、混色によるフ
ルカラーの少なくとも一つを備えた装置にも本発明は極
めて有効である。
【0066】以上説明した本発明実施例においては、イ
ンクを液体として説明しているが、室温やそれ以下で固
化するインクであって、室温で軟化もしくは液体あるい
は、上述のインクジェットではインク自体を30℃以上
70℃以下の範囲内で温度調整を行なってインクの粘性
を安定吐出範囲にあるように温度制御するものが一般的
であるから、使用記録信号付与時にインクが液状をなす
ものであればよい。加えて、積極的に熱エネルギーによ
る昇温をインクの固形状態から液体状態への態変化のエ
ネルギーとして使用せしめることで防止するかまたは、
インクの蒸発防止を目的として放置状態で固化するイン
クを用いるかして、いずれにしても熱エネルギーの記録
信号に応じた付与によってインクが液化してインク液状
として吐出するものや記録媒体に到達する時点ではすで
に固化し始めるものなどのような、熱エネルギーによっ
て初めて液化する性質のインク使用も本発明には適用可
能である。このような場合インクは、特開昭54−56
847号公報あるいは特開昭60−71260号公報に
記載されるような、多孔質シート凹部または貫通孔に液
状または固形物として保持された状態で、電気熱変換体
に対して対向するような形態としてもよい。本発明にお
いては、上述した各インクに対して最も有効なものは、
上述した膜沸騰方式を実行するものである。
【0067】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次に示す
効果がある。
【0068】請求項1乃至請求項3に記載の発明は、配
線電極の材料層のマスク用フォトレジストをエッチング
後退させながら配線電極の材料層をエッチングして配線
電極を形成することにより、配線電極のエッジ部の形状
を直線状のテーパーにすることができるため、発熱部に
おける電流密度の集中を防止することができるとともに
、発熱部におけるステップカバレージを向上させること
ができる。
【0069】請求項4乃至請求項6に記載の発明は、基
体作成工程が、配線電極の材料層のマスク用フォトレジ
ストをエッチング後退させながら配線電極の材料層をエ
ッチングして配線電極を形成する配線電極エッチング工
程を含むことにより、耐久性に優れかつ低消費電力化お
よび高性能化が図れる記録ヘッドを製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の記録ヘッド用基体の製造方法の第1の
実施例を説明するための配線電極の材料層がエッチング
される過程を示す模式図であり、(A)は配線電極の材
料層をエッチングする前の状態を示す図、(B)〜(D
)は配線電極の材料層をエッチングする途中の状態を示
す図、(E)は配線電極の材料層のエッチングが終わっ
たときの状態を示す図である。
【図2】形成された配線電極の形状を示す図であり、(
A)は(B)のAーA線に沿う断面図、(B)は平面図
である。
【図3】図1に示した製造方法により製造したインクジ
ェット記録ヘッド用基体の一部分の縦構造を示す模式図
である。
【図4】図3に示したコレクタ・ベース共通電極,エミ
ッタ電極およびアイソレーション電極のエッジ部,両側
面の形状を示す図であり、(A)は(B)のAーA線に
沿う断面図、(B)は平面図である。
【図5】図3に示した発熱部における電流の流れを示す
図である。
【図6】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基体
の製造工程を示す図である。
【図7】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基体
の製造工程を示す図である。
【図8】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基体
の製造工程を示す図である。
【図9】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基体
の製造工程を示す図である。
【図10】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基
体の製造工程を示す図である。
【図11】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基
体の製造工程を示す図である。
【図12】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基
体の製造工程を示す図である。
【図13】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基
体の製造工程を示す図である。
【図14】図3に示したインクジェット記録ヘッド用基
体の駆動用機能素子であるバイポーラトランジスタの基
本動作を説明するための図である。
【図15】本発明による記録ヘッドの製造方法を説明す
る為の模式的断面図である。
【図16】本発明の記録ヘッド用基体の製造方法の第3
の実施例を示す図であり、(A)は配線電極の材料層を
エッチングする前の状態を示す図、(B)は配線電極の
材料層をエッチングしたあとの状態を示す(C)のAー
A線に沿う断面図、(C)は配線電極の材料層をエッチ
ングしたあとの状態を示す平面図である。
