JPH0431830U - - Google Patents

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JPH0431830U
JPH0431830U JP7116090U JP7116090U JPH0431830U JP H0431830 U JPH0431830 U JP H0431830U JP 7116090 U JP7116090 U JP 7116090U JP 7116090 U JP7116090 U JP 7116090U JP H0431830 U JPH0431830 U JP H0431830U
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gate
transistor
igbt
bipolar transistor
drive circuit
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の絶縁ゲートを持つバイポーラ
トランジスタの過大電流抑制回路の一実施例を示
す回路図であり、第2図は従来の絶縁ゲートを持
つバイポーラトランジスタの過大電流抑制回路の
一例を示す回路図であつて、第3図は動作波形図
であつて、aはIGBTのゲート電圧波形、bは
IGBTのコレクタ電流波形図を示す。 1……IGBT、11……IGBTのコレクタ
、12……IGBTのエミツタ、13……IGB
Tのゲート、2……IGBTの駆動回路、21…
…IGBTのオン駆動用トランジスタ、22……
IGBTのオフ駆動用トランジスタ、23……オ
ン駆動用電源、24……オフ駆動用電源、25…
…制御回路、26……ゲートの直列抵抗、27…
…ツエナーダイオード、28……ダイオード、2
9……ダイオード、3……電流センサ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁ゲートを持つバイポーラトランジスタと該
    トランジスタのゲート〜エミツタ間を駆動するた
    めの駆動回路とから成り、前記トランジスタのゲ
    ートと駆動回路の正電位との間に、カソードが正
    電位の向きになるようにダイオードを接続したこ
    とを特徴とする絶縁ゲートを持つバイポーラトラ
    ンジスタの過大電流抑制回路。
JP7116090U 1990-07-05 1990-07-05 Pending JPH0431830U (ja)

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JP7116090U JPH0431830U (ja) 1990-07-05 1990-07-05

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JPH0431830U true JPH0431830U (ja) 1992-03-16

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014093892A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Fuji Electric Co Ltd 電圧駆動型半導体素子の駆動装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395728A (ja) * 1986-10-13 1988-04-26 Fuji Electric Co Ltd Igbtの過電流保護回路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395728A (ja) * 1986-10-13 1988-04-26 Fuji Electric Co Ltd Igbtの過電流保護回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014093892A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Fuji Electric Co Ltd 電圧駆動型半導体素子の駆動装置

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