【図17】インクジェット記録装置に用いられるインク
ジェット記録ヘッドの構成を示す概略構成図である。
【図18】特開昭57ー72867号公報において提案
した構成によるインクジェット記録ヘッド用基体の一部
分の縦構造を示す模式図である。
【図19】フォトリソグラフィにより発熱部における配
線電極の材料層のエッチングを行うときの過程を示す模
式図であり、(A)は配線電極の材料層をエッチングす
る前の状態を示す図、(B)〜(D)は配線電極の材料
層をエッチングする途中の状態を示す図、(E)は配線
電極の材料層のエッチングが終わったときの状態を示す
図である。
【図20】図18に示したインクジェット記録ヘッド用
基体の問題点を説明するための図である。
【図21】本発明の記録ヘッドの製造方法により製造し
たインクジェット記録ヘッドが搭載されたインクジェッ
ト記録装置の一構成例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1      P型シリコン基板 2      N型コレクタ埋込領域 3      P型アイソレーション埋込領域4   
   N型エピタキシャル領域5      P型ベー
ス領域 6      P型アイソレーション領域7     
 N型コレクタ領域 8      高濃度P型ベース領域 9      高濃度P型アイソレーション領域10 
   高濃度N型エミッタ領域 11    高濃度N型コレクタ領域 12    コレクタ・ベース共通電極13    エ
ミッタ電極 14    アイソレーション電極 15    アノード配線電極 20    発熱部 21    蓄熱層 22    層間膜 23    発熱抵抗層 24    配線電極 241   エッジ部 242   側面 25    第1の保護膜 26    第2の保護膜 30    バイポーラトランジスタ 34    配線電極の材料層 40    インクジェット記録ヘッド用基体50,1
00    マスク用フォトレジスト204    天
板 208    吐出口 TH    スルーホール P      パッド RH1,RH2    電気熱変換素子SH1,SH2
    ダイオードセルS1,S2        ス
イッチ信号G1    スイッチング信号 VH1    バイアス

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  フォトリソグラフィにより、複数の電
    気熱変換素子と、該各電気熱変換素子をそれぞれ駆動す
    る複数の駆動用機能素子と、該各駆動用機能素子と前記
    各電気熱変換素子とをそれぞれ接続する複数の配線電極
    とを基板に形成する記録ヘッド用基体の製造方法におい
    て、テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイ
    ドを主成分とする、液温が30〜55℃のアルカリ性溶
    液を用いて、前記配線電極の材料層のマスク用フォトレ
    ジストをエッチング後退させながら前記配線電極の材料
    層をエッチングして前記配線電極を形成することを特徴
    とする記録ヘッド用基体の製造方法。
  2. 【請求項2】  テトラ・メチル・アンモニウム・ハイ
    ドロオキサイドを主成分とする、液温が30〜55℃の
    アルカリ性溶液を用いて、マスク用フォトレジストの現
    像も行う請求項1記載の記録ヘッド用基体の製造方法。
  3. 【請求項3】  配線電極の材料層がアルミニウム層で
    ある請求項1または請求項2記載の記録ヘッド用基体の
    製造方法。
  4. 【請求項4】  フォトリソグラフィにより、複数の電
    気熱変換素子、該各電気熱変換素子をそれぞれ駆動する
    複数の駆動用機能素子、および該各駆動用機能素子と前
    記各電気熱変換素子とをそれぞれ接続する複数の配線電
    極を基板に形成して記録ヘッド用基体を作成する基体作
    成工程と、インクを吐出するための複数の吐出口を有す
    るインク吐出部を前記記録ヘッド用基体上に作成するイ
    ンク吐出部作成工程とを含む記録ヘッドの製造方法にお
    いて、前記基体作成工程が、テトラ・メチル・アンモニ
    ウム・ハイドロオキサイドを主成分とする、液温が30
    〜55℃のアルカリ性溶液を用いて、前記配線電極の材
    料層のマスク用フォトレジストをエッチング後退させな
    がら前記配線電極の材料層をエッチングして前記配線電
    極を形成する配線電極エッチング工程を含むことを特徴
    とする記録ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項5】  基体作成工程が、テトラ・メチル・ア
    ンモニウム・ハイドロオキサイドを主成分とする、液温
    が30〜55℃のアルカリ性溶液を用いて、マスク用フ
    ォトレジストの現像を行う現像工程を含む請求項4記載
    の記録ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項6】  配線電極の材料層がアルミニウム層で
    ある請求項4または請求項5記載の記録ヘッドの製造方
    法。
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